專利名稱：用于四色有機發(fā)光器件的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種四色發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
全色有機電致發(fā)光(EL)器件，也稱為有機發(fā)光器件或OLED，目前被描述成，由具有紅、綠、藍和白色子像素(subpixels)的像素構(gòu)成。這種安排稱作RGBW設(shè)計。這種類型的有機EL器件典型地用具有紅、綠和藍色濾色鏡的白色有機EL發(fā)光層構(gòu)成。該白色子像素區(qū)域未被濾。這種設(shè)計在應(yīng)用中相較于三色過濾白色發(fā)光有機EL器件，具有能耗以及電流密度較低的優(yōu)點，這使得如典型個人數(shù)字助手或者計算機顯示器中白色背景的頻繁使用。
有機EL器件經(jīng)常由有源矩陣電路驅(qū)動?，F(xiàn)有技術(shù)中已知有幾種電路布圖。已知最常用的電路布圖是色條信號圖，其中每個像素包含幾個排列成行的子像素。色條信號圖的驅(qū)動電路由選擇線組成以選擇每行像素。數(shù)據(jù)線垂直于選擇線運行并用于確定行中每個像素的亮度。為了運行色條信號圖有源矩陣有機EL器件，通過施加電壓到選擇線選擇每一行，并通過保持在數(shù)據(jù)線上的電壓信號控制每一子像素的亮度水平。US-A-6281634中給出了色條信號圖的實例。
已知的第二種電路布圖是三角形圖形。在三角形圖形中，子像素沒有排列成行，而是成三角方式排列。US-A-6456013給出了三角形電路的實例。由于三個像素相對于帶狀排列彼此更加靠近，三角形圖形通常比色條信號圖更優(yōu)越，三角形電路能夠給觀察者提供更優(yōu)的表觀。
然而，傳統(tǒng)的三角形設(shè)計圖僅僅應(yīng)用于具有三種不同顏色的子像素的器件，所以不能適用于四色顯示器。如果應(yīng)用于四子像素設(shè)計，傳統(tǒng)的色條信號圖將需要將子像素排列成1×4的矩陣。這種處理造成第一和第四子像素彼此被隔開很遠，這將導致給觀察者提供不良的表觀。因此，需要一種將子像素設(shè)置成彼此更加靠近的像素電路。
第四子像素元件的添加增加了每個像素的有源矩陣電路元件的(例如晶體管和電容器)以及連接線(比如數(shù)據(jù)和電源線)數(shù)量。在一種光通過包含電路在內(nèi)的襯底產(chǎn)生的底部發(fā)光器件中，電路會遮擋住一些光線的發(fā)射。發(fā)光區(qū)域與不發(fā)光區(qū)域的比率稱為孔徑比。因為具有較低孔徑比的器件需要提高電流密度以獲得期望的平均發(fā)光亮度，所以期望獲得較高的孔徑比。已知有機EL器件在較高的電流密度之下會更快地老化，減少顯示器的使用壽命。在一種在與電路相對的方向產(chǎn)生光線的頂部發(fā)光器件中，電路元件和連接線的數(shù)量增加不會影響孔徑比。然而，無論對于頂部還是對于底部發(fā)光器件來說電路元件和連接線的數(shù)量都會限制可被構(gòu)成的像素的最小化，進而限制圖像的整體分辨率。因此，需要一種減少電路元件和連接線的新型的像素設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個目的就是提供用于具有發(fā)光像素的四色有機發(fā)光器件的改進的驅(qū)動電路。
所述目的是通過具有發(fā)光的像素的四色有機發(fā)光器件實現(xiàn)的，其包括a)襯底；b)排列成行和列的像素，且每個像素包括設(shè)置在襯底上的四子像素組，其中每個子像素包括分別隔開的第一和第二電極；c)有機EL介質(zhì)，其設(shè)置在每個子像素的第一和第二電極之間；d)驅(qū)動電路，其相對于襯底之上的有機EL介質(zhì)設(shè)置并安排成驅(qū)動每個四子像素組，并對應(yīng)于每個子像素具有連于第一電極的電連接，以及其中e)每個四子像素組的驅(qū)動電路包括四條數(shù)據(jù)線，兩條電源線，以及一條選擇線，所述的四條數(shù)據(jù)線被像素矩陣的每一列共享，所述的選擇線被像素矩陣的每一行共享。
本發(fā)明優(yōu)于如色條信號圖(stripe)和三角形圖形的傳統(tǒng)設(shè)計，因為四個子像素能夠以2×2矩陣排列和驅(qū)動。本發(fā)明也減少了電路元件和連接的表面區(qū)域。這不但能得到提高的孔徑比而且能得到每單位區(qū)域更大可能數(shù)量的像素。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電路圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的上述第一實施例的布局圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的器件的橫截面4示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電路圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的上述第二實施例的布局圖；
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的電路圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的上述第三實施例的布局圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的電路圖；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的上述第四實施例的布局圖。
由于器件特征尺寸，如層厚度，常常在亞微米的范圍之內(nèi)，因此按比例調(diào)節(jié)了附圖以有利于看得更清楚，而未顧及尺寸的準確性。
具體實施例術(shù)語“OLED器件”在本技術(shù)領(lǐng)域中是指包括有機發(fā)光二極管作為像素的顯示器件，也可以指有機發(fā)光器件。彩色OLED器件發(fā)出至少一種顏色的光。術(shù)語“多色”是指能夠在不同的區(qū)域發(fā)射出不同色度光的顯示器面板。具體而言，是指能夠顯示不同顏色圖像的顯示器面板。這些區(qū)域不必是連續(xù)的。術(shù)語“全色”是指能夠產(chǎn)生位于可見光譜區(qū)域中的紅、綠和藍區(qū)域的光并能顯示任何色度組合的圖像的多色顯示器面板。紅、綠和藍色組成三原色，通過適當?shù)鼗旌线@三原色能夠產(chǎn)生所有其它的顏色。術(shù)語“色度”指的是在可見光譜之中發(fā)出的光的亮度輪廓，不同的色度表現(xiàn)出視覺上可以辨別的顏色的不同。術(shù)語“像素”在本技術(shù)領(lǐng)域中是指能夠被激勵而獨立于其它區(qū)域發(fā)光的顯示器面板上的區(qū)域。像素或者子像素通常用于表示在顯示器面板上的最小可尋址單元。術(shù)語“子像素”用于多色顯示器面板并用來表示像素的任何一部分，其可以是獨立可尋址的，以發(fā)出特定顏色的光。例如，藍色子像素是能夠被尋址以產(chǎn)生藍色光的像素部分。
