本發(fā)明涉及聲能轉(zhuǎn)化,尤其涉及一種發(fā)聲單元及電子設(shè)備。
背景技術(shù):
1、近些年,隨著智能終端電子領(lǐng)域高速發(fā)展,各種電子設(shè)備(如手機、耳機、平板電腦等)逐步出現(xiàn)小型化、輕薄化、智能化等新趨勢。消費者對電子設(shè)備中的揚聲器的要求也越來越高,小型化、高性能、高音質(zhì)揚聲器逐漸成為主流需求。
2、目前,追隨揚聲器小型化、高性能的發(fā)展方向,常規(guī)揚聲器結(jié)構(gòu)通常尺寸偏大,無法滿足目前整機厚度降低的新需求。
3、鑒于此,有必要提供一種新的發(fā)聲單元及電子設(shè)備,以解決或至少緩解上述技術(shù)缺陷。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)聲單元及電子設(shè)備,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中揚聲器厚度偏大的失效技術(shù)問題。
2、為實現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的一個方面,本發(fā)明提供一種發(fā)聲單元,包括:
3、殼體,所述殼體上形成有安裝位;
4、磁鐵組件,所述磁鐵組件上形成有與所述安裝位互補配合的安裝部;
5、第一振動系統(tǒng),所述第一振動系統(tǒng)包括相互連接的第一振膜和第一平面音圈;
6、第二振動系統(tǒng),所述第二振動系統(tǒng)包括相互連接的第二振膜和第二平面音圈,所述第一振動系統(tǒng)和所述第二振動系統(tǒng)分別位于所述磁鐵組件相對的兩側(cè);
7、所述發(fā)聲單元包括第一工作狀態(tài),在所述第一工作狀態(tài),所述第一振動系統(tǒng)和所述第二振動系統(tǒng)向外輻射相反相位的聲波。
8、在一些實施例中,所述發(fā)聲單元還包括第二工作狀態(tài),在所述第二工作狀態(tài),所述第一振動系統(tǒng)和所述第二振動系統(tǒng)向外輻射相同相位的聲波。
9、在一些實施例中,所述磁鐵組件包括多個磁鐵對,每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵的磁極方向相反,其中一所述磁鐵的磁極方向為所述第一振膜的方向指向所述第二振膜的方向,另一所述磁鐵的磁極方向為所述第二振膜的方向指向所述第一振膜的方向,所述磁鐵對形成有所述安裝部。
10、在一些實施例中,每一所述磁鐵對包括第一磁鐵和第二磁鐵,所述第一磁鐵的一端的上表面具有凹槽,所述第二磁鐵的同一端下表面具有凹槽;所述第一磁鐵另一端下表面具有凹槽,所述第二磁鐵另一端上表面具有凹槽,殼體具有與凹槽互補配合的凸出部。
11、在一些實施例中,相鄰兩個所述磁鐵對相鄰的兩個磁鐵的所述凹槽位置相同。
12、在一些實施例中,所述殼體包括可拆卸連接的上殼體和下殼體,所述凸出部包括上凸部和下凸部,所述上殼體設(shè)置有設(shè)置的上凸部,所述下殼體上設(shè)置有多個間隔設(shè)置所述下凸部,沿所述磁鐵對排列方向,所述上凸部和所述下凸部交錯設(shè)置,沿所述第一振動系統(tǒng)振動方向,所述上凸部和所述下凸部錯位設(shè)置。
13、在一些實施例中,所述第一磁鐵和所述第二磁鐵上表面的凹槽與所述上凸部的底面抵接,所述第一磁鐵和所述第二磁鐵下表面的凹槽與所述下凸部的頂面抵接,以對所述磁鐵對進行豎直方向的限位。
14、在一些實施例中,相鄰所述磁鐵對的相鄰磁鐵同一端的凹槽與同一所述凸出部抵接。
15、在一些實施例中,一所述上凸部至少與一個對應(yīng)的所述凹槽抵接,一所述下凸部至少與一個對應(yīng)的所述凹槽抵接。
16、在一些實施例中,所述第一磁鐵和所述第二磁鐵結(jié)構(gòu)相同,排布方向不同,所述第二磁鐵由所述第一磁鐵旋轉(zhuǎn)得到。
17、在一些實施例中,相鄰的所述磁鐵對間隔設(shè)置。
18、在一些實施例中,每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵貼合設(shè)置;或,
19、每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵間隔設(shè)置。
20、在一些實施例中,每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵的厚度相等;或,
21、各所述磁鐵對的厚度相等。
22、在一些實施例中,所述第一平面音圈包括多個第一直線段和多個第一連接段,所述第一直線段和所述第一連接段依次交替連接形成第一s形線路;所述第二平面音圈包括多個第二直線段和多個第二連接段,所述第二直線段和所述第二連接段依次交替連接形成第二s形線路;每一所述磁鐵對相對的兩側(cè)分別對應(yīng)一個所述第一直線段和一個所述第二直線段設(shè)置,相鄰的磁鐵對中相互靠近的兩個磁鐵的磁極方向相同。
23、在一些實施例中,所述安裝位包括凸部,所述安裝部包括與所述凸部配合的凹陷部;或,所述安裝位包括凹陷部,所述安裝部包括與所述凹陷部配合的凸部。
24、在一些實施例中,所述第一振膜和所述第二振膜大小相同;或,所述第一振膜的有效振動面積和所述第二振膜的有效振動面積相等。
25、在一些實施例中,所述第一平面音圈包括多層疊設(shè)的第一復(fù)合結(jié)構(gòu),每一所述第一復(fù)合結(jié)構(gòu)包括第一基材和設(shè)置于所述第一基材上的所述第一s形線路,各所述第一s形線路電連接;所述第二平面音圈包括多層疊設(shè)的第二復(fù)合結(jié)構(gòu),每一所述第二復(fù)合結(jié)構(gòu)包括第二基材和設(shè)置于所述第二基材上的所述第二s形線路,各所述第二s形線路電連接。
26、根據(jù)本發(fā)明的另一方面,本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括上述所述的發(fā)聲單元。
