被動(dòng)型原子頻標(biāo)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種被動(dòng)型原子頻標(biāo)，屬于原子頻標(biāo)領(lǐng)域。所述被動(dòng)型原子頻標(biāo)包括：壓控晶振、微波產(chǎn)生模塊、物理模塊、鑒相模塊和補(bǔ)償模塊，所述微波產(chǎn)生模塊分別與所述壓控晶振、所述物理模塊和所述鑒相模塊電連接，所述鑒相模塊還與所述物理模塊及所述補(bǔ)償模塊電連接，所述補(bǔ)償模塊還與所述壓控晶振電連接，所述物理模塊包括微波腔，所述微波腔內(nèi)并排設(shè)置有第一腔泡和第二腔泡，所述微波腔尾部還設(shè)置有第一光電池、第二光電池和第三光電池，所述第一光電池和所述第二光電池并排設(shè)置，且所述第一光電池和所述第二光電池關(guān)于所述第一腔泡的中軸線對(duì)稱，所述第三光電池處在所述第二腔泡的中軸線上。
【專利說明】
被動(dòng)型原子頻標(biāo)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及原子頻標(biāo)領(lǐng)域，特別涉及一種被動(dòng)型原子頻標(biāo)。
【背景技術(shù)】
[0002]為獲得大自然中比較穩(wěn)定的時(shí)間頻率，人們通過對(duì)銣、銫、氫等原子施加弱磁場(chǎng)，使其原子能級(jí)由基態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)，利用不受外界磁場(chǎng)干擾的基態(tài)超精細(xì)結(jié)構(gòu)0-0躍迀中心頻率作為參照時(shí)間頻率值。
[0003]在原子頻標(biāo)中，壓控晶振輸出的探測(cè)信號(hào)經(jīng)過微波產(chǎn)生模塊處理得到微波探詢信號(hào)，微波探詢信號(hào)包括Π、f2兩個(gè)邊帶;物理模塊對(duì)微波探詢信號(hào)進(jìn)行鑒頻，將會(huì)得到兩個(gè)鑒頻信號(hào)Vl、V2，如果Vl等于V2，說明fl、f 2恰好處于原子譜線中心頻率fo左右兩側(cè)且正好對(duì)稱，此時(shí)微波探詢信號(hào)對(duì)準(zhǔn)了原子躍迀中心頻率;而當(dāng)Vl不等于V2時(shí)，伺服模塊根據(jù)鑒頻信號(hào)產(chǎn)生糾偏電壓作用于壓控晶振，以調(diào)整壓控晶振的輸出頻率;通過上述結(jié)構(gòu)單元，最終將壓控晶振的輸出頻率鎖定在原子躍迀中心頻率上。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]由于物理模塊可能受電子線路(壓控晶振、微波產(chǎn)生模塊、伺服模塊等)、環(huán)境因素(溫度、濕度)影響，微波腔中各個(gè)部位的原子的共振頻率會(huì)有差別，而實(shí)際的原子譜線是各部分原子譜線的疊加，原子譜線形狀反映了微波腔中磁場(chǎng)分布的情況，在這種情況下，原子譜線由于施加磁場(chǎng)的不均勻、不對(duì)稱，就會(huì)導(dǎo)致實(shí)際的原子譜線出現(xiàn)畸變，在原子譜線畸變的情況下，當(dāng)Π和f2處于fo的兩側(cè)時(shí)，檢測(cè)到的兩個(gè)電壓Vl和V2是不相等的，也就是說，在現(xiàn)有技術(shù)中，認(rèn)為對(duì)準(zhǔn)原子躍迀中心頻率fo時(shí)，S卩V1=V2時(shí)，實(shí)際上并沒有真實(shí)地反映中心頻率值。因此，現(xiàn)有技術(shù)無法準(zhǔn)確的鎖定原子躍迀中心頻率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種被動(dòng)型原子頻標(biāo)。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種被動(dòng)型原子頻標(biāo)，所述被動(dòng)型原子頻標(biāo)包括:壓控晶振、微波產(chǎn)生模塊、物理模塊、鑒相模塊和補(bǔ)償模塊，所述微波產(chǎn)生模塊分別與所述壓控晶振、所述物理模塊和所述鑒相模塊電連接，所述鑒相模塊還與所述物理模塊及所述補(bǔ)償模塊電連接，所述補(bǔ)償模塊還與所述壓控晶振電連接，所述物理模塊包括微波腔，所述微波腔內(nèi)并排設(shè)置有第一腔泡和第二腔泡，所述微波腔尾部還設(shè)置有第一光電池、第二光電池和第三光電池，所述第一光電池和所述第二光電池并排設(shè)置，且所述第一光電池和所述第二光電池關(guān)于所述第一腔泡的中軸線對(duì)稱，所述第三光電池處在所述第二腔泡的中軸線上。