現(xiàn)在參見圖1，它示出了本發(fā)明第一實施例的電路圖。顯示器是四色有機發(fā)光器件(OLED)，由發(fā)光并被排列成行和列矩陣的多個像素20形成。每個像素20包括一組四個發(fā)出不同顏色光的單獨的可尋址子像素20a、20b、20c和20d。在每個像素區(qū)域內(nèi)，子像素被排列成2×2矩陣。所示像素20包括發(fā)出紅、綠、藍和白光的等尺寸的子像素(RGBW)?？墒?，可以理解，本發(fā)明本實施例以及其它實施例的子像素20a、20b、20c和20d可包括提供預期顯示特性的四子像素的任何色彩組合。在RGBW實施例中，發(fā)出白色光的子像素顏色組成位于紅、綠和藍之間的在CIE彩色間隔(space)的點，且通常觀察者看見它是白色的。
在本文的實施例中，不同的發(fā)光元件具有不同的效率和壽命。為了優(yōu)化用于不同的應(yīng)用的顯示器，有時采用不同尺寸的元件是有效的。例如，在用于黑白主控用途的應(yīng)用中，可以增加附加的白色OLED元件的尺寸。應(yīng)該認識到，當控制專門用于附加元件的發(fā)光量的時候，也需要改變它們的相對尺寸。在US-A-6366025中，Yamada描述了一種具有發(fā)光元件的電致發(fā)光彩色顯示器件，該元件具有不同的面積以顧及發(fā)光元件不同的發(fā)光效率和發(fā)光性的比率。Yamada所描述的概念可被應(yīng)用到本發(fā)明的顯示器件中。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，OLED器件的每個像素的子像素的有機EL介質(zhì)能通過多種方式產(chǎn)生不同有色光。例如，像素20的不同有色子像素可包括為每個子像素產(chǎn)生不同有色光，如分別為紅、綠、藍和白光的不同有機EL介質(zhì)。在另一實施例中，有機EL介質(zhì)通常可位于各種不同的有色子像素之間、并被設(shè)置用于產(chǎn)生白光，對應(yīng)于每個像素的每個四子像素之中的三個，子像素可進一步包括紅、綠、和藍色濾色鏡。
顯示器包括用于每個四子像素組的驅(qū)動電路。驅(qū)動電路相對于有機EL介質(zhì)設(shè)置，由此意味著驅(qū)動電路以這種方式設(shè)置，以即驅(qū)動四子像素組以期望的模式(pattern)或者方式發(fā)光。驅(qū)動電路可包括選擇線、數(shù)據(jù)線、電源線、晶體管和電容器。有源矩陣顯示器包括設(shè)置在襯底之上的驅(qū)動電路。
驅(qū)動電路包括為像素矩陣20單行所共享的單獨選擇線113。每行像素20包括其本身的選擇線113。第一和第二子像素20a和20b位于選擇線113一側(cè)而第三和第四子像素20c和20d位于選擇線113另一側(cè)。通過向行選擇線113施加電壓信號在任何給定的時間對像素20的一行進行尋址。當選定了行，那一行每個像素20的所有四個子像素20a、20b、20c和20d也被同時選定了。驅(qū)動電路進一步包括為像素矩陣每一列所共享的數(shù)據(jù)線112a、112b、112c和112d，并且數(shù)據(jù)線與與選擇線113近似成直角，它們被用來確定一行中每個子像素的亮度。像素20的每一列有四條數(shù)據(jù)線，每一四子像素組中每個子像素有一條數(shù)據(jù)線。這實現(xiàn)了在選定某一行時同時設(shè)定所有子像素20a、20b、20c和20d的亮度。驅(qū)動電路進一步包括每列像素的兩條電源線111a和111b。由于對于所有子像素電源線111a和111b通常都設(shè)定為相同的電壓，每條電源線可被設(shè)置提供每個像素20的兩個不同子像素的能源?？蓪⒆酉袼刂械膬蓚€20a和20c連接到第一電源線111a，另兩個子像素20b和20d連接到第二電源線111b。在所描述的實施例中，像素20矩陣的列共享兩條電源線111a和111b。在其它實施例中，也可以由像素20矩陣的行共享兩條電源線111a和111b。
每個子像素的驅(qū)動電路包括選擇晶體管120、存儲電容130、電源晶體管140、以及包括第一電極(未示出)及其連接件的電連接10，還包括為有機發(fā)光二極管的有機EL介質(zhì)310。第一選擇晶體管120的柵極(gate)與選擇線113相連且第二端子連接到數(shù)據(jù)線112a、112b、112c或112d之一，每個子像素具有獨立的數(shù)據(jù)線。選擇晶體管120的第三端子連接到電源晶體管140的柵極和存儲電容130的一側(cè)。存儲電容130用于在選擇線113沒有被激活的時候保持數(shù)據(jù)線電壓。存儲電容130的第二側(cè)連接到電容線(取決于子像素的第一電容線114a或者是第二電容線114b)。典型地，所有像素的所有電容線連接到一個公共電壓。電源晶體管140的其它端子在一側(cè)連接到第一電源線111a或者第二電源線111b，在另一側(cè)連接到相應(yīng)的子像素的有機EL介質(zhì)310。典型地，所有像素的所有電源線連接到一個公共電壓。有機EL元件的第二電極320通常對所有像素是通用的。在圖1中用二極管符號表示有機EL介質(zhì)310。
驅(qū)動電路以本領(lǐng)域所公知的方式運行。通過向選擇線113施加電壓信號選擇每行像素，這將開啟每個子像素的選擇晶體管120。通過電壓信號控制每個子像素的亮度水平，這是在數(shù)據(jù)線112a、112b、112c和112d上已經(jīng)設(shè)定了的。然后每個子像素的存儲電容130被充電到和子像素相連的數(shù)據(jù)線的電壓水平并且保持這個數(shù)據(jù)電壓直到下一個圖象幀中這一行被再次選中。存儲電容130連接到電源晶體管140的柵極，使得存儲電容130所保持的電壓水平調(diào)節(jié)通過電源晶體管140流到為有機發(fā)光二極管的有機EL介質(zhì)310中的電流從而控制亮度。然后通過向選擇線113施加電壓信號停止選擇每行，這將關(guān)斷選擇晶體管120。數(shù)據(jù)線112a、112b、112c和112d電壓隨后設(shè)定為下一行的期望水平并且開啟下一行的選擇線。每一行像素重復這個過程。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的上述第一實施例的布局圖。驅(qū)動電路元件利用通常的一體化(integrated)電路技術(shù)構(gòu)成。