本發(fā)明涉及射頻，特別涉及一種抗阻塞放大器以及一種射頻接收系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在射頻環(huán)境中存在很多噪聲干擾，所以，很多應(yīng)用都要求射頻接收系統(tǒng)的射頻前端具有抗阻塞功能，從而使得射頻接收系統(tǒng)能夠在比較大的阻塞信號下工作?？棺枞糯笃饕缶哂懈邘?、低增益以及高線性的特性，在環(huán)境惡劣的低頻環(huán)境下，抗阻塞放大器的上述性能尤其重要。

2、請參見圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種抗阻塞放大器的結(jié)構(gòu)圖。在圖1所示的抗阻塞放大器中，電容c01、電阻r01和電感l(wèi)01構(gòu)成晶體管漏極和柵極之間的負(fù)反饋，電阻r02和電感l(wèi)02構(gòu)成晶體管源端的負(fù)反饋。在1ghz以下的工作環(huán)境中，由于該電路的增益過高，需要增加負(fù)反饋電路的反饋系數(shù)，從而導(dǎo)致電路的噪聲系數(shù)較高、穩(wěn)定性較差。請參見圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中另一種抗阻塞放大器的結(jié)構(gòu)圖。在圖2所示的抗阻塞放大器中是采用cascode架構(gòu)（共源共柵結(jié)構(gòu)）來提升該放大電路的抗阻塞性能，但是，該電路結(jié)構(gòu)與圖1所示的電路結(jié)構(gòu)類似，同樣存在著噪聲系數(shù)較高、穩(wěn)定性較差的問題。目前，針對這一技術(shù)問題，還沒有較為有效的解決辦法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種抗阻塞放大器以及一種射頻接收系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中抗阻塞放大器噪聲系數(shù)較大、穩(wěn)定性不高的技術(shù)問題。其具體方案如下：

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種抗阻塞放大器，包括：晶體管模塊，所述晶體管模塊內(nèi)至少設(shè)置有1個(gè)晶體管；當(dāng)所述晶體管模塊內(nèi)有1個(gè)晶體管時(shí)，所述晶體管內(nèi)晶體管的漏極和柵極之間串聯(lián)有rlc電路，所述晶體管的源極與地之間串聯(lián)有rl電路，所述晶體管的柵極和漏極分別為所述晶體管模塊的輸入端和輸出端；當(dāng)所述晶體管模塊內(nèi)有2個(gè)以及2個(gè)以上的晶體管時(shí)，所述晶體管模塊內(nèi)第i個(gè)晶體管的源極與第i+1個(gè)晶體管的漏極相連；所述晶體管模塊內(nèi)第1個(gè)晶體管的漏極和第n個(gè)晶體管的柵極之間串聯(lián)有rlc電路，所述晶體管模塊內(nèi)第n個(gè)晶體管的源極與地之間串聯(lián)有rl電路；所述晶體管模塊內(nèi)第n個(gè)晶體管的柵極和第1個(gè)晶體管的漏極分別為所述晶體管模塊的輸入端和輸出端；n＞1，1≤i≤n；所述晶體管模塊的輸入端和輸出端之間還連接有負(fù)反饋電路，所述負(fù)反饋電路包括兩個(gè)變壓器，并且，所述負(fù)反饋電路上還連接有用于對兩個(gè)變壓器的工作性能進(jìn)行調(diào)節(jié)的阻抗匹配模塊。

3、優(yōu)選的，所述負(fù)反饋電路包括：第一變壓器和第二變壓器；

4、其中，所述晶體管模塊的輸入端與第一隔直電容的第一端相連，所述第一隔直電容的第二端分別與所述第一變壓器原邊繞組的第一端和所述第二變壓器原邊繞組的第一端相連，所述晶體管模塊的輸出端與第二隔直電容的第一端相連，所述第二隔直電容的第二端分別與所述第一變壓器副邊繞組的第一端和所述第二變壓器副邊繞組的第一端相連，所述第一變壓器副邊繞組的第二端和所述第二變壓器原邊繞組的第二端均接地；

