用于光刻膜技術(shù)印刷電路的低溫共燒陶瓷基板生帶制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于光刻膜技術(shù)印刷電路的低溫共燒陶瓷基板生帶制作方法及其制作方法以及半導(dǎo)體封裝裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技進(jìn)步，目前電子產(chǎn)品以小型化及輕薄化為導(dǎo)向。以無線通訊產(chǎn)業(yè)中的手機(jī)為例，短短幾年內(nèi)，手機(jī)的體積由最早的黑金剛縮小至不及一手掌大小。同時(shí)，手機(jī)的功能由最簡單的語音傳送，發(fā)展到能夠傳輸數(shù)據(jù)、圖文。由此可見，輕、薄、短、小是電子產(chǎn)品目前設(shè)計(jì)的重點(diǎn)及趨勢(shì)，而低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)可以完成此需求的技術(shù)。
[0003]低溫共燒陶瓷技術(shù)具有有源元件、模塊及無源元件的整合能力。其堆疊多個(gè)低溫共燒陶瓷基板，并且嵌埋無源元件或集成電路(IC)于這些低溫共燒陶瓷基板中。此外，低溫共燒陶瓷基板可與低阻抗、低介電損失的金屬共燒，以及不受層數(shù)限制、能將電感電容等無源元件埋入等優(yōu)點(diǎn)，因此非常適合應(yīng)于整合元件。另外，低溫共燒陶瓷技術(shù)可以縮小電子產(chǎn)品的體積及降低成本，并實(shí)現(xiàn)將電子產(chǎn)品輕、薄、短、小化的目標(biāo)。
[0004]然而，低溫共燒陶瓷基板具有高硬度及易脆等特性，使得切割機(jī)于切割較硬的基板時(shí)，該基板與切割刀片會(huì)產(chǎn)生一較大的摩擦力，而此摩擦產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)轉(zhuǎn)移到切割刀片，造成電子產(chǎn)品擷毀或切割刀片損毀，以致于工藝良率降低。因此，如何在切割制作陶瓷基板時(shí)，產(chǎn)生較低的阻力以提升良率，實(shí)屬當(dāng)前重要課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]
【發(fā)明內(nèi)容】
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供用于光刻膜技術(shù)印刷電路的低溫共燒陶瓷基板生帶制作方法。
[0006]因此，為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種低溫共燒陶瓷基板，其包含多個(gè)基板單元及至少一切割圖案，切割圖案配置于兩相鄰的這些基板單元之間。
[0007]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種低溫共燒陶瓷基板的制作方法，其包括下列步驟:制備多個(gè)陶瓷生胚片；形成多個(gè)區(qū)域及至少一切割圖案于這些陶瓷生胚片上，其中切割圖案形成于兩相鄰的這些區(qū)域之間；形成至少一導(dǎo)電圖案于這些陶瓷生胚片的至少其中之一；以及疊壓這些陶瓷生胚片。
[0008]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括一基板單元、一電子單元及一封膠?；鍐卧膫?cè)表面具有一切割圖樣。電子單元設(shè)置于基板單元的一表面并電性連接基板單元。封膠設(shè)置于基板單元，并包覆電子單元。
[0009]承上所述，因依據(jù)本發(fā)明的低溫共燒陶瓷基板及其制作方法以及半導(dǎo)體封裝裝置，通過設(shè)置切割圖案于低溫共燒陶瓷基板上，使得切割設(shè)備于切割低溫共燒陶瓷基板時(shí)，產(chǎn)生較少的摩擦應(yīng)力，以降低陶瓷基板損毀的機(jī)率，由此提高生產(chǎn)良率,進(jìn)而降低成本。
【附圖說明】
[0010]圖1至圖4為顯示依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一低溫共燒陶瓷基板的示意圖:
圖5為顯示依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一低溫共燒陶瓷基板的制作方法的一流程圖；
圖6A至圖6E為與圖5的流程配合的示意圖；
圖7為顯示依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一半導(dǎo)體封裝裝置的一示意圖；以及圖8至圖12為顯示半導(dǎo)體封裝裝置的切割圖樣的示意圖；
附圖標(biāo)記說明
1、3:低溫共燒陶瓷基板
I1、41:基板單兀
I 2,22:切割圖案 I 21:溝槽 122:孔洞
123:切割道
2:陶瓷生胚片
2UA:區(qū)域
23:導(dǎo)電圖案
24:金屬層
4:半導(dǎo)體封裝裝置
42:電子單兀
43:封膠
