本發(fā)明涉及了金屬布線基板領域，無bt基板核的高密度多層倒裝陣列基板。

背景技術：

1、現(xiàn)有的高密度多層倒裝陣列基板（fc-bga基板），采用0.5~1.0mm的硬質bt基材做為基板的內層中心支撐層，然后通過覆膜型介電材料，在bt材料的兩側進行布線的增層，從而實現(xiàn)多層高密度倒裝陣列基板的制作。

2、現(xiàn)有方案需要使用硬質的bt材料作為多層基板的中間層，該等級材料制作難度大，成本高，且這種材料較厚，通過蝕刻后電鍍線路的方式，其兩面無法實現(xiàn)內層最高密度的布線，同時，bt材料是一種含玻璃纖維的復合材料，其雙面進行增層時，與增層的膜狀介電材料（一般為日本味之素獨家的abf材料）有材料匹配和應力問題，易產(chǎn)生分層、漲縮匹配性不佳等可靠性問題。

3、目前的高密度多層倒裝陣列基板（fc-bga基板）中間層采用的低漲縮的bt材料來與增層膜狀介電材料（abf材料）進行匹配，產(chǎn)品厚度一般都在1mm以上，無法實現(xiàn)輕薄化，同時在高頻和高熱條件下有分層、材料漲縮匹配性不佳的可靠性問題。本發(fā)明方案使用一種新型硬質材料進行加工，能在實現(xiàn)中間層厚度降低的前提下，同時提升與增層材料（abf材料）良好的材料結合性和漲縮匹配性。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明涉及的一種高密度多層倒裝陣列基板制備方法，包括以下步驟：

2、s1.根據(jù)所需厚度準備環(huán)氧塑封料；

3、s2.以80噸-180噸的壓力對環(huán)氧塑封料進行真空塑壓獲得由塑封料制成的指定厚度的中間層；

4、s3.在中間層的上表面和下表面分別制作出基本的內部線路層，再在中間層的兩側壓接膜狀介電材料，完成內層線路的制作。

5、進一步地，熱壓過程中的熱壓壓力為180噸。

6、進一步地，兩個所述中間層兩側的金屬再布線采用大馬士革法進行制作。

7、進一步地，還包括設置多個中間層，在相鄰的所述中間層之間壓接的金屬線形成中間層復合結構。

8、進一步地，包括在所述中間層復合結構最上層的中間層的上表面壓接膜狀介電材料和/或在最下層的中間層的下表面壓接膜狀介電材料。

9、進一步地，所述壓接金屬線的布線等級為10um，及更細的布線。

10、本發(fā)明還涉及一種無bt基板核的高密度多層倒裝陣列基板，由上述高密度多層倒裝陣列基板制備方法制備而成。

11、進一步地，在所述膜狀介電材料的上表面或下表面形成被動元件的形狀，最終形成具有被動元件功能的基板。

12、進一步地，所述被動元件為包括電感、電容及電阻等任一種或多種。

13、本發(fā)明的有益之處在于：

14、1.通過更換中間層材料的種類，采用180噸高壓熱壓塑封材料的方式，能夠得到剛性較好的中間層材料，并取代現(xiàn)有的bt材料，具有加工簡單，加工成本低，可靠性高的優(yōu)勢；

15、2.新的材料由于沒有壓覆銅金屬層，可以更容易的制作更細的內層線路；

16、3.新的基板結構采用與增層材料同源的材料體系，能讓基板得到更好的可靠性；

17、4.中間支撐層打破了bt材料只能制作雙面線路的結構，可以通過多次壓塑制作線路的方式制作多層中間層結構。

18、為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

技術特征：

1.一種高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權利要求1所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于，熱壓過程中的熱壓壓力為180噸級。

3.根據(jù)權利要求1所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于，兩個所述中間層之間的金屬再布線采用大馬士革法進行制作。

4.根據(jù)權利要求1所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于，還包括設置多個中間層，在相鄰的所述中間層之間壓接的金屬線形成中間層復合結構。

5.根據(jù)權利要求4所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于，包括在所述中間層復合結構最上層的中間層的上表面壓接膜狀介電材料和/或在最下層的中間層的下表面壓接膜狀介電材料。

6.根據(jù)權利要求1所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于：所述壓接金屬線的布線等級為10um。

7.根據(jù)權利要求1所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法，其特征在于：塑封料中間層為0.2mm-0.5mm。

8.一種無bt基板核的高密度多層倒裝陣列基板，其特征在于，由權利要求1-7任一項所述的高密度多層倒裝陣列基板制備方法制備而成。

9.根據(jù)權利要求8所述的無bt基板核的高密度多層倒裝陣列基板，其特征在于：在所述膜狀介電材料的上表面或下表面形成被動元件的形狀，最終形成具有被動元件功能的基板。

10.根據(jù)權利要求8所述的無bt基板核的高密度多層倒裝陣列基板，其特征在于：所述被動元件為包括電感、電容及電阻等任一種或多種。

技術總結
本發(fā)明涉及的無BT基板核的高密度多層倒裝陣列基板及其制備方法：根據(jù)所需厚度準備環(huán)氧塑封料；以80噸?180噸的壓力對環(huán)氧塑封料進行真空塑壓，獲得厚度為0.2mm?0.5mm的中間層；在中間層的上表面和/或下表面壓接膜狀介電材料或在兩個所述中間層之間壓接金屬線。本發(fā)明的有益之處在于：通過更換中間層材料的種類，采用180噸高壓熱壓塑封材料的方式，能夠得到剛性較好的中間層材料，并取代現(xiàn)有的BT材料，具有加工簡單，加工成本低的優(yōu)勢；新的材料由于沒有正反面覆銅，可以通過工藝的方式，更容易的制作更細的內層線路；同時新的基板結構采用與增層材料同源的材料體系，能讓基板得到更好的可靠性。

技術研發(fā)人員：環(huán)珣,張凱
受保護的技術使用者：蘇州億麥矽半導體技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/21