與射頻濾波器或雙工器的低損耗旁路相關(guān)的系統(tǒng)、電路和方法
【專(zhuān)利摘要】公開(kāi)了與射頻RF濾波器或雙工器的低損耗旁路相關(guān)的系統(tǒng)、電路和方法。在一些實(shí)施例中，一種開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)電路系統(tǒng)可包括第一開(kāi)關(guān)，其具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲，所述輸入刀配置為接收射頻RF信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)電路系統(tǒng)還可包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。在所述第一開(kāi)關(guān)中使用專(zhuān)用旁路擲允許實(shí)施所述濾波器或雙工器的低損耗旁路。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
與射頻濾波器或雙工器的低損耗旁路相關(guān)的系統(tǒng)、電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請(qǐng)總體上涉及與射頻濾波器或雙工器的低損耗旁路相關(guān)的系統(tǒng)和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在射頻(RF)系統(tǒng)中，在某些情況下通常需要或希望有濾波器或雙工器。當(dāng)不需要時(shí)，可能希望旁路濾波器或雙工器從而避免產(chǎn)生與濾波器或雙工器相關(guān)聯(lián)的損耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)多個(gè)實(shí)施方式，本申請(qǐng)涉及一種開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)電路系統(tǒng)，其包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收射頻(RF)信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)電路系統(tǒng)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)。所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。
[0004]在一些實(shí)施例中，所述第二開(kāi)關(guān)可包括至少一個(gè)單刀單擲(SPST)開(kāi)關(guān)。所述第二開(kāi)關(guān)可包括針對(duì)所述RF部件的所述輸出的每個(gè)通道有一個(gè)SPST開(kāi)關(guān)。所述一個(gè)或多個(gè)SPST開(kāi)關(guān)中的每個(gè)可在所述電路系統(tǒng)處于旁路模式時(shí)處于斷開(kāi)狀態(tài)，在所述電路系統(tǒng)處于通過(guò)模式時(shí)處于接通狀態(tài)。
[0005]在一些實(shí)施例中，所述第一開(kāi)關(guān)可以是單刀多擲(SPMT)開(kāi)關(guān)，使得所述單刀為所述輸入刀，所述多擲包括所述通過(guò)擲和所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲。在一些實(shí)施例中，所述RF部件可包括濾波器。在一些實(shí)施例中，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲可包括兩個(gè)或更多擲。在一些實(shí)施例中，所述RF部件可包括雙工器。
[0006]在一些實(shí)施方式中，本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體晶片，其包括配置為容納多個(gè)部件的襯底。所述半導(dǎo)體晶片還包括設(shè)置在所述襯底上的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收射頻(RF)信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)。所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。
[0007]在一些實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)實(shí)施可以實(shí)施為絕緣體上硅(SOI)工藝技術(shù)。在一些實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)可以實(shí)施為贗晶型高電子迀移率晶體管(PHEMT)工藝技術(shù)。
[0008]在多個(gè)實(shí)施方式中，本申請(qǐng)涉及一種射頻(RF)模塊，其包括配置為容納多個(gè)部件的封裝襯底。所述RF模塊還包括安裝在所述封裝襯底上的晶片，所述晶片具有開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收射頻(RF)信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)。所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。所述RF模塊還包括多個(gè)連接器，其配置為提供所述晶片與所述封裝襯底之間的電連接。
