蒸鍍裝置及蒸鍍方法
【專利摘要】一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法，該蒸鍍裝置包含支撐件、蒸鍍?cè)?、第一傳感器、?jì)算單元以及動(dòng)作器。支撐件用以支撐基板。蒸鍍?cè)从靡哉翦冋翦儾牧?，使蒸鍍材料沉積于基板上。第一傳感器用以于多個(gè)檢測(cè)位置檢測(cè)蒸鍍材料的多個(gè)蒸鍍速率。計(jì)算單元用以依據(jù)于檢測(cè)位置所檢測(cè)到蒸鍍材料的蒸鍍速率，估計(jì)蒸鍍角。動(dòng)作器用以依據(jù)估計(jì)的蒸鍍角來(lái)移動(dòng)蒸鍍?cè)础?br>【專利說(shuō)明】
蒸鍍裝置及蒸鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明是關(guān)于一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光裝置，也稱為有機(jī)電致發(fā)光裝置，可借由將至少一有機(jī)層設(shè)置于兩個(gè)電極之間而形成。將有機(jī)材料蒸鍍至有陽(yáng)極的基板上，接著，設(shè)置陰極做為最上層有機(jī)層上的電極。有機(jī)層的厚度以及層體配置會(huì)影響有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光效率。
[0003]為了使有機(jī)發(fā)光裝置具有厚度均勻的有機(jī)層，有需要監(jiān)察并控制有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)層的形成過(guò)程。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式，蒸鍍裝置包含支撐件、蒸鍍?cè)?、第一傳感器、?jì)算單元以及動(dòng)作器。支撐件用以支撐基板。蒸鍍?cè)从靡哉翦冋翦儾牧希拐翦儾牧铣练e于基板上。第一傳感器用以于多個(gè)檢測(cè)位置檢測(cè)蒸鍍材料的多個(gè)蒸鍍速率。計(jì)算單元用以依據(jù)于檢測(cè)位置所檢測(cè)到蒸鍍材料的蒸鍍速率，估計(jì)蒸鍍角。動(dòng)作器用以依據(jù)估計(jì)的蒸鍍角，來(lái)移動(dòng)蒸鍍?cè)础?br>[0005]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測(cè)線垂直于該基板的該表面。
[0006]其中，該蒸鍍?cè)淳哂幸婚_(kāi)口，該蒸鍍材料從該開(kāi)口噴出，且該檢測(cè)線于一投影平面上的投影與該蒸鍍?cè)吹脑撻_(kāi)口于該投影平面上的投影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。
[0007]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測(cè)線平行于該基板的該表面。
[0008]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，且該第一傳感器是沿著該檢測(cè)線可動(dòng)的。
[0009]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，且該檢測(cè)線是直的。
[0010]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測(cè)線相對(duì)于垂直該基板的該表面的法線方向傾斜。
[0011]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，且該檢測(cè)線是彎曲的。
[0012]其中，該蒸鍍裝置更包含:
[0013]—腔體，用以容納該支撐件、該蒸鍍?cè)匆约霸摰谝粋鞲衅?，其中該支撐件鄰近該腔體的一壁面，且該些檢測(cè)位置位于該蒸鍍?cè)匆约霸撉惑w的該壁面之間。[0〇14]其中，該計(jì)算單元包含:
[0015]—比較單元，用以將所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與多個(gè)參考蒸鍍速率分別進(jìn)行比較，該動(dòng)作器是用以依據(jù)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個(gè)差值而移動(dòng)該蒸鍍?cè)础?br>[0016]其中，該蒸鍍裝置更包含:
[0017]—第二傳感器，用以于一預(yù)定位置檢測(cè)該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率;以及
[0018]—控制單元，用以依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率來(lái)控制該蒸鍍?cè)吹臏囟取?br>[0019]其中，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該蒸鍍?cè)丛诖怪庇谠摶宓脑摫砻娴姆较蛏鲜强蓜?dòng)的。
[0020]其中，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該蒸鍍?cè)丛谄叫杏谠摶宓脑摫砻娴姆较蛏鲜强蓜?dòng)的。[0021 ]根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式，蒸鍍方法包含下列步驟。借由蒸鍍?cè)凑翦冋翦儾牧希?使蒸鍍材料沉積于基板上。于多個(gè)檢測(cè)位置檢測(cè)蒸鍍材料的多個(gè)蒸鍍速率。依據(jù)于檢測(cè)位置所檢測(cè)到蒸鍍材料的蒸鍍速率，估計(jì)蒸鍍角。依據(jù)估計(jì)的蒸鍍角，移動(dòng)蒸鍍?cè)础?br>[0022]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測(cè)線垂直于該基板的該表面。
[0023]其中，該蒸鍍?cè)淳哂幸婚_(kāi)口，該蒸鍍材料從該開(kāi)口噴出，且該檢測(cè)線于一投影平面上的投影與該蒸鍍?cè)吹脑撻_(kāi)口于該投影平面上的投影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。
[0024]其中，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測(cè)線平行于該基板的該表面。