5、相應(yīng)的，所述第一變壓器原邊繞組的第二端用于接收射頻接收系統(tǒng)所發(fā)送的射頻信號，所述第二變壓器副邊繞組的第二端用于輸出信號放大后的所述射頻信號。

6、優(yōu)選的，所述阻抗匹配模塊包括：第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；

7、其中，所述第一電容的第一端分別和所述第一隔直電容的第二端、所述第一變壓器原邊繞組的第一端和所述第二變壓器原邊繞組的第一端相連，所述第二電容的第一端分別和所述第二隔直電容的第二端、所述第一變壓器副邊繞組的第一端和所述第二變壓器副邊繞組的第一端相連，所述第一變壓器原邊繞組的第二端與所述第三電容的第一端相連，所述第二變壓器副邊繞組的第二端與所述第四電容的第一端相連；所述第一電容的第一端、所述第二電容的第一端、所述第三電容的第二端和所述第四電容的第二端均接地。

8、優(yōu)選的，還包括：第五電容；

9、其中，所述第五電容的第一端和第二端分別與所述第一變壓器原邊繞組的第一端和所述第二變壓器副邊繞組的第一端相連。

10、優(yōu)選的，還包括：第六電容；

11、其中，所述第六電容的第一端與所述第一變壓器原邊繞組的第二端相連，所述第六電容的第二端接地。

12、優(yōu)選的，所述rlc電路串聯(lián)在所述第一隔直電容的第一端和所述第二隔直電容的第一端之間；并且，所述晶體管模塊內(nèi)第1個(gè)晶體管的漏極和第n個(gè)晶體管的柵極相應(yīng)替換為斷路狀態(tài)。

13、優(yōu)選的，還包括：第一電阻；

14、其中，所述第一電阻的第一端分別與所述第一變壓器副邊繞組的第二端和所述第二變壓器原邊繞組的第二端相連，所述第一電阻的第二端接地。

15、優(yōu)選的，還包括：第一電感、第二電感、第三電感和第四電感；

16、其中，所述第一電感的第一端與所述第一隔直電容的第二端相連，所述第一電感的第二端分別與所述第一變壓器原邊繞組的第一端和所述第二變壓器原邊繞組的第一端相連，所述第二電感的第一端與所述第二隔直電容的第二端相連，所述第二電感的第二端分別與所述第一變壓器副邊繞組的第一端和所述第二變壓器副邊繞組的第一端相連，所述第三電感的第一端與所述第一變壓器原邊繞組的第二端相連，所述第三電感的第二端與所述第三電容的第一端相連，所述第四電感的第一端與所述第二變壓器副邊繞組的第二端相連，所述第四電感的第二端與所述第四電容的第一端相連。

17、優(yōu)選的，所述第一變壓器的匝數(shù)比和所述第二變壓器的匝數(shù)比相等。

18、優(yōu)選的，所述第一變壓器的匝數(shù)比大于或等于1。

19、優(yōu)選的，所述第一變壓器的匝數(shù)比小于或等于10。

20、優(yōu)選的，所述第一變壓器的匝數(shù)比和所述第二變壓器的匝數(shù)比不相等。

21、優(yōu)選的，所述第一變壓器或第二變壓器的匝數(shù)比大于等于1，所述第一變壓器或所述第二變壓器的匝數(shù)比小于等于10。

22、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種射頻接收系統(tǒng)，包括如前述所公開的一種抗阻塞放大器。

23、有益效果：相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，在本發(fā)明所提供的抗阻塞放大器中，相當(dāng)于是在原有抗阻塞放大器的負(fù)反饋架構(gòu)上添加了新的由兩個(gè)變壓器所搭建的負(fù)反饋電路，并在負(fù)反饋電路上還連接有用于對兩個(gè)變壓器的工作性能進(jìn)行調(diào)節(jié)的阻抗匹配模塊。在此設(shè)置方式下就可以減輕原有抗阻塞放大器的負(fù)反饋深度。因此，通過本發(fā)明所提供的抗阻塞放大器就可以在相同增益下，降低電路的噪聲系數(shù)，并提高電路的穩(wěn)定性。相應(yīng)的，本發(fā)明所提供的一種射頻接收系統(tǒng)，同樣具有上述有益效果。