[0009]在一些實(shí)施例中，所述晶片可以是絕緣體上硅(SOI)晶片。在一些實(shí)施例中，所述晶片可以是贗晶型高電子迀移率晶體管(PHEMT)晶片。
[0010]根據(jù)多個(gè)教導(dǎo)，本申請(qǐng)涉及一種射頻(RF)裝置，其包括配置為處理RF信號(hào)的收發(fā)機(jī)。所述RF裝置還包括與所述收發(fā)機(jī)通信以便于所述RF信號(hào)的發(fā)送和接收的天線。所述RF裝置還包括開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其實(shí)施在所述收發(fā)機(jī)和所述天線之間，并且配置為路由所述RF信號(hào)。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收輸入信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述輸入信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑。所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)。所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。
[0011]在一些實(shí)施方式中，本申請(qǐng)涉及一種制造具有旁路架構(gòu)的器件的方法。所述方法包括形成或提供第一開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)包括至少一個(gè)專(zhuān)用于射頻(RF)信號(hào)的旁路的擲。所述方法還包括形成或提供RF部件。所述方法還包括將所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲連接到旁路過(guò)所述RF部件的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電路徑。
[0012]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括在所述RF部件的一個(gè)或多個(gè)輸出通道中的每個(gè)處形成或提供第二開(kāi)關(guān)。在一些實(shí)施例中，所述RF部件可包括濾波器。在一些實(shí)施例中，所述RF部件可包括雙工器。
[0013]根據(jù)一些實(shí)施方式，本申請(qǐng)涉及一種用于在開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)中旁路過(guò)射頻(RF)部件的方法。所述方法包括操作第一開(kāi)關(guān)，使得在所述第一開(kāi)關(guān)的輸入刀處接收到的RF信號(hào)通過(guò)專(zhuān)用旁路擲路由到旁路導(dǎo)電路徑。所述第一開(kāi)關(guān)的該操作將所述RF部件從所述第一開(kāi)關(guān)的輸入刀斷開(kāi)。所述方法還包括操作第二開(kāi)關(guān)，使得所述RF部件從所述旁路導(dǎo)電路徑斷開(kāi)。
[0014]在一些實(shí)施例中，所述RF部件可包括濾波器。在一些實(shí)施例中，所述RF部件可包括雙工器。
[0015]出于概述本申請(qǐng)的目的，已經(jīng)在這里描述了本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎特征。應(yīng)理解，不一定根據(jù)本發(fā)明的任何具體實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)所有這些優(yōu)點(diǎn)。因而，可以按照實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化如在這里教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或一組優(yōu)點(diǎn)的方式來(lái)實(shí)施或?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明，而不需要實(shí)現(xiàn)如在這里可以教導(dǎo)或建議的其他優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1A和IB示出了具有一個(gè)或多個(gè)這里描述的特征的架構(gòu)的通過(guò)(pass-through)模式和旁路模式。
[0017]圖2A-2C示出了可以用單刀多擲(SPMT)開(kāi)關(guān)實(shí)施圖1的架構(gòu)以允許旁路與RF部件相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)通道。
[0018]圖3A-3C示出了圖2A-2C的RF部件的示例。
[0019]圖4A和4B示出了圖3B的配置的更具體示例的通過(guò)模式和旁路模式。
[0020]圖5示出了需要單獨(dú)的開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)旁路功能的當(dāng)前旁路架構(gòu)的示例。
