專利名稱：射頻衰減控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種射頻衰減控制裝置，尤指一種控制操作簡單及反應(yīng)速度快，并具有可 自由設(shè)定衰減電位彈性的射頻衰減控制裝置。
背景技術(shù)：
在電子組件中，衰減器為電路及系統(tǒng)中常用的基本組件之一，該衰減器的存在可使電路 制作及系統(tǒng)調(diào)試變得更加靈活與方便。
按現(xiàn)今手控式衰減器2的設(shè)計(jì)，如圖2所示，包含一輸入端2 1、 一射頻控制電路2 2 、 一手動開關(guān)2 3、 一開關(guān)2 4及一輸出端2 5所構(gòu)成。其系利用該輸入端2 1將一射頻訊 號輸入至該射頻控制電路2 2，并藉由該手動開關(guān)2 3以手控調(diào)整該開關(guān)2 4進(jìn)行衰減電位 的動作，待衰減完成后由該輸出端2 5送出已衰減的射頻訊號。其雖可對射頻訊號進(jìn)行衰減 ，然而，該手控式衰減器2系以手控方式調(diào)整欲衰減的電位，由預(yù)設(shè)于該手動開關(guān)2 3內(nèi)的 電位刻度進(jìn)行手控設(shè)定。因此，其不僅無法對衰減電位作精密調(diào)控，且其整體反應(yīng)速度亦為 較慢，除了需耗費(fèi)較多時(shí)間進(jìn)行衰減動作外，亦無法做自動量測的使用。故， 一般已用者無 法符合使用者于實(shí)際使用時(shí)所需。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能對衰減電位作精密調(diào) 控，且其整體反應(yīng)速度較快能進(jìn)行自動量測的射頻衰減控制裝置。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為 一種射頻衰減控制裝置，包括 一輸入端子，該輸入端子用以輸入一射頻訊號至該射頻衰減控制裝置； 一射頻控制電路，該射頻控制電路具有一接收端及一發(fā)射端，并包含一可變負(fù)載組件， 該接收端將該射頻訊號的輸入阻抗調(diào)整為與該可變負(fù)載組件互相匹配，并以該發(fā)射端調(diào)整該 可變負(fù)載組件的輸出阻抗，再由該可變負(fù)載組件根據(jù)外部的電位輸入調(diào)整該射頻訊號的衰減
一控制中心，該控制中心包含一衰減控制邏輯電路、 一單晶片及一接口轉(zhuǎn)換器，用以設(shè) 定該射頻控制電路，并經(jīng)由控制指令或手控調(diào)整進(jìn)行訊號衰減；
一可調(diào)開關(guān)，該可調(diào)開關(guān)手調(diào)控制該控制中心的衰減控制邏輯電路，由該衰減控制邏輯 電路根據(jù)該可調(diào)開關(guān)的設(shè)定將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù)載組件調(diào)整衰減量的輸出電位；一接口單元，該接口單元耦接該控制中心的接口轉(zhuǎn)換器，并再連接至一計(jì)算機(jī)，用以將 該接口轉(zhuǎn)換器輸出的符合該接口單元規(guī)格的輸出訊號，經(jīng)由對應(yīng)該接口單元規(guī)格的一接口輸 出至該計(jì)算機(jī)，再由該計(jì)算機(jī)針對該輸出訊號輸入控制指令經(jīng)該接口轉(zhuǎn)換器至該單晶片；以 及
一輸出端子，該輸出端子用以接收該射頻控制電路其發(fā)射端發(fā)射的已衰減射頻訊號，并 自該射頻衰減控制裝置中輸出此射頻訊號。
本發(fā)明運(yùn)用時(shí)， 一射頻訊號經(jīng)由該輸入端子進(jìn)入該射頻控制電路的接收端至該可變負(fù)載 組件，此時(shí)可視該控制中心是否透過該接口單元連上一計(jì)算機(jī)，以決定利用該可調(diào)開關(guān)以原 有方式對該控制中心內(nèi)的衰減控制邏輯電路以手控調(diào)整欲衰減的電位；亦或系由連接于該控 制中心內(nèi)單晶片的接口轉(zhuǎn)換器，將轉(zhuǎn)換為符合該接口單元規(guī)格的輸出訊號，以經(jīng)由該接口單 元輸出至該計(jì)算機(jī)，由該計(jì)算機(jī)針對該單晶片設(shè)定欲衰減的電位，并經(jīng)該接口轉(zhuǎn)換器輸入控 制指令至該單晶片，使該單晶片可對該衰減控制邏輯電路送出設(shè)定訊號，并由該衰減控制邏 輯電路將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù)載組件調(diào)整衰減量的輸出電位，由該可變負(fù)載組件根據(jù)輸入的電 位調(diào)整衰減量至該發(fā)射端進(jìn)行該射頻訊號的衰減，最后經(jīng)該輸出端子從該射頻衰減控制裝置 送出。