A01、A11、A21、A31:曲面 SlI?S16:步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0011]以下將參照相關(guān)圖示，說明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的低溫共燒陶瓷基板及其制作方法以及半導(dǎo)體封裝裝置。
[0012]請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一低溫共燒陶瓷基板I包含多個(gè)基板單元II以及至少一切割圖案12。在本實(shí)施例中，以四個(gè)基板單元11為例，但并非用以限制基板單元II的個(gè)數(shù)，使用者可以依據(jù)其需求，以增加或減少基板單元Ii的個(gè)數(shù)。
[0013]切割圖案I 2配置于兩相鄰的基板單元II之間，以使得切割設(shè)備得以沿著切割圖案I 2來進(jìn)行切割動(dòng)作。其中，切割圖案12可如圖1所示，其為一溝槽121，或如圖2所示，其為多孔洞122，又如圖3所示，其具有一溝槽121及一切割道I 23。當(dāng)然，亦可如圖4所示，切割圖案I 2由溝槽I 2 1、孔洞I 22及切割道I 23的組合，其目的是方便切割設(shè)備易于切割，且在切割時(shí)產(chǎn)生較少的摩擦應(yīng)力，以降低陶瓷基板I損毀的機(jī)率。
[0014]在本實(shí)施例中，這些孔洞I 22的形狀可為橢圓形、圓形或多邊形(矩形或三角形)。在此，這些孔洞122酌形狀以橢圓形為例。
[0015]請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一低溫共燒陶瓷基板的制作方法包括步驟SII至步驟S16。以下請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6A至圖6E。
[0016]請(qǐng)參照?qǐng)D6A所示，步驟Sll制備多個(gè)陶瓷生胚片2。請(qǐng)參照?qǐng)D6B所示，步驟S12形成多個(gè)區(qū)域21及至少一切割圖案22于陶瓷生胚片2上，而切割圖案22形成于兩相鄰的區(qū)域21之間。
[0017]在本實(shí)施例中，通過一切割設(shè)備于陶瓷生胚片2上形成具有至少一溝槽的切割圖案22，以定義出四個(gè)區(qū)域2 I。在此，區(qū)域21的個(gè)數(shù)并不僅限于四個(gè)，使用者可以依據(jù)其需求，以增加或減少區(qū)域21的個(gè)數(shù)。另外，切割圖案22亦可通過一打孔設(shè)備于陶瓷生胚片2上打孔(punching)以形成多個(gè)孔洞。再者，切割圖案22的態(tài)樣眾多，當(dāng)切割圖案22同時(shí)具有溝槽及孔洞時(shí)，首先，其通過切割設(shè)備于陶瓷生胚片2上形成溝槽；接著，通過打孔設(shè)備于每一溝槽中再形成孔洞，其形成順序當(dāng)然也可相互調(diào)換。而切割圖案22的實(shí)施態(tài)樣可例如是圖1一圖4的切割圖案12。在此，本實(shí)施例的切割圖案22以一溝槽為例。
[0018]請(qǐng)參照?qǐng)D6C所示，步驟S13為形成至少一導(dǎo)電圖案23于陶瓷生胚片2的至少其中之一。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案23以形成于最上層的陶瓷生胚片2的一表面為例。
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D6D所示，步驟S14為疊壓上述的陶瓷生胚片2。步驟S15為烘烤疊壓后的陶瓷生胚片2以形成一低溫共燒陶瓷基板3。
[0020]請(qǐng)參照?qǐng)D6E所示，步驟S16為電鍍一金屬層24于導(dǎo)電圖案23上，其中金屬層的材料包含鎳/金。
[0021]此外，使用者可通過一切割設(shè)備沿著切割圖案22以切割低溫共燒陶瓷基板3，以將其區(qū)分為多個(gè)基板單元21。由于本發(fā)明的低溫共燒陶瓷基板3具有切割圖案22，使得切割設(shè)備于低溫共燒陶瓷基板3切割時(shí)，其切割刃具與低溫共燒陶瓷基板3產(chǎn)生的摩擦應(yīng)力較小，使得低溫共燒陶瓷基板3不易產(chǎn)生破碎的現(xiàn)象以提高生產(chǎn)良率。