對于每個子像素，選擇晶體管120利用本領(lǐng)域所公知的技術(shù)由第一半導體區(qū)域121形成。相似地，電源晶體管140可形成在第二半導體區(qū)域141上。第一半導體區(qū)域121和第二半導體區(qū)域141通常形成于相同的半導體層內(nèi)。所述半導體層通常是可為無定形的、多晶的、或結(jié)晶的硅。第一半導體區(qū)域121也形成存儲電容130的一側(cè)。位于第一半導體區(qū)域121和第二半導體區(qū)域141之上的是絕緣層(未示出)，其形成選擇晶體管120的柵極絕緣體、電源晶體管140的柵極絕緣體、以及存儲電容130的絕緣層。選擇晶體管120的柵極由選擇線113的一部分形成，所述選擇線113形成于第一導電層內(nèi)。電源晶體管140具有也優(yōu)選形成在第一導電層內(nèi)獨立的電源晶體管柵極143。存儲電容130的其它電極形成電容線114a的一部分，所述電容線114a也優(yōu)選由第一導電層形成。第一和第二電源線111a和111b，以及第一、第二、第三和第四數(shù)據(jù)線112a、112b、112c和112d分別優(yōu)選形成于第二導電層內(nèi)。一條或者多條信號線(例如，選擇線113)常常橫穿過至少一條或者多條其它的信號線(例如，數(shù)據(jù)線112a)，這要求它們由具有至少一層中間絕緣層(未示出)的多層導電層構(gòu)成。為了將第一半導體區(qū)連接到特定的數(shù)據(jù)線，可以用另一數(shù)據(jù)線穿過。這就是如圖3所示的子像素20a和20b的情況。在這種情形下，可用導電橋124?？蓮牡谝粚щ妼有纬蓪щ姌颉τ诔晒崿F(xiàn)本發(fā)明以及對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)的將第一半導體區(qū)121通過數(shù)據(jù)線連接到另一數(shù)據(jù)線的其它實施例來說，不必一定采用導電橋。對于其它子像素，比如如圖3的20c和20d，不需要通過數(shù)據(jù)線，第一半導體區(qū)可以直接連接到適當數(shù)據(jù)線。經(jīng)在每個像素的第一電極181上構(gòu)圖并設(shè)置一層或者多層有機EL介質(zhì)(未示出)和第二電極(未示出)來形成有機EL元件。
具有導電橋的子像素通過在絕緣層內(nèi)蝕刻空穴(或者通路)形成層間連接，如連接第一半導體區(qū)121和導電橋124的第一電橋通路123、連接導電橋124和數(shù)據(jù)線112a的第二電橋通路125。對于不具有導電橋的像素，存在連接數(shù)據(jù)線112a和選擇晶體管120的第一半導體區(qū)121的第一通路122。其余通路包括連接電源晶體管柵極143和存儲電容130與選擇晶體管120的第一半導體區(qū)121的第二通路142、連接電源晶體管的第二半導體區(qū)141和電源線111a的第三通路146、以及連接電源晶體管的第二半導體區(qū)141和第一電極181的第四通路145。
圖3示出了沿著圖2所示X-X’線器件子像素20c所得的橫截面圖。本發(fā)明的OLED器件以及其中的子像素如圖所示通常設(shè)置在支撐襯底200之上。取決于光發(fā)射的預定方向，襯底可以是可透光的或者是不透光的。對于通過襯底觀察EL發(fā)射，要求透光的性能。這種情況通常使用透明玻璃或者塑料。對于通過頂部電極觀察EL發(fā)射的應(yīng)用，底部襯底的透光特性是不重要的，因此可以是透光的、吸收光的、或者反射光的。用于這種情況的襯底包括，玻璃、塑料、半導體材料、硅、陶瓷、以及電路板材料，但是并不局限于這些。
圖3示出了包括在每個子像素(例如20c)中的不同層以及分別隔開的第一和第二電極181和320的空間垂直分布。驅(qū)動電路100以本文中描述的方式設(shè)置在襯底200之上位于有機EL介質(zhì)310之下。在襯底200之上，形成半導體層211，摻雜并構(gòu)圖。在半導體層211之上形成柵極絕緣層212。在柵極絕緣層212之上，由第一導電層形成柵極導電體153。然后采用公知的方法摻雜半導體層211在柵極導電體153的兩側(cè)之一形成源極和漏極(drain)區(qū)。在柵極導電體153之上形成第一中間絕緣層213。在第一中間絕緣層213之上，設(shè)置第二導電層并構(gòu)圖從而形成第一電源線(如111a)和數(shù)據(jù)線(如112a和112b)。在電源和數(shù)據(jù)線(如111a、112a等等)上形成第二中間絕緣層214。在第二中間絕緣層214上形成子像素20c的第一電極181。第一電極181被構(gòu)圖。環(huán)繞第一電極181的邊緣，形成電極絕緣膜220以減少第一電極181和第二電極320之間的短路。用于第一電極181之上的這種電極絕緣膜已被US-A-6246179公開。雖然采用電極色緣膜220能夠獲得有益效果，對于成功實現(xiàn)本發(fā)明它也不是必須的。
通常最靠近襯底的電極稱為底部電極或者第一電極181。當通過第一電極181觀察EL發(fā)射的時候，第一電極應(yīng)該為透明或者對于所感興趣的發(fā)射是大體上透明的。用在本發(fā)明中通常的透明第一電極材料是銦-錫氧化物(indium-tin oxide，ITO)，銦-鋅氧化物(indium-zin oxide，IZO)以及氧化錫，但是其它金屬氧化物也能用，包括摻雜鋁-或者銦-的氧化鋅、鎂銦氧化物、以及鎳-鎢氧化物，但不限于此。除了這些氧化物之外，金屬氮化物如氮化鎵，和金屬硒化物如硒化鋅，還有金屬硫化物如硫化鋅，都可以用作第一電極181。對于只通過第二電極320觀察EL發(fā)射的應(yīng)用，第一電極181的透明特性就不重要了，可以采用任何導電材料，透明的、不透明的、或者反射型的。該應(yīng)用的導體的實例包括，金、銥、鉬、鈀以及鉑，但是并不局限于此。第一電極181通常被偏置為陽極，但本發(fā)明不限于這樣構(gòu)造。典型的陽極材料透明或者不透明的，具有4.1eV或者更大的功函。通常采用任意適當?shù)姆椒?，如蒸發(fā)、濺射、化學氣相沉積、或者電化學手段來沉積期望的第一電極材料。可以采用公知的光刻工藝對第一電極181構(gòu)圖。任選地，第一電極181可以在應(yīng)用其它層之前被磨光以減少表面粗糙程度，從而減少短路或者增強反射率。
有機EL介質(zhì)310設(shè)置在每個子像素各自的第一和第二電極、181和320之間。本領(lǐng)域中已知多種有機EL層結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)本發(fā)明。例如，有機EL介質(zhì)310可包括如空穴-注入層311、空穴-傳輸層312、發(fā)光層313、以及電子-傳輸層314。