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所具有的有益效果為本發(fā)明藉由計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程遙控衰減電位以 達(dá)到高頻訊號能量的衰減，可較僅有單純手動開關(guān)的衰減裝置來得快，并且該計(jì)算機(jī)亦可對 可調(diào)開關(guān)設(shè)定的衰減電位作進(jìn)一步的調(diào)控；且能藉由可自由設(shè)定衰減電位的彈性，進(jìn)而達(dá)到 對射頻訊號作更精密的衰減調(diào)控。同時(shí)本發(fā)明具有可根據(jù)其控制中心是否透過其接口單元連 上計(jì)算機(jī)，而決定其衰減控制邏輯電路的控制權(quán)是由其單晶片或可調(diào)開關(guān)的設(shè)定決定的彈性 選擇。


圖1 ，系本發(fā)明電路方塊示意圖。 圖2，系已用電路方塊示意圖。 標(biāo)號說明
射頻衰減控制裝置1 輸入端子l 1 射頻控制電路l2 接收端121 發(fā)射端1 2 2
6可變負(fù)載組件1 2 3 控制中心l3 衰減控制邏輯電路l31 單芯片1 3 2 接口轉(zhuǎn)換器l 3 3 可調(diào)開關(guān)l4 接口單元l 5 輸出端子1 6 計(jì)算機(jī)1 7 手控式衰減器2 輸入端2 1 射頻控制電路2 2 手動開關(guān)2 3 開關(guān)2 4 輸出端2 5
具體實(shí)施例方式
請參閱圖l所示，系本發(fā)明電路方塊示意圖。如圖所示本發(fā)明系一種射頻衰減控制裝 置，該射頻衰減控制裝置1至少包含有一輸入端子1 1、 一射頻控制電路l 2、 一控制中心 1 3 、 一可調(diào)開關(guān)1 4 、 一接口單元1 5及一輸出端子1 6所構(gòu)成。
該輸入端子11系用以輸入一射頻訊號至該射頻衰減控制裝置1。
該射頻控制電路l 2系具有一接收端1 2 l及一發(fā)射端l 2 2，并包含一可變負(fù)載組件 12 3。該接收端l 2 l系用以將該射頻訊號的輸入阻抗調(diào)整為與該可變負(fù)載組件l 2 3互 相匹配，該發(fā)射端l 2 2包含有一阻抗匹配電路，用以調(diào)整該可變負(fù)載組件l 2 3的輸出阻 抗為50歐姆或75歐姆等射頻常用的標(biāo)準(zhǔn)阻抗，該可變負(fù)載組件l 2 3包含一衰減門陣列，可 根據(jù)外部的電位輸入調(diào)整該射頻訊號的衰減量，其中，該可變負(fù)載組件l 2 3可由芯片或傳 統(tǒng)的電阻、電容及電感構(gòu)成。
該控制中心l 3包含一衰減控制邏輯電路1 3 1、 一單晶片l 3 2及一接口轉(zhuǎn)換器1 3 3，用以設(shè)定該射頻控制電路l 2，并經(jīng)由控制指令或手控調(diào)整進(jìn)行訊號衰減。該衰減控制 邏輯電路l 3 l系可根據(jù)該單晶片l 3 2送出的設(shè)定訊號將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù)載組件1 2 3 調(diào)整衰減量的輸出電位，其中，該衰減控制邏輯電路l 3 l系可為一現(xiàn)場可程序門陣列(Field Programmable Gate Array, FPGA)芯片或其它簡單的邏輯電路；該單晶片1 3 2系 由一微控制器(Micro Controller Unit, MCU)構(gòu)成，且該單晶片1 3 2連結(jié)該接口轉(zhuǎn)換器 1 3 3并經(jīng)由接口單元1 5與一計(jì)算機(jī)1 7溝通。
該可調(diào)開關(guān)l 4可為指撥開關(guān)或旋轉(zhuǎn)開關(guān)，可手調(diào)控制該控制中心l 3的衰減控制邏輯 電路l31，由該衰減控制邏輯電路l3l根據(jù)該可調(diào)開關(guān)l4的設(shè)定將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù) 載組件l 2 3調(diào)整衰減量的輸出電位。