27、上述方案中,發(fā)聲單元包括殼體、磁鐵組件、第一振動系統(tǒng)和第二振動系統(tǒng),所述殼體上形成有安裝位;所述磁鐵組件上形成有與所述安裝位互補配合的安裝部;所述第一振動系統(tǒng)包括相互連接的第一振膜和第一平面音圈;所述第二振動系統(tǒng)包括相互連接的第二振膜和第二平面音圈,所述第一振動系統(tǒng)和所述第二振動系統(tǒng)分別位于所述磁鐵組件相對的兩側(cè);所述發(fā)聲單元包括第一工作狀態(tài),在所述第一工作狀態(tài),所述第一振動系統(tǒng)和所述第二振動系統(tǒng)向外輻射相反相位的聲波。本發(fā)明的上述方案中,既能夠方便磁鐵組件與殼體的安裝,還能夠有效減小發(fā)聲單元的高度,符合揚聲器的小型化設(shè)計需求,提高發(fā)聲單元的適用范圍;同時能夠使得發(fā)聲單元可應(yīng)用于具有通話私密性的電子設(shè)備,實現(xiàn)更好的低泄露效果;并且音圈同時起到球頂?shù)淖饔?,在保證發(fā)聲單元發(fā)聲性能的情況下減少球頂?shù)氖褂茫档土酥谱麟y度,同時也減小了制作成本。
1.一種發(fā)聲單元,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述發(fā)聲單元還包括第二工作狀態(tài),在所述第二工作狀態(tài),所述第一振動系統(tǒng)和所述第二振動系統(tǒng)向外輻射相同相位的聲波。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述磁鐵組件包括多個磁鐵對,每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵的磁極方向相反,其中一所述磁鐵的磁極方向為所述第一振膜的方向指向所述第二振膜的方向,另一所述磁鐵的磁極方向為所述第二振膜的方向指向所述第一振膜的方向,所述磁鐵對形成有所述安裝部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)聲單元,其特征在于,每一所述磁鐵對包括第一磁鐵和第二磁鐵,所述第一磁鐵的一端的上表面具有凹槽,所述第二磁鐵的同一端下表面具有凹槽;所述第一磁鐵另一端下表面具有凹槽,所述第二磁鐵另一端上表面具有凹槽,殼體具有與凹槽互補配合的凸出部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)聲單元,其特征在于,相鄰兩個所述磁鐵對相鄰的兩個磁鐵的所述凹槽位置相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述殼體包括可拆卸連接的上殼體和下殼體,所述凸出部包括上凸部和下凸部,所述上殼體設(shè)置有多個間隔設(shè)置的上凸部,所述下殼體上設(shè)置有多個間隔設(shè)置所述下凸部,沿所述磁鐵對排列方向,所述上凸部和所述下凸部交錯設(shè)置,沿所述第一振動系統(tǒng)振動方向,所述上凸部和所述下凸部錯位設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述第一磁鐵和所述第二磁鐵上表面的凹槽與所述上凸部的底面抵接,所述第一磁鐵和所述第二磁鐵下表面的凹槽與所述下凸部的頂面抵接,以對所述磁鐵對進行豎直方向的限位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)聲單元,其特征在于,相鄰所述磁鐵對的相鄰磁鐵同一端的凹槽與同一所述凸出部抵接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)聲單元,其特征在于,一所述上凸部至少與一個對應(yīng)的所述凹槽抵接,一所述下凸部至少與一個對應(yīng)的所述凹槽抵接。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述第一磁鐵和所述第二磁鐵結(jié)構(gòu)相同,排布方向不同,所述第二磁鐵由所述第一磁鐵旋轉(zhuǎn)得到。
11.根據(jù)權(quán)利要求3~10中任一項所述的發(fā)聲單元,其特征在于,相鄰的所述磁鐵對間隔設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求3~10中任一項所述的發(fā)聲單元,其特征在于,每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵貼合設(shè)置;或,
13.根據(jù)權(quán)利要求3~10中任一項所述的發(fā)聲單元,其特征在于,每一所述磁鐵對中的兩個磁鐵的厚度相等;或,
14.根據(jù)權(quán)利要求3~10中任一項所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述第一平面音圈包括多個第一直線段和多個第一連接段,所述第一直線段和所述第一連接段依次交替連接形成第一s形線路;所述第二平面音圈包括多個第二直線段和多個第二連接段,所述第二直線段和所述第二連接段依次交替連接形成第二s形線路;每一所述磁鐵對相對的兩側(cè)分別對應(yīng)一個所述第一直線段和一個所述第二直線段設(shè)置,相鄰的磁鐵對中相互靠近的兩個磁鐵的磁極方向相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述第一振膜和所述第二振膜大小相同;或,所述第一振膜的有效振動面積和所述第二振膜的有效振動面積相等。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單元,其特征在于,所述第一平面音圈包括多層疊設(shè)的第一復(fù)合結(jié)構(gòu),每一所述第一復(fù)合結(jié)構(gòu)包括第一基材和設(shè)置于所述第一基材上的所述第一s形線路,各所述第一s形線路電連接;所述第二平面音圈包括多層疊設(shè)的第二復(fù)合結(jié)構(gòu),每一所述第二復(fù)合結(jié)構(gòu)包括第二基材和設(shè)置于所述第二基材上的所述第二s形線路,各所述第二s形線路電連接。
17.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1至16中任一項所述的發(fā)聲單元。