[0025]其中，于借由一第一傳感器于該些檢測(cè)位置檢測(cè)該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，且于該些檢測(cè)位置檢測(cè)該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率的步驟包含沿一檢測(cè)線移動(dòng)該第一傳感器，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線。
[0026]其中，估計(jì)該蒸鍍角的步驟包含將所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與多個(gè)參考蒸鍍速率分別進(jìn)行比較，且移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含依據(jù)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個(gè)差值而移動(dòng)該蒸鍍?cè)础?br>[0027]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶?，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0028]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)催h(yuǎn)離該基板，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0029]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)催h(yuǎn)離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0030]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶?，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0031]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶?，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0032]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)催h(yuǎn)離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0033]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)催h(yuǎn)離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0034]其中，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶?，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。 [〇〇35]其中，所述蒸鍍方法更包含:
[0036]于一預(yù)定位置檢測(cè)該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率;以及
[0037]依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率控制該蒸鍍?cè)吹臏囟取?br>[0038]其中，控制該蒸鍍?cè)吹臏囟鹊牟襟E包含:當(dāng)該監(jiān)察蒸鍍速率下降時(shí)，提升該蒸鍍?cè)吹臏囟取?br>[0039]其中，控制該蒸鍍?cè)吹臏囟鹊牟襟E包含:當(dāng)該監(jiān)察蒸鍍速率上升時(shí)，降低該蒸鍍?cè)吹臏囟??！靖綀D說(shuō)明】
[0040]圖1A為根據(jù)本揭露的第一實(shí)施方式的蒸鍍裝置的示意圖。[〇〇41]圖1B為根據(jù)第一實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線的關(guān)系圖。[〇〇42]圖1C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖1B的檢測(cè)線的檢測(cè)位置的關(guān)系圖。
[0043]圖2為根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式的蒸鍍方法的流程圖。
[0044]圖3A為根據(jù)本揭露的第二實(shí)施方式的蒸鍍裝置的示意圖。[〇〇45]圖3B為根據(jù)第二實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線的關(guān)系圖。
[0046]圖3C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖3B的檢測(cè)線的檢測(cè)位置的關(guān)系圖。 [〇〇47]圖4A為根據(jù)本揭露的第三實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線的關(guān)系圖。[〇〇48]圖4B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖4A的檢測(cè)線的檢測(cè)位置的關(guān)系圖。 [〇〇49]圖5A為根據(jù)本揭露的第四實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線的關(guān)系圖。
[0050]圖5B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖5A的檢測(cè)線的檢測(cè)位置的關(guān)系圖。[〇〇51 ] 其中，附圖標(biāo)記:[〇〇52]100:蒸鍍裝置
[0053]110:支撐件[〇〇54]120:蒸鍍?cè)?br>[0055]122:坩堝
[0056]122a:開(kāi)口
[0057]124:加熱器[〇〇58]130:第一傳感器
[0059]140:計(jì)算單元
[0060]150:動(dòng)作器[0061 ]160:腔體
[0062]162:壁面
[0063]170:第二傳感器
[0064]180:控制單元
[0065]200:基板
[0066]202:表面[〇〇67]300:蒸鍍材料[〇〇68]400:蒸鍍方法
