專利名稱:有機(jī)el元件和有機(jī)el顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及有機(jī)EL元件和有機(jī)EL顯示面板。
背景技術(shù):
在各種信息產(chǎn)業(yè)設(shè)備的顯示器和發(fā)光元件等中,有機(jī)電致發(fā)光元件(以下簡稱有機(jī)EL元件)因其薄型化、可視性和耐沖擊性等都好,故被廣泛使用。有機(jī)EL元件具有形成在支持襯底上夾在一對電極中間的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。有機(jī)層通過將多個(gè)功能不同的層層疊后形成,例如,其構(gòu)成包含空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層。
在該有機(jī)EL元件中,當(dāng)從元件的外部向內(nèi)部侵入水份、氧氣和各種氣體等劣化因素時(shí),有機(jī)層性能變差,由此,產(chǎn)生稱之為黑點(diǎn)(darkspot)的非發(fā)光區(qū)。因此,過去,利用密封罐(a sealing can)或密封襯底將有機(jī)EL元件密封。但是,當(dāng)利用由密封罐或密封襯底密封后的有機(jī)EL元件來構(gòu)成有機(jī)EL顯示面板時(shí),因包含密封襯底的厚度而使面板厚度變厚,故妨礙薄型化。
例如,若在支持襯底上形成有機(jī)層再形成有機(jī)EL元件并且用密封襯底將該元件密封來構(gòu)成有機(jī)EL顯示面板,則因?yàn)橛袡C(jī)層的厚度很薄,約為0.2μm,所以對面板的厚度沒有影響,因此,面板的厚度由支持襯底和密封襯底的厚度決定。因支持襯底和密封襯底的厚度約為0.7mm,故這種結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示面板的厚度約為1.4mm。這里,因要求有機(jī)EL顯示面板薄型化,故有必要使有機(jī)EL顯示面板進(jìn)一步變薄。
作為使有機(jī)EL顯示面板薄型化的結(jié)構(gòu),有取代密封罐和密封襯底而利用密封膜將有機(jī)EL元件密封的結(jié)構(gòu)。例如,當(dāng)形成厚度約5μm的密封膜將有機(jī)EL元件密封時(shí),密封膜的厚度對由該有機(jī)EL元件構(gòu)成的有機(jī)EL顯示面板的厚度沒有影響,因此面板的厚度由支持襯底的厚度決定。因此,例如,若支持襯底的厚度約為0.7mm,則有機(jī)EL顯示面板的厚度約為0.7mm。
此外,當(dāng)由密封膜密封時(shí),與用密封罐或密封襯底密封的情況相比,進(jìn)而可以得到下述有利的效果。即,當(dāng)使用密封罐或密封襯底密封有機(jī)EL元件時(shí),在從和支持襯底相反的一側(cè)(即密封側(cè))光射出的頂部放射型的有機(jī)EL元件中,密封罐或密封襯底的光的折射率對光的射出有影響,且難以控制,而利用密封膜密封有機(jī)EL元件時(shí),容易控制光射出側(cè)的密封膜的折射率。因此,可以有效地進(jìn)行光的射出。
在利用密封膜密封有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)中,使密封膜成為多層結(jié)構(gòu)。例如,由包含將有機(jī)EL元件的凹凸部覆蓋的緩沖層和在該緩沖層上層疊的阻擋層的2層或以上層構(gòu)成密封膜(例如,特開平10-312883號公報(bào))。
該密封膜通過濺射法等方法成膜,這樣成膜的密封膜的膜厚要做厚較困難。因此,由于難以形成沒有針眼等缺陷的密封膜,所以,通過該缺陷從外部向有機(jī)EL元件侵入水份、氧氣和各種氣體等劣化因素。通過從外部侵入這樣的劣化因素,而使構(gòu)成有機(jī)EL元件的有機(jī)層劣化,結(jié)果,引起黑點(diǎn)的產(chǎn)生等而使元件特性劣化。
具體地說,在利用濺射形成密封膜時(shí),因成膜時(shí)有時(shí)候異物和濺射材料一起附著在有機(jī)EL元件的表面上,故在成膜的密封膜上附著異物。而且,當(dāng)該異物從密封膜剝離時(shí),在異物剝離的部分上形成孔、即針眼。當(dāng)在膜厚薄的密封膜上形成這樣的針眼時(shí),因有機(jī)EL元件通過針眼與外部連通,故劣化因素從針眼侵入有機(jī)EL元件的內(nèi)部。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的有機(jī)EL元件具有形成在襯底上配設(shè)的對置的一對電極之間至少包含發(fā)光層的有機(jī)層的元件襯底,且用密封層將上述元件襯底的表面覆蓋,其特征在于上述密封層包含在規(guī)定的環(huán)境下顯示體積變化的自修復(fù)層。
