專利名稱：提高gsm終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉 及移動通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法。
背景技術(shù)：
全球移動通信系統(tǒng)(GlobalSystem for Mobile Communication, GSM)是一個時分多址(TDMA，Time Division Multiple Access)系統(tǒng)，根據(jù)協(xié)議GSM任意時隙中的每一個突發(fā)(burst)必須卡在協(xié)議規(guī)定的時間模板之內(nèi)。所述協(xié)議規(guī)定的時間模板具體參見圖1 所示。GSM終端發(fā)射部分的射頻性能分為傳導(dǎo)性能和輻射性能。所謂傳導(dǎo)性能是指除去天線的影響電路板本身的射頻發(fā)射性能，而輻射性能就是指包括天線在內(nèi)的終端整機(jī)的射頻發(fā)射性能。輻射性能表現(xiàn)了終端用戶的實(shí)際感受，顯然更為重要。終端發(fā)射部分的輻射性能由于要通過天線輻射出去，就有可能對電路板產(chǎn)生輻射干擾，惡化電路板本身的發(fā)射射頻性能，從而惡化終端的射頻發(fā)射部分的輻射性能。終端天線輻射對電路板產(chǎn)生的輻射干擾中，有一類干擾是影響射頻發(fā)射機(jī)和功率放大器的穩(wěn)定時間。由于GSM是一個時分系統(tǒng)，所以正常情況下，GSM終端的射頻發(fā)射部分只有在發(fā)射時隙時才打開，在接收時隙時關(guān)閉。而射頻器件本身都存在一個穩(wěn)定時間，也就是需要穩(wěn)定一定時間以后才能正常工作。所以一般GSM終端在發(fā)射時隙工作時都需要提前一定時間打開，以確保真正發(fā)射數(shù)據(jù)時能正常工作，這一提前打開的時間量在電路板設(shè)計(jì)好之后就已經(jīng)固定。正常情況下，GSM終端是通過RAMP (爬坡)曲線來控制射頻發(fā)射部分的功率放大器打開和關(guān)閉，以使其嚴(yán)格控制在圖1所示的時間模板以內(nèi)。所述RAMP曲線是指軟件控制功率放大器的發(fā)射功率在打開時緩慢的從最小到最大和在關(guān)閉時緩慢的從最大到最小?，F(xiàn)有技術(shù)中的RAMP曲線如圖2所示，其中上升沿和下降沿嚴(yán)格對稱，橫坐標(biāo)代表時間，縱坐標(biāo)代表功率放大器的控制字，控制字越大，功率放大器的發(fā)射功率就越大。上升沿和下降沿之間的狀態(tài)為控制字平穩(wěn)狀態(tài)。但是輻射干擾會影響到射頻發(fā)射機(jī)和功率放大器的穩(wěn)定時間，使得穩(wěn)定時間加大，則會導(dǎo)致發(fā)射時隙真正開始工作時，前面幾個符號的發(fā)射質(zhì)量很差，即前面幾個符號的相位誤差超出了規(guī)定的范圍之內(nèi)，從而影響到整體的輻射性能。在GSM協(xié)議中，符號是指在順序發(fā)射和順序接收中的每一個數(shù)據(jù)的單位。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中都是通過重新畫電路板修改硬件的方式來處理， 這一處理方式的缺點(diǎn)是驗(yàn)證周期較長，若驗(yàn)證成功后，則前期做的電路板都全部作廢，所以成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，在消除輻射干擾對發(fā)射時隙前面幾個符號發(fā)射質(zhì)量影響的同時，降低成本。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，包括讀取GSM終端存儲的RAMP曲線信息，根據(jù)存儲的RAMP曲線測試發(fā)射符號的相位誤差，當(dāng)所述發(fā)射符號的相位誤差大于協(xié)議規(guī)定閾值時，

修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿，修改后的RAMP曲線滿足GSM系統(tǒng)的時間模板；根據(jù)所述修改后的RAMP曲線，測試發(fā)射符號的相位誤差；當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值時，將修改后的RAMP曲線信息取代所述存儲的RAMP曲線信息；否則，重新修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿或所述修改后的RAMP曲線的上升沿，直至使發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值?？蛇x地，所述將修改后的RAMP曲線信息取代所述存儲的RAMP曲線信息包括將所述修改后的RAMP曲線信息替換所述GSM終端非易失性內(nèi)存中所述存儲的RAMP曲線信息。可選地，所述協(xié)議規(guī)定閾值的取值范圍包括0° 5°?？