雖然不總是必要，在第一電極181和空穴-傳輸層312之間提供空穴-注入層311經(jīng)常很有用?？昭?注入層311能夠有助于改進后續(xù)有機層成膜特性，并促進空穴向空穴傳輸層312的注入。用于空穴-注入層311中的適當?shù)牟牧习?，如US-A-4720432中描述的卟啉化合物，US-A-6127004、US-A-6208075、US-A-6208077中描述的等離子體沉積碳氟化合物聚合體，以及一些芳族胺如m-MTDATA(4，4’，4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]-三苯基胺)，但是并不局限于此。有機EL器件可選擇的空穴注入材料在EP0891121A1和EP1029909A1中已有描述。
空穴傳輸層312包括至少一種空穴傳輸化合物如芳香族叔胺，后者可理解是包含至少一個三價氮原子的化合物，所述氮原子只和碳原子結(jié)合，至少所述碳原子之一參與形成芳環(huán)。在一種形式中芳香族叔胺可為芳基胺，如單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺、或者多芳基胺。示范的單體三芳基胺在Klupfel和其他人的US-A-3180730中已經(jīng)被說明。其它合適的被一個或者多個乙烯基和/或包括至少一個含活性氫的基團取代的三芳胺在Brantley和其他人的US-A-3567450以及US-A-3658520中被公開。
更優(yōu)選的一類芳香族叔胺是在US-A-4720432以及US-A-5061569中描述的那些包括至少兩個芳香族叔胺部分?？昭▊鬏攲?12能夠由芳香族叔胺化合物單獨或者及混合物形成。可用的芳香族叔胺的舉例說明如下1，1-雙(4-二-p-甲苯基胺基苯基)環(huán)己烷1，1-雙(4-二-p-甲苯基胺基苯基)-4-苯基環(huán)己烷4，4’-雙(二苯基氨基)四苯基雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)-甲苯N，N，N-三(p-甲苯基)胺4-(二-p-甲苯基氨基)-4’[4(二-p-甲苯基氨基)-苯乙烯基]茋N，N，N’，N’-四-p-甲苯基-4-4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四苯基-4-4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四-1-萘基-4-4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四-2-萘基-4-4’-二氨基聯(lián)苯N-苯基咔唑4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]聯(lián)苯4，4”-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]p-三聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯
4，4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯1，5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘4，4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4”-雙[N-(1-基基)-N-苯基氨基]-p-三聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-并四苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(1-蒄基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯2，6-雙(二-p-甲苯基氨基)萘2，6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘2，6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘N，N，N’，N’-四(2-萘基)-4，4”-二氨基-p-三聯(lián)苯4，4’-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}聯(lián)苯4，4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯2，6-雙[N，N-二(2-萘基)胺]芴1，5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘4，4’，4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺可用的另一類空穴傳輸材料包括如EP1009041中所描述的多環(huán)芳香族化合物。可以采用包含低聚材料的具有兩個以上胺基的芳香族叔胺。此外，可采用聚合空穴傳輸材料，如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、以及共聚物，如聚(3，4-乙烯基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)也稱作PEDOT/PSS.
如在US-A-4769292和US-A-5935721中更加充分說明的，子像素20c的發(fā)光層(LEL)313包括發(fā)光或者熒光材料，在這些區(qū)域中電子空穴對的重新結(jié)合(recombination)產(chǎn)生電致發(fā)光，產(chǎn)生光線340。所示出的光線340對應(yīng)于底部發(fā)光器件，可以理解，在其它的實施例中子像素20c可以是頂部發(fā)光器件。發(fā)光層313可由單一材料構(gòu)成，但是更常用的是由摻雜了一種或多種輔助化合物的主料構(gòu)成，其中主要由摻雜劑發(fā)光并且可以發(fā)出任何色彩的光。發(fā)光層313中的主料可以是如后面所定義的電子傳輸材料、如前面所列舉的空穴一傳輸材料、或者是其它支持空穴電子重新結(jié)合的材料或者這些材料的組合。摻雜劑通常選自強熒光染料，但是如WO98/55561、WO00/18851、WO00/57676、以及WO00/70655中所描述的過渡金屬元素絡(luò)合物這樣的磷光化合物也可以被采用。摻雜劑通常以0.01到10％的重量比涂覆到主料中。聚合材料如聚芴和聚乙烯基亞芳基(polyvinylarylenes)，例如聚(p-亞苯基亞乙烯基)、PPV，也能夠用作主料。在這種情況下，微細的分子摻雜劑可以以分子形式擴散到聚合物主料之中，或者通過將微量的成分共聚到主料聚合體中添加摻雜劑。