[0069]402 ?408:步驟
[0070]0:蒸鍍角[〇〇71]P:檢測(cè)位置[〇〇72] L:檢測(cè)線 [〇〇73]PL:投影平面
[0074]PP:預(yù)定位置
[0075]VC1:曲線
[0076]VC2:曲線
[0077]VRC:曲線
[0078]HC1:曲線
[0079]HC2:曲線
[0080]HRC:曲線
[0081]CC1:曲線
[0082]CC2:曲線
[0083]CRC:曲線
[0084]SC1:曲線
[0085]SC2:曲線
[0086]SRC:曲線【具體實(shí)施方式】
[0087]以下以圖式說(shuō)明本揭露的多個(gè)實(shí)施例，并詳細(xì)介紹本揭露的多個(gè)實(shí)施方式。盡可能地，圖式與敘述中相同的標(biāo)號(hào)用以表示相同或相似的對(duì)象。
[0088]圖1A為根據(jù)本揭露的第一實(shí)施方式的蒸鍍裝置100的示意圖。蒸鍍裝置100包含支撐件110、蒸鍍?cè)?20、第一傳感器130、計(jì)算單元140以及動(dòng)作器150。支撐件110用以支撐基板200。蒸鍍?cè)?20用以蒸鍍蒸鍍材料300,使蒸鍍材料300沉積于基板200上。第一傳感器130 用以于多個(gè)檢測(cè)位置P檢測(cè)蒸鍍材料300的多個(gè)蒸鍍速率，于此以虛線的圓形表示檢測(cè)位置 P。計(jì)算單元140用以依據(jù)于檢測(cè)位置P所檢測(cè)到的蒸鍍材料300的蒸鍍速率，來(lái)估計(jì)蒸鍍角 ?。動(dòng)作器150用以依據(jù)估計(jì)的蒸鍍角?來(lái)移動(dòng)蒸鍍?cè)?20。[〇〇89]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)?20包含坩堝122以及加熱器124。在被蒸鍍之前， 蒸鍍材料300存置在坩堝122中。加熱器124環(huán)繞坩堝122以加熱坩堝122。坩堝122具有開(kāi)口 122a，蒸鍍材料300從開(kāi)口 122a噴出。于部份實(shí)施方式中，蒸鍍材料300可以是有機(jī)材料，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的范圍。
[0090]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，從坩堝122的開(kāi)口 122a噴出的蒸鍍材料300可以以蒸鍍角?散開(kāi)。舉例而言，蒸鍍角?可以介于50度至100度的范圍內(nèi)。然而，蒸鍍角?可能隨著各種因素而變化。舉例而言，蒸鍍材料300的殘余物可能累積在開(kāi)口 122a內(nèi)或周圍，而造成噴射蒸鍍材料300的路徑輕微阻塞。在部份情況下，關(guān)閉并重新啟動(dòng)產(chǎn)線(其中可能包含破壞真空)也可能改變蒸鍍角?。蒸鍍角?的改變對(duì)于蒸鍍速率的分布有重大的影響，而使得基板 200可能接收太多蒸鍍材料300,或者基板200可能不均勻地接收蒸鍍材料300。[〇〇91]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，依據(jù)多個(gè)檢測(cè)到的蒸鍍速率，估計(jì)蒸鍍角?，并根據(jù)此估計(jì)的蒸鍍角?，移動(dòng)蒸鍍?cè)?20。于部份實(shí)施方式中，蒸鍍材料300沉積于基板200的表面202 上，蒸鍍?cè)?20是可沿著實(shí)質(zhì)上垂直于基板200的表面202的方向移動(dòng)的?；蛘?，于部份實(shí)施方式中，蒸鍍材料300沉積于基板200的表面202上，蒸鍍?cè)?20是可沿著實(shí)質(zhì)上平行于基板 200的表面202的方向移動(dòng)的(參照?qǐng)D3A)。如此一來(lái)，即使蒸鍍角?可能變化，蒸鍍材料在基板200上的膜厚均勻度可大致被維持。
[0092]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，蒸鍍裝置100還包含腔體160。腔體160用以容納支撐件 110、蒸鍍?cè)?20以及第一傳感器130。支撐件110鄰近腔體160的壁面162。檢測(cè)位置P位于蒸鍍?cè)?20以及腔體160的壁面162之間，以使第一傳感器130能接收蒸鍍材料300。于此，將依序連接檢測(cè)位置P的線定義為檢測(cè)線L，如圖1A中的虛線。換句話說(shuō)，多個(gè)檢測(cè)位置P沿著檢測(cè)線L設(shè)置。
[0093]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，第一傳感器130可以是質(zhì)量負(fù)載傳感器(mass-loaded sensor)，例如晶體質(zhì)量傳感器。舉例而言，第一傳感器130可以是部份的震蕩器電路，其震蕩頻率大約與質(zhì)量負(fù)載成反比，以產(chǎn)生與質(zhì)量負(fù)載的比例成正比的信號(hào)。于此，第一傳感器 130可沿著檢測(cè)線L移動(dòng)，以于各個(gè)檢測(cè)位置P檢測(cè)蒸鍍材料300的多個(gè)蒸鍍速率，但本揭露的范圍并不限于此。于部份實(shí)施方式中，第一傳感器130可包含多個(gè)不能移動(dòng)的質(zhì)量負(fù)載傳感器，其沿著檢測(cè)線L設(shè)置，以于多個(gè)檢測(cè)位置P接收并檢測(cè)蒸鍍材料300。
[0094]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，如同圖1A所示，檢測(cè)線L可以是直的且實(shí)質(zhì)上垂直于基板 200的表面202,其中表面202配置用以接收蒸鍍材料300。于此，垂直的檢測(cè)線L于投影平面 PL(大致平行于基板200的表面202)上的投影與蒸鍍?cè)?20的開(kāi)口 122a于投影平面PL上的投影系分離，以使第一傳感器130可接收從不同方向噴出的蒸鍍材料300。若垂直的檢測(cè)線L于投影平面PL上的投影與開(kāi)口 122a于投影平面PL上重迭，第一傳感器130所接收到的蒸鍍材料300實(shí)質(zhì)上由相同的方向噴出，因此，第一傳感器130所檢測(cè)到的蒸鍍速率能提供的蒸鍍角?信息非常稀少。詳細(xì)而言，蒸鍍材料300由接近0度角噴出而被第一傳感器130所接收， 而使蒸鍍角?估計(jì)極困難。[〇〇95]檢測(cè)線L不應(yīng)限制為直的且實(shí)質(zhì)垂直于基板200的表面202。于本揭露的多個(gè)實(shí)施方式中，檢測(cè)線L可實(shí)質(zhì)上平行于基板200的表面202或相對(duì)于垂直基板200的表面202的法線方向傾斜。更甚者，于部份實(shí)施方式，檢測(cè)線L可以是彎曲的。部份的配置將在以下實(shí)施方式中說(shuō)明。
