磁屏蔽揚(yáng)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種磁屏蔽揚(yáng)聲器，屬于揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]磁又叫磁化，就是將鐵磁性材料的物體內(nèi)雜亂的磁疇的方向強(qiáng)迫指向相同方向。將被充磁的物體放到強(qiáng)的外磁場中去。使之達(dá)到飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度，然后去掉外磁場，磁鐵內(nèi)還有剩磁，這個(gè)過程就是充磁或磁化。
[0003]退磁就是將呈現(xiàn)磁化狀態(tài)的物體消除剩磁，將工件置于交變磁場中，產(chǎn)生磁滯回線，當(dāng)交變磁場的幅值逐漸遞減時(shí)，磁滯回線的軌跡也越來越小，當(dāng)磁場強(qiáng)度降為零時(shí)，工件中的剩磁Br接近于零。退磁時(shí)電流與磁場的方向和大小的變化必須“換向衰減同時(shí)進(jìn)行”。
[0004]在揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)中有中、高音單元同體并行排列，在不良品返修時(shí)，因?yàn)楦咭魡卧墙?jīng)檢驗(yàn)過的合格件，不良存在于中音單元，這樣就沒有必要拆除高音單元，且高音單元在和中音結(jié)合部已膠固和焊接，假如拆除勢必造成損壞。如不拆除，中、高音的磁路是不同材質(zhì)的磁鋼，磁飽和強(qiáng)度是不同的，無法同時(shí)充、退磁。要完成返修必須采取措施。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種磁屏蔽揚(yáng)聲器，通過在高音單元加裝磁屏蔽工裝，這樣在不良品返修時(shí)，由于磁屏蔽作用，就不需要對高音單元進(jìn)行退磁。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。一種磁屏蔽揚(yáng)聲器，包括中音單元、高音單元，中音單元連接充、退磁頭，其特征在于，高音單元位于磁屏蔽工裝內(nèi)。
[0007]所述磁屏蔽工裝由鐵磁體上模塊和鐵磁體下模塊，鐵磁體下模塊開設(shè)容納高音單元的凹槽，鐵磁體上模塊蓋合在凹槽上。
[0008]本實(shí)用新型利用磁屏蔽原理屏蔽高音單元。因鐵磁性物質(zhì)根據(jù)材質(zhì)的不同，其導(dǎo)磁率是空氣中的13一15倍，所以在充退磁時(shí)，磁力線所走的路徑是磁阻小(導(dǎo)磁率高)的鐵磁物質(zhì)，在高音單元周圍加上鐵磁物質(zhì)，磁力線就會沿鐵磁物質(zhì)形成磁回路，對高音單元起到了磁屏蔽作用，只對中音單元退充磁就可以了。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型的示意圖；
[0010]圖2和圖3是磁屏蔽原理示意圖。
[0011]圖中 1.中音單元 2.高音單元 3.充、退磁頭 4.磁屏蔽工裝41.鐵磁體上模塊 42.鐵磁體下模塊 5.磁力線。
【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖1所示，該磁屏蔽揚(yáng)聲器，包括中音單元1、高音單元2，中音單元I連接充、退磁頭3，高音單元2位于磁屏蔽工裝4內(nèi)ο所述磁屏蔽工裝4由鐵磁體上模塊41和鐵磁體下模塊42，鐵磁體下模塊42開設(shè)容納高音單元的凹槽，鐵磁體上模塊42蓋合在凹槽上，從而使得高音單元2被鐵磁性物質(zhì)包圍而產(chǎn)生磁屏蔽效應(yīng)。
[0013]如圖2和圖3所示，在充退磁時(shí)，磁力線5所走的路徑是磁阻小(導(dǎo)磁率高)的鐵磁物質(zhì)，在高音單元周圍加上磁屏蔽工裝4，磁力線5就會沿磁屏蔽工裝4形成磁回路，對高音單元2起到了磁屏蔽作用，所以不需要再對高音單元退充磁。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁屏蔽揚(yáng)聲器，包括中音單元、高音單元，中音單元連接充、退磁頭，其特征在于，高音單元位于磁屏蔽工裝內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽揚(yáng)聲器，其特征在于，所述磁屏蔽工裝由鐵磁體上模塊和鐵磁體下模塊，鐵磁體下模塊開設(shè)容納高音單元的凹槽，鐵磁體上模塊蓋合在凹槽上。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種磁屏蔽揚(yáng)聲器，包括中音單元、高音單元，中音單元連接充、退磁頭，其特征在于，高音單元位于磁屏蔽工裝內(nèi)。在充退磁時(shí)，磁力線在磁屏蔽工裝內(nèi)形成磁回路，從而對高音單元起到了磁屏蔽作用，使得不良品返修時(shí)，只對中音單元退充磁即可。
【IPC分類】H05K9/00, H04R1/02
【公開號】CN204669563
【申請?zhí)枴緾N201520409309
【發(fā)明人】徐志祥, 肖南書
【申請人】永豐航盛電子有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月15日