選擇染料作為摻雜劑一個重要的關(guān)系是比較定義為分子中最高占用分子軌道與最低占用分子軌道之間能量差的能帶隙電勢。對于從主料到摻雜劑分子有效的能量傳輸，必要的條件是摻雜劑的能帶隙小于主料的能帶隙。對于磷光發(fā)射器，主料的主體三重能量(triplet energy)水平要足夠高也是很重要的，從而使得可從主料向摻雜劑進行能量傳輸。
已知可用的主料和發(fā)光分子包括下列文獻中所公開的那些材料，文獻如下US-A-4768292；US-A-5141671；US-A-5150006；US-A-5151629；US-A-5405709；US-A-5484922；US-A-5593788；US-A-5645948；US-A-5683823；US-A-5755999；US-A-5928802；US-A-5935720；US-A-5935721；以及US-A-6020078，但不限于此。
8-羥基喹啉(喔星(oxine))的金屬絡(luò)合物以及類似衍生物組成了一類能夠用于支持電致發(fā)光的主料化合物。下面舉例說明所用的螯合喔星化合物CO-1三喔星鋁[別名，三(8-羥基喹啉合)鋁(III)]CO-2雙喔星鎂[別名，二(8-羥基喹啉合)鎂(II)]CO-3雙[苯并{f}-8-羥基喹啉合]鋅(II)CO-4雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(III)-μ-氧基-雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(III)CO-5三喔星銦[別名，三(8-羥基喹啉合)銦]CO-6三(5-甲基喔星)鋁[別名，三(5-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(III)]CO-7喔星鋰[別名，(8-羥基喹啉合)鋰(I)]CO-8喔星鎵[別名，三(8-羥基喹啉合)鎵(III)]CO-9喔星鋯[別名，四(8-羥基喹啉合)鋯(IV)]其它可用的主體材料包括，但是并不局限于此，如US-A-5935721中所描述的蒽的衍生物，如9，10-二-(2-萘基)蒽及其衍生物，US-A-5121029中所描述的二苯乙烯基亞芳基衍生物，以及吲哚衍生物，例如2，2’，2”-(1，3，5-亞苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]。咔唑衍生物特別適于用作磷光發(fā)射器的主體。
所采用的熒光摻雜劑包括，但是并不局限于此，蒽、并四苯、呫噸、苝、紅熒烯、香豆素、玫瑰精和喹吖啶酮的衍生物，二氰基亞甲基吡喃化合物，噻喃化合物，聚甲炔化合物，吡納鎓(pyrilium)和噻納鎓(thiapyrilium)化合物，芴衍生物，periflanthene衍生物，茚并苝衍生物，雙(吖嗪)胺硼化合物，雙(吖嗪)甲烷化合物，以及羰基乙烯基化合物。
用于形成本發(fā)明有機EL元件的電子傳輸層314的優(yōu)選薄膜形成材料是金屬螯合喔星化合物，包括喔星本身的螯合物(也通常稱作8-羥喹啉或者8-羥基喹啉)。這些化合物有助于注入和傳輸電子，顯示出高水平的性能，以及很容易形成薄膜。示例性的喔星化合物列于前面。
其它的電子傳輸材料包括如在US-A-4356429中公開的多種丁二烯衍生物以及在US-A-4539507中描述的多種雜環(huán)光學光亮劑。吲哚和三嗪也是可用的電子傳輸材料。
第二電極320通常偏置為陰極。當只通過襯底200觀察光發(fā)射時，本發(fā)明所用的第二電極320幾乎可以由任何導電材料構(gòu)成。所期望的材料要具有良好的成膜性從而確保與下面的有機層良好接觸，促進在低電壓下的電子注入，以及具有良好的穩(wěn)定性?？捎玫年帢O材料通常包括低功函金屬(＜4.0eV)或者金屬合金。如US-A-4885221中所描述，一種優(yōu)選的陰極材料是由Mg∶Ag組成的合金，其中銀的百分比在1到20％的范圍內(nèi)。另一類適合的陰極材料包括具有與有機層(例如，電子傳輸層314)相接觸的薄的電子注入層(EIL)的雙分子層，所述有機層上敷設(shè)著較厚的導電金屬層。這里，EIL優(yōu)選包括低功函金屬或者金屬鹽，且若是這樣，較厚的敷設(shè)(capping)層不必具有低的功函。如US-A-5677572所描述的一個這樣的陰極包括LiF薄層以及緊挨著其的較厚的Al層。其它可采用的陰極材料組還包括那些在US-A-5059861、US-A-5059862、以及US-A-6140763中公開的那些材料，但是不局限于此。
當通過第二電極320觀察光發(fā)射的時候，第二電極320必須是透明的或者是接近透明。為了實現(xiàn)這個，金屬必須很薄或者金屬必須采用透明的導電氧化物，或者是這些材料的組合。光學透明電極已經(jīng)更加詳細的被以下文獻所描述US-A-4885211；US-A-5247190；JP3234963；US-A-5703436；US-A-5608287；US-A-5837391；US-A-5677572；US-A-5776622；US-A-5776623；US-A-5714838；US-A-5969474；US-A-5739545；US-A-5981306；US-A-6137223；US-A-6140763；US-A-6172459；EP076368；以及US-A-6278236和US-A-6284393。用于第二電極320的材料典型地通過蒸發(fā)、濺射、或者化學氣相沉積來沉積。
在一些實例中，可以任選地用一個能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光和電子傳輸功能的單層來代替發(fā)光層313和電子傳輸層314。本領(lǐng)域中也已經(jīng)公知發(fā)光摻雜劑問被添加到作為主料的空穴傳輸層312中。多種摻雜劑能夠被添加到一層或者多層之中，以制造白色發(fā)光OLED，如通過混合藍色和黃色發(fā)光材料，青色和紅色發(fā)光材料，或者紅色、綠色和藍色發(fā)光材料。白色發(fā)光器件在例如EP1187235、EP1182244、US-A-5683823、US-A-5503910、US-A-5405709以及US-A-5283182中已經(jīng)有所說明。
如本領(lǐng)域中已知的電子或者空穴封閉(blocking)層的附加層也可用于本發(fā)明中。空穴封閉層通常用于改善磷光發(fā)射器件的效率。
上述有機材料適于通過氣相法如升華來沉積，但是也可以由液體沉積，例如，由添加了任選的粘合劑以改進成膜性的溶劑中沉積。如果材料是聚合體，采用溶劑沉積很有效，但是也可以采用其它的方法，如濺射或者從供體薄片熱轉(zhuǎn)移。