本發(fā)明的有機(jī)EL顯示面板由有機(jī)EL元件構(gòu)成,上述有機(jī)EL元件具有形成在襯底上配設(shè)的對置的一對電極之間至少包含發(fā)光層的有機(jī)層的元件襯底,且用密封層將上述元件襯底的表面覆蓋,其特征在于上述有機(jī)EL元件的上述密封層包含在規(guī)定的環(huán)境下顯示體積變化的自修復(fù)層。
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的示意性剖面圖。
圖2是用來說明圖1的有機(jī)EL元件的密封膜中自修復(fù)層的自修復(fù)動(dòng)作的示意性局部剖面圖。
圖3是用來說明圖1的有機(jī)EL元件的密封膜中自修復(fù)層的自修復(fù)動(dòng)作的示意性局部剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板的構(gòu)成的示意性剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面,詳細(xì)說明本發(fā)明的有機(jī)EL元件和有機(jī)EL顯示面板的最佳
(實(shí)施方式1)本發(fā)明的實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件具有形成在襯底上配設(shè)的對置的一對電極之間至少包含發(fā)光層的有機(jī)層的元件襯底,且用密封層將該元件襯底的表面覆蓋,其中,密封層具有在規(guī)定的環(huán)境下顯示體積變化的層。
這里,本實(shí)施方式的顯示該體積變化的層具體地說是由在規(guī)定的環(huán)境下顯示可塑性的材料構(gòu)成的層。當(dāng)將該層的規(guī)定的部分局部置于該規(guī)定的環(huán)境中時(shí),構(gòu)成該部分的材料局部呈現(xiàn)可塑性從而形狀變化。而且,伴隨這樣的形狀變化,該層的體積也發(fā)生變化。
例如,本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件具有在支持襯底上形成下部電極、至少包含發(fā)光層的有機(jī)層和上部電極的結(jié)構(gòu)的元件襯底,用密封層將該元件襯底的表面覆蓋、密封。密封層厚度很薄形成薄膜(即密封膜)。而且,該密封層具有在規(guī)定的環(huán)境下、具體地說在與水、氧氣和有機(jī)成分等劣化因素接觸的環(huán)境下顯示體積變化的層。
例如,當(dāng)劣化因素從密封層中形成的缺陷部分侵入再與該顯示體積變化的層接觸時(shí),該層與劣化因素接觸的部分顯示體積變化再將缺陷部分覆蓋。即,該層在與從缺陷部分侵入的劣化因素接觸的環(huán)境下具有修復(fù)該缺陷部分的功能。以下,將具有這樣的功能的層稱作自修復(fù)層。
若按照具有該自修復(fù)層的本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件,即使密封層中產(chǎn)生針眼等缺陷,自修復(fù)層通過與從該缺陷部分侵入的劣化因素的接觸而使其形狀變化,通過填補(bǔ)該缺陷部分的空間對該缺陷部分進(jìn)行自修復(fù),所以,可以防止劣化因素從該缺陷部分向元件內(nèi)部侵入。因此,可以抑制的黑點(diǎn)發(fā)生或擴(kuò)大等,可以實(shí)現(xiàn)良好的元件特性和高的生產(chǎn)率。
此外,本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的密封層除了自修復(fù)層之外,還有由具有壁壘性質(zhì)的材料形成阻擋層和由具有緩沖性質(zhì)的材料形成的緩沖層。這里,所謂具有壁壘性質(zhì)的材料是例如對水、氧氣或有機(jī)成分等劣化因素的透過性低的材料或?qū)@些劣化因素穩(wěn)定的材料。此外,具有緩沖性質(zhì)的材料是提高層間的緊密性的材料或通過在層間配設(shè)可實(shí)現(xiàn)良好的層狀態(tài)的材料。