該接口單元1 5耦接該控制中心1 3的接口轉(zhuǎn)換器13 3，并再連接至該計(jì)算機(jī)1 7 ， 用以將該接口轉(zhuǎn)換器l 3 3輸出的符合該接口單元1 5規(guī)格的輸出訊號，經(jīng)由對應(yīng)該接口單 元1 5規(guī)格的一接口輸出至該計(jì)算機(jī)1 7 ，再由該計(jì)算機(jī)1 7針對該輸出訊號輸入一控制指 令經(jīng)該接口轉(zhuǎn)換器l 3 3至該單晶片1 3 2，其中，該接口單元l 5可為PC MCIA接口、 Card Bus接口、 Express Card接口或USB接口 。
該輸出端子l 6用以接收該射頻控制電路1 2其發(fā)射端1 2 2發(fā)射的已衰減射頻訊號， 并自該射頻衰減控制裝置l中輸出此射頻訊號。以上所述，系構(gòu)成一全新的射頻衰減控制裝 置l 。
當(dāng)本發(fā)明于運(yùn)用時(shí)，系可根據(jù)當(dāng)該控制中心1 3有透過該接口單元1 5連上該計(jì)算機(jī)1 7時(shí)，該衰減控制邏輯電路l 3 l的控制權(quán)系由該單晶片l 3 2決定；反之，當(dāng)該控制中心 1 3沒有透過該接口單元1 5連上該計(jì)算機(jī)1 7時(shí)，該衰減控制邏輯電路l 3 l的控制權(quán)則 由該可調(diào)開關(guān)l 4的設(shè)定決定。首先，該射頻訊號經(jīng)由該輸入端子l l進(jìn)入該射頻控制電路 1 2的接收端1 2 1至該可變負(fù)載組件1 3 1，此時(shí)可視該控制中心l 3是否透過該接口單 元1 5連上該計(jì)算機(jī)1 7 ，決定利用該可調(diào)開關(guān)1 4以原有方式對該衰減控制邏輯電路1 3 1以手控調(diào)整欲衰減的電位；亦或可由連接于該單晶片l 3 2的接口轉(zhuǎn)換器1 3 3，將轉(zhuǎn)換 為符合該接口單元l5規(guī)格的輸出訊號，以經(jīng)由該接口單元l5輸出至該計(jì)算機(jī)17，由該 計(jì)算機(jī)l 7針對該單晶片1 3 2設(shè)定欲衰減的電位，并經(jīng)該接口轉(zhuǎn)換器l 3 3輸入控制指令 至該單晶片l 3 2，使該單晶片l 3 2可對該衰減控制邏輯電路1 3 l送出設(shè)定訊號，并由 該衰減控制邏輯電路l 3 1將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù)載組件1 2 3調(diào)整衰減量的輸出電位，由該 可變負(fù)載組件l 2 3根據(jù)輸入的電位調(diào)整衰減量至該發(fā)射端1 2 2進(jìn)行該射頻訊號的衰減， 最后經(jīng)該輸出端子l 6從該射頻衰減控制裝置1送出，其中，該計(jì)算機(jī)l 7亦可遠(yuǎn)程遙控該 可調(diào)開關(guān)l4設(shè)定的衰減電位。
藉此，本發(fā)明射頻衰減控制裝置，不僅可藉由該計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程遙控衰減電位以達(dá)到高頻訊 號能量的衰減，使反應(yīng)速度可較僅有單純可調(diào)開關(guān)的衰減裝置來得快，并且，亦具有可根據(jù)該控制中心是否透過該接口單元連上該計(jì)算機(jī)，而決定該衰減控制邏輯電路其控制權(quán)系由該 單晶片或該可調(diào)開關(guān)的設(shè)定決定的彈性選擇。因此，此種可由計(jì)算機(jī)控制調(diào)整衰減電位的裝 置，不僅控制操作簡單及反應(yīng)速度快，并能藉由可自由設(shè)定衰減電位的彈性，進(jìn)而達(dá)到對射 頻訊號作更精密的衰減調(diào)控。
另，本發(fā)明輸入端子l l可為同軸電纜接頭且該射頻控制電路可由集成電路所構(gòu)成。而 該單晶片l 3 2可由以下方式所構(gòu)成可由數(shù)字邏輯電路與數(shù)字循序電路所構(gòu)成、可由集成 電路組件所構(gòu)成、可由AND邏輯組件、0R邏輯組件與N0T邏輯組件所構(gòu)成、可由D型正反器與 內(nèi)存組件所構(gòu)成、可由正反器與邏輯組件以及內(nèi)存組件所構(gòu)成、可由二極管組件所構(gòu)成、可 由晶體管組件所構(gòu)成、可由MOS組件所構(gòu)成、可由BJT組件所構(gòu)成、可由FET組件所構(gòu)成、可 由CMOS組件所構(gòu)成或可由電阻、電容或電感組件所構(gòu)成。
而該射頻控制電路l 2與控制中心1 3可整合為一集成電路，該控制中心l 3系可由 電阻、電容與晶體管所組成。