[0021]圖6示出了具有開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)的示例半導(dǎo)體晶片，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)具有這里描述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0022]圖7示出了可包括圖6的晶片和圖1-3的RF部件的示例模塊。
[0023]圖8示出了具有包括圖6的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)的模塊的示例RF裝置。
[0024]圖9示出了可實(shí)施為制造包括具有這里描述的一個(gè)或多個(gè)特征的旁路架構(gòu)的器件的示例過(guò)程。
[0025]圖1OA和1B示出了可實(shí)施為使能旁路模式和通過(guò)模式的示例過(guò)程。
【具體實(shí)施方式】
[0026]這里提供的小標(biāo)題(如果有的話)僅是為了便利，而不一定影響要求保護(hù)的發(fā)明的范圍或意義。
[0027]這里公開(kāi)的系統(tǒng)和方法涉及改善與諸如射頻(RF)濾波器或RF雙工器之類(lèi)的一些RF部件相關(guān)聯(lián)的旁路電路的性能。這種改善可包括，例如，降低RF信號(hào)的損耗。盡管這里在雙工器的上下文中描述了各種示例，但是應(yīng)理解的是，本申請(qǐng)的一個(gè)或多個(gè)特征也可在諸如多工器之類(lèi)的其他應(yīng)用中實(shí)施。為了這里描述的目的，術(shù)語(yǔ)雙工器和多工器可互換使用。因此，除非另外具體指出，雙工器或多工器可包括兩個(gè)或更多個(gè)通道。
[0028]RF系統(tǒng)通常包括一個(gè)或多個(gè)濾波器和/或一個(gè)或多個(gè)雙工器。這些部件通常不是在所有情況下都使用。因此，當(dāng)不需要這種功能時(shí)，有時(shí)候希望使RF信號(hào)旁路過(guò)濾波器或雙工器，從而可以避免與濾波器或雙工器相關(guān)聯(lián)的額外系統(tǒng)損耗。用于實(shí)現(xiàn)這種旁路的當(dāng)前架構(gòu)通常涉及添加串聯(lián)開(kāi)關(guān)元件用于執(zhí)行旁路。然而，這些串聯(lián)開(kāi)關(guān)元件通常導(dǎo)致開(kāi)關(guān)插入損耗。
[0029]這里描述的旁路配置的示例中可以實(shí)現(xiàn)諸如插入損耗降低之類(lèi)的有利特征。圖1A和IB示出了旁路架構(gòu)100，其可配置為處于第一狀態(tài)(圖1A)和第二狀態(tài)(圖1B)。第一狀態(tài)可對(duì)應(yīng)于通過(guò)(pass-through)模式，其中RF信號(hào)經(jīng)由導(dǎo)電路徑110、112、114、116通過(guò)(虛線130所示)第一節(jié)點(diǎn)I和第二節(jié)點(diǎn)2之間的RF器件104。這里將更詳細(xì)地描述RF器件104的非限制性示例。第二狀態(tài)可對(duì)應(yīng)于旁路模式，其中RF信號(hào)經(jīng)由導(dǎo)電路徑120旁路過(guò)(虛線140所示)RF器件104。
[0030]在一些實(shí)施方式中，前述通過(guò)模式和旁路模式可由包括第一和第二開(kāi)關(guān)電路SI(102)和S2( 106)的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)促成。在一些實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)102可作為開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)的輸入開(kāi)關(guān)。這里將更詳細(xì)地描述第一開(kāi)關(guān)102的各種非限制性示例。在一些實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)106可配置為當(dāng)處于旁路模式時(shí)為RF器件104的一個(gè)或多個(gè)輸出中的每一個(gè)提供改善的隔離。這里將更詳細(xì)地描述第二開(kāi)關(guān)106的示例。
[0031]圖2A-2C示出了在一些實(shí)施方式中，圖1的架構(gòu)100的第一開(kāi)關(guān)102可基于單刀N擲(SPNT)開(kāi)關(guān)，其中N為正整數(shù)。一個(gè)或多個(gè)額外的擲可添加到該開(kāi)關(guān)，其中這些添加的擲可專(zhuān)用于提供旁路功能。例如，假設(shè)N為5，使得SP5T配置提供常規(guī)的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)功能。那么，添加兩個(gè)額外的擲可實(shí)現(xiàn)SP7I1配置，其中五個(gè)臂(arm)促成常規(guī)開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)功能，而剩余的兩個(gè)臂促成用于RF器件的旁路功能。其他的N值和添加擲數(shù)量也是可行的;這里將描述各種示例。