自修復(fù)層配設(shè)在相對有機(jī)EL元件的元件襯底比阻擋層的更內(nèi)側(cè)和相對有機(jī)EL元件的元件襯底比緩沖層的更外側(cè)。例如,密封層在元件襯底上,從元件襯底側(cè)開始,按緩沖層、自修復(fù)層和阻擋層的順序?qū)盈B構(gòu)成。
這樣,通過將自修復(fù)層配設(shè)在比阻擋層的更內(nèi)側(cè),可以利用阻擋層保護(hù)還沒有發(fā)生針眼等缺陷的自修復(fù)層,使其免受存在水、氧氣和有機(jī)成分等劣化因素的外部環(huán)境的影響。因此,除了像上述那樣密封層出現(xiàn)缺陷部分且劣化因素從該缺陷部分侵入密封層的情況之外,自修復(fù)層不顯示體積變化而保持固體狀態(tài)。這樣的阻擋層最好至少配設(shè)在密封層的最外層。由此,可以更有效地發(fā)揮其保護(hù)作用。
此外,通過將自修復(fù)層配設(shè)在比緩沖層的更外側(cè),可以實(shí)現(xiàn)將緩沖層配設(shè)在元件襯底和自修復(fù)層之間的結(jié)構(gòu)。例如,當(dāng)元件襯底的表面具有凹凸的形狀時(shí),若不配設(shè)緩沖層而直接在元件襯底上配設(shè)自修復(fù)層或阻擋層,則因元件襯底的表面凹凸的影響而使自修復(fù)層或阻擋層容易產(chǎn)生缺陷,此外,在這些層中難以實(shí)現(xiàn)致密的結(jié)構(gòu)。
與此相對,若像本實(shí)施方式那樣將緩沖層配設(shè)在元件襯底和自修復(fù)層之間,因緩沖層填補(bǔ)了元件襯底表面的凹凸,故可以形成平滑的自修復(fù)層。因此,在自修復(fù)層或在其上形成的阻擋層中,可以實(shí)現(xiàn)防止缺陷發(fā)生的良好的狀態(tài)。這樣的緩沖層最好至少配設(shè)在元件襯底的表面。由此,對于配設(shè)在元件襯底上方的密封層,可以實(shí)現(xiàn)良好的層狀態(tài)。下面,參照
本實(shí)施方式的具體實(shí)施方式
。
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件的構(gòu)成的示意性剖面圖。如圖1所示,有機(jī)EL元件100具有作為元件基本結(jié)構(gòu)的元件襯底120和將該元件襯底120覆蓋的密封膜110。元件襯底120具有在支持襯底101上按順序?qū)盈B作為陽極的下部電板102、空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105、電子輸送層106、電子注入層107和作為陰極的上部電極108的結(jié)構(gòu)。此外,密封膜110具有按順序?qū)盈B緩沖層111、內(nèi)側(cè)阻擋層112、自修復(fù)層113和外側(cè)阻擋層114的結(jié)構(gòu)。
構(gòu)成支持襯底101的材料宜從玻璃、石英、塑料、木材、紙等材料中選擇。在由除玻璃之外的材料構(gòu)成的支持襯底101中,為了防止水、氧氣和各種氣體以外的劣化因素侵入有機(jī)EL元件100內(nèi)部,在支持襯底101的內(nèi)面形成SiO2等保護(hù)膜(未圖示)。
這里,使用由玻璃構(gòu)成的支持襯底101。玻璃有堿石灰玻璃(sodalime glass)、硼硅酸鹽玻璃(borosilicate glass)、低堿玻璃(lowalkali glass)、無堿玻璃(nonalkali glass)、石英玻璃(silicaglass)。這些玻璃的最大差別是含堿的成分、即鈉和鉀的含有量和二氧化硅的含有量的不同,可以根據(jù)用途適當(dāng)區(qū)分使用這些玻璃。
例如,由堿成分含量高堿石灰玻璃(堿成分的含有量為13%)、硼硅酸鹽玻璃(堿成分的含有量為13%)和低堿玻璃(堿成分的含有量為7%)等構(gòu)成的堿玻璃(alkali glass)的支持襯底101雖然便宜,但含有的鈉和鉀等析出后有使有機(jī)EL元件100發(fā)生劣化等之虞。因此,有必要用SiO2將支持襯底101的表面覆蓋。
另一方面,堿成分含量低的無堿玻璃(堿成分的含有量為0%)和石英玻璃(堿成分的含有量為0%)雖然昂貴,但具有不析出鈉和鉀等的優(yōu)點(diǎn)。因此,例如它們可以作為使用了TFT(薄膜晶體管)的有源驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)EL元件100的襯底使用。此外,上述那樣的堿玻璃支持襯底101因其表面粗糙故必須進(jìn)行表面處理。作為表面處理,堿玻璃支持襯底101特別還需要研磨工序。
