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上行系統(tǒng)以及改善上行系統(tǒng)性能的方法和系統(tǒng)的制作方法

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上行系統(tǒng)以及改善上行系統(tǒng)性能的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種上行系統(tǒng)以及改善上行系統(tǒng)性能的方法和系統(tǒng),本發(fā)明在上行系統(tǒng)中的雙工器和低噪聲放大器之間搭建匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)通過(guò)如下步驟獲?。悍謩e獲取雙工器和低噪放的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);根據(jù)獲取的參數(shù)計(jì)算出匹配網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);建立匹配網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)匹配網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行仿真,當(dāng)匹配網(wǎng)絡(luò)模型的仿真結(jié)果與所述目標(biāo)參數(shù)相符時(shí),根據(jù)當(dāng)前匹配網(wǎng)絡(luò)模型導(dǎo)出匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了雙工器與低噪聲放大器的匹配,既保證了上行系統(tǒng)輸入端口駐波比滿足系統(tǒng)要求,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的低噪聲系數(shù)。本發(fā)明匹配網(wǎng)絡(luò)搭建參數(shù)的獲取方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn),且保證了較高的精度。
【專利說(shuō)明】上行系統(tǒng)以及改善上行系統(tǒng)性能的方法和系統(tǒng) 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明涉及無(wú)線通信領(lǐng)域,特別涉及一種上行系統(tǒng)以及改善上行系統(tǒng)性能的方法 和系統(tǒng)。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 無(wú)線通信中的上行系統(tǒng)如圖1所示。
[0003] 如圖1所示,天線接收來(lái)自移動(dòng)臺(tái)微弱的RF(Radio Frequency,射頻)信號(hào),RF信 號(hào)進(jìn)入射頻前端進(jìn)行變頻處理,得到IF(Intermediate Frequency,中頻)信號(hào),IF信號(hào)經(jīng) 過(guò)IF處理,濾除射頻前端的RF和L0 (Line Out,線路輸出)信號(hào),最后進(jìn)入基帶處理,解調(diào) 得到移動(dòng)臺(tái)的信息。
[0004] 由于天線接收到的移動(dòng)臺(tái)RF信號(hào)是很微弱的,為了提高上行系統(tǒng)的接收靈敏度, 必須保證上行系統(tǒng)輸入端口的電壓駐波比(VSWR)以及上行系統(tǒng)的噪聲系數(shù)(NF)等指標(biāo)性 能。輸入端口電壓駐波比越小、系統(tǒng)噪聲系數(shù)越低,系統(tǒng)的接收靈敏度越高,系統(tǒng)處理微弱 RF信號(hào)能力越強(qiáng)。
[0005] 上行系統(tǒng)的關(guān)鍵指標(biāo)是上行系統(tǒng)的噪聲系數(shù),而對(duì)上行系統(tǒng)噪聲系數(shù)影響最大的 是系統(tǒng)的第一級(jí),即射頻前端,射頻前端又以第一級(jí)的雙工器和第二級(jí)的低噪聲放大器最 為重要。
[0006] 在圖1所示的射頻前端中,第一級(jí)的雙工器,一般采用同軸腔體的方式,其優(yōu)點(diǎn)是 頻帶內(nèi)的插入損耗小,帶外的抑制能力強(qiáng),其輸入電壓駐波比好(1.2左右);
[0007] 第二級(jí)的低噪聲放大器,其輸入匹配網(wǎng)絡(luò)是為了獲得最低噪聲系數(shù)而設(shè)計(jì)的,而 其輸出匹配網(wǎng)絡(luò)則是為了獲得最大傳輸功率而設(shè)計(jì)的。因此,低噪聲放大器的輸入匹配網(wǎng) 絡(luò),存在著某種失配,表現(xiàn)為低噪聲放大器的輸入電壓駐波比差(一般為1.6,高頻段甚至 為2)。
[0008] 當(dāng)雙工器與低噪聲放大器連接時(shí),由于低噪聲放大器的影響,雙工器輸入端出現(xiàn) 電壓駐波比惡化(一般為1. 7,高頻甚至為2),不能滿足上行系統(tǒng)輸入電壓駐波比小于1. 5 的要求。 【
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 基于此,本發(fā)明通過(guò)搭建匹配網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)上行系統(tǒng)中雙工器與低噪聲放大器的匹 配,使上行系統(tǒng)的輸入端口的電壓駐波比以及噪聲系數(shù)都能夠符合技術(shù)指標(biāo),滿足了無(wú)線 通信系統(tǒng)對(duì)上行系統(tǒng)的指標(biāo)要求,同時(shí)匹配網(wǎng)絡(luò)搭建參數(shù)的獲取方法簡(jiǎn)單、效率高,且易于 實(shí)現(xiàn)。
[0010] 本發(fā)明實(shí)施例的內(nèi)容如下:
[0011] 一種改善上行系統(tǒng)性能的方法,在上行系統(tǒng)中的雙工器和低噪聲放大器之間搭建 匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)通過(guò)如下步驟獲取:
[0012] 分別獲取上行系統(tǒng)中雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0013] 根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù),計(jì)算出匹配網(wǎng) 絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0014] 建立匹配網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行仿真,獲取仿真阻抗參數(shù)以及仿真 散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0015] 調(diào)整所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型,當(dāng)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型的仿真阻抗參數(shù)以及仿真散射網(wǎng)絡(luò) 參數(shù)與所述目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)相符時(shí),根據(jù)當(dāng)前匹配網(wǎng)絡(luò)模型導(dǎo)出匹配 網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)。
[0016] 一種改善上行系統(tǒng)性能的系統(tǒng),包括搭建參數(shù)生成模塊,所述搭建參數(shù)生成模塊 用于獲取在上行系統(tǒng)中的雙工器和低噪聲放大器之間搭建的匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù),所述搭 建參數(shù)生成模塊包括:
[0017] 獲取模塊,用于獲取上行系統(tǒng)中雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò) 參數(shù);
[0018] 計(jì)算模塊,用于根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參 數(shù),計(jì)算出匹配網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0019] 建模模塊,用于建立匹配網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行仿真,獲取仿真阻抗 參數(shù)以及仿真散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0020] 導(dǎo)出模塊,用于在調(diào)整所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型后,當(dāng)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型的仿真阻抗參 數(shù)以及仿真散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)與所述目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)相符時(shí),根據(jù)當(dāng)前匹 配網(wǎng)絡(luò)模型導(dǎo)出匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)
[0021] 一種上行系統(tǒng),包括射頻前端模塊,所述射頻前端模塊包括雙工器和低噪聲放大 器,還包括使所述雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)相匹配的匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹配網(wǎng)絡(luò)連 接在所述雙工器和所述低噪聲放大器之間。
[0022] 本發(fā)明的上行系統(tǒng)通過(guò)在雙工器與低噪聲放大器之間增加一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò),使得雙 工器的上行輸出端口與低噪聲放大器的輸入口實(shí)現(xiàn)了匹配,既保證了上行系統(tǒng)輸入端口駐 波比滿足系統(tǒng)要求,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的低噪聲系數(shù)。
[0023] 本發(fā)明的改善上行系統(tǒng)性能的方法和系統(tǒng),簡(jiǎn)單方便,易于實(shí)現(xiàn),且保證了較高的 精度。 【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0024] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中上行系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中改善上行系統(tǒng)性能方法的示意圖;
[0026] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例中獲取匹配網(wǎng)絡(luò)搭建參數(shù)的方法的流程示意圖;
[0027] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中匹配網(wǎng)絡(luò)參數(shù)獲取方法的另一示意圖;
[0028] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例中MAFI6251B5射頻接頭插入PCB板的截面示意圖;
[0029] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例中匹配網(wǎng)絡(luò)加入電抗微帶線后的俯視示意圖;
[0030] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例中匹配網(wǎng)絡(luò)的等效電路圖;
[0031] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例中匹配網(wǎng)絡(luò)加入上行系統(tǒng)后系統(tǒng)仿真的噪聲系數(shù)示意圖;
[0032] 圖9、圖10為本發(fā)明實(shí)施例中加入匹配網(wǎng)絡(luò)的上行系統(tǒng)實(shí)物測(cè)試結(jié)果示意圖;
[0033] 圖11為本發(fā)明實(shí)施例中搭建參數(shù)獲取模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0034] 圖12為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)插射頻插頭插入PCB后PCB板底層的示意圖。 【【具體實(shí)施方式】】
[0035] 下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步的闡述。