[0008]在本實(shí)用新型實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述物理模塊還包括光譜燈、耦合環(huán)、C場(chǎng)線圈、恒溫單元和磁屏，所述微波腔設(shè)置在所述光譜燈的光路上，所述耦合環(huán)設(shè)置在所述微波腔中，所述C場(chǎng)線圈、所述恒溫單元和所述磁屏依次圍設(shè)在所述微波腔的外圍。
[0009]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述物理模塊還包括金屬隔板，所述金屬隔板設(shè)置在所述第一腔泡和第二腔泡之間。
[0010]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一腔泡和所述第二腔泡為集成濾光共振泡。
[0011]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述微波腔為TElll模式的微波腔。
[0012]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一光電池、所述第二光電池和所述第三光電池為相同的光電池。
[0013]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一光電池、所述第二光電池和所述第三光電池為在800nm有最強(qiáng)感光效應(yīng)的硅光電池。
[0014]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述鑒相模塊包括第一同步鑒相單元、第二同步鑒相單元和第三同步鑒相單元，所述第一同步鑒相單元與所述第一光電池電連接，所述第二同步鑒相單元與所述第二光電池電連接，所述第三同步鑒相單元與所述第三光電池電連接。
[0015]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述微波產(chǎn)生模塊包括隔離放大器、射頻倍頻單元、微波倍混頻單元、微處理器和頻率合成器，所述微處理器分別與所述鑒相模塊、所述隔離放大器和所述頻率合成器電連接，所述隔離放大器分別與所述壓控晶振和所述射頻倍頻單元電連接，所述微波倍混頻單元分別與所述射頻倍頻單元、所述頻率合成器及所述物理模塊電連接。
[0016]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述補(bǔ)償模塊為中央處理器芯片。
[0017]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0018]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過在物理模塊中設(shè)置有兩個(gè)腔泡，且在其中一個(gè)腔泡對(duì)應(yīng)設(shè)置兩個(gè)光電池，從而得到3個(gè)量子鑒頻信號(hào)，完成三組同步鑒相，根據(jù)三組同步鑒相結(jié)果進(jìn)行糾偏，避免了電子線路以及環(huán)境因此對(duì)于原子頻標(biāo)鎖定的影響。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的被動(dòng)型原子頻標(biāo)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的物理模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0023]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種被動(dòng)型原子頻標(biāo)(后文簡(jiǎn)稱原子頻標(biāo))的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1，原子頻標(biāo)包括:壓控晶振101、微波產(chǎn)生模塊102、物理模塊103、鑒相模塊104和補(bǔ)償模塊105，物理模塊103包括微波腔131，微波腔131內(nèi)并排設(shè)置有第一腔泡13A和第二腔泡13B，微波腔131尾部還設(shè)置有第一光電池13a、第二光電池13b和第三光電池13c，第一光電池13a和第二光電池13b并排設(shè)置，且第一光電池13a和第二光電池13b關(guān)于第一腔泡13A的中軸線對(duì)稱，第三光電池13c處在第二腔泡13B的中軸線上；
[0024]壓控晶振101，用于提供一探測(cè)信號(hào)。
