一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于視頻監(jiān)控領(lǐng)域，尤其是涉及一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路。
【背景技術(shù)】
[0002]監(jiān)控領(lǐng)域中，視頻錄像設(shè)備通常是監(jiān)控系統(tǒng)中不可或缺的一環(huán)，而隨著視頻的高清化，大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，單一硬盤(pán)設(shè)備已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足現(xiàn)代的要求，而對(duì)硬盤(pán)的存儲(chǔ)已經(jīng)是現(xiàn)在主流設(shè)備，同時(shí)帶來(lái)的就是多硬盤(pán)對(duì)設(shè)備電源功率的要求。隨著安防市場(chǎng)的發(fā)展和各廠(chǎng)商的激烈競(jìng)爭(zhēng)，成本已經(jīng)是各大廠(chǎng)商關(guān)注的重點(diǎn)，硬盤(pán)在數(shù)字錄像機(jī)里面在啟動(dòng)瞬間所占的功率可以說(shuō)是相當(dāng)巨大的一部分，讓硬盤(pán)的啟動(dòng)電流避開(kāi)其他峰值電流，那么電源的功率就可以大大的降低，使產(chǎn)品的成本降低。
[0003]現(xiàn)有的電源低功率方案有以下幾種:采用較昂貴的低功耗芯片、獨(dú)立的電源芯片供電、定制提高過(guò)流保護(hù)的電源、降低產(chǎn)品的性能設(shè)計(jì)等。低功耗的芯片無(wú)形中使產(chǎn)品的成本提高，像提高過(guò)流保護(hù)的電源這樣的定制使得成本增加，生產(chǎn)管理不便，獨(dú)立電源芯片同樣使產(chǎn)品成本提高。因此，研發(fā)一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型旨在提出一種可批量生產(chǎn)、系統(tǒng)穩(wěn)定、成本低廉的硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，以實(shí)現(xiàn)靈活控制硬盤(pán)錄像設(shè)備、降低電源功率的目的。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，包括若干個(gè)為硬盤(pán)供電的硬盤(pán)供電電路，所述硬盤(pán)供電電路包括第一供電電路和第二供電電路；
[0007]所述第一供電電路包括三極管Ql和PMOS管Q2，CPU的GP1管腳通過(guò)電阻R2與三極管Ql的基極相連，所述三極管Ql的集電極通過(guò)電阻R3后分兩路，一路通過(guò)電阻Rl后接12V0電源，另一路通過(guò)電阻R4后又分兩路，一路與PMOS管Q2的第四管腳相連，另一路通過(guò)電容Cl后與PMOS管Q2的第三管腳相連，所述PMOS管Q2的第三管腳接12V0電源，所述PMOS管Q2的第一管腳和第二管腳分別與第三管腳相連，所述12V0電源與12V電源的陽(yáng)極相連，所述12V電源的陰極接地，所述PMOS管Q2的第六管腳通過(guò)電容C2后接地，在所述電容C2的兩端依次并聯(lián)有電容C3、電容C4和電容C5，所述PMOS管Q2的第八管腳、第七管腳和第五管腳分別與第六管腳相連；
[0008]所述第二供電電路包括三極管Q3和PMOS管Q4，CPU的GP1管腳通過(guò)電阻R2與三極管Q3的基極相連，所述三極管Q3的集電極通過(guò)電阻R3后分兩路，一路通過(guò)電阻Rl后接5V0電源，另一路通過(guò)電阻R4后又分兩路，一路與PMOS管Q4的第四管腳相連，另一路通過(guò)電容Cl后與PMOS管Q4的第三管腳相連，所述PMOS管Q4的第三管腳接5V0電源，所述PMOS管Q4的第一管腳和第二管腳分別與第三管腳相連，所述5V0電源與5V電源的陽(yáng)極相連，所述5V電源的陰極接地，所述PMOS管Q4的第六管腳通過(guò)電容C2后接地，在所述電容C2的兩端依次并聯(lián)有電容C3、電容C4和電容C5，所述PMOS管Q4的第八管腳、第七管腳和第五管腳分別與第六管腳相連。
[0009]進(jìn)一步的，所述CPU型號(hào)為HI3536。
[0010]進(jìn)一步的，所述PMOS管Q2和PMOS管Q4的型號(hào)為Si4435DDY。
[0011]進(jìn)一步的，硬盤(pán)錄像設(shè)備內(nèi)單硬盤(pán)在上電啟動(dòng)時(shí)的5V0和12V0的峰值電流持續(xù)時(shí)間在50ms以?xún)?nèi)。
[0012]進(jìn)一步的，所述硬盤(pán)供電電路可以為2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)。
[0013]進(jìn)一步的，每個(gè)硬盤(pán)供電電路的啟動(dòng)時(shí)間間隔為50ms。