技術(shù)特征：

1.一種抗阻塞放大器，包括：晶體管模塊，所述晶體管模塊內(nèi)至少設(shè)置有1個(gè)晶體管；當(dāng)所述晶體管模塊內(nèi)有1個(gè)晶體管時(shí)，所述晶體管模塊內(nèi)晶體管的漏極和柵極之間串聯(lián)有rlc電路，所述晶體管的源極與地之間串聯(lián)有rl電路，所述晶體管的柵極和漏極分別為所述晶體管模塊的輸入端和輸出端；當(dāng)所述晶體管模塊內(nèi)有2個(gè)以及2個(gè)以上的晶體管時(shí)，所述晶體管模塊內(nèi)第i個(gè)晶體管的源極與第i+1個(gè)晶體管的漏極相連；所述晶體管模塊內(nèi)第1個(gè)晶體管的漏極和第n個(gè)晶體管的柵極之間串聯(lián)有rlc電路，所述晶體管模塊內(nèi)第n個(gè)晶體管的源極與地之間串聯(lián)有rl電路；所述晶體管模塊內(nèi)第n個(gè)晶體管的柵極和第1個(gè)晶體管的漏極分別為所述晶體管模塊的輸入端和輸出端；n＞1，1≤i≤n；其特征在于，所述晶體管模塊的輸入端和輸出端之間還連接有負(fù)反饋電路，所述負(fù)反饋電路包括兩個(gè)變壓器，并且，所述負(fù)反饋電路上還連接有用于對兩個(gè)變壓器的工作性能進(jìn)行調(diào)節(jié)的阻抗匹配模塊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述負(fù)反饋電路包括：第一變壓器和第二變壓器；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述阻抗匹配模塊包括：第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，還包括：第五電容；

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，還包括：第六電容；

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述rlc電路串聯(lián)在所述第一隔直電容的第一端和所述第二隔直電容的第一端之間；并且，所述晶體管模塊內(nèi)第1個(gè)晶體管的漏極和第n個(gè)晶體管的柵極相應(yīng)替換為斷路狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，還包括：第一電阻；

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，還包括：第一電感、第二電感、第三電感和第四電感；

9.根據(jù)權(quán)利要求2至8任一項(xiàng)所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述第一變壓器的匝數(shù)比和所述第二變壓器的匝數(shù)比相等。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述第一變壓器的匝數(shù)比大于或等于1。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述第一變壓器的匝數(shù)比小于或等于10。

12.根據(jù)權(quán)利要求2至8任一項(xiàng)所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述第一變壓器的匝數(shù)比和所述第二變壓器的匝數(shù)比不相等。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種抗阻塞放大器，其特征在于，所述第一變壓器或第二變壓器的匝數(shù)比大于等于1，所述第一變壓器或所述第二變壓器的匝數(shù)比小于等于10。

14.一種射頻接收系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至13任一項(xiàng)所述的一種抗阻塞放大器。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種抗阻塞放大器以及一種射頻接收系統(tǒng)，屬于射頻技術(shù)領(lǐng)域，該放大器包括：晶體管模塊，若模塊內(nèi)有1個(gè)晶體管，晶體管的漏極和柵極之間設(shè)有RLC電路，晶體管的源極與地之間設(shè)有RL電路，晶體管的柵極和漏極分別為模塊的輸入端和輸出端；若模塊內(nèi)有2個(gè)及2?個(gè)以上的晶體管，模塊內(nèi)第i個(gè)晶體管的源極與第i+1個(gè)晶體管的漏極相連；第1個(gè)晶體管的漏極和第N個(gè)晶體管的柵極之間設(shè)有RLC電路，第N個(gè)晶體管的源極與地之間設(shè)有RL電路；第N個(gè)晶體管的柵極和第1個(gè)晶體管的漏極分別為模塊的輸入端和輸出端；模塊的輸入端和輸出端之間還設(shè)有負(fù)反饋電路和阻抗匹配模塊。利用該放大器可以降低電路的噪聲系數(shù)、提高電路的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉海玲,陳高鵬,楊天應(yīng),黃清華,馬強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：睿思微系統(tǒng)（煙臺）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21