[0096]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，蒸鍍裝置100更包含第二傳感器170以及控制單元180。第二傳感器170配置用以于一預(yù)定位置PP檢測(cè)蒸鍍材料300的監(jiān)察蒸鍍速率。于一或多個(gè)實(shí)施方式中，第二傳感器170可固定在預(yù)定位置PP。于此，如同第一傳感器130相關(guān)敘述中所提到的，第二傳感器170可以是質(zhì)量負(fù)載傳感器，其能夠檢測(cè)蒸鍍速率。
[0097]控制單元180用以依據(jù)監(jiān)察蒸鍍速率控制蒸鍍?cè)?20的溫度。如此一來(lái)，當(dāng)蒸鍍?cè)?20的蒸鍍速率受到環(huán)境因素或其它因素影響時(shí)，控制單元180可以透過(guò)控制蒸鍍?cè)?20的溫度來(lái)幫助維持蒸鍍?cè)?20的蒸鍍速率的穩(wěn)定。[〇〇98]圖2為根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式的蒸鍍方法400的流程圖。蒸鍍方法400包含步驟402?408。搭配圖1A以說(shuō)明步驟402?408。[〇〇99]首先，參照?qǐng)D1A與圖2。步驟402中，借由蒸鍍?cè)?20蒸鍍蒸鍍材料300，使蒸鍍材料 300沉積于基板200上。如同前述，從開(kāi)口 122a噴出的蒸鍍材料300可以以蒸鍍角?散開(kāi)，蒸鍍角?是欲求取的值。
[0100]接著，步驟404中，于多個(gè)檢測(cè)位置P檢測(cè)蒸鍍材料300的多個(gè)蒸鍍速率。在這些實(shí)施方式中，借由第一傳感器130,在多個(gè)檢測(cè)位置P檢測(cè)蒸鍍材料300的蒸鍍速率。于部份實(shí)施方式中，沿著實(shí)質(zhì)上是直線的檢測(cè)線L設(shè)置檢測(cè)位置P。于此，蒸鍍材料300沉積于基板200 的一表面202上，檢測(cè)線L實(shí)質(zhì)上垂直于基板200的表面202。借由此配置，第一傳感器130在各個(gè)檢測(cè)位置P接受噴射自不同方向的蒸鍍材料300。由于蒸鍍速率的分布與蒸鍍角0相關(guān)，可以從檢測(cè)位置P上所檢測(cè)到的檢測(cè)速率中推論蒸鍍角?。
[0101]同時(shí)參照?qǐng)D1A與圖1B。圖1B為根據(jù)本揭露的第一實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線L的關(guān)系圖。[〇1〇2]于此，第一傳感器130如圖所示，第一傳感器130設(shè)計(jì)沿著檢測(cè)線L移動(dòng)以接受蒸鍍?cè)?20從不同方向所噴出的蒸鍍材料300。于部份實(shí)施方式中，第二傳感器170可以臨近檢測(cè)線L?；蛘?，于部份實(shí)施方式中，第二傳感器170可位于蒸鍍材料300所噴射到的任何位置。蒸鍍速率的分布與檢測(cè)位置P和蒸鍍?cè)?20之間的水平距離有負(fù)相關(guān)的關(guān)系，且在中間高度具有最大值。
[0103]參考圖1B與圖1C。圖1C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖1B的檢測(cè)線的檢測(cè)位置P(在此指圖1B的檢測(cè)線的檢測(cè)位置P的高度)的關(guān)系圖。當(dāng)?shù)谝粋鞲衅?30沿著檢測(cè)線Uf 動(dòng)時(shí)，可以得到圖1C中的曲線VC1或曲線VC2。曲線VC1表示在具有大蒸鍍角的第一情況下在多個(gè)檢測(cè)位置P的蒸鍍速率，而曲線VC2表示在具有小蒸鍍角的第二情況下在多個(gè)檢測(cè)位置 P的蒸鍍速率。
[0104]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，可以先得到曲線VRC，曲線VRC表示在多個(gè)檢測(cè)位置P的參考蒸鍍速率。曲線VRC可以是蒸鍍運(yùn)作的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)曲線。曲線VRC可借由實(shí)驗(yàn)或模擬而獲得。 舉例而言，一個(gè)檢測(cè)周期包含在每個(gè)檢測(cè)位置P檢測(cè)蒸鍍速率?？梢灾貜?fù)進(jìn)行多次的檢測(cè)周期，并進(jìn)而取得多個(gè)檢測(cè)結(jié)果。借由平均化各個(gè)位置的部份或全部的檢測(cè)結(jié)果，可取得參考蒸鍍速率。
[0105]于本揭露的一或多個(gè)實(shí)施方式中，曲線VC1、曲線VC2以及曲線VRC可以正規(guī)化或透過(guò)數(shù)學(xué)函數(shù)調(diào)整，以使曲線VC1的兩端可以分別與曲線VC2的兩端重迭，且也可以與曲線VRC 的兩端重迭。
[0106]參照?qǐng)D1A、圖1C以及圖2。步驟406中，根據(jù)于多個(gè)檢測(cè)位置P所檢測(cè)到的蒸鍍材料 300的蒸鍍速率，估計(jì)蒸鍍角?。
[0107]于本揭露的一或多個(gè)實(shí)施方式中，可以假設(shè)蒸鍍角?與蒸鍍速率有正相關(guān)的關(guān)系，且計(jì)算單元140包含比較單元142,配置用以分別比較所檢測(cè)到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率。于部份實(shí)施方式中，蒸鍍角?可從蒸鍍速率得到?；蛘?，于部份實(shí)施方式中，沒(méi)有必要得到蒸鍍角?，而是需要推論且得到蒸鍍角?與參考蒸鍍角(與參考蒸鍍速率有關(guān))之間的關(guān)系。
[0108]在一實(shí)施方式中，如果所檢測(cè)到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的差值(所檢測(cè)到的蒸鍍速率減掉參考蒸鍍速率)為正，蒸鍍角視為大于參考蒸鍍角。詳細(xì)而言，如果所檢測(cè)到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的差值(所檢測(cè)到的檢測(cè)蒸鍍速率減掉參考蒸鍍速率)之和為正，蒸鍍角視為大于參考蒸鍍角。