[0025]微波產(chǎn)生模塊102，用于對(duì)探測(cè)信號(hào)進(jìn)行調(diào)制并將經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào)作用于物理模塊103上。
[0026]鑒相模塊104，用于通過同步鑒相技術(shù)分別得到與第一光電池13a對(duì)應(yīng)的第一誤差信號(hào)AWl、與第二光電池132b對(duì)應(yīng)的第二誤差信號(hào)AW2和與第三光電池對(duì)應(yīng)的第三誤差信號(hào) AW3。
[0027]補(bǔ)償模塊105，用于根據(jù)ΔWl、Δ W2和Δ W3判斷是否需要對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏；當(dāng)需要對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏時(shí)，采用Δ Wl、Δ W2和Δ W3中的任一個(gè)，或者Δ Wl、Δ W2和Δ W3中任意兩個(gè)的均值，或者Δ Wl、△ W2和Δ W3的均值，對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏。
[0028]參見圖2，物理模塊103還包括光譜燈132、耦合環(huán)133、C場(chǎng)線圈134、恒溫單元135、磁屏136及金屬隔板137，微波腔131設(shè)置在光譜燈132的光路上，耦合環(huán)133設(shè)置在微波腔131中，金屬隔板137設(shè)置在第一腔泡13A和第二腔泡13B之間，C場(chǎng)線圈134、恒溫單元135和磁屏136依次圍設(shè)在微波腔的外圍。第一腔泡13A和第二腔泡13B和光電池(三個(gè))均設(shè)在光譜燈132的光路上，且第一腔泡13A和第二腔泡13B位于光譜燈131和光電池之間，光電池位于腔泡(兩個(gè)腔泡)與耦合環(huán)133之間。前文微波腔尾部是指微波腔內(nèi)遠(yuǎn)離光譜燈的一端。
[0029]其中，第一腔泡13A和第二腔泡13B為集成濾光共振泡。
[0030]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一光電池13a和第二光電池132b關(guān)于第一腔泡13A的中軸線對(duì)稱。微波磁場(chǎng)的縱向分量的強(qiáng)度在耦合環(huán)兩側(cè)最強(qiáng)，所以在工作狀態(tài)下原子共振躍迀信號(hào)最強(qiáng)的地方在微波腔的腔體兩邊，故將第一光電池13a和第二光電池132b對(duì)稱地安裝在中心軸線的兩側(cè)。這樣它們獲得的信號(hào)最強(qiáng)并且能夠一致的反映物理模塊的量頻情況。
[0031]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，微波腔131為TElll模式的微波腔。
[0032]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一光電池13a、第二光電池132b和第三光電池13c為相同的光電池。具體第一光電池13a、第二光電池132b和第三光電池13c為同一型號(hào)、同一批次的光電池。
[0033]其中，第一光電池13a、第二光電池132b和第三光電池13c為在800nm有最強(qiáng)感光效應(yīng)的硅光電池，以提高光檢的精度。
[0034]進(jìn)一步地，除了微波腔131外圍設(shè)有恒溫單元135外，光譜燈132外圍也設(shè)有恒溫單元 135。
[0035]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，鑒相模塊104包括第一同步鑒相單元141、第二同步鑒相單元142和第三同步鑒相單元143，第一同步鑒相單元141與第一光電池13a電連接，第二同步鑒相單元142與第二光電池132b電連接，第三同步鑒相單元143與第三光電池13c電連接。
[0036]在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，微波產(chǎn)生模塊102包括隔離放大器121、射頻倍頻單元122、微波倍混頻單元123、微處理器124和頻率合成器125，微處理器124分別與鑒相模塊104、隔離放大器121和頻率合成器125電連接，隔離放大器121分別與壓控晶振101和射頻倍頻單元122電連接，微波倍混頻單元分別與射頻倍頻單元122、頻率合成器125及物理模塊103電連接。