[0032]在圖2A的架構(gòu)100的示例配置150中，一個(gè)額外的擲可被提供給輸入開(kāi)關(guān)從而實(shí)現(xiàn)SP(N+1)T開(kāi)關(guān)152。該添加的擲可專(zhuān)用于單通道RF器件104的旁路。該單通道RF器件可具有經(jīng)由導(dǎo)電路徑112的輸入和經(jīng)由導(dǎo)電路徑114的輸出。因此，當(dāng)處于通過(guò)模式時(shí)，RF信號(hào)可經(jīng)由N個(gè)擲中的一個(gè)從開(kāi)關(guān)152經(jīng)路徑112傳遞到RF器件104，并且經(jīng)由路徑114從RF器件104輸出。當(dāng)處于旁路模式時(shí)，RF信號(hào)可經(jīng)由添加的擲從開(kāi)關(guān)152傳遞到旁路路徑120，從而旁路過(guò)RF器件104。圖3A示出了配置200，其中單通道RF器件104可為例如RF濾波器204。
[0033]在圖2B的架構(gòu)100的示例配置160中，兩個(gè)額外的擲可被提供給輸入開(kāi)關(guān)從而實(shí)現(xiàn)SP(N+2)T開(kāi)關(guān)162。該添加的擲可專(zhuān)用于RF器件104的多達(dá)兩個(gè)通道的旁路。該RF器件可具有經(jīng)由導(dǎo)電路徑112的輸入和經(jīng)由導(dǎo)電路徑114a、114b的兩個(gè)輸出。因此，當(dāng)處于通過(guò)模式時(shí)，RF信號(hào)可經(jīng)由N個(gè)擲中的一個(gè)從開(kāi)關(guān)162經(jīng)路徑112傳遞到RF器件104，并且經(jīng)由路徑114a、114b從RF器件104輸出。當(dāng)處于旁路模式時(shí)，RF信號(hào)可經(jīng)由兩個(gè)添加的擲從開(kāi)關(guān)162傳遞到旁路路徑120a、120b中的任一個(gè)或兩者，從而旁路過(guò)RF器件104。圖3B示出了示例配置210，其中RF器件104可為例如雙工器214。
[0034]在圖2C的架構(gòu)100的示例配置170中，三個(gè)額外的擲可被提供給輸入開(kāi)關(guān)從而實(shí)現(xiàn)SP(N+3)T開(kāi)關(guān)172。該添加的擲可專(zhuān)用于RF器件104的多達(dá)三個(gè)通道的旁路。該RF器件可具有經(jīng)由導(dǎo)電路徑112的輸入和經(jīng)由導(dǎo)電路徑114a、114b、114c的三個(gè)輸出。因此，當(dāng)處于通過(guò)模式時(shí)，RF信號(hào)可經(jīng)由N個(gè)擲中的一個(gè)從開(kāi)關(guān)172經(jīng)路徑112傳遞到RF器件104，并且經(jīng)由路徑114a、114b、114c從RF器件104輸出。當(dāng)處于旁路模式時(shí)，RF信號(hào)可經(jīng)由三個(gè)添加的擲從開(kāi)關(guān)172傳遞到旁路路徑120a、120b、120c中的一個(gè)或多個(gè)，從而旁路過(guò)RF器件104。圖3C示出了示例配置220，其中RF器件104可為例如多工器224。
[0035]圖2和3示出了在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)單刀單擲(SPST)開(kāi)關(guān)可提供與參照?qǐng)D1描述的第二開(kāi)關(guān)S2(106)相關(guān)聯(lián)的功能。SPST開(kāi)關(guān)可設(shè)置在RF器件的每個(gè)通道的輸出處。因此，在圖2A的示例配置150中，SPST開(kāi)關(guān)156示為設(shè)置在RF器件104的單個(gè)輸出處。在圖2B的示例配置160中，SPST開(kāi)關(guān)156a、156b示為設(shè)置在RF器件104的兩個(gè)輸出處。在圖2C的示例配置170中，SPST開(kāi)關(guān)156a、156b、156c示為設(shè)置在RF器件104的三個(gè)輸出處。這里將更詳細(xì)地描述SPST開(kāi)關(guān)156和輸入開(kāi)關(guān)(152、162、172)的示例操作配置。
[0036]圖4A和4B示出了示例配置210的通過(guò)(250)模式和旁路(280)模式，示例配置210可為參照?qǐng)D2B和3B描述的配置的更具體示例。SP(N+2)T開(kāi)關(guān)示為SP7T開(kāi)關(guān)252，其配置為經(jīng)由導(dǎo)電路徑260在其單個(gè)刀處接收輸入RF信號(hào)。七個(gè)擲中的五個(gè)(1、2、4、6、7)示為給開(kāi)關(guān)252提供常規(guī)開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)功能，包括通過(guò)第四擲和導(dǎo)電路徑112給雙工器214提供通過(guò)輸入。剩余的兩個(gè)擲(3、5)示為連接到旁路路徑120a、120b。旁路路徑120a、120b示為連接到它們各自的輸出路徑270a、270b。
[0037]來(lái)自雙工器214的兩個(gè)輸出通道示為被提供給導(dǎo)電通道路徑IHaUHb13SPST開(kāi)關(guān)156a示為插置在第一通道路徑114a和第一輸出路徑270a之間。類(lèi)似地，SPST開(kāi)關(guān)156b示為插置在第二通道路徑114b和第二輸出路徑270b之間。