[0109]當(dāng)比較所檢測(cè)到的蒸鍍速率之和與參考蒸鍍速率之和時(shí)，具有較大數(shù)值者，將被視為具有較大的蒸鍍角。或者，于其它實(shí)施方式中，當(dāng)比較一范圍的所檢測(cè)到的蒸鍍速率之和與一相關(guān)范圍的參考蒸鍍速率之和時(shí)，具有較大數(shù)值者，將被視為具有較大的蒸鍍角。 [〇11〇]于另一實(shí)施方式中，采用曲線擬合方式(fitting method)取得蒸鍍角?的數(shù)值， 而非采用比較所檢測(cè)到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的差值的方式?？梢越栌汕€擬合方式，先得到參考蒸鍍角與參考蒸鍍速率之間的線性或非線性關(guān)系。然后，可借由曲線擬合公式，從所檢測(cè)到的蒸鍍速率中得到蒸鍍角?。
[0111]除了以上的比較方式以及曲線擬合方式，仍有許多種數(shù)學(xué)技巧或模擬適用于分析所檢測(cè)到的蒸鍍速率與來(lái)估計(jì)蒸鍍角?。舉例而言，可采用與熱力學(xué)以及流體力學(xué)相關(guān)的模擬以估計(jì)空間中的流動(dòng)速率與分子分布，如此一來(lái)，可得到蒸鍍速率以及蒸鍍角。在此所提到的例示性的估計(jì)方法不應(yīng)限制本揭露的范圍。
[0112]如此一來(lái)，可以得到估計(jì)的蒸鍍角0。接著，進(jìn)行步驟408,根據(jù)估計(jì)的蒸鍍角?移動(dòng)蒸鍍?cè)?20。于部份實(shí)施方式中，從所檢測(cè)到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的各個(gè)差值推論蒸鍍角?時(shí)，移動(dòng)蒸鍍?cè)吹牟襟E可以根據(jù)所檢測(cè)到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的各個(gè)差值進(jìn)行。詳細(xì)而言，動(dòng)作器150配置用以根據(jù)蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的各個(gè)差值移動(dòng)蒸鍍?cè)?120〇
[0113]在第一情況，如同曲線VC1以及曲線VRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率分別大于參考蒸鍍速率，因此，可以將蒸鍍角?視為大于參考蒸鍍角(曲線VRC的蒸鍍角)。如此一來(lái)，設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著垂直于基板200的表面202的方向移動(dòng)，以接近基板200。
[0114]在第二情況，如同曲線VC2以及曲線VRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率分別小于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?視為小于參考蒸鍍角。如此一來(lái)，設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著垂直于基板200的表面202的方向移動(dòng)，以遠(yuǎn)離基板200。
[0115]據(jù)此，于本揭露的一或多個(gè)實(shí)施方式中，可以根據(jù)蒸鍍角?，調(diào)整蒸鍍?cè)?20以及基板200之間的相對(duì)位置。當(dāng)估計(jì)的蒸鍍角?改變時(shí)，基板200上的蒸鍍速率可以調(diào)整至與參考蒸鍍速率相似。如此一來(lái)，基板200可以均勻地接受蒸鍍材料300。
[0116]參照?qǐng)D1A與圖1B，除了在坩堝122的開(kāi)口 122a中的阻塞，在以上的蒸鍍過(guò)程中，各式各樣的制程因素也可能會(huì)影響蒸鍍，例如環(huán)境溫度。于此，為了確保蒸鍍裝置100在理想的狀況下執(zhí)行，在預(yù)定位置PP設(shè)置第二傳感器170,用以檢測(cè)蒸鍍裝置100的工作狀態(tài)。
[0117]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，第二傳感器170檢測(cè)在預(yù)定位置PP的蒸鍍材料的監(jiān)察蒸鍍速率。于本實(shí)施方式中，可將監(jiān)察蒸鍍速率與一正常值進(jìn)行比較。可以根據(jù)監(jiān)察蒸鍍速率控制蒸鍍?cè)吹臏囟?。舉例而言，當(dāng)監(jiān)察蒸鍍速率降低或小于該正常值，提升蒸鍍?cè)?20的溫度，而當(dāng)監(jiān)察蒸鍍速率增加或大于該正常值，降低蒸鍍?cè)?20的溫度。如此一來(lái)，在蒸鍍過(guò)程中，蒸鍍裝置100的工作狀態(tài)可以是穩(wěn)定的。
[0118]圖3A為根據(jù)本揭露的第二實(shí)施方式的蒸鍍裝置100的示意圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相似，本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的差別之一在于:檢測(cè)線L實(shí)質(zhì)上平行于基板 200的表面202,而非垂直于基板200的表面202。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的另一差別在于蒸鍍?cè)?20的移動(dòng)步驟。于本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)?20可沿著平行于基板200的表面202的方向移動(dòng)。更甚者，于部份實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)?20可以沿垂直于基板200的表面202的方向移動(dòng)。
[0119]同時(shí)參照?qǐng)D3A與圖3B。圖3B為根據(jù)本揭露的第二實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線L的關(guān)系圖。第一傳感器130可以沿著檢測(cè)線L水平地移動(dòng)。第一傳感器130與第二傳感器170位于蒸鍍材料300可噴射到的范圍內(nèi)。[〇12〇]同時(shí)參照?qǐng)D3B與圖3C。圖3C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖3B的檢測(cè)線L的檢測(cè)位置P的關(guān)系圖。曲線HC1描述在具有大蒸鍍角的第一情況下，檢測(cè)位置P的蒸鍍速率， 而曲線HC2描述在具有小蒸鍍角的第二情況下，檢測(cè)位置P的蒸鍍速率。曲線HRC展現(xiàn)在多個(gè)檢測(cè)位置P的參考蒸鍍速率。如圖所示，當(dāng)檢測(cè)位置P水平地排列時(shí)，所檢測(cè)到的蒸鍍速率以及參考檢測(cè)速率在靠近蒸鍍?cè)?20時(shí)具有最大值，在遠(yuǎn)離蒸鍍?cè)?20時(shí)具有最小值。