例如在US-A-6237529中所描述的，通過升華沉積的材料能夠從通常由鉭材料組成的蒸發(fā)器“舟皿(boat)”上蒸發(fā)，或者能夠首先被涂覆到供體薄片，然后幾乎貼近于襯底而升華?；旌喜牧蠈涌衫锚毩⒌恼舭l(fā)器舟皿，或者可將材料預先混合并從單獨的舟皿或者供體薄片進行涂覆。采用蔭罩板、整體蔭罩板(US-A-5294870)、從供體薄片轉(zhuǎn)移而來的空間定義(spatially-defined)的熱染料(US-A-5688551、US-A-5851709以及US-A-6066357)以及“噴墨”法(US-A-6066357)能夠?qū)崿F(xiàn)被構(gòu)圖的沉積。
絕大部分OLED器件對潮氣或者氧氣、或者上述兩者敏感，因此通常將它們連同干燥劑密閉在惰性氣體如氮氣或者氬氣之中，干燥劑如氧化鋁、礬土、硫酸鈣、粘土、硅膠、沸石、堿性金屬氧化物、堿土金屬氧化物、硫酸鹽、或者金屬鹵化物和高氯酸鹽。封裝和干燥的方法包括那些在US-A-6226890中所描述的方法，但是并不局限于此。此外，在本領(lǐng)域中阻擋層如SiOX、Teflon、以及可選擇的無機/聚合層用于封裝是公知的。
如果需要，本發(fā)明的OLED器件能夠應(yīng)用多種公知的光學作用，以增強它的特性。這包括，但是并不局限于此，優(yōu)化層厚度以獲得最大光傳輸，提供絕緣鏡結(jié)構(gòu)，用光吸收電極取代光反射電極，在顯示器上提供抗閃爍或者抗反射涂層，在顯示器之上提供極化介質(zhì)，或者在顯示器上提供彩色、中灰、或者色彩轉(zhuǎn)化濾色鏡。
一個實例采用了白色發(fā)光有機EL材料，該材料涂覆在整個像素矩陣區(qū)域并利用彩色濾色鏡矩陣被濾過成為紅、綠、和藍色子像素。然后剩下沒有被濾光的白色子像素。該實施例中應(yīng)用了在EP1187235中指出的常規(guī)的有機EL層結(jié)構(gòu)，其包括空穴注入層311、摻入黃色發(fā)光材料如紅熒烯(rnbrene)的空穴傳輸層312、摻入藍色發(fā)光材料如“2，5，8，11-四-叔-丁基苝”(TBP)的發(fā)光層313、以及電子傳輸層314。設(shè)置在有機EL層之上的是第二電極320。第二電極320普遍存在于所有像素中并且不需要精密定位以及構(gòu)圖。當需要時，彩色濾色鏡以濾過白色光的方式設(shè)置使得通過子像素所期望的色光。對于頂部發(fā)光器件將把彩色濾色鏡設(shè)置在第二電極320之上。對于底部發(fā)光器件將把彩色濾色鏡設(shè)置在第一電極181之下。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所布置的電路圖。每一四子像素組的驅(qū)動電路包括四條數(shù)據(jù)線112a、112b、112c、以及112d，一條電源線111，以及一條選擇線113。此實施例中，正如第一實施例中，像素矩陣的每相應(yīng)行共享選擇線113，且選擇線設(shè)置成，第一和第二子像素20a和20b位于選擇線113的一側(cè)，而第三和第四子像素20c和20d位于選擇線的另一側(cè)。該實施例包括像素矩陣每一列所共享的四條數(shù)據(jù)線112a、112b、112c、以及112d，即，一條數(shù)據(jù)線對應(yīng)同一列中給定顏色的所有子像素。每列像素包括單條電源線111，它被設(shè)置成使得第一和第三子像素20a和20c位于電源線111的一側(cè)，而第二和第四子像素20b和20d位于其另一側(cè)。應(yīng)該理解電源線111能夠被代之以像素行的方向形成，應(yīng)該理解這種取向也落入本發(fā)明的范圍。為了提供每行像素單條電源線111，第二和第四子像素20b和20d的驅(qū)動電路100部件(選擇晶體管120，存儲電容130，電源晶體管140)的布圖是相對于第一和第三子像素20a和20c的布圖轉(zhuǎn)化而來。所述器件以與如圖1所示器件相同的方式工作。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的上述第二實施例的布局圖?？梢钥闯鰹榱耸褂脝螚l電源線111，第二和第四子像素20b和20d的驅(qū)動電路100部件的布圖是相對于第一和第三像素20a和20c的布圖轉(zhuǎn)化而來。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例所布置的電路圖。每一四子像素組的驅(qū)動電路包括兩條數(shù)據(jù)線112a、112b，兩條電源線111a和111b，以及兩條選擇線113a和113b。此實施例中，像素矩陣的每一行共享兩條選擇線(第一和第二選擇線113a和113b)，且每條選擇線設(shè)置成激活每個像素的兩個不同的子像素。第一選擇線113a激活第一和第二子像素20a和20b，而第二選擇線113b激活第三和第四子像素20c和20d。該結(jié)構(gòu)相較于附圖1和4中的四條數(shù)據(jù)線的情況，實現(xiàn)了每列像素只通過兩條由像素矩陣的每一列所共享的數(shù)據(jù)線(第一和第二數(shù)據(jù)線112a和112b)而進行操作。如圖1，有兩條電源線，第一電源線111a與第一和第二子像素20a和20b連接，而第二電源線111b與第三和第四子像素20c和20d連接。
根據(jù)本發(fā)明該實施例的驅(qū)動電路如圖1實施例已經(jīng)描述過的一樣進行工作，除了每行像素20必須通過兩步進行選擇。在數(shù)據(jù)線112a和112b上設(shè)定電壓信號之后，第一選擇線113a激活子像素20a和20b，電壓信號從第一和第二數(shù)據(jù)線112a和112b分別加載到第一和第二子像素20a和20b的存儲電容上。在數(shù)據(jù)線上設(shè)定新的電壓之后，第二選擇線113b跟著激活子像素20c和20d，且電壓信號從數(shù)據(jù)線112a和112b分別加載到第三和第四子像素20c和20d的存儲電容上。此過程對于每行像素重復進行。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的上述第三實施例的布局圖?？梢钥闯鲎酉袼?0a和20b的晶體管和電容元件是相對于圖2中同樣的子像素轉(zhuǎn)化而來的，從而有助于應(yīng)用兩條選擇線113a和113b。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例所布置的電路圖。每一四子像素組的驅(qū)動電路包括兩條數(shù)據(jù)線112a、112b，一條電源線111，以及兩條選擇線113a和113b。正如在前的實施例，像素矩陣20的每一行共享兩條選擇線(第一和第二選擇線113a和113b)，且每條選擇線設(shè)置成激活每個像素的兩個不同的子像素。第一選擇線113a激活第一和第二子像素20a和20b，而第二選擇線113b激活第三和第四子像素20c和20d。