本發(fā)明涉及一種電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，特別是涉及一種高精度的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法中，是先于電路基板形成通孔后，再對電路基板形成有該通孔的位置進(jìn)行鉆孔以形成機(jī)鉆孔。然而，如此的做法會(huì)使得機(jī)鉆孔的孔徑遠(yuǎn)大于通孔的孔徑，從而導(dǎo)致電路板結(jié)構(gòu)有精準(zhǔn)度不夠高的問題。如此一來，在進(jìn)行鉆孔以形成機(jī)鉆孔時(shí)需要于電路基板上保留更大的安全距離，從而導(dǎo)致后續(xù)形成的電路板結(jié)構(gòu)的整體面積過大。

2、故，如何改良現(xiàn)有的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，來克服上述的缺陷，已成為該項(xiàng)事業(yè)所欲解決的重要課題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，以有效改善現(xiàn)有的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法有精準(zhǔn)度不夠高的問題。

2、為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是提供一種一種電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其包括：一前置步驟，提供一電路基板，其包含彼此相反的一第一表面及一第二表面；一第一鉆孔步驟，對所述電路基板進(jìn)行鉆孔以形成貫穿所述電路基板的一通孔，并且所述通孔具有一第一孔徑；一第二鉆孔步驟，于所述第一表面形成有所述通孔的位置進(jìn)行鉆孔，以形成連通于所述通孔的一對位孔，并且所述通孔的所述第一孔徑小于所述對位孔的一第二孔徑；一電鍍步驟，對所述電路基板進(jìn)行電鍍，以于所述通孔及所述對位孔中形成一電鍍層；一樹脂填充步驟，于所述電鍍層的內(nèi)側(cè)填充一樹脂材料以形成一樹脂結(jié)構(gòu)；以及一第三鉆孔步驟，于所述第二表面形成有所述通孔的位置進(jìn)行鉆孔以移除所述通孔中部分的所述電鍍層及部分的所述樹脂結(jié)構(gòu)，從而于所述電路基板的所述第二表面形成一盲孔結(jié)構(gòu)且形成一電路板結(jié)構(gòu)。

3、優(yōu)選地，所述通孔的所述第一孔徑介于0.15毫米至0.25毫米之間。

4、優(yōu)選地，所述對位孔的所述第二孔徑與所述通孔的所述第一孔徑之間的差值的絕對值介于0.025毫米至0.075毫米之間。

5、優(yōu)選地，所述對位孔包含有一恒定段及連接于所述恒定段的一漸縮段，并且所述恒定段是開設(shè)于所述電路基板的所述第一表面；其中，所述漸縮段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向漸縮且所述恒定段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向無變化。

6、優(yōu)選地，所述電鍍層的一鍍層厚度介于700微米至1,100微米之間。

7、優(yōu)選地，所述電鍍層包含形成于所述通孔的一電鍍瓶頸部及形成于所述對位孔的一電鍍瓶身部，并且所述樹脂結(jié)構(gòu)包含形成于所述通孔的一樹脂瓶頸部及形成于所述對位孔的一樹脂瓶身部。

8、優(yōu)選地，于所述第三鉆孔步驟中，移除部分的所述電鍍瓶頸部及部分的所述樹脂瓶身部。

9、優(yōu)選地，所述盲孔結(jié)構(gòu)包含一側(cè)部及一底部，所述電路基板的所述通孔的孔壁定義為所述盲孔結(jié)構(gòu)的所述側(cè)部，并且所述盲孔結(jié)構(gòu)的所述底部包含一環(huán)電鍍區(qū)及位于所述環(huán)電鍍區(qū)內(nèi)側(cè)一中心樹脂區(qū)。

10、優(yōu)選地，于所述第三鉆孔步驟后，所述電鍍層的頂部及所述樹脂結(jié)構(gòu)的頂部分別形成為所述盲孔結(jié)構(gòu)的所述底部的所述環(huán)電鍍區(qū)及所述中心樹脂區(qū)。