[0121]雖然在圖中曲線HC1、曲線HC2以及曲線HRC的最大值實(shí)質(zhì)上相同，但在實(shí)際操作上，曲線HC1、曲線HC2以及曲線HRC的最大值可能有些微的差異。曲線HC1、曲線HC2以及曲線 HRC的可以經(jīng)過(guò)正規(guī)化或數(shù)學(xué)公式處理，而使曲線HC1、曲線HC2以及曲線HRC具有實(shí)質(zhì)上相同的最大值。
[0122]同時(shí)參考圖3A與圖3C。如同第一實(shí)施方式所述，由于第一傳感器130可以檢測(cè)不同方向的蒸鍍材料300,可以借由蒸鍍速率推測(cè)蒸鍍角?。于此，可以從曲線HRC的參考蒸鍍速率中推論得到參考蒸鍍角。于部分實(shí)施方式中，所估計(jì)的蒸鍍角?可以與參考蒸鍍角比較。 于部分實(shí)施方式中，不必一定要取得蒸鍍角?，但需研究并得到蒸鍍角?與參考蒸鍍角的關(guān)系。根據(jù)蒸鍍角?或者根據(jù)蒸鍍角?與參考蒸鍍角的關(guān)系，可以移動(dòng)蒸鍍?cè)?20。
[0123]在一第一情況，如同曲線HC1以及曲線HRC，所檢測(cè)到的蒸鍍速率大于參考蒸鍍速率，因此將蒸鍍角?視為大于參考蒸鍍角(曲線HRC的蒸鍍角)。如此一來(lái)，設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著平行于基板200的表面202的方向移動(dòng)，以遠(yuǎn)離基板200,進(jìn)而降低蒸鍍速率。
[0124]在第二情況，如同曲線HC2以及曲線HRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率小于參考蒸鍍速率，因此將蒸鍍角?視為小于參考蒸鍍角。如此一來(lái)，蒸鍍?cè)?20可沿著平行于基板200的表面202的方向移動(dòng)，以接近基板200，進(jìn)而堤升蒸鍍速率。
[0125]本實(shí)施方式的其它細(xì)節(jié)大致上與第一實(shí)施方式相似，在此不再贅述。
[0126]圖4A為根據(jù)本揭露的第三實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線L的關(guān)系圖。在此省略詳細(xì)的蒸鍍裝置配置。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相似，差別在于:本實(shí)施方式的檢測(cè)線L是為彎曲的。于此，第一傳感器130從第一位置P1曲線狀地沿著檢測(cè)線L移至第二位置P2,其中第一位置P1與第二位置P2可以具有實(shí)質(zhì)上相同的高度與相較于蒸鍍?cè)?20的開(kāi)口 122a的延伸線實(shí)質(zhì)上相同的半徑。
[0127]同時(shí)參照?qǐng)D4A與圖4B。圖4B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖4A的檢測(cè)線L的檢測(cè)位置的關(guān)系圖。曲線CC1描述在具有大蒸鍍角的第一情況下，在多個(gè)檢測(cè)位置的蒸鍍速率，曲線CC2描述在具有小蒸鍍角的第二情況下在多個(gè)檢測(cè)位置的蒸鍍速率。曲線CRC展示在多個(gè)檢測(cè)位置的參考蒸鍍速率。
[0128]如同第一實(shí)施方式中所述，于部份實(shí)施方式中，可以估計(jì)蒸鍍角?(參考圖1A)與參考蒸鍍角的相對(duì)關(guān)系。于部份實(shí)施方式中，可以借由曲線擬合方式得到蒸鍍角?(參考圖 1A)。根據(jù)此估計(jì)的蒸鍍角?，可以移動(dòng)蒸鍍?cè)?20。
[0129]在第一情況，如同曲線CC1以及曲線CRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率大于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?(參考圖1A)視為大于參考蒸鍍角(曲線CRC的蒸鍍角)。設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著水平地移動(dòng)以遠(yuǎn)離基板200的表面202(參考圖1A)或者沿著垂直地移動(dòng)以接近基板200的表面202(參考圖1A)。[〇13〇]在第二情況，如同曲線CC2以及曲線CRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率小于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?(參考圖1A)視為小于參考蒸鍍角(曲線CRC的蒸鍍角)。設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著水平地移動(dòng)以接近基板200的表面202(參考圖1A)或者沿著垂直地移動(dòng)以遠(yuǎn)離基板200的表面202(參考圖1A)。[〇131]本實(shí)施方式的其它細(xì)節(jié)與第一實(shí)施方式的細(xì)節(jié)相似，在此不再贅述。
[0132]圖5A為根據(jù)本揭露的第四實(shí)施方式在高度與水平距離的三維坐標(biāo)系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測(cè)線L的關(guān)系圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相似，差別在于:檢測(cè)線L相對(duì)于垂直基板200 的表面202(參考圖1A)的法線方向傾斜，蒸鍍材料300(參考圖1A)沉積于基板200的表面202上。
[0133]且，如同第一實(shí)施方式所述，可以估計(jì)蒸鍍角?(參考圖1A)與參考蒸鍍角的相對(duì)關(guān)系。于部份實(shí)施方式中，可以借由曲線擬合方式得到蒸鍍角?(參考圖1A)。根據(jù)此估計(jì)的蒸鍍角?，可以垂直地或水平地移動(dòng)蒸鍍?cè)?20。