綜上所述，本發(fā)明系一種射頻衰減控制裝置，可有效改善已用的種種缺點(diǎn)，能藉由計(jì)算 機(jī)遠(yuǎn)程遙控衰減電位以達(dá)到高頻訊號能量的衰減，因此反應(yīng)速度可較僅有單純可調(diào)開關(guān)的衰 減裝置來得快，并且該計(jì)算機(jī)亦可對該可調(diào)開關(guān)設(shè)定的衰減電位作進(jìn)一步的調(diào)控，因此，該 種可由計(jì)算機(jī)控制調(diào)整衰減電位的裝置，不僅控制操作簡單及反應(yīng)速度快，并能藉由可自由 設(shè)定衰減電位的彈性，達(dá)到對射頻訊號作更精密的衰減調(diào)控，進(jìn)而使本發(fā)明的產(chǎn)生能更進(jìn)步 、更實(shí)用、更符合使用者所須，確已符合發(fā)明專利申請要件，爰依法提出專利申請。
權(quán)利要求
1.一種射頻衰減控制裝置，其特征在于包括一輸入端子，該輸入端子用以輸入一射頻訊號至該射頻衰減控制裝置；一射頻控制電路，該射頻控制電路具有一接收端及一發(fā)射端，并包含一可變負(fù)載組件，該接收端將該射頻訊號的輸入阻抗調(diào)整為與該可變負(fù)載組件互相匹配，并以該發(fā)射端調(diào)整該可變負(fù)載組件的輸出阻抗，再由該可變負(fù)載組件根據(jù)外部的電位輸入調(diào)整該射頻訊號的衰減量；一控制中心，該控制中心包含一衰減控制邏輯電路、一單晶片及一接口轉(zhuǎn)換器，用以設(shè)定該射頻控制電路，并經(jīng)由控制指令或手控調(diào)整進(jìn)行訊號衰減；一可調(diào)開關(guān)，該可調(diào)開關(guān)手調(diào)控制該控制中心的衰減控制邏輯電路，由該衰減控制邏輯電路根據(jù)該可調(diào)開關(guān)的設(shè)定將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù)載組件調(diào)整衰減量的輸出電位；一接口單元，該接口單元耦接該控制中心的接口轉(zhuǎn)換器，并再連接至一計(jì)算機(jī)，用以將該接口轉(zhuǎn)換器輸出的符合該接口單元規(guī)格的輸出訊號，經(jīng)由對應(yīng)該接口單元規(guī)格的一接口輸出至該計(jì)算機(jī)，再由該計(jì)算機(jī)針對該輸出訊號輸入控制指令經(jīng)該接口轉(zhuǎn)換器至該單晶片；以及一輸出端子，該輸出端子用以接收該射頻控制電路其發(fā)射端發(fā)射的已衰減射頻訊號，并自該射頻衰減控制裝置中輸出此射頻訊號。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該發(fā)射端 包含一阻抗匹配電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該發(fā)射端 的輸出阻抗以50歐姆為標(biāo)準(zhǔn)阻抗。
4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該發(fā)射端 的輸出阻抗以75歐姆為標(biāo)準(zhǔn)阻抗。
5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該可變負(fù) 載組件包含一衰減門陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該可變負(fù) 載組件由芯片或電阻、電容及電感構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該衰減控 制邏輯電路根據(jù)該單晶片送出的設(shè)定訊號將之轉(zhuǎn)換成該可變負(fù)載組件調(diào)整衰減量的輸出電位
8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該衰減控 制邏輯電路為一現(xiàn)場可程序門陣列芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片 由一微控制器構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶 片連結(jié)該接口轉(zhuǎn)換器并經(jīng)由該接口單元與該計(jì)算機(jī)溝通。
11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該可調(diào) 開關(guān)為指撥開關(guān)。
12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該可調(diào) 開關(guān)為旋轉(zhuǎn)開關(guān)。
13.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該接口 單元為PCMCIA接口、 CardBus接口、 Express Card接口或USB接口 。