[0022]值得一提的是，上述步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進(jìn)行步驟的調(diào)換。請(qǐng)參照?qǐng)D7所示，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一半導(dǎo)體封裝裝置4包含一基板單元4 1、一電子單元42以及一封膠43。電子單元42設(shè)置于基板單元41的一表面，并以倒裝片接合、打線接合或表面安裝方式與基板單元41電性連接，本實(shí)施例中以打線接合為例。封膠43設(shè)置于基板單元41上，并包覆電子單元42。其中，電子單元42可為一有源芯片或一整合型無源元件。需注意的是，承低溫共燒陶瓷基板的制作方法所述，由于低溫共燒陶瓷基板具有一切割圖案(cutting pattern)。因此,本實(shí)施例的基板單元41的側(cè)表面具有一切割圖樣(cutting type)。以下,請(qǐng)參照?qǐng)D8至圖1 2所示以就切割圖樣進(jìn)行說明，其中圖8至圖12為圖7中區(qū)域A的放大圖。當(dāng)切割設(shè)備于低溫共燒陶瓷基板進(jìn)行切割時(shí)，由于切割刀具的寬度會(huì)小于溝槽寬度，使得低溫共燒陶瓷基板切割成多個(gè)基板單元41時(shí)，如圖8所示，每一基板單元41的側(cè)表面的切割圖樣為一階梯結(jié)構(gòu):或如圖9所示，基板單元41的側(cè)表面的切割圖樣具有階梯結(jié)構(gòu)及多個(gè)橢圓曲面AOI ;又可如圖10所示，基板單元41的側(cè)表面的切割圖樣具有階梯結(jié)構(gòu)及多個(gè)多邊形曲面AU。
[0023]當(dāng)然，若切割設(shè)備的精密度較高，或基板單元41在切割之后再經(jīng)過處理，其側(cè)表面將不具有階梯結(jié)構(gòu)，如圖1I所示，其僅于基板單元41的側(cè)表面形成多個(gè)橢圓曲面A21的切割圖樣；又或者如圖12所示，其于基板單元41的側(cè)表面形成多個(gè)多邊形曲面A31的切割圖樣。
[0024]綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝裝置、低溫共燒陶瓷基板及其制作方法，通過設(shè)置切割圖案于低溫共燒陶瓷基板上，使得切割設(shè)備于切割低溫共燒陶瓷基板時(shí)，產(chǎn)生較少的摩擦應(yīng)力，以降低陶瓷基板損毀的機(jī)率，由此提高生產(chǎn)良率，進(jìn)而降低成本。
[0025]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等同修改或變更，均應(yīng)包含于所附的權(quán)利要求中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低溫共燒陶瓷基板，包含:多個(gè)基板單元；以及至少一切割圖案，配置于兩相鄰的這些基板單元之間。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其中該切割圖案包含一溝槽。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫共燒陶瓷基板，其中該溝槽中設(shè)置多個(gè)孔洞。
4.如權(quán)利要求1所述的低溫共燒陶瓷基板，其中該切割圖案包含多個(gè)孔洞。
5.一種低溫共燒陶瓷基板的制作方法，包含:制備多個(gè)陶瓷生胚片； 形成多個(gè)區(qū)域及至少一切割圖案于這些陶瓷生胚片上，其中該切割圖案形成于兩相鄰的這些區(qū)域之間；形成至少一導(dǎo)電圖案于這些陶瓷生胚片的至少其中之一；以及疊壓這些陶瓷生胚片。
6.如權(quán)利要求5所述的低溫共燒陶瓷基板的制作方法，其中在疊壓這些陶瓷生胚片之后，還包含:烘烤這些陶瓷生胚片以形成一低溫共燒陶瓷基板。
7.如權(quán)利要求6所述的低溫共燒陶瓷基板的制作方法，其中在烘烤這些陶瓷生胚片之后，還包含:電鍍一金屬層于這些導(dǎo)電圖案上。
8.如權(quán)利要求5所述的低溫共燒陶瓷基板的制作方法，其中該切割圖案通過一切割設(shè)備于該基板形成至少一溝槽。
9.如權(quán)利要求8所述的低溫共燒陶瓷基板的制作方法，還包含于該溝槽中形成多個(gè)孔洞。
10.如權(quán)利要求5所述酌低溫共燒陶瓷基板的制作方法，其中該切割圖案通過一打孔設(shè)備于該陶瓷生胚上形成多個(gè)孔洞。
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于光刻膜技術(shù)印刷電路的低溫共燒陶瓷基板生帶制作方法。該低溫共燒陶瓷基板包含多個(gè)基板單元及至少一切割圖案。其中切割圖案配置于兩相鄰的這些基板單元之間。本發(fā)明亦披露一種低溫共燒陶瓷基板的制作方法及一種半導(dǎo)體封裝裝置。通過設(shè)置切割圖案于低溫共燒陶瓷基板上，使得切割設(shè)備于切割低溫共燒陶瓷基板咐，產(chǎn)生較少的摩擦應(yīng)力，以降低陶瓷基板損毀的機(jī)率，由此提高生產(chǎn)良率，進(jìn)而降低成本。
【IPC分類】H05K3-00, H05K1-02
【公開號(hào)】CN104684246
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510101843
【發(fā)明人】肖可
【申請(qǐng)人】深圳市微英格科貿(mào)有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2015年3月9日