[0134]圖5B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測(cè)結(jié)果與沿著圖5A的檢測(cè)線L的檢測(cè)位置的關(guān)系圖。于本實(shí)施方式中，第一傳感器130沿著檢測(cè)線L從位置P3移動(dòng)至位置P4。
[0135]曲線SCI描述在具有大蒸鍍角的第一情況下在沿著檢測(cè)線L的檢測(cè)位置的蒸鍍速率，而曲線SC2表示在具有小蒸鍍角的第二情況下在沿著檢測(cè)線L的檢測(cè)位置的蒸鍍速率。 曲線HRC展現(xiàn)在沿著檢測(cè)線L的檢測(cè)位置的參考蒸鍍速率。
[0136]于本揭露的一或多個(gè)實(shí)施方式中，曲線SC1、曲線SC2以及曲線SRC可以經(jīng)由正規(guī)化或透過(guò)某些數(shù)學(xué)公式處理，使曲線SCI的一端、曲線SC2的一端以及曲線SRC的一端重迭。
[0137]在第一情況，如同曲線SCI以及曲線SRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率大于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?視為大于參考蒸鍍角(曲線SRC的蒸鍍角)。如此一來(lái)，設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著水平地移動(dòng)以遠(yuǎn)離基板200的表面202或者沿著垂直地移動(dòng)以接近基板200的表面202(參考圖1A)。
[0138]在第二情況，如同曲線SC2以及曲線SRC所示，所檢測(cè)到的蒸鍍速率小于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?視為小于參考蒸鍍角(曲線SRC的蒸鍍角)。如此一來(lái)，設(shè)計(jì)蒸鍍?cè)?20沿著水平地移動(dòng)以接近基板200的表面202或者沿著垂直地移動(dòng)以遠(yuǎn)離基板200的表面202(參考圖1A)。
[0139]本實(shí)施方式的其它細(xì)節(jié)與第一實(shí)施方式的細(xì)節(jié)相似，在此不再贅述。
[0140]應(yīng)了解到，取決于檢測(cè)線，有各式各樣的系列的所檢測(cè)到的蒸鍍速率以及參考蒸鍍速率。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)檢測(cè)線，藉以獲得攜帶有蒸鍍角信息的所檢測(cè)到的蒸鍍速率。[〇141]于一或多個(gè)實(shí)施方式中，在蒸鍍程序中，借由在檢測(cè)位置所檢測(cè)到的蒸鍍速率估計(jì)蒸鍍角，與根據(jù)蒸鍍角而移動(dòng)蒸鍍?cè)础Ｈ绱艘粊?lái)，盡管蒸鍍角可能變化，基板上蒸鍍材料的膜厚均勻度可以大致維持不變。
[0142]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包含:一支撐件，用以支撐一基板；一蒸鍍?cè)?，用以蒸鍍一蒸鍍材料，使該蒸鍍材料沉積于該基板上；一第一傳感器，用以于多個(gè)檢測(cè)位置檢測(cè)該蒸鍍材料的多個(gè)蒸鍍速率；一計(jì)算單元，用以依據(jù)于該些檢測(cè)位置所檢測(cè)到該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，估計(jì)一 蒸鍍角；以及一動(dòng)作器，用以依據(jù)該估計(jì)的蒸鍍角，來(lái)移動(dòng)該蒸鍍?cè)础?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸 鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測(cè)線垂直于該基板的該表面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸鍍?cè)淳哂幸婚_(kāi)口，該蒸鍍材料從 該開(kāi)口噴出，且該檢測(cè)線于一投影平面上的投影與該蒸鍍?cè)吹脑撻_(kāi)口于該投影平面上的投 影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸 鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測(cè)線平行于該基板的該表面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，且該 第一傳感器是沿著該檢測(cè)線可動(dòng)的。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，且該 檢測(cè)線是直的。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該蒸 鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測(cè)線相對(duì)于垂直該基板的該表面的法線方向傾 斜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，且該 檢測(cè)線是彎曲的。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，更包含:一腔體，用以容納該支撐件、該蒸鍍?cè)匆约霸摰谝粋鞲衅?，其中該支撐件鄰近該腔體的 一壁面，且該些檢測(cè)位置位于該蒸鍍?cè)匆约霸撉惑w的該壁面之間。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該計(jì)算單元包含:一比較單元，用以將所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與多個(gè)參考蒸鍍速率分別進(jìn)行比較，該 動(dòng)作器是用以依據(jù)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個(gè)差值而移動(dòng) 該蒸鍍?cè)础?1.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，更包含:一第二傳感器，用以于一預(yù)定位置檢測(cè)該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率；以及一控制單元，用以依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率來(lái)控制該蒸鍍?cè)吹臏囟取?2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面 上，該蒸鍍?cè)丛诖怪庇谠摶宓脑摫砻娴姆较蛏鲜强蓜?dòng)的。