該結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了每個像素只通過兩條由像素20矩陣的每一列所共享的數(shù)據(jù)線(第一和第二數(shù)據(jù)線112a和112b)而進行操作。如圖4中的實施例，每列像素20包括僅僅單條的電源線111，其設(shè)置成第一和第三子像素20a和20c位于其一側(cè)，而第二和第四子像素20b和20d位于其另一側(cè)。為了提供每列像素的單條電源線111，第二和第四子像素20b和20d的驅(qū)動電路100部件(選擇晶體管120，存儲電容130，電源晶體管140)的布圖是相對于第一和第三子像素20a和20c的布圖轉(zhuǎn)化而來的。該結(jié)構(gòu)實現(xiàn)這里所描述的實施例的電路和連接線的最小總表面區(qū)。根據(jù)本實施例的器件以與如圖6所示器件相同的模式工作，即，每行像素20必須以兩步進行選擇。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明的上述第四實施例的布局圖?？梢钥闯龅诙偷谒淖酉袼?0b和20d的晶體管和電容元件的布圖是相對于第一和第三子像素20a和20c的布圖轉(zhuǎn)化而來的，以利用單條電源線111。
盡管本文參照有源矩陣驅(qū)動電路特定的結(jié)構(gòu)以及像素設(shè)計描述了不同的實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員也能夠?qū)⒈绢I(lǐng)域所公知的常規(guī)電路的幾種替換方案應(yīng)用于本發(fā)明。例如，US-A-5550066中的一種變形就是將電容代替隔開的電容線直接連接到電源線。US-A-6476419中的一種變形采用了直接設(shè)置在彼此之上的兩個電容器，其中第一電容器制造成位于半導體層211和形成柵極導電體153的柵極導電層之間，第二電容器制造成位于柵極導電層和形成電源線111和數(shù)據(jù)線112a的第二導電層之間，等等。
雖然本文所描述的驅(qū)動電路需要選擇晶體管和電源晶體管，但是本領(lǐng)域也已經(jīng)公知這些晶體管設(shè)計的幾種替換方案。例如，已知單一和多柵極型晶體管并且在現(xiàn)有技術(shù)中其已經(jīng)被用作選擇晶體管。單柵極晶體管包括柵極、源極和漏極。
US-A-6429599中給出了應(yīng)用單柵極型晶體管作為選擇晶體管的實例。多柵極晶體管包括至少兩個電連接在一起的柵極，還有源極、漏極以及至少一個位于柵極之間的源-漏極中間介質(zhì)。US-A-6476419中給出了應(yīng)用多柵極型晶體管作為選擇晶體管的實例。這類晶體管能夠在電路中表示為單個晶體管或者兩個或更多串聯(lián)在一起的晶體管，其中并聯(lián)方式為柵極彼此連接，一個晶體管的源極直接連接到另一晶體管的漏極。盡管這些設(shè)計的性能不盡相同，但是兩類晶體管都在電路中起到相同的作用，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將其中任一種類型應(yīng)用于本發(fā)明之中。
所示出的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的實例在電路示意圖中(圖1、圖4、圖6和圖8中)用一個晶體管符號表示選用的多柵極型選擇晶體管120(在圖2、圖5、圖7和圖9中)。
本領(lǐng)域中也已公知的是采用多級并聯(lián)晶體管，它通常用于電源晶體管140。
US-A-6501448中描述了多級并聯(lián)晶體管。由兩個或更多個源極、漏極、柵極分別彼此相連的晶體管構(gòu)成多級并聯(lián)晶體管。多級晶體管在像素中被區(qū)隔開以提供流過電流的多級并聯(lián)路徑。采用多級并聯(lián)晶體管具有提供了在半導體層制造工藝中的抗可變形和故障的穩(wěn)固性的優(yōu)點。盡管本發(fā)明的多個實施例中所描述的電源晶體管是單晶體管，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員也能夠采用多級并聯(lián)晶體管，并且可以理解這也是落入本發(fā)明的保護范圍的。
盡管已經(jīng)用特定結(jié)構(gòu)的材料描述了不同的實施例，但是還有本領(lǐng)域中已知的能夠成功實現(xiàn)本發(fā)明的一些材料的替換方案。雖然可以利用帶有彩色濾色鏡矩陣的白色發(fā)光有機EL材料獲得四子像素器件，但是也可以采用四種不同的有機EL結(jié)構(gòu)獲得四種顏色，所述的不同的有機EL結(jié)構(gòu)獨立地在子像素上構(gòu)圖形成。
本發(fā)明的其它特征包括以下內(nèi)容。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的每個子像素的有機EL介質(zhì)產(chǎn)生不同顏色的光。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的子像素分別產(chǎn)生紅、綠、藍、和白光。
四色有機發(fā)光器件，其中驅(qū)動電路設(shè)置在襯底之上并位于有機EL介質(zhì)之下。
四色有機發(fā)光器件，其中每條電源線安排成向每個像素的兩個不同的子像素供電。
四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的列共享一條電源線。
四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的行共享一條電源線。
四色有機發(fā)光器件，其中每個子像素的驅(qū)動電路包括至少兩個晶體管和一個電容器。
四色有機發(fā)光器件，其中有機EL介質(zhì)被安排成產(chǎn)生白色光并且進一步包括對應(yīng)于每個像素的每四個子像素的其中三個的紅、綠以及藍色濾色鏡。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的每個子像素的有機EL介質(zhì)產(chǎn)生不同顏色的光。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的子像素分別產(chǎn)生紅、綠、藍、和白光。
四色有機發(fā)光器件，其中驅(qū)動電路設(shè)置在襯底之上并位于有機EL介質(zhì)之下。
四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的列共享兩條電源線。
四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的行共享兩條電源線。
四色有機發(fā)光器件，其中每個子像素的驅(qū)動電路包括至少兩個晶體管和一個電容器。