[0038]圖4A的示例通過(guò)模式250可通過(guò)設(shè)置開(kāi)關(guān)252以使得輸入刀連接到第四擲并且接通每個(gè)SPST開(kāi)關(guān)156a、156b來(lái)實(shí)施。因此，導(dǎo)電路徑260與路徑270a、270b 二者互連，從而便于雙工器的操作。
[0039]圖4B的示例旁路模式280可通過(guò)設(shè)置開(kāi)關(guān)252以使得輸入刀連接到第五擲并且斷開(kāi)每個(gè)SPST開(kāi)關(guān)156a、156b來(lái)實(shí)施。因此，導(dǎo)電路徑260與第二路徑270b互連，兩個(gè)路徑(260和270b)之間的RF信號(hào)旁路過(guò)雙工器214。如果路徑260與第一路徑270a互連，那么可設(shè)置開(kāi)關(guān)252以使得輸入刀連接到第三擲。
[0040]在兩個(gè)前述旁路示例的任一個(gè)中，與互連的輸出對(duì)應(yīng)的SPST開(kāi)關(guān)是斷開(kāi)的，另一個(gè)SPST開(kāi)關(guān)可斷開(kāi)也可不斷開(kāi)。例如，在第二路徑270b與路徑260互連的第一示例中，第二SPST開(kāi)關(guān)156b斷開(kāi)，第一 SPST開(kāi)關(guān)156a可斷開(kāi)也可不斷開(kāi)。類(lèi)似地，在第一路徑270a與路徑260互連的第二示例中，第一SPST開(kāi)關(guān)156a斷開(kāi)，第二SPST開(kāi)關(guān)156b可斷開(kāi)也可不斷開(kāi)。[0041 ]圖5示出了在示例SP5T開(kāi)關(guān)302的上下文中用于實(shí)現(xiàn)雙工器312的旁路的當(dāng)前架構(gòu)的示例配置300，示例SP5T開(kāi)關(guān)302不包括任何旁路專(zhuān)用擲(一個(gè)或多個(gè)KSP5T開(kāi)關(guān)302示為使其第三擲連接到路徑304，路徑304提供用于單獨(dú)的旁路開(kāi)關(guān)306的輸入。
[0042]單獨(dú)的旁路開(kāi)關(guān)306示為包括三個(gè)擲，第一和第三擲連接到旁路路徑310a、310b，第二擲連接到雙工器312的輸入308。雙工器的兩個(gè)輸出(314a、314b)中的每個(gè)示為連接到輸出開(kāi)關(guān)的兩個(gè)擲中的一個(gè)(316a或316b)。輸出開(kāi)關(guān)的另一個(gè)擲示為連接到旁路路徑(310a或310b)。輸出開(kāi)關(guān)的刀示為連接到輸出路徑(318a或318b)。
[0043]基于圖4的示例架構(gòu)和圖5的示例當(dāng)前架構(gòu)的比較，可以注意到多處不同。例如，在圖4的示例架構(gòu)210中，RF信號(hào)在處于通過(guò)模式時(shí)通過(guò)兩個(gè)開(kāi)關(guān)(SP7T和SPST)，而在處于旁路模式時(shí)僅通過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)(SP7T)。另一方面，在圖5的示例架構(gòu)300中，RF信號(hào)在通過(guò)和旁路兩種模式下都通過(guò)三個(gè)開(kāi)關(guān)(SP5T、SP3T和SP2T)。因此可以看出，圖4的示例架構(gòu)210有利地具有更少數(shù)量的會(huì)產(chǎn)生插入損耗的單獨(dú)開(kāi)關(guān)。該優(yōu)勢(shì)在旁路模式時(shí)甚至更明顯，在旁路模式時(shí)RF信號(hào)可僅遇到一個(gè)開(kāi)關(guān)(例如，SP7T)，而不是三個(gè)開(kāi)關(guān)(例如，SP5T、SP3T和SP2T)。
[0044]圖6示出了在一些實(shí)施例中，具有一個(gè)或多個(gè)這里描述的特征的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502可實(shí)施在半導(dǎo)體晶片500上。該開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)可利用一種或多種工藝技術(shù)來(lái)制造。例如，開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)可基于利用絕緣體上硅(SOI)工藝技術(shù)制造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的網(wǎng)絡(luò)。在另一示例中，開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)可基于用砷化鎵(GaAs)工藝技術(shù)實(shí)施的贗晶型高電子迀移率晶體管(pHEMT)的網(wǎng)絡(luò)。如這里描述的，開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502可包括單刀多擲(SPMT)開(kāi)關(guān)504，SPMT開(kāi)關(guān)504包括專(zhuān)用于將信號(hào)旁路繞開(kāi)RF部件(未示出)的一個(gè)或多個(gè)旁路擲506。該專(zhuān)用擲示為連接到旁路路徑520，旁路路徑520又連接到輸出路徑518 JPMT開(kāi)關(guān)504示為連接到與RF器件相連接的路徑。