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面 上，該蒸鍍?cè)丛谄叫杏谠摶宓脑摫砻娴姆较蛏鲜强蓜?dòng)的。14.一種蒸鍍方法，其特征在于，包含:借由一蒸鍍?cè)凑翦円徽翦儾牧?，使該蒸鍍材料沉積于一基板上；于多個(gè)檢測(cè)位置檢測(cè)該蒸鍍材料的多個(gè)蒸鍍速率；依據(jù)于該些檢測(cè)位置所檢測(cè)到的該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，估計(jì)一蒸鍍角；以及依據(jù)該估計(jì)的蒸鍍角，移動(dòng)該蒸鍍?cè)础?5.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該 蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測(cè)線垂直于該基板的該表面。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的蒸鍍方法，其特征在于，該蒸鍍?cè)淳哂幸婚_(kāi)口，該蒸鍍材料 從該開(kāi)口噴出，且該檢測(cè)線于一投影平面上的投影與該蒸鍍?cè)吹脑撻_(kāi)口于該投影平面上的 投影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線，該 蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測(cè)線平行于該基板的該表面。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，于借由一第一傳感器于該些檢測(cè)位 置檢測(cè)該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，且于該些檢測(cè)位置檢測(cè)該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率的 步驟包含沿一檢測(cè)線移動(dòng)該第一傳感器，該些檢測(cè)位置設(shè)置于一檢測(cè)線。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，估計(jì)該蒸鍍角的步驟包含將所檢測(cè) 到的該些蒸鍍速率與多個(gè)參考蒸鍍速率分別進(jìn)行比較，且移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含依據(jù)所 檢測(cè)到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個(gè)差值而移動(dòng)該蒸鍍?cè)础?0.根據(jù)權(quán)利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著垂直于該基板的一表 面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶?，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著垂直于該基板的一表 面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)催h(yuǎn)離該基板，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著平行于該基板的一表 面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)催h(yuǎn)離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)所檢測(cè)到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時(shí)，沿著平行于該基板的一表 面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶?，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍 源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍 源遠(yuǎn)離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍 源遠(yuǎn)離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。27.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動(dòng)該蒸鍍?cè)吹牟襟E包含:當(dāng)該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時(shí)，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動(dòng)該蒸鍍?cè)唇咏摶澹撜翦儾牧铣练e于該基板的該表面上。28.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，更包含:于一預(yù)定位置檢測(cè)該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率；以及依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率控制該蒸鍍?cè)吹臏囟取?9.根據(jù)權(quán)利要求28所述的蒸鍍方法，其特征在于，控制該蒸鍍?cè)吹臏囟鹊牟襟E包含: 當(dāng)該監(jiān)察蒸鍍速率下降時(shí)，提升該蒸鍍?cè)吹臏囟取?0.根據(jù)權(quán)利要求28所述的蒸鍍方法，其特征在于，控制該蒸鍍?cè)吹臏囟鹊牟襟E包含: 當(dāng)該監(jiān)察蒸鍍速率上升時(shí)，降低該蒸鍍?cè)吹臏囟取?br>【文檔編號(hào)】C23C14/24GK105960072SQ201610331712
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年5月18日
【發(fā)明人】蕭智鴻
【申請(qǐng)人】友達(dá)光電股份有限公司