[0037]其中，壓控晶振101輸出探測(cè)信號(hào)；隔離放大器121用于將壓控晶振101的輸出頻率信號(hào)進(jìn)行隔離和放大;微處理器124和頻率合成器125用于產(chǎn)生綜合調(diào)制信號(hào)；隔離放大器121的輸出信號(hào)經(jīng)過射頻倍頻單元122輸出至微波倍混頻單元123，微波倍混頻單元123用于對(duì)射頻倍頻單元122的輸出信號(hào)和綜合調(diào)制信號(hào)同時(shí)進(jìn)行倍頻和混頻，以產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào);物理模塊103用于對(duì)經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào)進(jìn)行鑒頻，產(chǎn)生鑒頻信號(hào)；鑒相模塊104對(duì)鑒頻信號(hào)進(jìn)行選頻放大后與參考信號(hào)進(jìn)行同步鑒相，產(chǎn)生誤差信號(hào)。
[0038]其中，微處理器124采用隔離放大器121的輸出作為參考源，通過串行通訊方式向頻率合成器125發(fā)送頻率合成指令，同時(shí)微處理器124直接向頻率合成器125的鍵控調(diào)頻引腳送一路79Hz鍵控調(diào)頻信號(hào)。頻率合成器125接收微處理器124發(fā)來的頻率合成指令，以射頻倍頻單元122的輸出為參考源，產(chǎn)生直接數(shù)字頻率合成的5.3125MHz ± △ f的綜合調(diào)制信號(hào)，其中Af的大小由原子頻標(biāo)物理模塊103的具體線寬決定。微處理器124還產(chǎn)生的三路79Hz的參考信號(hào)分別送入第一同步鑒相單元141、第二同步鑒相單元142和第三同步鑒相單元143，用于進(jìn)行同步鑒相。微處理器124產(chǎn)生的送至頻率合成器125中的79Hz鍵控調(diào)頻信號(hào)與送至鑒相模塊104的79Hz參考信號(hào)具有相同相位。
[0039]其中，頻率合成器125為直接式數(shù)字頻率合成器。
[0040]其中，補(bǔ)償模塊105為中央處理器芯片。
[0041]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，補(bǔ)償模塊105用于采用下述方式，判斷是否進(jìn)行補(bǔ)償:
[0042]第一步:控制微波產(chǎn)生模塊將未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)作用于物理模塊上。
[0043]第二步:通過掃頻技術(shù)擬合出與第一光電池對(duì)應(yīng)的第一原子譜線圖以及與第二光電池對(duì)應(yīng)的第二原子譜線圖。
[0044]具體地，在物理模塊未接入原子頻標(biāo)時(shí)，通過輸入未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)，然后檢測(cè)其輸出，從而擬合原子譜線圖，在此過程中物理模塊中磁場(chǎng)未受到原子頻標(biāo)中電子線路的影響，擬合得到的原子譜線圖精度高。其中，未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)可以由一個(gè)頻率源輸入。其中，掃頻是指控制頻率在一定范圍內(nèi)逐漸變化。
[0045]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過掃頻技術(shù)擬合出與第一光電池對(duì)應(yīng)的第一原子譜線圖以及與第二光電池對(duì)應(yīng)的第二原子譜線圖，包括:
[0046]控制未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)進(jìn)行掃頻；
[0047]采集第一光電池輸出的鑒頻信號(hào)的第一電壓以及與第一電壓一一對(duì)應(yīng)的探測(cè)信號(hào)頻率值，擬合出第一原子譜線圖；采集第二光電池輸出的鑒頻信號(hào)的第二電壓以及與第二電壓一一對(duì)應(yīng)的探測(cè)信號(hào)頻率值，擬合出第二原子譜線圖。
[0048]第三步:將經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào)作用于物理模塊上，通過同步鑒相技術(shù)分別得到與第一光電池對(duì)應(yīng)的第一誤差信號(hào)△ Wl、與第二光電池對(duì)應(yīng)的第二誤差信號(hào)△ W2和與第三光電池對(duì)應(yīng)的AW3。
[0049]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過同步鑒相技術(shù)分別得到與第一光電池對(duì)應(yīng)的第一誤差信號(hào)A Wl、與第二光電池對(duì)應(yīng)的第二誤差信號(hào)△ W2和與第三光電池對(duì)應(yīng)的△ W3，包括:
[0050]獲取物理模塊產(chǎn)生的第一鑒頻信號(hào)、第二鑒頻信號(hào)和第三鑒頻信號(hào)，第一鑒頻信號(hào)由第一光電池輸出，第二鑒頻信號(hào)由第二光電池輸出，第三鑒頻信號(hào)由第三光電池輸出；
[0051]將第一鑒頻信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行同步鑒相，得到第一誤差信號(hào)AWl，將第二鑒頻信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行同步鑒相，得到第二誤差信號(hào)A W2，將第三鑒頻信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行同步鑒相，得到第三誤差信號(hào)A W3。
[0052]第四步:判斷Δ Wl、或Δ W2或Δ Wl和Δ W2的均值，與Δ W3分別對(duì)原子頻標(biāo)糾偏造成的頻率穩(wěn)定度變化。如果兩種糾偏方式變化都過大，則說明原子頻標(biāo)受到外部環(huán)境影響，此時(shí)不進(jìn)行糾偏;例如，對(duì)于穩(wěn)定度為IE-1I量級(jí)原子頻標(biāo)，如果兩種糾偏的穩(wěn)定度均為1E-10量級(jí)，那么可以判斷此時(shí)物理模塊被外界影響了，進(jìn)行糾偏會(huì)造成原子頻標(biāo)系統(tǒng)輸出信號(hào)頻率發(fā)生跳變，此時(shí)不進(jìn)行糾偏。如果兩種糾偏方式變化都不明顯過大，執(zhí)行第五步。如果其中一個(gè)明顯過大:若明顯過大的是Δ Wl和Δ W2組成的糾偏，則直接將Δ W3輸出到壓控晶振，如果明顯過大的是AW3的糾偏，則執(zhí)行第五步。
[0053]第五步:在第一原子譜線圖上查找經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào)兩個(gè)邊帶對(duì)應(yīng)的電壓值Vll和V12，在第二原子譜線圖上查找經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào)兩個(gè)邊帶對(duì)應(yīng)的電壓值V21和V22。計(jì)算 Δ Vl和 Δ V2，Δ Vl = Vl 1-V12- Affl, Δ V2 = V21_V22_ Δ W2。當(dāng) Δ Vl和 Δ V2的乘積為正時(shí)，對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏；當(dāng)A Vl和△ V2的乘積為負(fù)時(shí)，不對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏；當(dāng)A Vl和Δ V2的乘積為O，且Δ Vl不為O時(shí)，對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏；當(dāng)Δ Vl和Δ V2的乘積為O，且Δ Vl為O時(shí)，不對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏。
[0054]具體地，如果兩種糾偏方式變化都不明顯過大，那么需要對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏時(shí)，采用AWl、AW2和AW3中的任一個(gè)，或者AWl、AW2和AW3中任意兩個(gè)的均值，或者AW1、ΔW2和△ W3的均值，對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏。如果明顯過大的是A W3的糾偏，那么需要對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏時(shí)，采用A Wl、△ W2中的任一個(gè)，或者△ Wl、△ W2的均值，對(duì)原子頻標(biāo)進(jìn)行糾偏。
[0055]具體地，經(jīng)過調(diào)制的探測(cè)信號(hào)包括兩個(gè)邊帶fl、f2，在原子譜線可以查找到對(duì)應(yīng)的電壓值。
