本發(fā)明涉及射頻產(chǎn)品的控制,具體而言,涉及一種面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路與方法。
背景技術(shù):
1、在航天、星載領(lǐng)域,大功率射頻信號傳輸、通道切換通常采用波導(dǎo)開關(guān)的方式。波導(dǎo)開關(guān)一般由射頻通道、驅(qū)動開關(guān)、狀態(tài)檢測等幾部分組成。由于波導(dǎo)開關(guān)要傳輸大功率的射頻信號,且對可靠性要求較高,因此驅(qū)動開關(guān)通常是電驅(qū)動機(jī)械開關(guān)。這類開關(guān)驅(qū)動電流特別大,一般幾百毫安到上千毫安量級,驅(qū)動方式為oc信號。因此驅(qū)動波導(dǎo)開關(guān)的oc信號就必須具體較大載流能力。考慮到波導(dǎo)開關(guān)在帶載切換時容易損壞,因此其驅(qū)動電路還必須具備狀態(tài)檢測和保護(hù)功能。航天、星載領(lǐng)域,傳統(tǒng)的oc信號產(chǎn)生一般基于集成驅(qū)動芯片,其驅(qū)動電流一般較小,在幾十毫安量級,且電路不具備狀態(tài)檢測和保護(hù)能力。雖然可以通過并聯(lián)輸出提高帶載電流,但也會造成體積、成本增加和可靠性降低。另外一種方式,可通過大功率mosfet管并配合特定驅(qū)動控制及檢測電路,來實現(xiàn)大電流oc信號及狀態(tài)檢測和保護(hù)功能。每種方式各有優(yōu)缺點總結(jié)如下:
2、以集成驅(qū)動芯片產(chǎn)生oc信號方法,優(yōu)點是集成度高、電路結(jié)構(gòu)簡單。缺點是驅(qū)動電流較小,要產(chǎn)生大的電流,需要多片并聯(lián)輸出,體積、功耗、成本均會增加,可靠性會降低,且不易實現(xiàn)狀態(tài)檢測和保護(hù)功能。
3、以大功率mosfet管并配合特定驅(qū)動控制及檢測電路產(chǎn)生oc信號方法,電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不易實現(xiàn)。優(yōu)點是驅(qū)動電流大,方法靈活多樣。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對航天、星載領(lǐng)域,用于大功率射頻信號傳輸、通道切換的波導(dǎo)開關(guān)驅(qū)動電流較大,且常用方法驅(qū)動存在電路可靠性低或電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜實現(xiàn)困難,無法滿足航天高可靠性應(yīng)用的情況,本發(fā)明提供一種面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路與方法,其是一種基于大功率mosfet管、快速驅(qū)動及檢測保護(hù)電路相結(jié)合的大電流、高可靠的oc信號的控制電路和方法。
2、本發(fā)明提供的一種面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,包括:
3、采用快速啟動器實現(xiàn)的驅(qū)動電路;
4、采用大功率mosfet管實現(xiàn)的oc產(chǎn)生電路;
5、以及,檢測保護(hù)電路;
6、檢測保護(hù)電路連接驅(qū)動電路的輸入端;oc產(chǎn)生電路連接驅(qū)動電路的輸出端。
7、進(jìn)一步地,所述驅(qū)動電路包括若干路并行的快速啟動器。
8、進(jìn)一步地,所述oc產(chǎn)生電路采用大功率mosfet管形成若干路并聯(lián)輸出方式。
9、進(jìn)一步地,所述驅(qū)動電路包括4路并行的快速啟動器;所述oc產(chǎn)生電路采用大功率mosfet管形成兩路并聯(lián)輸出方式;其中每路包括串聯(lián)的兩個大功率mosfet管,每個大功率mosfet管分別連接1路快速啟動器。
10、進(jìn)一步地,所述大功率mosfet管采用n型mosfet管。
11、進(jìn)一步地,所述檢測保護(hù)電路包括依次連接的檢測電路、保護(hù)電路和控制信號產(chǎn)生電路;所述控制信號產(chǎn)生電路的輸出端連接驅(qū)動電路的輸入端。
12、本發(fā)明還提供一種面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制方法,基于上述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路實現(xiàn),方法包括:
13、檢測保護(hù)電路完成負(fù)載端工作狀態(tài)檢測,并向驅(qū)動電路輸出相應(yīng)的控制信號;
14、驅(qū)動電路根據(jù)控制信號向oc產(chǎn)生電路輸出驅(qū)動信號;
15、oc產(chǎn)生電路根據(jù)驅(qū)動信號產(chǎn)生oc信號并輸出。
16、進(jìn)一步地,所述檢測保護(hù)電路中:
17、檢測電路完成負(fù)載端工作狀態(tài)檢測,產(chǎn)生工作狀態(tài)檢測電壓vs;
18、比較電路完成工作狀態(tài)檢測電壓vs與負(fù)載工作啟動門限電壓vthd比較,產(chǎn)生狀態(tài)指示信號f;
19、控制信號產(chǎn)生電路接收來自比較電路輸出的狀態(tài)指示信號f和外部使能信號en,通過邏輯運算后,產(chǎn)生控制信號并輸出至驅(qū)動電路。
20、進(jìn)一步地,所述比較電路中:
21、當(dāng)vs≥vthd時,指示信號f=1,說明負(fù)載端帶載;
22、當(dāng)vs<vthd時,指示信號f=0,說明負(fù)載端空載。
23、進(jìn)一步地,所述控制信號產(chǎn)生電路中:
24、當(dāng)負(fù)載端帶載時,控制信號產(chǎn)生電路無輸出;
25、當(dāng)負(fù)載端空載時,控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的控制信號隨外部使能信號en時序變化。
26、綜上所述,本發(fā)明采用大功率mosfet管、快速驅(qū)動器及檢測保護(hù)電路相結(jié)合方式產(chǎn)生波導(dǎo)開關(guān)驅(qū)動oc信號,其具有以下有益效果:
27、1、本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)簡單,邏輯關(guān)系清晰,易實現(xiàn)。
28、2、本發(fā)明產(chǎn)生的oc信號電流大小靈活可調(diào),雙通道并聯(lián)輸出提高電路可靠性。
29、3、本發(fā)明采用快速驅(qū)動器,提高oc信號響應(yīng)速率。
30、4、本發(fā)明具有完備檢測保護(hù)電路,提高負(fù)載工作安全性。
1.一種面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,其特征在于,所述驅(qū)動電路包括若干路并行的快速啟動器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,其特征在于,所述oc產(chǎn)生電路采用大功率mosfet管形成若干路并聯(lián)輸出方式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,其特征在于,所述驅(qū)動電路包括4路并行的快速啟動器;所述oc產(chǎn)生電路采用大功率mosfet管形成兩路并聯(lián)輸出方式;其中每路包括串聯(lián)的兩個大功率mosfet管,每個大功率mosfet管分別連接1路快速啟動器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,其特征在于,所述大功率mosfet管采用n型mosfet管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路,其特征在于,所述檢測保護(hù)電路包括依次連接的檢測電路、保護(hù)電路和控制信號產(chǎn)生電路;所述控制信號產(chǎn)生電路的輸出端連接驅(qū)動電路的輸入端。
7.一種面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制方法,基于權(quán)利要求1-6任一項所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制電路實現(xiàn),其特征在于,包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制方法,其特征在于,所述檢測保護(hù)電路中:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制方法,其特征在于,所述比較電路中:
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的面向波導(dǎo)開關(guān)的大電流oc信號控制方法,其特征在于,所述控制信號產(chǎn)生電路中: