專利名稱：偏轉(zhuǎn)線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電視接收機(jī)和顯示裝置等采用彩色顯像管的圖像顯示裝置中所用的偏轉(zhuǎn)線圈，尤其涉及對(duì)會(huì)聚誤差進(jìn)行校正的結(jié)構(gòu)。
該自會(huì)聚方式的偏轉(zhuǎn)線圈，一般是由上下一對(duì)水平偏轉(zhuǎn)線圈和左右一對(duì)垂直偏轉(zhuǎn)線圈構(gòu)成，利用這些偏轉(zhuǎn)線圈來形成枕形的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)和桶形的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，獲得良好的會(huì)聚特性。
但是，實(shí)際大量生產(chǎn)的偏轉(zhuǎn)線圈，由于偏轉(zhuǎn)線圈的特性偏差等而產(chǎn)生會(huì)聚誤差，所以把磁片粘貼到偏轉(zhuǎn)線圈的適當(dāng)位置上或者利用安裝的校正電路來改變磁場(chǎng)，以此來校正該會(huì)聚誤差。


圖14(a)、圖14(b)表示因垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的偏差而產(chǎn)生的代表性會(huì)聚誤差。
圖14(a)表示所謂“Y軸的R(紅)左傾倒”的會(huì)聚誤差圖形；并且，圖14(b)表示所謂“Y軸的R(紅)右傾倒”會(huì)聚誤差圖形。圖中的實(shí)線表示R(紅)的縱線的亮線；虛線表示B(蘭)的縱線的亮線。
通常，這些會(huì)聚誤差總稱為YH交叉會(huì)聚誤差。
為校正該YH交叉會(huì)聚誤差而用的、過去的校正電路的一例示于圖10。在該圖中，在垂直偏轉(zhuǎn)電路156的輸出上串聯(lián)連接了一對(duì)垂直偏轉(zhuǎn)線圈112、113和校正電路115。
校正電路115是將串聯(lián)連接第1、第2磁場(chǎng)校正線圈101、102，在該接點(diǎn)P上通過電阻器111而連接了3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1的電路。而且，使電子束向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)的情況下的垂直偏轉(zhuǎn)電流的方向用實(shí)線的箭頭S1表示；向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)的情況下的垂直偏轉(zhuǎn)電流的方向用虛線的箭頭S2表示。
在圖16中表示安裝了該校正電路115的偏轉(zhuǎn)線圈。
磁場(chǎng)校正線圈101纏繞在U字形鐵心114A上，如圖16所示布置在偏轉(zhuǎn)線圈頸部151c的水平軸(X軸)的上側(cè)的Y軸上。
另一方面，磁場(chǎng)校正線圈102和磁場(chǎng)校正線圈101一樣，被纏繞在U字形鐵心114B上，在上述X軸的下側(cè)的Y軸上布置成與鐵心114A相對(duì)置。
在該結(jié)構(gòu)中，使可變電阻器20的阻值變化，對(duì)YH交叉會(huì)聚誤差進(jìn)行校正。
因此，利用磁場(chǎng)校正線圈101、102來發(fā)生枕形磁場(chǎng)，向G(綠)提供加比R(紅)和B(蘭)束強(qiáng)的垂直偏轉(zhuǎn)力，這樣，對(duì)VCR變窄會(huì)聚誤差進(jìn)行校正。以下利用圖10～圖13來說明該校正。
圖11～圖13是從屏側(cè)觀看的概要斷面圖，其位置是在把圖16所示的過去的偏轉(zhuǎn)線圈安裝在CRT54的頸部上的狀態(tài)下布置了鐵心114A，114B。圖11(a)～圖13(a)表示向畫面的上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)；圖11(b)～圖13(b)表示向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)。
圖11(a)和圖11(b)表示在3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1位于中心的情況下，電子束向畫面上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，磁場(chǎng)校正線圈101、102所產(chǎn)生的磁場(chǎng)M1、M2、以及因此使電子束受到的力及其方向。
圖12(a)和圖12(b)表示使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1離開中心向圖10的上方向(箭頭16)移動(dòng)的情況下的、電子束向畫面上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)磁場(chǎng)校正線圈101、102所產(chǎn)生的磁場(chǎng)M1、M2、和因此使電子束受到的力及其方向。
