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壓電元件的制作方法

文檔序號:39728162發(fā)布日期:2024-10-22 13:30閱讀:3來源:國知局
壓電元件的制作方法

本發(fā)明涉及壓電元件。


背景技術(shù):

1、作為麥克風(fēng)等而使用的壓電元件具備基板和層疊于基板的下部電極、壓電膜、上部電極。并且,通過將基板的一部分去除并形成將下部電極、壓電膜、上部電極貫通的狹縫,從而使下部電極、壓電膜、上部電極的一部分成為被基板懸臂支承的薄膜部。在這樣的壓電元件中,若由于殘留應(yīng)力而薄膜部向上方或下方翹曲,則薄膜部與被基板支承的部分之間的間隙變大,有靈敏度下降的可能。

2、例如專利文獻1中記載的mems轉(zhuǎn)換器(transducer)具備相同的三角形的4個薄膜部,4個薄膜部以固定端和相反側(cè)的頂端部匯集在1處的方式相鄰配置。由此,在由于殘留應(yīng)力而薄膜部變形的情況下,相鄰的薄膜部也同樣地變形,所以薄膜部彼此的間隙的擴大被抑制,靈敏度的下降被抑制。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1:日本專利第5936154號公報


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、但是,若使多個薄膜部為相同形狀,則各薄膜部的共振頻率相等,所以在多個薄膜部中共振相互加強,共振峰值的強度變大,有共振峰值成為噪聲的可能。因而,需要降低共振峰值的強度。

2、本發(fā)明鑒于上述情況,目的在于提供能夠降低共振峰值的強度的壓電元件。

3、本公開的一實施方式中,壓電元件具備基板、層疊于基板的下部電極、層疊于下部電極的壓電膜、和層疊于壓電膜的上部電極。通過基板中的與下部電極相反側(cè)的面上形成的凹部和將下部電極、壓電膜、上部電極貫通的貫通孔,形成由下部電極、壓電膜、上部電極構(gòu)成且被懸臂支承于基板的多個薄膜部,多個薄膜部中的至少2個薄膜部的共振頻率相互不同。

4、由此,至少2個薄膜部具有相互不同的共振頻率,所以共振峰值被分散,能夠降低壓電元件整體的共振峰值強度。



技術(shù)特征:

1.一種壓電元件,其特征在于,

2.如權(quán)利要求1記載的壓電元件,其特征在于,

3.如權(quán)利要求1記載的壓電元件,其特征在于,

4.如權(quán)利要求1記載的壓電元件,其特征在于,

5.如權(quán)利要求1~4中任一項記載的壓電元件,其特征在于,

6.如權(quán)利要求1~4中任一項記載的壓電元件,其特征在于,

7.如權(quán)利要求1~4中任一項記載的壓電元件,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
壓電元件具備基板(10)、層疊于基板的下部電極(12)、層疊于下部電極的壓電膜(13,15)、以及層疊于壓電膜的上部電極(16)。通過在基板中的與下部電極相反側(cè)的面上形成的凹部(17)、和將下部電極、壓電膜、上部電極貫通的貫通孔(19),形成由下部電極、壓電膜、上部電極構(gòu)成且被懸臂支承于基板的多個薄膜部(181,182,183,184),多個薄膜部中的至少2個薄膜部的共振頻率相互不同。

技術(shù)研發(fā)人員:櫻井悠也,山田英雄,桝本尚己,高橋宏,掛札尚,臼井孝英
受保護的技術(shù)使用者:株式會社電裝
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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