[0014]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型所述的硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路具有以下優(yōu)勢(shì):通過(guò)系統(tǒng)內(nèi)部對(duì)硬盤(pán)的5V0、12V0的控制使每一個(gè)硬盤(pán)可以獨(dú)立的啟動(dòng)，避開(kāi)硬盤(pán)同時(shí)啟動(dòng)對(duì)電源功率的要求，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)硬盤(pán)設(shè)備從高電源降低到低電源，同時(shí)滿(mǎn)足穩(wěn)定運(yùn)行、正常工作的要求，實(shí)現(xiàn)過(guò)程簡(jiǎn)單、系統(tǒng)穩(wěn)定、成本低廉，便于批量生產(chǎn)，為安防監(jiān)控等帶硬盤(pán)的設(shè)備電源低功率設(shè)備提供了保證。
【附圖說(shuō)明】

[0015]構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0016]圖1是本實(shí)用新型中第一供電電路的電路圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型中第二供電電路的電路圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型的流程框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0020]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。
[0021]如圖1至3所示，一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，包括若干個(gè)為硬盤(pán)供電的硬盤(pán)供電電路，所述硬盤(pán)供電電路包括第一供電電路和第二供電電路。所述第一供電電路包括三極管Ql和PMOS管Q2，CPU的GP1管腳通過(guò)電阻R2與三極管Ql的基極相連，所述三極管Ql的集電極通過(guò)電阻R3后分兩路，一路通過(guò)電阻Rl后接12V0電源，另一路通過(guò)電阻R4后又分兩路，一路與PMOS管Q2的第四管腳相連，另一路通過(guò)電容Cl后與PMOS管Q2的第三管腳相連，所述PMOS管Q2的第三管腳接12V0電源，所述PMOS管Q2的第一管腳和第二管腳分別與第三管腳相連，所述12V0電源與12V電源的陽(yáng)極相連，所述12V電源的陰極接地，所述PMOS管Q2的第六管腳通過(guò)電容C2后接地，在所述電容C2的兩端依次并聯(lián)有電容C3、電容C4和電容C5，所述PMOS管Q2的第八管腳、第七管腳和第五管腳分別與第六管腳相連。所述第二供電電路包括三極管Q3和PMOS管Q4，CPU的GP1管腳通過(guò)電阻R2與三極管Q3的基極相連，所述三極管Q3的集電極通過(guò)電阻R3后分兩路，一路通過(guò)電阻Rl后接5V0電源，另一路通過(guò)電阻R4后又分兩路，一路與PMOS管Q4的第四管腳相連，另一路通過(guò)電容Cl后與PMOS管Q4的第三管腳相連，所述PMOS管Q4的第三管腳接5V0電源，所述PMOS管Q4的第一管腳和第二管腳分別與第三管腳相連，所述5V0電源與5V電源的陽(yáng)極相連，所述5V電源的陰極接地，所述PMOS管Q4的第六管腳通過(guò)電容C2后接地，在所述電容C2的兩端依次并聯(lián)有電容C3、電容C4和電容C5，所述PMOS管Q4的第八管腳、第七管腳和第五管腳分別與第六管腳相連。
[0022]優(yōu)選的，所述CPU型號(hào)為HI3536，所述PMOS管Q2和PMOS管Q4的型號(hào)為Si4435DDY，所述硬盤(pán)供電電路可以為2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)。硬盤(pán)錄像設(shè)備內(nèi)單硬盤(pán)在上電啟動(dòng)時(shí)的5V0和12V0的峰值電流持續(xù)時(shí)間在50ms以?xún)?nèi)。每個(gè)硬盤(pán)供電電路的啟動(dòng)時(shí)間間隔為50ms。
[0023]本實(shí)例的工作過(guò)程:
[0024]1、當(dāng)硬盤(pán)錄像設(shè)備啟動(dòng)時(shí)，CPU的GP1管腳控制第一供電電路和第二供電電路的PMOS的使能信號(hào)，使12V0的Vgs為-12V0，使5V0的Vgs為-5V0，當(dāng)對(duì)5V0的PMOS管Q4的Vgs信號(hào)是-5V0時(shí)，PMOS管Q4導(dǎo)通，這時(shí)5V0電壓施加在第一個(gè)硬盤(pán)上，同時(shí)12V0控制PMOS管Q2給予Vgs—個(gè)-12V0的信號(hào)，這時(shí)PMOS管Q2導(dǎo)通，12V0電壓施加在第一個(gè)硬盤(pán)上，將兩個(gè)PMOS打開(kāi)后第一個(gè)硬盤(pán)上電完畢；