四色有機發(fā)光器件，其中有機EL介質(zhì)被安排成產(chǎn)生白色光并且進一步包括對應(yīng)于每個像素的每四個子像素的其中三個的紅、綠以及藍色濾色鏡。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的每個子像素的有機EL介質(zhì)產(chǎn)生不同顏色的光。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的子像素分別產(chǎn)生紅、綠、藍、和白光。
四色有機發(fā)光器件，其中驅(qū)動電路設(shè)置在襯底之上并位于有機EL介質(zhì)之下。
四色有機發(fā)光器件，其中每條選擇線安排成激活毎個像素的兩個不同的子像素。
四色有機發(fā)光器件，其中每條電源線安排成向每個像素的兩個不同的子像素供電。
四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的列共享電源線。
四色有機發(fā)光器件，其中有機EL介質(zhì)被安排成產(chǎn)生白色光并且進一步包括對應(yīng)于每個像素的每四個子像素的其中三個的紅、綠以及藍色濾色鏡。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的每個子像素的有機EL介質(zhì)產(chǎn)生不同顏色的光。
四色有機發(fā)光器件，其中每個像素的子像素分別產(chǎn)生紅、綠、藍、和白光。
四色有機發(fā)光器件，其中驅(qū)動電路設(shè)置在襯底之上并位于有機EL介質(zhì)之下。
四色有機發(fā)光器件，其中每條選擇線安排成激活每個像素的兩個不同的子像素。
權(quán)利要求
1.具有發(fā)光像素的四色有機發(fā)光器件，包括a)襯底；b)排列成行和列的像素，且每個像素包括設(shè)置在襯底上的四子像素組，其中每個子像素包括分別隔開的第一和第二電極；c)有機EL介質(zhì)，其設(shè)置在每個子像素的第一和第二電極之間；d)驅(qū)動電路，其相對于襯底之上的有機EL介質(zhì)設(shè)置并排列以驅(qū)動每個四子像素組，對應(yīng)于每個子像素具有連于第一電極的電連接，以及其中e)每個四子像素組的驅(qū)動電路包括四條數(shù)據(jù)線，兩條電源線，以及一條選擇線，所述的四條數(shù)據(jù)線被像素矩陣的每一列共享，所述的選擇線被像素矩陣的每一行共享。
2.如權(quán)利要求1所述的四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的列共享兩條電源線。
3.如權(quán)利要求1所述的四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的行共享兩條電源線。
4.如權(quán)利要求1所述的四色有機發(fā)光器件，其中驅(qū)動電路對應(yīng)每個子像素包括至少兩個晶體管和一個電容器。
5.如權(quán)利要求1所述的四色有機發(fā)光器件，其中有機EL介質(zhì)被安排成產(chǎn)生白色光，且進一步包括相應(yīng)于每個像素的每個四子像素之中三個的紅、綠、和藍色濾色鏡。
6.具有發(fā)光像素的四色有機發(fā)光器件，包括a)襯底；b)排列成行和列的像素，且每個像素包括設(shè)置在襯底上的四子像素組，其中每個子像素包括分別隔開的第一和第二電極；c)有機EL介質(zhì)，其設(shè)置在每個子像素的第一和第二電極之間；d)驅(qū)動電路，其相對于襯底之上的有機EL介質(zhì)設(shè)置并排列以驅(qū)動每個四子像素組，對應(yīng)于每個子像素具有連于第一電極的電連接，以及其中e)每個四子像素組的驅(qū)動電路包括四條數(shù)據(jù)線，一條電源線，以及一條選擇線，所述的四條數(shù)據(jù)線被像素矩陣的每一列共享，所述的選擇線被像素矩陣的每一行共享。
7.具有發(fā)光像素的四色有機發(fā)光器件，包括a)襯底；b)排列成行和列的像素，且每個像素包括設(shè)置在襯底上的四子像素組，其中每個子像素包括分別隔開的第一和第二電極；c)有機EL介質(zhì)，其設(shè)置在每個子像素的第一和第二電極之間；d)驅(qū)動電路，其相對于襯底之上的有機EL介質(zhì)設(shè)置并排列以驅(qū)動每個四子像素組，對應(yīng)于每個子像素具有連于第一電極的電連接，以及其中e)每個四子像素組的驅(qū)動電路包括兩條數(shù)據(jù)線，兩條電源線，以及兩條選擇線，所述的兩條數(shù)據(jù)線被像素矩陣的每一列共享，所述的選擇線被像素矩陣的每一行共享。
8.具有發(fā)光像素的四色有機發(fā)光器件，包括a)襯底；b)排列成行和列的像素，且每個像素包括設(shè)置在襯底上的四子像素組，其中每個子像素包括分別隔開的第一和第二電極；c)有機EL介質(zhì)，其設(shè)置在每個子像素的第一和第二電極之間；d)驅(qū)動電路，其相對于襯底之上的有機EL介質(zhì)設(shè)置并排列以驅(qū)動每個四子像素組，對應(yīng)于每個子像素具有連于第一電極的電連接，以及其中e)每個四子像素組的驅(qū)動電路包括兩條數(shù)據(jù)線，一條電源線，以及兩條選擇線，所述的兩條數(shù)據(jù)線被像素矩陣的每一列共享，所述的選擇線被像素矩陣的每一行共享。
9.如權(quán)利要求8所述的四色有機發(fā)光器件，其中像素矩陣的行共享電源線。
10.如權(quán)利要求8所述的四色有機發(fā)光器件，其中驅(qū)動電路對應(yīng)每個子像素包括至少兩個晶體管和一個電容器。
全文摘要
一種具有發(fā)光像素的四色有機發(fā)光器件，包括襯底；排列成行和列的像素，且每個像素包括設(shè)置在襯底上的四子像素組，其中每個子像素包括分別隔開的第一和第二電極；以及有機EL介質(zhì)，其設(shè)置在每個子像素的第一和第二電極之間。器件還包括驅(qū)動電路，其相對于襯底之上的有機EL介質(zhì)設(shè)置并排列以驅(qū)動每個四子像素組，其對應(yīng)于每個子像素具有和第一電極的電連接，以及其中每個四子像素組的驅(qū)動電路包括四條數(shù)據(jù)線、兩條電源線、以及一條選擇線，所述的四條數(shù)據(jù)線被像素矩陣的每一列共享，所述的選擇線被像素矩陣的每一行共享。
文檔編號H05B33/08GK1551079SQ20041003870
公開日2004年12月1日 申請日期2004年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月30日
發(fā)明者D·溫特爾斯, D 溫特爾斯 申請人:伊斯曼柯達公司