[0036] 參照?qǐng)D1,現(xiàn)有的上行系統(tǒng)中,雙工器與低噪聲放大器連接時(shí),由于低噪聲放大器 的影響,雙工器的輸入端口電壓駐波比惡化,不能滿足上行系統(tǒng)的要求。
[0037] 本實(shí)施例提供一種改善上行系統(tǒng)性能的方法,如圖2所示,在上行系統(tǒng)中的雙工 器和低噪聲放大器之間搭建匹配網(wǎng)絡(luò),使雙工器的上行輸出端口和低噪聲放大器的輸入口 實(shí)現(xiàn)匹配,既保證了上行系統(tǒng)輸入端口駐波比滿足系統(tǒng)要求,又實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)較低的噪聲系 數(shù)。
[0038] 如圖3、圖4所示,其中所述匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)通過(guò)如下步驟獲?。?br> [0039] S110分別獲取上行系統(tǒng)中雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參 數(shù);
[0040] S120根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù),計(jì)算出匹 配網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0041] S130建立匹配網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行仿真,獲取仿真阻抗參數(shù)以及 仿真散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù);
[0042] S140調(diào)整所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型,當(dāng)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型的仿真阻抗參數(shù)以及仿真散射 網(wǎng)絡(luò)參數(shù)與所述目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)相符時(shí),根據(jù)當(dāng)前匹配網(wǎng)絡(luò)模型導(dǎo)出 匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)。
[0043] 具體的,為了得到匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù),首先需要獲取雙工器的阻抗參數(shù)[Z]A以 及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[S] A、低噪聲放大器的阻抗參數(shù)[z]c以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[s]c;
[0044] 然后基于微波阻抗匹配理論以及微波網(wǎng)絡(luò)理論,根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大 器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù),計(jì)算出匹配網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù)[Z] B以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò) 參數(shù)[S]B,使得雙工器阻抗參數(shù)[Z]A通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)目標(biāo)阻抗參數(shù)[Z] B后與低噪聲放大器阻 抗參數(shù)[Z]。相匹配;
[0045] 接收電路模型(即匹配網(wǎng)絡(luò)模型),該電路模型是根據(jù)匹配網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù) [Z]B以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[S] B,利用電學(xué)元件結(jié)合系統(tǒng)的實(shí)際設(shè)計(jì)要求設(shè)計(jì)出來(lái)的,例 如電感與電容的串并聯(lián)組合電路,對(duì)該電路模型進(jìn)行仿真,調(diào)整電路參數(shù),可獲取滿足需求 的匹配網(wǎng)絡(luò)模型,該滿足需求的匹配網(wǎng)絡(luò)模型的阻抗參數(shù)和散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)分別與對(duì)應(yīng)的目 標(biāo)阻抗參數(shù)[Z] B以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[3]!3相吻合;
[0046] 根據(jù)生成的匹配網(wǎng)絡(luò)模型,即可導(dǎo)出搭建匹配網(wǎng)絡(luò)所需要的搭建參數(shù)。
[0047] 按照導(dǎo)出的搭建參數(shù),搭建實(shí)際的匹配網(wǎng)絡(luò),將該匹配網(wǎng)絡(luò)加入上行系統(tǒng),分別與 雙工器和低噪聲放大器連接,即可實(shí)現(xiàn)兩者的匹配,阻抗匹配后的雙工器和低噪聲放大器, 使得上行輸入端口的電壓駐波比得到有效改善,同時(shí)系統(tǒng)較低的噪聲系數(shù)也能滿足要求, 整體上改善了上行系統(tǒng)的性能。
[0048] 下面結(jié)合一個(gè)具體的匹配網(wǎng)絡(luò),詳細(xì)介紹本發(fā)明的內(nèi)容。
[0049] 在本實(shí)施例中,上行系統(tǒng)工作頻段為2. 500GHz?2. 570GHz,系統(tǒng)要求輸入電壓駐 波比小于1. 4,噪聲系數(shù)小于2. 5dB。
[0050] 更具體的,在本實(shí)施例中,上行系統(tǒng)中的雙工器為同軸雙工器,低噪聲放大器及其 他電路采用四層PCB結(jié)構(gòu),雙工器與低噪聲放大器采用對(duì)插射頻接頭MAFI6251B5連接。
[0051] 為了實(shí)現(xiàn)雙工器與低噪聲放大器的匹配,本實(shí)施例利用插入至PCB板的對(duì)插射頻 接頭構(gòu)建匹配網(wǎng)絡(luò)。