11、優(yōu)選地，所述盲孔結(jié)構(gòu)的深度從所述環(huán)電鍍區(qū)向所述底部的中心逐漸增加。

12、本發(fā)明的其中一有益效果在于，本發(fā)明所提供的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其能通過“第二鉆孔步驟，于所述第一表面形成有所述通孔的位置進(jìn)行鉆孔，以形成連通于所述通孔的一對位孔，并且所述通孔的所述第一孔徑小于所述對位孔的一第二孔徑”以及“第三鉆孔步驟，于所述第二表面形成有所述通孔的位置進(jìn)行鉆孔以移除所述通孔中部分的所述電鍍層及部分的所述樹脂結(jié)構(gòu)，從而于所述電路基板的所述第二表面形成一盲孔結(jié)構(gòu)且形成一電路板結(jié)構(gòu)”的技術(shù)方案，以有效改善現(xiàn)有的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法有精準(zhǔn)度不夠高的問題。

13、為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與圖式，然而所提供的圖式僅用于提供參考與說明，并非用來對本發(fā)明加以限制。

技術(shù)特征：

1.一種電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述通孔的所述第一孔徑介于0.15毫米至0.25毫米之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述對位孔的所述第二孔徑與所述通孔的所述第一孔徑之間的差值的絕對值介于0.025毫米至0.075毫米之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述對位孔包含有一恒定段及連接于所述恒定段的一漸縮段，并且所述恒定段是開設(shè)于所述電路基板的所述第一表面；其中，所述漸縮段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向漸縮且所述恒定段的孔徑沿所述第一表面向所述第二表面的方向無變化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述電鍍層的一鍍層厚度介于700微米至1,100微米之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述電鍍層包含形成于所述通孔的一電鍍瓶頸部及形成于所述對位孔的一電鍍瓶身部，并且所述樹脂結(jié)構(gòu)包含形成于所述通孔的一樹脂瓶頸部及形成于所述對位孔的一樹脂瓶身部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，于所述第三鉆孔步驟中，移除部分的所述電鍍瓶頸部及部分的所述樹脂瓶身部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述盲孔結(jié)構(gòu)包含一側(cè)部及一底部，所述電路基板的所述通孔的孔壁定義為所述盲孔結(jié)構(gòu)的所述側(cè)部，并且所述盲孔結(jié)構(gòu)的所述底部包含一環(huán)電鍍區(qū)及位于所述環(huán)電鍍區(qū)內(nèi)側(cè)一中心樹脂區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，于所述第三鉆孔步驟后，所述電鍍層的頂部及所述樹脂結(jié)構(gòu)的頂部分別形成為所述盲孔結(jié)構(gòu)的所述底部的所述環(huán)電鍍區(qū)及所述中心樹脂區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其特征在于，所述盲孔結(jié)構(gòu)的深度從所述環(huán)電鍍區(qū)向所述底部的中心逐漸增加。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法，其包含：一前置步驟，提供一電路基板，其包含一第一表面及一第二表面；一第一鉆孔步驟，對所述電路基板進(jìn)行鉆孔以形成一通孔；一第二鉆孔步驟，于所述第一表面進(jìn)行鉆孔，以形成連通于所述通孔的一對位孔；一電鍍步驟，對所述電路基板進(jìn)行電鍍，以于所述通孔及所述對位孔中形成一電鍍層；一樹脂填充步驟，于所述電鍍層的內(nèi)側(cè)填充一樹脂材料以形成一樹脂結(jié)構(gòu)；以及一第三鉆孔步驟，于所述第二表面進(jìn)行鉆孔以移除所述通孔中部分的所述電鍍層及部分的所述樹脂結(jié)構(gòu)，從而形成一盲孔結(jié)構(gòu)且形成一電路板結(jié)構(gòu)。本發(fā)明公開的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法能有效改善現(xiàn)有的電路板結(jié)構(gòu)的鉆孔方法有精準(zhǔn)度不夠高的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳永論,桂華榮,楊海
受保護(hù)的技術(shù)使用者：健鼎（無錫）電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21