本申請涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件、芯片以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和半導(dǎo)體工藝制程的進(jìn)步，芯片的集成規(guī)模也越來越大，同時(shí)，帶來的芯片的靜態(tài)功耗(leakage)也越來越大。靜態(tài)功耗又稱為泄漏功耗，是指當(dāng)電路處于等待或非激活狀態(tài)時(shí)，由于泄漏電流所產(chǎn)生的功耗。

2、如何降低芯片的靜態(tài)功耗，成為了降低芯片整體功耗、延長電子設(shè)備待機(jī)時(shí)長的關(guān)鍵問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述問題，本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件、芯片以及電子設(shè)備，能夠降低半導(dǎo)體器件的靜態(tài)功耗。

2、本申請通過的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：第一電源線，第一電源線被配置為提供常開的第一電源信號；第二電源線；開關(guān)單元，開關(guān)單元的電源端連接第一電源線，開關(guān)單元的輸出端連接第二電源線，第二電源線被配置為根據(jù)開關(guān)單元的開關(guān)狀態(tài)提供可關(guān)斷的第二電源信號；第一標(biāo)準(zhǔn)單元，第一標(biāo)準(zhǔn)單元的電源端被配置為輸入第二電源信號；其中，開關(guān)單元的n阱區(qū)被配置為輸入第一電源信號。

3、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括第三電源線，第三電源線連接第二電源線和第一標(biāo)準(zhǔn)單元的電源端。

4、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括第一阱區(qū)接頭單元，第一阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)連接第一標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)和第三電源線。

5、在一實(shí)施例中，第一阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)和第一標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)為第一公共阱區(qū)。

6、在一實(shí)施例中，開關(guān)單元包括第一n阱區(qū)和第二n阱區(qū)，第一n阱區(qū)和第二n阱區(qū)相互隔離，第一n阱區(qū)連接第一阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)，第二n阱區(qū)被配置為輸入第一電源信號。

7、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括第二阱區(qū)接頭單元，第二阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)連接開關(guān)單元的第二n阱區(qū)和第一電源線。

8、在一實(shí)施例中，第二阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)和開關(guān)單元的第二n阱區(qū)為第二公共阱區(qū)。

9、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括第三阱區(qū)接頭單元，第三阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)連接開關(guān)單元的n阱區(qū)、第一標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)和第一電源線。

10、在一實(shí)施例中，第一電源線、第二電源線和第三電源線分別位于半導(dǎo)體器件的不同導(dǎo)電層。

11、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括襯底，第一電源線位于第一導(dǎo)電層，第二電源線位于第二導(dǎo)電層，第三電源線位于第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層設(shè)置于襯底一側(cè)，第二導(dǎo)電層設(shè)置于第三導(dǎo)電層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，第一導(dǎo)電層設(shè)置于第二導(dǎo)電層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)。

12、在一實(shí)施例中，第一電源線和第三電源線沿行方向延伸，第二電源線沿列方向延伸。

13、在一實(shí)施例中，相鄰兩條第三電源線定義一個(gè)單元行，相鄰兩條第三電源線之間的距離定義為單位行寬；其中，開關(guān)單元沿列方向的寬度為單位行寬的兩倍或四倍。

14、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括第二標(biāo)準(zhǔn)單元，第二標(biāo)準(zhǔn)單元的輸入端被配置為輸入控制信號，第二標(biāo)準(zhǔn)單元的輸出端連接開關(guān)單元的輸入端。

15、在一實(shí)施例中，第二標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)和電源端被配置為輸入第一電源信號。。

16、本申請通過的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種芯片，該芯片包括如上述的半導(dǎo)體器件。