[0052] 對(duì)插射頻接頭包括內(nèi)導(dǎo)體、接頭介質(zhì)以及外導(dǎo)體。MAFI6251B5射頻接頭插入PCB 的橫截面如圖5所示。其中PCB板底部設(shè)有空氣盒,該空氣盒罩住穿出PCB板部分的接頭 內(nèi)導(dǎo)體,其目的是為了防止射頻接頭短路。在圖5中,D4為PCB板底層銅箔到接頭內(nèi)導(dǎo)體 的直徑(參照?qǐng)D12所示,接頭內(nèi)導(dǎo)體穿過(guò)PCB板,PCB板底層有一圓形無(wú)銅箔區(qū)域,即底層 銅箔與接頭內(nèi)導(dǎo)體的縫隙,該區(qū)域的直徑為D4, PCB板中間層與底層情況相同),h6為接頭 內(nèi)導(dǎo)體剩余長(zhǎng)度(即接頭內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB板后剩余部分的長(zhǎng)度),h7為底部空氣腔的高度 (由空氣盒形成的空氣腔的高度),這三個(gè)參數(shù)都是可調(diào)的,為了搭建完整的匹配網(wǎng)絡(luò),需 要通過(guò)仿真獲取這些搭建參數(shù)。
[0053] 首先需要獲取雙工器的阻抗參數(shù)[Z]A以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[S]A,并獲取低噪聲放大 器的阻抗參數(shù)[Z] c以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[S]c ;
[0054] 根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大器的參數(shù),計(jì)算出匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗參數(shù)[Z]B以及 散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[S] B,使得雙工器阻抗參數(shù)[2]4通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗參數(shù)[2^后與低噪聲放大 器阻抗參數(shù)[Z]。相匹配;
[0055] 按照?qǐng)D5所示的連接關(guān)系搭建電路模型,當(dāng)該電路模型的仿真結(jié)果滿足目標(biāo)阻抗 參數(shù)[z] B及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)[s]BW,該電路模型即為滿足需求的匹配網(wǎng)絡(luò)模型,此時(shí)導(dǎo) 出參數(shù)D4、h6、h7,即可據(jù)此搭建實(shí)際的匹配網(wǎng)絡(luò)。
[0056] 如圖6所示,且參照?qǐng)D5,在本實(shí)施例中,為了增加調(diào)諧范圍,在對(duì)插射頻接頭 MAFI6251B5的內(nèi)導(dǎo)體與內(nèi)導(dǎo)體對(duì)應(yīng)相對(duì)應(yīng)的PCB板微帶線(常見(jiàn)為50 Ω微帶線)之間增 加了一段電抗微帶線,即對(duì)插射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體連接該電抗微帶線,該電抗微帶線連接PCB 板微帶線,然后再通過(guò)PCB板微帶線與低噪聲放大器連接。圖6中示出了電抗微帶線的連 接關(guān)系,在PCB板的頂層,電抗微帶線一端與接頭內(nèi)導(dǎo)體連接,另一端與50 Ω微帶線連接, 該電抗微帶線的寬度為w2,長(zhǎng)度為L(zhǎng)1。
[0057] 參見(jiàn)表一,圖5、圖6中所示出的各項(xiàng)參數(shù)具體說(shuō)明如下:
[0058]
【權(quán)利要求】
1. 一種改善上行系統(tǒng)性能的方法,其特征在于,在上行系統(tǒng)中的雙工器和低噪聲放大 器之間搭建匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)通過(guò)如下步驟獲?。? 分別獲取上行系統(tǒng)中雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù); 根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù),計(jì)算出匹配網(wǎng)絡(luò)的 目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù); 建立匹配網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行仿真,獲取仿真阻抗參數(shù)以及仿真散射 網(wǎng)絡(luò)參數(shù); 調(diào)整所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型,當(dāng)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型的仿真阻抗參數(shù)以及仿真散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 與所述目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)相符時(shí),根據(jù)當(dāng)前匹配網(wǎng)絡(luò)模型導(dǎo)出匹配網(wǎng)絡(luò) 的搭建參數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善上行系統(tǒng)性能的方法,其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型 包括插入至PCB板的對(duì)插射頻接頭,所述對(duì)插射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB板的底層,所述 PCB板的底層具有空氣盒,所述空氣盒罩住所述對(duì)插射頻接頭穿出PCB板底層部分的內(nèi)導(dǎo) 體,所述搭建參數(shù)包括所述內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB板后在PCB板底層形成的圓形無(wú)銅箔區(qū)域的直 徑、所述內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB底層后剩余部分的長(zhǎng)度以及所述空氣盒形成的空氣腔的高度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善上行系統(tǒng)性能的方法,其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型 還包括電抗微帶線,所述電抗微帶線一端連接所述對(duì)插射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體,另一端連接至 與所述低噪聲放大器相連的PCB板微帶線,所述搭建參數(shù)還包括該電抗微帶線的寬度和長(zhǎng) 度。