圖13(a)和圖13(b)表示使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1離開中心向圖10的下方向(箭頭17)移動(dòng)的情況下的、電子束向畫面上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)磁場(chǎng)校正線圈101、102所產(chǎn)生的磁場(chǎng)M1、M2、和因此使電子束受到的力及其方向。
在圖11～圖13中，磁場(chǎng)M1、M2的強(qiáng)度，為便于理解，分別用虛線和實(shí)線來表示其強(qiáng)弱程度，劃分成2級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
在3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1位于中心的情況下，偏轉(zhuǎn)電流無論向箭頭S1、S2中的哪一方向流動(dòng)，也都是第1、第2磁場(chǎng)校正線圈101、102內(nèi)流過的電流相等。
所以，產(chǎn)生圖11(a)、圖11(b)所示的上下對(duì)稱的枕形磁場(chǎng)M1、M2。
該磁場(chǎng)M1、M2把X方向的反向力分別加到R、B電子束上，這些力，強(qiáng)度相同，互相抵消，所以，R、B的電子束在X軸方向上沒有變化。
因此，不進(jìn)行YH交叉會(huì)聚誤差校正，對(duì)中央的G電子束施加比R、B電子束強(qiáng)的Y軸方向的力，所以VCR變窄會(huì)聚誤差被校正。
然后，當(dāng)使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1向圖10的箭頭16方向移動(dòng)時(shí)，流入到第1磁場(chǎng)校正線圈101中的電流要比流入到第2磁場(chǎng)校正線圈102內(nèi)的電流小。
所以，在此情況下的磁場(chǎng)，第1磁場(chǎng)校正線圈101側(cè)的磁場(chǎng)M1變?nèi)?，成為圖12(a)、圖12(b)所示的上下非對(duì)稱枕形磁場(chǎng)。
并且，在向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖12(a))，各電子束向Y軸正方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)R電子束向X軸的正方向(圖的右方向)偏轉(zhuǎn)，B電子束向X軸的負(fù)方向(圖的左方向)偏轉(zhuǎn)。
并且，在向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖12(b))，各電子束向Y軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)，R電子束向X軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)；B電子束向X軸的正方向偏轉(zhuǎn)。
所以，利用這些偏轉(zhuǎn)能校正圖14(a)所示的R(紅)左傾倒會(huì)聚誤差。
但是，流入到第1磁場(chǎng)校正線圈101內(nèi)的電流減小，所以出現(xiàn)的問題是上述枕形磁場(chǎng)變?nèi)酰a(chǎn)生圖15(a)所示的顯著的VCR變窄會(huì)聚誤差。
另一方面，當(dāng)使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1向圖10的箭頭17方向移動(dòng)時(shí)，流入到第2磁場(chǎng)校正線圈102內(nèi)的電流要比流入到第1磁場(chǎng)校正線圈101的電流小。
所以，在此情況下的磁場(chǎng)，第2磁場(chǎng)校正線圈102側(cè)的磁場(chǎng)M2變?nèi)?，成為圖13(a)、圖13(b)所示的上下非對(duì)稱的枕形磁場(chǎng)。
然后，當(dāng)向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖13(a))，各電子束向Y軸的正方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)R電子束向X軸的負(fù)方向(圖的左方向)偏轉(zhuǎn)；B電子束向X軸的正方向(圖的右方向)偏轉(zhuǎn)。
并且，當(dāng)向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖13(b))，各電子束向Y軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)R電子束向X軸的正方向偏轉(zhuǎn)；B電子束向X軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)。
所以，利用這些偏轉(zhuǎn)，能校正圖14(b)所示的R(紅)右傾倒會(huì)聚誤差。
但是，由于流入到第2磁場(chǎng)校正線圈102內(nèi)的電流減小，所以，在此情況下，也出現(xiàn)這樣的問題，即上述枕形磁場(chǎng)變?nèi)酰a(chǎn)生圖15(a)所示的顯著的VCR變窄會(huì)聚誤差。
包括該VCR變窄會(huì)聚誤差、以及圖15(b)所示的G(綠)相對(duì)于R(紅)和B(蘭)向外側(cè)偏移的VCR變寬會(huì)聚誤差在內(nèi)的VCR會(huì)聚誤差，其偏移量希望在畫面上部盡可能控制在土0.030mm以內(nèi)。
如上所述，在圖10所示的現(xiàn)有的電路中，通過移動(dòng)3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1，能校正YH交叉會(huì)聚誤差，同時(shí)，流入到磁場(chǎng)校正線圈101或磁場(chǎng)校正線圈102內(nèi)的電流減小，枕形磁場(chǎng)變?nèi)?，所以出現(xiàn)的問題是VCR會(huì)聚誤差校正量減小，其結(jié)果，發(fā)生的VCR變窄會(huì)聚誤差很大，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過土0.030mm。
因此，本發(fā)明所要解決的問題是提供不發(fā)生VCR變窄會(huì)聚誤差，能校 YH交叉會(huì)聚誤差的偏轉(zhuǎn)線圈。
為了解決上述問題，本發(fā)明作為解決問題的方法具有以下結(jié)構(gòu)。即技術(shù)方案1的偏轉(zhuǎn)線圈，具有圓筒狀徑部(51c)、和一對(duì)垂直偏轉(zhuǎn)線圈(12，13)，其特征在于具有第1和第2鐵心(14A、14B)，被布置成夾持上述頸部，并互相對(duì)置的狀態(tài)；以及會(huì)聚校正電路(15A、15B、15C)，與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈相連接，上述會(huì)聚校正電路具有第1～第4磁場(chǎng)校正線圈(1～4)；以及3端子可變電阻器(20)，其具有2個(gè)固定端子(T2、T3)和1個(gè)可動(dòng)端子(T1)，上述第1磁場(chǎng)校正線圈(1)和上述第2磁場(chǎng)校正線圈(2)，互相串聯(lián)連接，形成第1串聯(lián)電路，上述第3磁場(chǎng)校正線圈(3)和上述第4磁場(chǎng)校正線圈(4)，分別與上述2個(gè)固定端子(T2、T3)進(jìn)行串聯(lián)連接，形成第2串聯(lián)電路，上述第1串聯(lián)電路與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈(12、13)串聯(lián)連接，上述第1串聯(lián)電路和上述第2串聯(lián)電路，并聯(lián)進(jìn)行連接，使上述第1磁場(chǎng)校正線圈(1)和上述第4磁場(chǎng)校正線圈(4)進(jìn)行連接，上述可動(dòng)端子(T1)被連接到上述第1磁場(chǎng)校正線圈(1)和上述第2磁場(chǎng)校正線圈(2)的連接點(diǎn)(P)上，上述第1和第3磁場(chǎng)校正線圈(1、3)纏繞到第1鐵心(14A)上。
上述第2和第4磁場(chǎng)校正線圈(2、4)纏繞到第2鐵心(14B)上。
技術(shù)方案2是技術(shù)方案1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于上述會(huì)聚校正電路(15A、15C)具有連接在上述可動(dòng)端子(T1)和上述連接點(diǎn)(P)之間的第1固定電阻器(11)。
技術(shù)方案3是技術(shù)方案1或2所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于上述會(huì)聚校正電路(15B、15C)具有分別串聯(lián)連接在上述第3和第4磁場(chǎng)校正線圈(3、4)上的第2固定電阻器(5、6)。
技術(shù)方案4是技術(shù)方案1～3中的任一項(xiàng)所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于上述第3磁場(chǎng)校正線圈(1)的匝數(shù)對(duì)上述第1磁場(chǎng)校正線圈(3)的匝數(shù)的比率(RT1)、以及上述第4磁場(chǎng)校正線圈(2)的匝數(shù)對(duì)上述第2磁場(chǎng)校正線圈(4)的匝數(shù)的比率(RT2)均為0.5以上，而且1.5以下。
圖2是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的另一實(shí)施方式中的電路的電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的另一實(shí)施方式中的電路的電路圖。
圖4是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中的概要透視圖。
圖5是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的另一實(shí)施方式中的概要透視圖。
圖6是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中的線匝比和校正量的變化的關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中可動(dòng)端子在第1位置的作用的概要斷面圖。
圖8是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中可動(dòng)端子在第2位置的作用的概要斷面圖。
圖9是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中可動(dòng)端子在第3位置的作用的概要斷面圖。
圖10是表示以往的偏轉(zhuǎn)線圈的電路之一例的電路圖。
圖11是表示以往的偏轉(zhuǎn)線圈中的作用的概要斷面圖。
圖12是表示以往的偏轉(zhuǎn)線圈中的作用的概要斷面圖。
圖13是表示以往的偏轉(zhuǎn)線圈中的作用的概要斷面圖。
圖14是說明YH交叉會(huì)聚誤差的圖。
圖15是說明VCR會(huì)聚誤差的圖。
圖16是表示過去的偏轉(zhuǎn)線圈之一例的概要透視圖。
圖1是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式的電路的電路圖。
圖2是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的另一實(shí)施方式的電路的電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的另一實(shí)施方式的電路的電路圖。
圖4是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式的概要透視圖。
圖5是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的另一實(shí)施方式的電路的電路圖。
圖6是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中的繞線比和校正量的變化的關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中的可動(dòng)端子在第1位置的作用的概要斷面圖。
圖8是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中的可動(dòng)端子在第2位置的作用的概要斷面圖。
圖9是表示本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的實(shí)施方式中的可動(dòng)端子在第3位置的作用的概要斷面圖。
圖14是說明YH交叉會(huì)聚誤差的圖。
圖15是說明VCR會(huì)聚誤差的圖。
首先，利用圖1，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式中的電路。
在垂直偏轉(zhuǎn)電路56的輸出上串聯(lián)連接一對(duì)垂直偏轉(zhuǎn)線圈12、13和校正電路15A。
該校正電路15A的結(jié)構(gòu)是把串聯(lián)連接的第1磁場(chǎng)校正線圈1和第2磁場(chǎng)校正線圈2和串聯(lián)連接的第4磁場(chǎng)校正線圈4、3端子可變電阻器20的固定端子T2、T3和第3的磁場(chǎng)校正線圈3，作為連接第1磁場(chǎng)校正線圈1和第4磁場(chǎng)校正線圈4的并聯(lián)電路，把3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1通過電阻器11連接到第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2的連接點(diǎn)P上。
在該圖1中，對(duì)使電子束向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)的情況下的垂直偏轉(zhuǎn)電流的方向用實(shí)線的箭頭S1表示；并且，對(duì)向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)的情況下的垂直偏轉(zhuǎn)電流的方向用虛線的箭頭S2表示。
以下利用圖4，詳細(xì)說明安裝了該校正電路15A的本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的概要。
在圖4中，偏轉(zhuǎn)線圈，例如通過對(duì)一對(duì)半圓環(huán)形分離骨架51進(jìn)行組合，形成大致的漏斗狀，其一頭是大徑側(cè)，另一頭是小徑側(cè)，兩頭上分別具有法蘭盤51a、51b。
在分離骨架51的內(nèi)側(cè)上安裝馬鞍形水平偏轉(zhuǎn)線圈(未圖示)；在外側(cè)上安裝馬鞍形的垂直偏轉(zhuǎn)線圈12、13(未圖示)。
在垂直偏轉(zhuǎn)線圈12、13的外側(cè)，安裝由鐵氧體形成的鐵心(未圖示)，再者，在其外側(cè)上，在分離骨架51的基板安裝臂51d上安裝了其上裝有垂直偏轉(zhuǎn)線圈56、3端子可變電阻器20和電阻器11的電路基板53。
而且，分離骨架51通常由變性聚苯醚(變性PPE)、聚丙烯(PP)等熱塑性樹脂構(gòu)成。
在小徑側(cè)的法蘭盤51b的中央部分上，形成一種由多個(gè)舌片構(gòu)成的圓筒狀頸部51c并使其與法蘭盤51b形成一個(gè)整體，在未圖示的CRT54的管軸(Z軸)方向上向外突出。
該偏轉(zhuǎn)線圈稱為馬鞍、馬鞍(SS)型線圖，其概要結(jié)構(gòu)如上所述。
并且，通過用嵌合在頸部51c上的帶箍(未圖示)進(jìn)行緊固，把偏轉(zhuǎn)線圈安裝到CRT54的頸部上。
以下詳細(xì)說明頸部51c附近的詳細(xì)情況。
在小徑側(cè)法蘭盤51b的頸部51c一側(cè)的表面附近，安裝一對(duì)鐵心14A、14B，并使其在偏轉(zhuǎn)線圈的上下方向(Y軸方向)上互相對(duì)置，并把頸部51c夾在其間。該安裝采用法蘭盤51b上所配備的安裝裝置(未圖示)，但也可采用其他裝置來進(jìn)行安裝。
該鐵心14A、14B形成U字形狀，其一對(duì)腳部14Ac、14Bc從基體部14Ab、14Bb的兩端向基體部的直線方向延伸，它利用厚度0.5mm的硅鋼片沖壓件形成。
在一個(gè)鐵心14Ab的基體部14Ab上纏繞第1磁場(chǎng)校正線圈1，其上邊再纏繞第3磁場(chǎng)校正線圈3。
在另一個(gè)鐵心14B的基體部14Bb上，纏繞第2磁場(chǎng)校正線圈2，其上邊再纏繞第4磁場(chǎng)校正線圈4。
第1磁場(chǎng)校正線圈1和第3磁場(chǎng)校正線圈3纏繞成互相產(chǎn)生同方向的磁場(chǎng)，同樣，第2磁場(chǎng)校正線圈和第4磁場(chǎng)校正線圈纏繞成互相產(chǎn)生同方向的磁場(chǎng)。
在鐵心14A、14B上纏繞的順序，也可以先纏繞第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4。并且，也可以同時(shí)纏繞第1、第3磁場(chǎng)校正線圈1、3，同樣，也可以同時(shí)纏繞第2、第4磁場(chǎng)校正線圈2、4。
各個(gè)線圈的末端引出線通過端子55而連接到電路基板53的電路上。
以下利用圖1和圖7～圖9，詳細(xì)說明該構(gòu)成中的校正電路15A的作用。
圖7是從屏一側(cè)觀看的概要斷面圖，觀看的位置是在把實(shí)施方式的偏轉(zhuǎn)線圈安裝到CRT54的頸部的狀態(tài)下布置了鐵心14A、14B的位置，圖7(a)～圖9(a)表示向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)；圖7(b)～圖9(b)表示向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)。
圖7(a)和圖7)(b)表示，在3端子可變電阻器20可動(dòng)端子T1位于中心的情況下，電子束向畫面上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)第1～第4磁場(chǎng)校正線圈1～4所產(chǎn)生的磁場(chǎng)M1、M2、以及因此使電子束承受的力以及其方向。
圖8(a)和圖8(b)表示，使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1從中心向圖1中的上方向(箭頭16)移動(dòng)的情況下，電子束向畫面上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)第1～第4磁場(chǎng)校正線圈1～4所產(chǎn)生的磁場(chǎng)M1、M2、以及因此使電子束承受的力及其方向。
圖9(a)和圖9(b)表示，使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1從中心向圖1中的下方向(箭頭17)移動(dòng)的情況下，電子束向畫面上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)第1～第4磁場(chǎng)校正線圈1～4所產(chǎn)生的磁場(chǎng)、以及因此使電子束承受的力及其方向。
在圖7～圖9中，磁場(chǎng)M1、M2的強(qiáng)度，為了便于理解，劃分成弱、標(biāo)準(zhǔn)、強(qiáng)這3個(gè)級(jí)別，分別用虛線、實(shí)線、粗線表示。
在3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1位于中心的情況下，偏轉(zhuǎn)電流無論是向箭頭S1、S2中的那一方向流動(dòng)，也都是流入到第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2中的電流相等。
所以，產(chǎn)生如圖7(a)、圖7(b)所示的上下對(duì)稱的枕形磁場(chǎng)M1、M2。
該磁場(chǎng)M1、M2，例如在圖7(a)所示的向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，磁場(chǎng)M1向R電子束施加X軸的負(fù)方向的力，磁場(chǎng)M2施加正方向的力。磁場(chǎng)M1向B電子束施加X軸的正方向的力，磁場(chǎng)M2施加負(fù)方向的力。
然后，施加到各個(gè)電子束上的這些X軸方向的力，強(qiáng)度相同，互相抵消，所以R、B電子束在X軸方向上無變化。
向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)正負(fù)方向相反，作用相同。
因此，對(duì)YH交叉會(huì)聚誤差不進(jìn)行校正，但對(duì)中央的G電子束施加比R、B電子束強(qiáng)的Y軸方向的力，所以，對(duì)VCR變窄會(huì)聚誤差進(jìn)行校正。
然后，當(dāng)使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T1向圖1的箭頭16的方向(圖的上方向)移動(dòng)時(shí)，流入到第1磁場(chǎng)校正線圈1內(nèi)的電流小于流入到第2磁場(chǎng)校正線圈2內(nèi)的電流。該減小的部分的電流流入到第4磁場(chǎng)校正線圈4內(nèi)。
所以，在此情況下的磁場(chǎng)M1、M2變成上下非對(duì)稱枕形磁場(chǎng)，如圖8(a)、圖8(b)所示，第1磁場(chǎng)校正線圈1側(cè)的磁場(chǎng)M1較弱；第2磁場(chǎng)校正線圈2側(cè)的磁場(chǎng)M2較強(qiáng)?？偟恼硇未艌?chǎng)強(qiáng)度沒有變化，VCR變窄會(huì)聚誤差的校正效果沒有減小。
然后，向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖8(a))，各電子束向Y軸的正方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)，R電子束向X軸的正方向(圖中的右方向)偏轉(zhuǎn)；B電子束向X軸的負(fù)方向(圖中的左方向)偏轉(zhuǎn)。
再者，當(dāng)向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖8(b))，各個(gè)電子束向Y軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)，R電子束向X軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)，B電子束向X軸的正方向偏轉(zhuǎn)。
所以，利用這些偏轉(zhuǎn)，能校正圖14(a)所示的R(紅)向左傾倒會(huì)聚誤差。
另一方面，當(dāng)使3端子可變電阻器20的可動(dòng)端子T11向圖1的箭頭17方向(圖的下方向)移動(dòng)時(shí)，流入到第2磁場(chǎng)校正線圈2內(nèi)的電流小于流入到第1磁場(chǎng)校正線圈1內(nèi)的電流。該減小的部分的電流流入到第3磁場(chǎng)校正線圈3內(nèi)。
所以，在此情況下的磁場(chǎng)M1、M2，第2磁場(chǎng)校正線圈2側(cè)的磁場(chǎng)M2較弱；第1磁場(chǎng)校正線圈1側(cè)的磁場(chǎng)M1較強(qiáng)，如圖9(a)、圖9(b)所示，形成上下非對(duì)稱的枕形磁場(chǎng)。但總的枕形磁場(chǎng)的強(qiáng)度沒有變化，VCR變窄會(huì)聚誤差的校正效果不會(huì)減小。
并且，當(dāng)向畫面上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)(參見圖9(a))，各電子束向Y軸的正方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)B電子束向X軸的負(fù)方向(圖的左方向)偏轉(zhuǎn)；B電子束向X軸的正方向(圖的右方向)偏轉(zhuǎn)。
并且，當(dāng)向畫面下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，(參見圖9(b))，各電子束向Y軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)，同時(shí)，R電子束向X軸的正方向偏轉(zhuǎn)；B電子束向X軸的負(fù)方向偏轉(zhuǎn)。
所以，利用這些偏轉(zhuǎn)，能校正圖14(b)所示的R(紅)向右傾倒會(huì)聚誤差。
如上所述，若采用本發(fā)明，則即使調(diào)整YH交叉會(huì)聚誤差，也不會(huì)產(chǎn)生新的VCR變窄會(huì)聚誤差。
但是，校正電路并非僅限于上述校正電路15A，例如也可以采用圖2所示的另一種校正電路15B。
該校正電路15B是對(duì)上述校正電路15A，去掉電阻器11，把電阻器5、6分別串聯(lián)連接到第4、第3磁場(chǎng)校正線圈4、3上。
并且，也可使用圖3所示的另一校正電路15C。
該校正電路15C是對(duì)上述校正電路15A，把電阻器5、6分別串聯(lián)連接到第4、第3磁場(chǎng)校正線圈4、3上。
這些校正電路15B、15C，在第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4的電阻值小于第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2的電阻值的情況下，對(duì)流入到第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4內(nèi)的過剩電流進(jìn)行優(yōu)化，所以是有效的結(jié)構(gòu)。以上說明的校正電路15A～15C內(nèi)，使用的電阻器數(shù)量少的校正電路15A，價(jià)格最低，是優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。
在以上說明的結(jié)構(gòu)中，可以看出當(dāng)?shù)?、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2和第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4的匝數(shù)的比率發(fā)生變化時(shí)，YH交叉會(huì)聚誤差校正時(shí)的VCR會(huì)聚誤差的校正量發(fā)生變化。
具體來說，可以看出當(dāng)使第3、第4的磁場(chǎng)校正線圈3、4的匝數(shù)比率少于第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2的匝數(shù)時(shí)，校正效果減弱，變成圖15(a)所示的VCR變窄會(huì)聚誤差，當(dāng)使該匝數(shù)比率增加時(shí)，校正效果增強(qiáng)，變成圖15(b)所示的VCR變寬會(huì)聚誤差。
因此，發(fā)明人進(jìn)一步銳意研究實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)第3磁場(chǎng)校正線圈3對(duì)第1磁場(chǎng)校正線圈1的匝數(shù)比RT1、以及第4磁場(chǎng)校正線圈4對(duì)第2磁場(chǎng)校正線圈4的匝數(shù)比RT2，均設(shè)定在0.5以上而且1.5以下的范圍內(nèi)，這樣，能充分控制YH交叉會(huì)聚誤差校正時(shí)的VCR會(huì)聚誤差校正量的變化，不產(chǎn)生新的VCR會(huì)聚誤差，能很好地校正YH交叉會(huì)聚誤差。
圖6表示VCR會(huì)聚誤差的校正量變化與匝數(shù)比RT1、RT2的關(guān)系。在該圖中，橫坐標(biāo)是匝數(shù)比RT1、RT2，縱坐標(biāo)是VCR會(huì)聚誤差校正量的變化。
供實(shí)驗(yàn)用的校正電路是圖1所示的校正電路14A，各個(gè)零件的參數(shù)如下。
3端子可變電阻器2020Ω電阻器112.7Ω第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2線徑0.30mm第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4線徑0.30mm實(shí)驗(yàn)是在校正電路14A中，把第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2的匝數(shù)固定為65匝，在這同一匝數(shù)的情況下對(duì)第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4的匝數(shù)進(jìn)行各種變化，使其為120、100、80、65、55、45、35、25、15、5匝，分別對(duì)VCR會(huì)聚誤差校正量進(jìn)行測(cè)量。
其結(jié)果可以看出如圖6所示，隨著匝數(shù)比的提高，VCR會(huì)聚誤差從負(fù)側(cè)(窄側(cè))向正側(cè)(寬側(cè))大體上沿直線增加。
并且，如上所述，在畫面上的VCR會(huì)聚誤差校正中，可以看出為了確實(shí)獲得希望的變化量范圍-0.030～+0.030mm，把匝數(shù)比RT1、RT2設(shè)定為0.5以上而且1.5以下即可。
本發(fā)明的實(shí)施方式并非僅限于上述結(jié)構(gòu)。
例如，上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)是把第1磁場(chǎng)校正線圈1和第3磁場(chǎng)校正線圈3纏繞在鐵心14A上；把第2磁場(chǎng)校正線圈2和第4磁場(chǎng)校正線圈4纏繞在鐵心14B上，但也可以把各個(gè)磁場(chǎng)校正線圈分別獨(dú)立地纏繞在鐵心上。
具體來說，如圖5所示，把第1～第4磁場(chǎng)校正線圈1～4分別纏繞在鐵心14A1、14B1、14A2、14B2上，把鐵心14A1和鐵心14A2、以及鐵心14B1和鐵心14B2分別并排地布置在Z軸方向上，同時(shí)把鐵心14A1和鐵心14B1、以及鐵心14A2和鐵心14B2分別布置在頸部51c的兩側(cè)并使其互相對(duì)置。并且，鐵心14A1、14A2或鐵心14B1、14B2并排布置的順序并非限于此。
在以上說明的實(shí)施方式中，在校正電路15A中，當(dāng)電阻器11的電阻值減小時(shí)，流入到第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4內(nèi)的電流增大，YH交叉會(huì)聚誤差校正量增大；當(dāng)電阻值增大時(shí)，流入到第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4內(nèi)的電流減小，YH交叉變窄會(huì)聚誤差校正量減少。
所以，通過調(diào)整電阻器11的電阻值，即可改變YH交叉會(huì)聚誤差校正量，在需要任意校正量的情況下，也可以把電阻器11改為電位器。
另一方面，在校正電路15B或15C中，若電阻器5、6或電阻器5、6、11、的阻值較小，則流入到第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4內(nèi)的電流增大，YH交叉會(huì)聚誤差校正量增大；若阻值較大，則流入到第3、第4磁場(chǎng)校正線圈3、4內(nèi)的電流減小，YH交叉會(huì)聚誤差校正量減小。
所以，通過調(diào)整電阻器5、6或5、6、11的阻值，即可改變YH交叉會(huì)聚誤差校正量，在需要任意校正量的情況下，也可以把電阻器5、6或5、6、11改為電位器。
偏轉(zhuǎn)線圈不限于SS型，也可以是馬鞍、環(huán)形(ST)型的偏轉(zhuǎn)線圈。分離骨架51也可不是一對(duì)半環(huán)狀，而是形成一個(gè)整體；另外，也可以單獨(dú)構(gòu)成小徑側(cè)法蘭盤51b和頸部51c。
并且，即使這些例子以外，也能在不脫離本發(fā)明的主要條件的范圍內(nèi)，進(jìn)行更改。發(fā)明的效果如上所述，若采用本發(fā)明，可獲得不產(chǎn)生VCR變窄會(huì)聚誤差，能校正YH交叉會(huì)聚誤差的效果。
權(quán)利要求
1.一種偏轉(zhuǎn)線圈，其具有圓筒狀徑部、和一對(duì)垂直偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于具有第1和第2鐵心，被布置成夾持上述頸部，并互相對(duì)置的狀態(tài)；以及會(huì)聚校正電路，與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈相連接，上述會(huì)聚校正電路具有第1～第4磁場(chǎng)校正線圈；以及3端子可變電阻器，其具有2個(gè)固定端子和1個(gè)可動(dòng)端子，上述第1磁場(chǎng)校正線圈和上述第2磁場(chǎng)校正線圈串聯(lián)連接，形成第1串聯(lián)電路，上述第3磁場(chǎng)校正線圈和上述第4磁場(chǎng)校正線圈，分別與上述2個(gè)固定端子進(jìn)行串聯(lián)連接，形成第2串聯(lián)電路，上述第1串聯(lián)電路與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈串聯(lián)連接，上述第1串聯(lián)電路和上述第2串聯(lián)電路并聯(lián)連接，以使上述第1磁場(chǎng)校正線圈和上述第4磁場(chǎng)校正線圈進(jìn)行連接，上述可動(dòng)端子被連接到上述第1磁場(chǎng)校正線圈和上述第2磁場(chǎng)校正線圈的連接點(diǎn)上，上述第1和第3磁場(chǎng)校正線圈纏繞到第1鐵心上。上述第2和第4磁場(chǎng)校正線圈纏繞到第2鐵心上。
2.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于上述會(huì)聚校正電路具有連接在上述可動(dòng)端子和上述連接點(diǎn)之間的第1固定電阻器。
3.如權(quán)利要求1或2所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于上述會(huì)聚校正電路具有與上述第3和第4磁場(chǎng)校正線圈分別串聯(lián)連接的第2固定電阻器。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于上述第3磁場(chǎng)校正線圈的匝數(shù)上述對(duì)上述第1磁場(chǎng)校正線圈匝數(shù)的比率、以及上述第4磁場(chǎng)校正線圈的匝數(shù)對(duì)上述第2磁場(chǎng)校正線圈的匝數(shù)的比率均為0.5以上，而且1.5以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不產(chǎn)生VCR變窄會(huì)聚誤差，能進(jìn)行YH交叉會(huì)聚誤差校正的偏轉(zhuǎn)線圈。校正電路15A由第1～第4磁場(chǎng)校正線圈1～4和3端子可變電阻器20構(gòu)成，把第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2的串聯(lián)電路、以及在2個(gè)固定端子上分別連接了第4、第3磁場(chǎng)校正線圈4、3的串聯(lián)電路，并聯(lián)進(jìn)行連接，把可動(dòng)端子T1連接到第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2的接連點(diǎn)P上，另一方面，把垂直偏轉(zhuǎn)線圈12、13和第1、第2磁場(chǎng)校正線圈1、2進(jìn)行串聯(lián)連接，同時(shí)，把第1、第3磁場(chǎng)校正線圈1、3纏繞在第1鐵心14A上；把第2、第4磁場(chǎng)校正線圈2、4纏繞到第2鐵心12B上；把第1、第2鐵心14A、14B布置在管頸部51c的兩側(cè)并形成對(duì)置狀態(tài)。
文檔編號(hào)H04N9/28GK1469418SQ0314254
公開日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月28日
發(fā)明者橫塚克久, 淺山學(xué), 橫 克久 申請(qǐng)人:日本勝利株式會(huì)社