此外,作為支持襯底101構(gòu)成材料的必要條件,對于從支持襯底101一側(cè)光射出的底部放射型的有機(jī)EL元件100,支持襯底101必須透明。另一方面,對于從密封膜110一側(cè)光射出的頂部放射型的有機(jī)EL元件100,支持襯底101可以不透明,這時(shí),例如,可以在支持襯底101的背面形成反射膜來進(jìn)行光的反射。
起陽極作用的下部電極102最好由功函數(shù)高的材料、即容易分離出電子的材料構(gòu)成。例如,使用例如由Cr、Mo、Ni、Pt、Au等形成的金屬膜或ITO、IZO等的氧化金屬膜等的導(dǎo)電膜構(gòu)成。此外,作為下部電極102的構(gòu)成的主要條件,對于從支持襯底101一側(cè)光射出的底部放射型的有機(jī)EL元件100,下部電極102必須透明。
此外,在有機(jī)元件100中,配設(shè)有從下部電極102向元件外部引出的引線、即引出電極(這里未圖示)。引出電極是在由有機(jī)EL元件100構(gòu)成的后述的有機(jī)EL顯示面板中用來使有機(jī)EL顯示面板與面板驅(qū)動(dòng)用的集成電路或驅(qū)動(dòng)器等外部電路連接的電極。這樣的引出電極最好由低電阻金屬材料構(gòu)成,例如,使用由Ag、Cr、Al等金屬及其合金等、或作為金屬氧化物的ITO、IZO形成的導(dǎo)電膜構(gòu)成。
在形成下部電極102和引出電極(未圖示)時(shí),首先,利用蒸鍍、濺射等方法在整個(gè)支持襯底101的內(nèi)面形成上述那樣的導(dǎo)電膜,然后,利用光刻等方法將該導(dǎo)電膜繪制成規(guī)定的形狀而形成下部電極102和引出電極(未圖示)。這里,下部電極102和引出電極(未圖示)可以由單層導(dǎo)電膜構(gòu)成,也可以是由多層種類不同的導(dǎo)電膜層疊形成的多層構(gòu)造。
例如,可以是在ITO或IZO等氧化金屬膜上層疊由Ag、Ag合金、Al、Cr等低電阻金屬形成的膜而構(gòu)成的二層結(jié)構(gòu),也可以是作為Ag等金屬膜的保護(hù)層進(jìn)而再層疊由Cu、Cr、Ta等抗氧化性能高的材料形成的膜而構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。在將這樣的構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的膜依次成膜再層疊后,進(jìn)行濺射。
在下部電極102上,按順序依次層疊作為有機(jī)層的空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105、電子輸送層106和電子注入層107。各層103~107利用在過去的有機(jī)EL元件中使用的高分子或低分子有機(jī)材料構(gòu)成。下面,詳細(xì)說明各層103~107。
首先,空穴注入層103是為了容易而快速地進(jìn)行自下部電極102的空穴注入而配設(shè)的。因此,最好由位于與下部電極102的HOMO水平非常近的位置的材料構(gòu)成。具體地說,構(gòu)成空穴注入層103的材料由離子化勢能低的材料構(gòu)成。此外,空穴輸送層104是為了將空穴注入層103注入的空穴迅速地輸送到發(fā)光層105而配設(shè)的。因此,最好由空穴輸送性高的材料構(gòu)成。
空穴注入層103和空穴輸送層104的構(gòu)成材料可以從過去公知的化合物中任意選擇。作為具體的例子,可以使用銅酞菁(Cu-Pc)等卟啉化合物、m-MTDATA等星放射狀胺(starburst type amines)、對二氨基聯(lián)苯型胺的多聚體(multimers of benzidine type amine)、4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl amino]-biphenyl(NPB)、N-phenyl-P-phenylenediamine(PPD)等的芳香族第3級胺、4-(di-P-tolylamino)-4’-[4-(di-P-tolylamino)styryl]stilbenzene等均二苯乙烯化合物、三唑衍生物(triazolderivative)、苯乙烯基胺化合物、巴基球(buckyball)、C60等的富勒烯(Fullerene)等有機(jī)材料。此外,也可以使用在聚碳酸脂等高分子材料中擴(kuò)散了低分子材料的高分子分散系材料。