[0025]Π、系統(tǒng)在CPU的控制下，通過(guò)自身延時(shí)50ms的時(shí)間避開(kāi)第一個(gè)硬盤(pán)的上電電流峰值；
[0026]m、50ms后系統(tǒng)開(kāi)始啟動(dòng)第二塊硬盤(pán)，重復(fù)I和Π，啟動(dòng)其他硬盤(pán)。
[0027]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，其特征在于:包括若干個(gè)為硬盤(pán)供電的硬盤(pán)供電電路，所述硬盤(pán)供電電路包括第一供電電路和第二供電電路； 所述第一供電電路包括三極管Ql和PMOS管Q2，CPU的GP1管腳通過(guò)電阻R2與三極管Ql的基極相連，所述三極管Ql的集電極通過(guò)電阻R3后分兩路，一路通過(guò)電阻Rl后接12V0電源，另一路通過(guò)電阻R4后又分兩路，一路與PMOS管Q2的第四管腳相連，另一路通過(guò)電容Cl后與PMOS管Q2的第三管腳相連，所述PMOS管Q2的第三管腳接12V0電源，所述PMOS管Q2的第一管腳和第二管腳分別與第三管腳相連，所述12V0電源與12V電源的陽(yáng)極相連，所述12V電源的陰極接地，所述PMOS管Q2的第六管腳通過(guò)電容C2后接地，在所述電容C2的兩端依次并聯(lián)有電容C3、電容C4和電容C5，所述PMOS管Q2的第八管腳、第七管腳和第五管腳分別與第六管腳相連； 所述第二供電電路包括三極管Q3和PMOS管Q4，CPU的GP1管腳通過(guò)電阻R2與三極管Q3的基極相連，所述三極管Q3的集電極通過(guò)電阻R3后分兩路，一路通過(guò)電阻Rl后接5V0電源，另一路通過(guò)電阻R4后又分兩路，一路與PMOS管Q4的第四管腳相連，另一路通過(guò)電容Cl后與PMOS管Q4的第三管腳相連，所述PMOS管Q4的第三管腳接5V0電源，所述PMOS管Q4的第一管腳和第二管腳分別與第三管腳相連，所述5V0電源與5V電源的陽(yáng)極相連，所述5V電源的陰極接地，所述PMOS管Q4的第六管腳通過(guò)電容C2后接地，在所述電容C2的兩端依次并聯(lián)有電容C3、電容C4和電容C5，所述PMOS管Q4的第八管腳、第七管腳和第五管腳分別與第六管腳相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，其特征在于:所述CPU型號(hào)為HI3536。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，其特征在于:所述PMOS管Q2和PMOS管Q4的型號(hào)為Si4435DDY。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，其特征在于:硬盤(pán)錄像設(shè)備內(nèi)單硬盤(pán)在上電啟動(dòng)時(shí)的5V0和12V0的峰值電流持續(xù)時(shí)間在50ms以?xún)?nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，其特征在于:所述硬盤(pán)供電電路可以為2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，其特征在于:每個(gè)硬盤(pán)供電電路的啟動(dòng)時(shí)間間隔為50ms。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種硬盤(pán)錄像設(shè)備的電源低功率電路，包括若干個(gè)為硬盤(pán)供電的硬盤(pán)供電電路，硬盤(pán)供電電路包括第一供電電路和第二供電電路，第一供電電路包括三極管Q1和PMOS管Q2，第二供電電路包括三極管Q3和PMOS管Q4，當(dāng)硬盤(pán)錄像設(shè)備啟動(dòng)時(shí)，通過(guò)系統(tǒng)對(duì)硬盤(pán)的5V0、12V0的控制使每一個(gè)硬盤(pán)可以獨(dú)立的啟動(dòng)，避開(kāi)硬盤(pán)同時(shí)啟動(dòng)對(duì)電源功率的要求，這時(shí)將兩個(gè)PMOS打開(kāi)后第一個(gè)硬盤(pán)上電完畢，在通過(guò)系統(tǒng)內(nèi)部延時(shí)50ms后在給下一個(gè)硬盤(pán)上電啟動(dòng)，以此方式依次給下面的其它硬盤(pán)上電，這樣的控制方式可以大大的降低同時(shí)啟動(dòng)所需要的大電流，降低了對(duì)產(chǎn)品電源功率的要求，為安防監(jiān)控行業(yè)的多硬盤(pán)存儲(chǔ)設(shè)備給予了強(qiáng)大的保障。
【IPC分類(lèi)】H04N5/781
【公開(kāi)號(hào)】CN205385549
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521136033
【發(fā)明人】戴林, 胡勝雙
【申請(qǐng)人】天津天地偉業(yè)數(shù)碼科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年7月13日
【申請(qǐng)日】2015年12月30日