蛇x地，所述修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿包括提高所述存儲的RAMP曲線的上升沿中平穩(wěn)狀態(tài)之前的多個時間采樣點(diǎn)的控制字，且使所述多個時間采樣點(diǎn)的控制字大于所述平穩(wěn)狀態(tài)時的控制字?？蛇x地，所述多個時間采樣點(diǎn)包括3 5個時間采樣點(diǎn)。可選地，所述多個時間采樣點(diǎn)修改后的控制字相同。可選地，所述多個時間采樣點(diǎn)修改后的控制字不同?？蛇x地，所述測試發(fā)射符號的相位誤差是采用相位誤差檢測裝置實(shí)現(xiàn)的。可選地，所述GSM終端包括手機(jī)、筆記本、POS機(jī)或車載電腦。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)對于由于輻射干擾導(dǎo)致的射頻發(fā)射極和功率放大器的穩(wěn)定時間加大的情況，在不改動硬件的前提下，調(diào)整存儲的RAMP曲線，使 RAMP曲線提前一段時間迅速達(dá)到最大，使功率放大器提前一段時間大功率發(fā)射，即使功率放大器提前穩(wěn)定，從而在真正的發(fā)射時隙時，前面幾個符號的質(zhì)量正常，且其他射頻指標(biāo)也正常，最終消除了輻射干擾引起的發(fā)射時隙前面幾個符號發(fā)射質(zhì)量的惡化。


圖1是GSM系統(tǒng)時間模板的示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)RAMP曲線的示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法的流程示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例存儲的RAMP曲線的示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例修改后的RAMP曲線的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。 如背景技術(shù)部分所述，對于GSM終端，輻射干擾會影響到射頻發(fā)射機(jī)和功率放大器的穩(wěn)定時間，使得穩(wěn)定時間加大，則會導(dǎo)致發(fā)射時隙真正開始工作時，前面幾個符號的發(fā)射質(zhì)量很差，即前面幾個符號的相位誤差超出了規(guī)定的范圍之內(nèi)，從而影響到整體的輻射性能。雖然現(xiàn)有技術(shù)可以通過重新畫電路板修改硬件的方式來解決問題，但這一處理方式的缺點(diǎn)是驗(yàn)證周期較長，若驗(yàn)證成功后，則前期做的電路板都全部作廢，所以成本較高。針對上述缺陷，本發(fā)明提供了一種提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法， 對于由于輻射干擾導(dǎo)致的射頻發(fā)射極和功率放大器的穩(wěn)定時間加大的情況，在不改動硬件的前提下，調(diào)整存儲的RAMP曲線，使RAMP曲線提前一段時間迅速達(dá)到最大，使功率放大器提前一段時間大功率發(fā)射，即使功率放大器提前穩(wěn)定，從而在真正的發(fā)射時隙時，前面幾個符號的質(zhì)量正常，且其他射頻指標(biāo)也正常，最終消除了輻射干擾引起的發(fā)射時隙前面幾個符號發(fā)射質(zhì)量的惡化。下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。參見圖3所示，本實(shí)施例提供的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，包括Si，讀取GSM終端存儲的RAMP曲線信息，根據(jù)存儲的RAMP曲線測試發(fā)射符號的相
位誤差；S2，當(dāng)所述發(fā)射符號的相位誤差大于協(xié)議規(guī)定閾值時，修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿，修改后的RAMP曲線滿足GSM系統(tǒng)的時間模板；S3，根據(jù)所述修改后的RAMP曲線，測試發(fā)射符號的相位誤差；S4,當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值時，將修改后的RAMP曲線信息取代所述存儲的RAMP曲線信息；否則，重新修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿或所述修改后的RAMP曲線的上升沿，直至使發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值。首先執(zhí)行步驟Si，讀取GSM終端存儲的RAMP曲線信息，所述存儲的RAMP曲線信息至少包括時間采樣點(diǎn)的個數(shù)信息、時間信息和控制字信息，本實(shí)施例中存儲的RAMP曲線信息具體可由圖4所示的RAMP曲線表示。