發(fā)光層105中的發(fā)光可以是從單重激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時(shí)的發(fā)光(螢光),也可以是從三重激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時(shí)的發(fā)光(磷光)。與發(fā)光機(jī)構(gòu)對應(yīng),適當(dāng)選擇發(fā)光層105的構(gòu)成材料。作為發(fā)光層105的構(gòu)成材料,可以使用眾所周知的發(fā)光材料。
作為具體的發(fā)光材料,可以使用4,4’-bis(2,2’-diphenylvinyl)-biphenyl(DPVBi)等芳香族二甲基化合物(dimethylidine)、1,4-bis(2-methylstyryl)benzene等的苯乙烯化合物、3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazol(TAZ)等的三唑衍生物、蒽醌(anthraquinone)衍生物、fuluorenone衍生物等熒光性有機(jī)材料、(8-hydroxy quinolinate)鋁復(fù)合物(Alq3)等熒光性有機(jī)金屬化合物、和polyparaphynylene vinylenes(PPV)系、polyfuluorenes系、polyvinyl carbazoles(PVK)系等的高分子材料等。也可以使用能將來自三重激發(fā)子的磷光利用于發(fā)光的有機(jī)材料,例如,白金復(fù)合物或銥復(fù)合物等有機(jī)材料。
此外,發(fā)光層105例如可以只由上述發(fā)光材料構(gòu)成,或者,也可以包含上述空穴輸送層104的構(gòu)成材料、后述的電子輸送層106的構(gòu)成材料、施主(donor)和受主(acceptor)等的添加劑或發(fā)光性摻雜劑等。當(dāng)包含這些材料時(shí),可以將它們分散在構(gòu)成發(fā)光層105的材料中。
電子輸送層106是為了將已注入電子注入層107的電子迅速地輸送到發(fā)光層105而配設(shè)的。因此,最好由電子輸送性高的材料構(gòu)成。此外,電子注入層107是為了容易而快速地進(jìn)行自上部電極108的電子注入而配設(shè)的。因此,最好由位于與上部電極108的LUMO水平非常近的位置的、電子親和力大的材料構(gòu)成。
電子注入層107和電子輸送層106的構(gòu)成材料可以從過去公知的化合物中適當(dāng)選擇任意的材料來使用。作為具體的例子,可以使用PyPySPyPy等的硅環(huán)戊二烯(silacyclo pentadiene silole)衍生物、硝置換fuluorenone衍生物、anthraquinodimethane衍生物等的有機(jī)材料、tris(8-hydroxyquinolinate)鋁(Alq3)等的8-quinolinole衍生物的金屬復(fù)合物、金屬酞菁染料、3-(4-biphenyl)-5-(4-t-butylphenyl)-4-phenyl-1,2,4-triazol(TAZ)等的三唑系化合物、2-(4-biphenylyl)-5-(4-t-butyl)-1,3,4-oxadiazol(PBD)等的oxadiazol化合物、LiO2等金屬氧化物、巴基球、C60、碳納米管等富勒烯。
在形成空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105、電子輸送層106和電子注入層107時(shí),可以使用過去的成膜法,例如,旋涂法或浸漬法等涂敷法、絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法等印刷法等的濕處理、激光復(fù)印法等的干處理和蒸鍍法等,也可以將它們組合起來進(jìn)行成膜。在蒸鍍法中,對成膜材料的加熱,可以使用電阻加熱、感應(yīng)加熱、電介質(zhì)加熱、電子束加熱和激光加熱等。
構(gòu)成陰極的上部電極108最好由功函數(shù)低的材料、即電子容易跑出去的材料構(gòu)成。例如,由堿金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)、堿土金屬(Be、Mg、Ca、Sr、Ba)、稀土金屬等金屬及其化合物、或由包含這些金屬的合金形成的金屬膜構(gòu)成。