[0045]同樣如這里描述的，開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502也可包括一個(gè)或多個(gè)SPST開(kāi)關(guān)508以便于當(dāng)開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502處于旁路模式時(shí)改善隔離。SPST開(kāi)關(guān)508示為連接到路徑514，用于與RF器件的輸出相連接。SPST開(kāi)關(guān)508還示為連接到路徑516，路徑516又連接到輸出路徑518。路徑516和518可連接到SPST開(kāi)關(guān)508的刀和擲。
[0046]圖7示出了在一些實(shí)施例中，包括具有這里描述的一個(gè)或多個(gè)特征的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502的晶片500可以是封裝模塊550的一部分。模塊550也可包括諸如這里描述的濾波器、雙工器或多工器之類(lèi)的RF器件104。開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502和RF器件104可相互連接(例如，通過(guò)圖6的導(dǎo)電路徑512和514)從而提供這里描述的功能。模塊550也可包括一個(gè)或多個(gè)旁路路徑從而促成這里描述的旁路功能。模塊550還可包括諸如疊層襯底之類(lèi)的封裝襯底。模塊550還可包括一個(gè)或多個(gè)連接從而便于提供來(lái)往于晶片500的信號(hào)。模塊550還可包括各種封裝結(jié)構(gòu)554。例如，可在晶片500上形成外塑(overmold)結(jié)構(gòu)，從而提供保護(hù)以免受外部元素?fù)p害。
[0047]圖8示出了在一些實(shí)施例中，具有這里描述的開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502和RF器件104的模塊500可包括在諸如無(wú)線裝置之類(lèi)的RF裝置570中。該無(wú)線裝置可包括，例如，蜂窩電話、智能電話等。在一些實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)502可實(shí)施在諸如圖7的示例之類(lèi)的封裝模塊中。RF裝置570描述為包括其他常用部件，諸如收發(fā)器電路572和天線576。
[0048]圖9示出了可實(shí)施來(lái)制造包括具有這里描述的一個(gè)或多個(gè)特征的旁路架構(gòu)的器件的過(guò)程600。在框602中，可形成或提供具有至少一個(gè)額外擲的開(kāi)關(guān)。在框604中，可形成或提供諸如濾波器和/或雙工器之類(lèi)的RF部件。在框606中，開(kāi)關(guān)的至少一個(gè)額外擲可連接到旁路過(guò)RF部件的至少一個(gè)導(dǎo)電路徑。在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)電路徑可連接到輸出路徑。在一些實(shí)施方式中，過(guò)程600還可包括在RF部件的輸出與輸出路徑之間形成或提供SPST開(kāi)關(guān)。
[0049]圖1OA和1B示出了可實(shí)施來(lái)在這里描述的通過(guò)模式和旁路模式之間切換的示例過(guò)程。圖1OA示出了過(guò)程610，其可實(shí)施來(lái)使能旁路模式。在框612中，可產(chǎn)生旁路命令。在框614中，可發(fā)出開(kāi)關(guān)信號(hào)。開(kāi)關(guān)信號(hào)可基于旁路命令，并且實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的刀到專(zhuān)用于RF信號(hào)的旁路的擲的連接。
[0050]圖1OB示出了過(guò)程620，其可實(shí)施來(lái)使能通過(guò)模式。在框622中，可產(chǎn)生通過(guò)命令。在框624中，可發(fā)出開(kāi)關(guān)信號(hào)。開(kāi)關(guān)信號(hào)可基于通過(guò)命令，并且實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的刀從專(zhuān)用于RF信號(hào)的旁路的擲的斷開(kāi)。
[0051]這里在為RF部件提供輸入的單刀多擲(SPMT)開(kāi)關(guān)的上下文中描述了一些示例。例如，圖4A和4B示出了其中輸入在SP7T開(kāi)關(guān)左側(cè)、輸出在架構(gòu)右側(cè)的路徑。將理解的是，該方向性僅是為了便于描述的示例。在一些實(shí)施方式中，具有這里描述的一個(gè)或多個(gè)特征的架構(gòu)可為雙向的。該雙向性可適用于架構(gòu)整體或其某一部分。
[0052]這里在單刀配置的上下文中描述了一些示例開(kāi)關(guān)。然而將理解的是，本申請(qǐng)的一個(gè)或多個(gè)特征也可在具有多于一個(gè)刀的開(kāi)關(guān)中實(shí)現(xiàn)。