14.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該衰減 控制邏輯電路的控制權(quán)由該單晶片決定。
15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該衰減 控制邏輯電路的控制權(quán)由該可調(diào)開關(guān)的設(shè)定決定。
16.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該輸入 端子為同軸電纜接頭。
17.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該射頻 控制電路由集成電路所構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶 片由數(shù)字邏輯電路與數(shù)字循序電路所構(gòu)成。
19.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶 片由集成電路組件所構(gòu)成。
20.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶3片由AND邏輯組件、0R邏輯組件與N0T邏輯組件所構(gòu)成。
21.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由D型正反器與內(nèi)存組件所構(gòu)成。
22.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由正反器與邏輯組件以及內(nèi)存組件所構(gòu)成。
23.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由二極管組件所構(gòu)成。
24.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由晶體管組件所構(gòu)成。
25.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由MOS組件所構(gòu)成。
26.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由BJT組件所構(gòu)成。
27.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片可由FET組件所構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由CMOS組件所構(gòu)成。
29.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該單晶片由電阻、電容或電感組件所構(gòu)成。
30.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該射頻控制電路與控制中心為一集成電路。
31.根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻衰減控制裝置，其特征在于，該控制中心由電阻、電容與晶體管所組成。
全文摘要
一種射頻衰減控制裝置，不僅可藉由計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程遙控衰減電位以達(dá)到高頻訊號能量的衰減，使反應(yīng)速度可較僅有單純可調(diào)開關(guān)的衰減裝置來得快，并且，亦具有可根據(jù)其控制中心是否透過其接口單元連上該計(jì)算機(jī)，而決定其衰減控制邏輯電路的控制權(quán)系由其單晶片或可調(diào)開關(guān)設(shè)定決定的彈性選擇，此外，該計(jì)算機(jī)亦可對該可調(diào)開關(guān)設(shè)定的衰減電位作進(jìn)一步的調(diào)控。因此，該種可由計(jì)算機(jī)控制調(diào)整衰減電位的裝置，不僅控制操作簡單及反應(yīng)速度快，并能藉由可自由設(shè)定衰減電位的彈性，進(jìn)而達(dá)到對射頻訊號作更精密的衰減調(diào)控。
文檔編號H04B7/005GK101567675SQ20081030126
公開日2009年10月28日 申請日期2008年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月23日
發(fā)明者楊瞻魁 申請人:聰泰科技開發(fā)股份有限公司