參見圖4所示，本實(shí)施例中存儲的RAMP曲線的上升沿和下降沿各包括16個時間采樣點(diǎn)，上升沿16個時間采樣點(diǎn)的控制字分別是88、88、88、88、88、88、104、109、151、208、 276、390、600、750、830和850 ；下降沿16個時間采樣點(diǎn)的控制字分別是:850、830、750、 600、390、276、208、151、109、104、88、88、88、88、88和 88。該存儲的 RAMP 曲線的上升沿和下降沿嚴(yán)格對稱，且滿足GSM系統(tǒng)時間模板的要求。圖4所示的存儲的RAMP曲線僅為示例， 所述時間采樣點(diǎn)的個數(shù)以及各時間采樣點(diǎn)對應(yīng)的控制字均可有變化，在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中RAMP曲線信息存儲在GSM終端的非易失性內(nèi)存中，所述讀取GSM終端存儲的RAMP曲線信息就是從所述GSM終端的非易失性內(nèi)存中讀取該GSM終端對應(yīng)的RAMP 曲線信息。其中，所述存儲的RAMP曲線信息是指采用本實(shí)施例方法修改前的RAMP曲線信息，具體計(jì)算存儲的RAMP曲線信息的方法有很多種，如專利號為ZL200810033976. 3提供的自動計(jì)算GSM功率放大器的RAMP參數(shù)的方法，包括確定功率放大器其中一邊沿的波形曲線和采樣點(diǎn)數(shù)；根據(jù)所述波形曲線中獲取數(shù)量為所述采樣點(diǎn)數(shù)的采樣點(diǎn)，組成歸一化功率點(diǎn)數(shù)組；根據(jù)所需的實(shí)際功率等級將所述歸一化功率點(diǎn)數(shù)組轉(zhuǎn)換為實(shí)際功率點(diǎn)數(shù)組；根據(jù)一功率校準(zhǔn)表查找所述實(shí)際功率點(diǎn)數(shù)組中的每一點(diǎn)所對應(yīng)的功率控制字，以組成一邊沿功率放大器的RAMP參數(shù)；依據(jù)所述其中一邊沿的功率放大器RAMP參數(shù)獲得另一邊沿的功率放大器RAMP參數(shù)。上述計(jì)算RAMP曲線信息(即RAMP參數(shù))的方法僅為舉例，其不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。需要說明的是，存儲的RAMP曲線必然滿足圖1所示的GSM系統(tǒng)的時間模板。讀取GSM終端存儲的RAMP曲線信息之后，根據(jù)存儲的RAMP曲線測試發(fā)射符號的相位誤差。其中，所述測試發(fā)射符號的相位誤差對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的，本實(shí)施例是采用相位誤差檢測裝置實(shí)現(xiàn)的，例如，可以采用安捷倫(Agilent)8960綜合檢測儀等。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用其他的相位誤差檢測裝置。接著執(zhí)行步驟S2，當(dāng)所述發(fā)射符號的相位誤差大于協(xié)議規(guī)定閾值時，修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿，所述GSM終端根據(jù)修改后的RAMP曲線使功率放大器提前大功率發(fā)射，所述調(diào)整后的RAMP曲線滿足GSM系統(tǒng)的時間模板。步驟Sl中已經(jīng)得到發(fā)射符號的相位誤差，當(dāng)所述發(fā)射符號的相位誤差大于3GPP TS 05. 05協(xié)議規(guī)定閾值時，就認(rèn)為發(fā)射符號的質(zhì)量很差，從而就會影響到GSM終端整體的輻射性能。具體地，所述協(xié)議規(guī)定閾值的取值范圍包括0° 5°，如0°、1°、2。、3°、
4°、5° 等。本實(shí)施例中當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差大于5°時，就需要修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿，所述GSM終端根據(jù)修改后的RAMP曲線使功率放大器提前大功率發(fā)射。其中，所述修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿包括提高所述存儲的RAMP曲線的上升沿中平穩(wěn)狀態(tài)之前的多個時間采樣點(diǎn)的控制字，且使所述多個時間采樣點(diǎn)的控制字大于所述平穩(wěn)狀態(tài)時的控制字。圖5所示是本實(shí)施例修改后的RAMP曲線。修改后RAMP曲線的上升沿和下降沿仍各包括16個時間采樣點(diǎn)，此時上升沿16個時間采樣點(diǎn)的控制字分別是88、88、88、88、88、 88、104、109、151、208、276、390、901、901、901和850 ；下降沿16個時間采樣點(diǎn)的控制字不變，仍然分別是:850、830、750、600、390、276、208、151、109、104、88、88、88、88、88 和 88。