[0053]除非上下文清楚地另有要求，否則貫穿說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)，要按照與排他性或窮盡性的意義相反的包括性的意義，也就是說(shuō)，按照“包括但不限于”的意義來(lái)闡釋術(shù)語(yǔ)“包括(comprise)”、“包含(comprising)”等。如在這里一般使用的詞語(yǔ)“親接”是指兩個(gè)或更多元件可以直接地連接、或者借助于一個(gè)或多個(gè)中間元件來(lái)連接。另外，當(dāng)在本申請(qǐng)中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“在這里”、“上面”、“下面”和相似含義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該是指作為整體的本申請(qǐng)，而不是本申請(qǐng)的任何具體部分。在上下文允許時(shí)，使用單數(shù)或復(fù)數(shù)的以上描述中的術(shù)語(yǔ)也可以分別包括復(fù)數(shù)或單數(shù)。提及兩個(gè)或更多項(xiàng)目的列表時(shí)的術(shù)語(yǔ)“或”，這個(gè)術(shù)語(yǔ)涵蓋該術(shù)語(yǔ)的以下解釋中的全部:列表中的任何項(xiàng)目、列表中的所有項(xiàng)目、和列表中項(xiàng)目的任何組合。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例的以上詳細(xì)描述不意欲是窮盡性的，或是將本發(fā)明限于上面所公開(kāi)的精確形式。盡管上面出于說(shuō)明的目的描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例和用于本發(fā)明的示例，但是如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，在本發(fā)明范圍內(nèi)的各種等效修改是可能的。例如，盡管按照給定順序呈現(xiàn)了處理或塊，但是替換的實(shí)施例可以執(zhí)行具有不同順序的步驟的處理，或采用具有不同順序的塊的系統(tǒng)，并且一些處理或塊可以被刪除、移動(dòng)、添加、減去、組合和/或修改?？梢园凑崭鞣N不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)這些處理或塊中的每一個(gè)。同樣地，盡管有時(shí)將處理或塊示出為串行地執(zhí)行，但是相反地，這些處理或塊也可以并行地執(zhí)行，或者可以在不同時(shí)間進(jìn)行執(zhí)行。
[0055]可以將在這里提供的本發(fā)明的教導(dǎo)應(yīng)用于其它系統(tǒng)，而不必是上述的系統(tǒng)。可以對(duì)上述的各個(gè)實(shí)施例的元素和動(dòng)作進(jìn)行組合，以提供進(jìn)一步的實(shí)施例。
[0056]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些實(shí)施例，但是已經(jīng)僅僅借助于示例呈現(xiàn)了這些實(shí)施例，并且所述實(shí)施例不意欲限制本公開(kāi)的范圍。其實(shí)，可以按照多種其它形式來(lái)實(shí)施在這里描述的新穎方法和系統(tǒng);此外，可以做出在這里描述的方法和系統(tǒng)的形式上的各種省略、替換和改變，而沒(méi)有脫離本申請(qǐng)的精神。相關(guān)的權(quán)利要求和它們的等效物意欲涵蓋如將落入本申請(qǐng)的范圍和精神內(nèi)的這種形式或修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)電路系統(tǒng)，包括: 第一開(kāi)關(guān)，其包括輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲，所述輸入刀配置為接收射頻RF信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑；以及 第二開(kāi)關(guān)，其包括刀和擲，所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。2.如權(quán)利要求1所述的電路系統(tǒng)，其中，所述第二開(kāi)關(guān)包括至少一個(gè)單刀單擲SPST開(kāi)關(guān)。3.如權(quán)利要求2所述的電路系統(tǒng)，其中，所述第二開(kāi)關(guān)包括:針對(duì)所述RF部件的所述輸出的每個(gè)通道有一個(gè)SPST開(kāi)關(guān)。4.如權(quán)利要求3所述的電路系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)SPST開(kāi)關(guān)中的每個(gè)在所述電路系統(tǒng)處于旁路模式時(shí)處于斷開(kāi)狀態(tài)，在所述電路系統(tǒng)處于通過(guò)模式時(shí)處于接通狀態(tài)。5.如權(quán)利要求1所述的電路系統(tǒng)，其中，所述第一開(kāi)關(guān)是單刀多擲SPMT開(kāi)關(guān)，使得所述單刀為所述輸入刀，所述多擲包括所述通過(guò)擲和所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲。6.如權(quán)利要求5所述的電路系統(tǒng)，其中，所述RF部件包括濾波器。7.如權(quán)利要求5所述的電路系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲包括兩個(gè)或更多擲。