[0056]在實(shí)現(xiàn)上述判斷過程時(shí)，補(bǔ)償模塊105中存儲(chǔ)有第一原子譜線圖和第二原子譜線圖，第一原子譜線圖和第二原子譜線圖是將未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)作用于物理模塊103上，通過掃頻技術(shù)擬合得到的，第一原子譜線圖和第一光電池13a對(duì)應(yīng)，第二原子譜線圖和第二光電池132b對(duì)應(yīng)。
[0057]具體地，在物理模塊未接入原子頻標(biāo)時(shí)，通過輸入未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)，然后檢測(cè)其輸出，從而擬合原子譜線圖，在此過程中物理模塊中磁場(chǎng)未受到原子頻標(biāo)中電子線路的影響，擬合得到的原子譜線圖精度高。其中，未經(jīng)調(diào)制的探測(cè)信號(hào)可以由一個(gè)頻率源輸入。其中，掃頻是指控制頻率在一定范圍內(nèi)逐漸變化。
[0058]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。
[0059]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述被動(dòng)型原子頻標(biāo)包括:壓控晶振、微波產(chǎn)生模塊、物理模塊、鑒相模塊和補(bǔ)償模塊，所述微波產(chǎn)生模塊分別與所述壓控晶振、所述物理模塊和所述鑒相模塊電連接，所述鑒相模塊還與所述物理模塊及所述補(bǔ)償模塊電連接，所述補(bǔ)償模塊還與所述壓控晶振電連接，所述物理模塊包括微波腔，所述微波腔內(nèi)并排設(shè)置有第一腔泡和第二腔泡，所述微波腔尾部還設(shè)置有第一光電池、第二光電池和第三光電池，所述第一光電池和所述第二光電池并排設(shè)置，且所述第一光電池和所述第二光電池關(guān)于所述第一腔泡的中軸線對(duì)稱，所述第三光電池處在所述第二腔泡的中軸線上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述物理模塊還包括光譜燈、耦合環(huán)、C場(chǎng)線圈、恒溫單元和磁屏，所述微波腔設(shè)置在所述光譜燈的光路上，所述耦合環(huán)設(shè)置在所述微波腔中，所述C場(chǎng)線圈、所述恒溫單元和所述磁屏依次圍設(shè)在所述微波腔的外圍。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述物理模塊還包括金屬隔板，所述金屬隔板設(shè)置在所述第一腔泡和第二腔泡之間。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述第一腔泡和所述第二腔泡為集成濾光共振泡。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述微波腔為TElll模式的微波腔。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述第一光電池、所述第二光電池和所述第三光電池為相同的光電池。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述第一光電池、所述第二光電池和所述第三光電池為在800nm有最強(qiáng)感光效應(yīng)的硅光電池。8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述鑒相模塊包括第一同步鑒相單元、第二同步鑒相單元和第三同步鑒相單元，所述第一同步鑒相單元與所述第一光電池電連接，所述第二同步鑒相單元與所述第二光電池電連接，所述第三同步鑒相單元與所述第三光電池電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述微波產(chǎn)生模塊包括隔離放大器、射頻倍頻單元、微波倍混頻單元、微處理器和頻率合成器，所述微處理器分別與所述鑒相模塊、所述隔離放大器和所述頻率合成器電連接，所述隔離放大器分別與所述壓控晶振和所述射頻倍頻單元電連接，所述微波倍混頻單元分別與所述射頻倍頻單元、所述頻率合成器及所述物理模塊電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的被動(dòng)型原子頻標(biāo)，其特征在于，所述補(bǔ)償模塊為中央處理器芯片。
【文檔編號(hào)】H03L7/26GK205545207SQ201620096789
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年1月29日
【發(fā)明人】張霞
【申請(qǐng)人】江漢大學(xué)