17、本申請通過的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括如上述的芯片。

18、本申請?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件包括：第一電源線，第一電源線被配置為提供常開的第一電源信號；第二電源線；開關(guān)單元，開關(guān)單元的電源端連接第一電源線，開關(guān)單元的輸出端連接第二電源線，第二電源線被配置為根據(jù)開關(guān)單元的開關(guān)狀態(tài)提供可關(guān)斷的第二電源信號；第一標(biāo)準(zhǔn)單元，第一標(biāo)準(zhǔn)單元的電源端被配置為輸入第二電源信號；其中，開關(guān)單元的n阱區(qū)被配置為輸入第一電源信號。通過上述方式，利用開關(guān)單元的控制實(shí)現(xiàn)了對常開電源域的標(biāo)準(zhǔn)單元提供常開電源，對可關(guān)斷電源域的標(biāo)準(zhǔn)單元提供可關(guān)斷電源，在可關(guān)斷電源域的標(biāo)準(zhǔn)單元不工作時(shí)，可以不提供電源，從而降低了靜態(tài)功耗；進(jìn)一步，通過對開關(guān)單元的n阱區(qū)輸入第一電源信號，能夠保持開關(guān)電源的電源端和n阱區(qū)的電壓一致，避免形成pn結(jié)產(chǎn)生電流，從而進(jìn)一步降低了功耗。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括第三電源線，所述第三電源線連接所述第二電源線和所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元的電源端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括第一阱區(qū)接頭單元，所述第一阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)連接所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)和所述第三電源線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)和所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)為第一公共阱區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述開關(guān)單元包括第一n阱區(qū)和第二n阱區(qū)，所述第一n阱區(qū)和所述第二n阱區(qū)相互隔離，所述第一n阱區(qū)連接所述第一阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)，所述第二n阱區(qū)被配置為輸入所述第一電源信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括第二阱區(qū)接頭單元，所述第二阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)連接所述開關(guān)單元的所述第二n阱區(qū)和所述第一電源線。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)和所述開關(guān)單元的所述第二n阱區(qū)為第二公共阱區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括第三阱區(qū)接頭單元，所述第三阱區(qū)接頭單元的n阱區(qū)連接所述開關(guān)單元的n阱區(qū)、所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)和所述第一電源線。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電源線、所述第二電源線和所述第三電源線分別位于所述半導(dǎo)體器件的不同導(dǎo)電層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括襯底，所述第一電源線位于第一導(dǎo)電層，所述第二電源線位于第二導(dǎo)電層，所述第三電源線位于第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層設(shè)置于所述襯底一側(cè)，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置于所述第三導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電源線和所述第三電源線沿行方向延伸，所述第二電源線沿列方向延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，相鄰兩條所述第三電源線定義一個(gè)單元行，相鄰兩條所述第三電源線之間的距離定義為單位行寬；

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括第二標(biāo)準(zhǔn)單元，所述第二標(biāo)準(zhǔn)單元的輸入端被配置為輸入控制信號，所述第二標(biāo)準(zhǔn)單元的輸出端連接所述開關(guān)單元的輸入端。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二標(biāo)準(zhǔn)單元的n阱區(qū)和電源端被配置為輸入所述第一電源信號。

15.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括如權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。

16.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求15所述的芯片。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種半導(dǎo)體器件、芯片以及電子設(shè)備，其中，該半導(dǎo)體器件包括：第一電源線，第一電源線被配置為提供常開的第一電源信號；第二電源線；開關(guān)單元，開關(guān)單元的電源端連接第一電源線，開關(guān)單元的輸出端連接第二電源線，第二電源線被配置為根據(jù)開關(guān)單元的開關(guān)狀態(tài)提供可關(guān)斷的第二電源信號；第一標(biāo)準(zhǔn)單元，第一標(biāo)準(zhǔn)單元的電源端被配置為輸入第二電源信號；其中，開關(guān)單元的N阱區(qū)被配置為輸入第一電源信號。通過上述方式，能夠降低半導(dǎo)體器件的靜態(tài)功耗。

技術(shù)研發(fā)人員：王強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢杰開科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/29