8.如權(quán)利要求7所述的電路系統(tǒng)，其中，所述RF部件包括雙工器。9.一種半導(dǎo)體晶片，包括: 襯底，配置為容納多個(gè)部件；以及 開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其設(shè)置在所述襯底上，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收射頻RF信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)實(shí)施為絕緣體上硅SOI工藝技術(shù)。11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)實(shí)施為贗晶型高電子迀移率晶體管pHEMT工藝技術(shù)。12.—種射頻RF模塊，包括: 封裝襯底，配置為容納多個(gè)部件； 晶片，其安裝在所述封裝襯底上，所述晶片具有開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收射頻RF信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述RF信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間；以及 多個(gè)連接器，配置為提供所述晶片與所述封裝襯底之間的電連接。13.如權(quán)利要求12所述的RF模塊，其中，所述晶片是絕緣體上硅SOI晶片。14.如權(quán)利要求12所述的RF模塊，其中，所述晶片是贗晶型高電子迀移率晶體管pHEMT曰曰斤O15.—種射頻RF裝置，包括: 收發(fā)機(jī)，配置為處理RF信號(hào)； 天線，其與所述收發(fā)機(jī)通信以便于所述RF信號(hào)的發(fā)送和接收；以及 開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其實(shí)施在所述收發(fā)機(jī)和所述天線之間，并且配置為路由所述RF信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括具有輸入刀、通過(guò)擲和至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲的第一開(kāi)關(guān)，所述輸入刀配置為接收輸入信號(hào)，所述通過(guò)擲配置為可連接到所述輸入刀以允許將所述輸入信號(hào)路由到RF部件，所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲配置為可連接到所述輸入刀和至少一個(gè)旁路導(dǎo)電路徑，所述開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)還包括具有刀和擲的第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)配置為可連接在所述RF部件的輸出與所述旁路導(dǎo)電路徑之間。16.—種制造具有旁路架構(gòu)的器件的方法，所述方法包括: 形成或提供開(kāi)關(guān)，所述開(kāi)關(guān)包括至少一個(gè)專(zhuān)用于射頻RF信號(hào)的旁路的擲； 形成或提供RF部件；以及 將所述至少一個(gè)專(zhuān)用旁路擲連接到旁路過(guò)所述RF部件的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電路徑。17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述RF部件的一個(gè)或多個(gè)輸出通道中的每個(gè)處形成或提供第二開(kāi)關(guān)。18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述RF部件包括濾波器。19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述RF部件包括雙工器。20.—種用于在開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)中旁路過(guò)射頻RF部件的方法，所述方法包括: 操作第一開(kāi)關(guān)，使得在所述第一開(kāi)關(guān)的輸入刀處接收到的RF信號(hào)通過(guò)專(zhuān)用旁路擲路由到旁路導(dǎo)電路徑，所述第一開(kāi)關(guān)的該操作將所述RF部件從所述第一開(kāi)關(guān)的輸入刀斷開(kāi)；以及 操作第二開(kāi)關(guān)，使得所述RF部件從所述旁路導(dǎo)電路徑斷開(kāi)。21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述RF部件包括濾波器。22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述RF部件包括雙工器。
【文檔編號(hào)】H03K17/00GK105874720SQ201480070288
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年11月19日
【發(fā)明人】D·S·懷特菲爾德, D·R·斯托瑞, N·斯里拉塔納, D·E·伊萬(wàn)斯
【申請(qǐng)人】天工方案公司