通過比較圖5和圖4可知，本實(shí)施例修改了存儲的RAMP曲線上升沿的三個時間采樣點(diǎn)，即將600、750、830這三個控制字對應(yīng)的時間采樣點(diǎn)的控制字分別調(diào)整為901、901、 901。修改后的三個控制字均比平穩(wěn)狀態(tài)時的控制字大61，其中平穩(wěn)狀態(tài)的控制字為850。 需要說明的是，在此僅為舉例，其不應(yīng)該限制調(diào)整時間采樣點(diǎn)的個數(shù)和控制字。所述多個時間采樣點(diǎn)修改后的控制字可以相同，也可以不同。如在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，還可以將600、750、830這三個控制字對應(yīng)的時間采樣點(diǎn)的控制字分別調(diào)整為900、901、900。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，如上升沿包括18個時間采樣點(diǎn)時，還可對控制字平穩(wěn)之前的三個時間采樣點(diǎn)、四個時間采樣點(diǎn)或五個時間采樣點(diǎn)的控制字進(jìn)行調(diào)整，即使所述三個時間采樣點(diǎn)、四個時間采樣點(diǎn)或五個時間采樣點(diǎn)的控制字超過平穩(wěn)狀態(tài)時的控制字。需要說明的是，圖5所示的修改后的RAMP曲線也必須滿足GSM系統(tǒng)的時間模板。 該時間模板也是在3GPP TS 05. 05協(xié)議規(guī)定的。所述滿足GSM系統(tǒng)的時間模板包括突發(fā)的上升沿和下降沿的時間、平穩(wěn)狀態(tài)的時間、時間采樣點(diǎn)對應(yīng)的發(fā)射功率等等，即修改后的RAMP曲線要嚴(yán)格滿足圖1所示的GSM系統(tǒng)的時間模板。接著執(zhí)行步驟S3，根據(jù)修改后的RAMP曲線，測試發(fā)射符號的相位誤差。本實(shí)施例中根據(jù)修改后的RAMP曲線，采用相位誤差檢測裝置測量發(fā)射符號的相位誤差，尤其是測試原來相位誤差超出協(xié)議規(guī)定閾值的符號對應(yīng)的相位誤差。測試發(fā)射符號的相位誤差的方法見上述步驟Sl所述，在此不再贅述。
最后執(zhí)行步驟S4,當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值時，將修改后的RAMP曲線信息取代存儲的RAMP曲線信息；否則，重新修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿或修改后的RAMP曲線的上升沿，直至使發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值。當(dāng)步驟S3中測試得到的發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值時，如小于或等于5°時，表明修改后的RAMP曲線已消除了輻射干擾對發(fā)射時隙前面幾個符號發(fā)射質(zhì)量的影響，因此將修改后的RAMP曲線信息取代存儲的RAMP曲線信息。進(jìn)一步地，將修改后的RAMP曲線信息替換存儲在GSM終端的非易失性內(nèi)存中的所述存儲的RAMP曲線信息， 如刪除所述GSM終端的非易失性內(nèi)存中的所述存儲的RAMP曲線信息，將修改后的RAMP曲線信息存儲在所述GSM終端的非易失性內(nèi)存中。當(dāng)步驟S3中測試得到的發(fā)射符號的相位誤差大于協(xié)議規(guī)定閾值時，如大于5° 時，表明此時修改后的RAMP曲線仍然沒有消除輻射干擾對發(fā)射時隙前面幾個符號發(fā)射質(zhì)量的影響，因此需要返回步驟S2，重新對存儲的RAMP曲線的上升沿進(jìn)行調(diào)整或?qū)π薷暮蟮腞AMP曲線的上升沿進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)再次調(diào)整結(jié)束后，繼續(xù)執(zhí)行步驟S3，采用重新調(diào)整后的 RAMP曲線測試發(fā)射符號的相位誤差；繼續(xù)執(zhí)行步驟S4，判斷此時發(fā)射符號的相位誤差是否小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值，當(dāng)小于或等于時，調(diào)整結(jié)束；當(dāng)大于時，則再次返回步驟S2，直至修改后的RAMP曲線使發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值。需要說明的是，在對RAMP曲線進(jìn)行修改的過程中，要始終保證RAMP曲線滿足GSM系統(tǒng)的時間模板。本實(shí)施例中，根據(jù)圖5所示的調(diào)整后的RAMP曲線得到的發(fā)射符號的相位誤差已經(jīng)小于或等于5°， 因此將圖5對應(yīng)的修改后的RAMP曲線信息替換存儲在GSM終端的非易失性內(nèi)存中的圖4 對應(yīng)的存儲的RAMP曲線信息。