4. 一種改善上行系統(tǒng)性能的系統(tǒng),其特征在于,包括搭建參數(shù)生成模塊,所述搭建參數(shù) 生成模塊用于獲取在上行系統(tǒng)中的雙工器和低噪聲放大器之間搭建的匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參 數(shù),所述搭建參數(shù)生成模塊包括: 獲取模塊,用于獲取上行系統(tǒng)中雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參 數(shù); 計(jì)算模塊,用于根據(jù)獲取的雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)以及散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù),計(jì) 算出匹配網(wǎng)絡(luò)的目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù); 建模模塊,用于建立匹配網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行仿真,獲取仿真阻抗參數(shù) 以及仿真散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù); 導(dǎo)出模塊,用于在調(diào)整所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型后,當(dāng)所述匹配網(wǎng)絡(luò)模型的仿真阻抗參數(shù)以 及仿真散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)與所述目標(biāo)阻抗參數(shù)以及目標(biāo)散射網(wǎng)絡(luò)參數(shù)相符時(shí),根據(jù)當(dāng)前匹配網(wǎng) 絡(luò)模型導(dǎo)出匹配網(wǎng)絡(luò)的搭建參數(shù)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善上行系統(tǒng)性能的系統(tǒng),其特征在于,所述建模模塊獲取 的匹配網(wǎng)絡(luò)模型包括插入至PCB板的對(duì)插射頻接頭,所述對(duì)插射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB 板的底層,所述PCB板的底層具有空氣盒,所述空氣盒罩住所述對(duì)插射頻接頭穿出PCB板底 層部分的內(nèi)導(dǎo)體,所述搭建參數(shù)包括所述內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB板后在PCB板底層形成的圓形無(wú) 銅箔區(qū)域的直徑、所述內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB底層后剩余部分的長(zhǎng)度以及所述空氣盒形成的空氣 腔的高度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的生成上行系統(tǒng)中匹配網(wǎng)絡(luò)搭建參數(shù)的系統(tǒng),其特征在于,所 述建模模塊獲取的匹配網(wǎng)絡(luò)模型還包括電抗微帶線,所述電抗微帶線一端連接所述對(duì)插射 頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體,另一端連接至與所述低噪聲放大器相連的PCB板微帶線,所述導(dǎo)出模塊 導(dǎo)出的搭建參數(shù)還包括所述電抗微帶線的寬度和長(zhǎng)度。
7. -種上行系統(tǒng),包括射頻前端模塊,所述射頻前端模塊包括雙工器和低噪聲放大器, 其特征在于,還包括使所述雙工器和低噪聲放大器的阻抗參數(shù)相匹配的匹配網(wǎng)絡(luò),所述匹 配網(wǎng)絡(luò)連接在所述雙工器和所述低噪聲放大器之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的上行系統(tǒng),其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括插入至PCB板的 對(duì)插射頻接頭,所述對(duì)插射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB板的底層,所述PCB板的底層具有空氣 盒,所述空氣盒罩住所述對(duì)插射頻接頭穿出PCB板底層部分的內(nèi)導(dǎo)體,所述搭建參數(shù)包括 所述內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB板后在PCB板底層形成的圓形無(wú)銅箔區(qū)域的直徑、所述內(nèi)導(dǎo)體穿出PCB 底層后剩余部分的長(zhǎng)度以及所述空氣盒形成的空氣腔的高度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的上行系統(tǒng),其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)還包括電抗微帶線,所 述電抗微帶線一端連接所述對(duì)插射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體,另一端連接至與所述低噪聲放大器相 連的PCB板微帶線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的上行系統(tǒng),其特征在于,所述PCB板為四層PCB板。
【文檔編號(hào)】H04B1/00GK104243062SQ201410429158
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月27日
【發(fā)明者】林錫貴, 靳軍, 謝路平, 樊奇彥, 張暉, 劉江濤, 李娣, 曹松 申請(qǐng)人:京信通信系統(tǒng)(中國(guó))有限公司
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