需要說明的是，本實(shí)施例所述GSM終端可以為使用GSM系統(tǒng)進(jìn)行通信的手機(jī)、筆記本、POS機(jī)或車載電腦等，在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例在不改動硬件的情況下，通過調(diào)整RAMP曲線，成功消除了由于輻射干擾對發(fā)射時隙前面幾個符號發(fā)射質(zhì)量的惡化。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，包括讀取GSM終端存儲的RAMP 曲線信息，根據(jù)存儲的RAMP曲線測試發(fā)射符號的相位誤差，其特征在于，當(dāng)所述發(fā)射符號的相位誤差大于協(xié)議規(guī)定閾值時，修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿，修改后的RAMP曲線滿足GSM系統(tǒng)的時間模板；根據(jù)所述修改后的RAMP曲線，測試發(fā)射符號的相位誤差；當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值時，將修改后的RAMP曲線信息取代所述存儲的RAMP曲線信息；否則，重新修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿或所述修改后的 RAMP曲線的上升沿，直至使發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值。
2.如權(quán)利要求1所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述將修改后的RAMP曲線信息取代所述存儲的RAMP曲線信息包括將所述修改后的RAMP曲線信息替換所述GSM終端非易失性內(nèi)存中所述存儲的RAMP曲線信息。
3.如權(quán)利要求1所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述協(xié)議規(guī)定閾值的取值范圍包括0° 5°。
4.如權(quán)利要求1所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述修改所述存儲的RAMP曲線的上升沿包括提高所述存儲的RAMP曲線的上升沿中平穩(wěn)狀態(tài)之前的多個時間采樣點(diǎn)的控制字，且使所述多個時間采樣點(diǎn)的控制字大于所述平穩(wěn)狀態(tài)時的控制字。
5.如權(quán)利要求4所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述多個時間采樣點(diǎn)包括3 5個時間采樣點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求4所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述多個時間采樣點(diǎn)修改后的控制字相同。
7.如權(quán)利要求4所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述多個時間采樣點(diǎn)修改后的控制字不同。
8.如權(quán)利要求1所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述測試發(fā)射符號的相位誤差是采用相位誤差檢測裝置實(shí)現(xiàn)的。
9.如權(quán)利要求1所述的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，其特征在于，所述 GSM終端包括手機(jī)、筆記本、POS機(jī)或車載電腦。
全文摘要
一種移動通信技術(shù)領(lǐng)域的提高GSM終端射頻發(fā)射部分輻射性能的方法，包括讀取GSM終端存儲的RAMP曲線信息，根據(jù)存儲的RAMP曲線測試發(fā)射符號的相位誤差，當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差大于協(xié)議規(guī)定閾值時，修改存儲的RAMP曲線的上升沿；根據(jù)修改后的RAMP曲線，測試發(fā)射符號的相位誤差；當(dāng)發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值時，將修改后的RAMP曲線信息取代存儲的RAMP曲線信息；否則，重新修改存儲的RAMP曲線的上升沿或修改后的RAMP曲線的上升沿，直至使發(fā)射符號的相位誤差小于或等于協(xié)議規(guī)定閾值。本發(fā)明在消除輻射干擾對發(fā)射時隙符號發(fā)射質(zhì)量影響的同時，降低了成本。
文檔編號H04B17/00GK102404057SQ20111019172
公開日2012年4月4日 申請日期2011年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
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