這里,有機(jī)EL元件100若是從上部電極108一側(cè)光射出的頂部放射型時(shí),上部電極108必須透明。另一方面,若是從支持襯底101一側(cè)光射出的底部放射型時(shí),上部電極108不必透明,這時(shí),上部電極108或者作為反射膜起作用,或者另外形成反射膜。
此外,在上部電極108上,和下部電極102一樣配設(shè)作為從上部電極108向元件外部的引出線的引出電極(省略圖示)。引出電極的材料和構(gòu)成與下部電極102的引出電極(未圖示)的情況一樣。此外,引出電極(未圖示)和上部電極108的結(jié)構(gòu)和形成方法和前述的下部電極102相同。
接著,說明作為本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件100的特征構(gòu)成的密封膜110。密封膜110具有緩沖層111、內(nèi)側(cè)阻擋層112、自修復(fù)層113和外側(cè)阻擋層114。有機(jī)EL元件100通過這樣構(gòu)成的密封膜110將元件襯底120的整個(gè)表面,具體地說,將元件襯底120的上面和端面覆蓋并密封。
再有,密封膜110的構(gòu)成不限于本實(shí)施方式的構(gòu)成,也可以是除此之外的構(gòu)成。例如,在本實(shí)施方式的密封膜110中,在比自修復(fù)層113更靠近元件襯底120一側(cè)各配設(shè)一層緩沖層111和內(nèi)側(cè)阻擋層112。除此之外,也可以是在使緩沖層111和內(nèi)側(cè)阻擋層112成對配設(shè)的同時(shí)層疊規(guī)定數(shù)量的對的結(jié)構(gòu)。
這時(shí),交替層疊多個(gè)緩沖層111和內(nèi)側(cè)阻擋層112,進(jìn)而在其上按順序?qū)盈B自修復(fù)層113和外側(cè)阻擋層114。在該構(gòu)成中,位于最外層的阻擋層相當(dāng)于外側(cè)阻擋層114,位于比自修復(fù)層113更靠近元件襯底120一側(cè)的阻擋層相當(dāng)于內(nèi)側(cè)阻擋層112。
此外,例如,外側(cè)阻擋層114可以具有多層結(jié)構(gòu),或者,也可以在自修復(fù)層113和外側(cè)阻擋層114之間,進(jìn)而配設(shè)緩沖層111。進(jìn)而,也可以是省略內(nèi)側(cè)阻擋層112的構(gòu)成。再有,雖然可以省略緩沖層111或外側(cè)阻擋層114,但從元件襯底120和密封膜110的關(guān)系來看,最好配設(shè)緩沖層111,此外,從對整個(gè)有機(jī)EL元件100的保護(hù)和在不存在劣化因素的情況下使自修復(fù)層113維持固體狀態(tài)的現(xiàn)點(diǎn)來看,最好配設(shè)外側(cè)緩沖層114。
這里,緩沖層111是為了填補(bǔ)位于下部的層(這里相當(dāng)于元件襯底120)的表面的凹凸并使其平滑而配設(shè)的。通過形成緩沖層111,使位于緩沖層111的上部的層(這里,相當(dāng)于內(nèi)側(cè)阻擋層11 2、自修復(fù)層113、外側(cè)阻擋層114)變成缺陷減少了的致密的層。
緩沖層111的構(gòu)成材料例如可以使用光硬化樹脂或熱硬化樹脂等。具體地說,可以列舉環(huán)氧樹脂、丙烯樹脂、聚對二甲苯、全氟素烯烴或全氟醚等氟系高分子、CH3OM或C2H5OM等的烴氧基金屬、聚酰亞胺前體、二萘嵌苯系化合物等、Ca等的金屬膜。
此外,內(nèi)側(cè)阻擋層112和外側(cè)阻擋層114是為了保護(hù)元件襯底120而配設(shè)的,特別是,外側(cè)阻擋層114是為了保護(hù)元件襯底120和自修復(fù)層113免受外部環(huán)境的影響而配設(shè)的。例如,外側(cè)阻擋層114由透水性差、對水份穩(wěn)定的材料或氧氣透過性能差對氧氣穩(wěn)定的材料構(gòu)成。通過這樣的外側(cè)阻擋層114,可以保護(hù)元件襯底120免受外部環(huán)境存在的水和氧氣的影響。
此外,像后述那樣,自修復(fù)層113在與水和氧氣等接觸的環(huán)境下體積發(fā)生變化,但在該構(gòu)成中,自修復(fù)層113受外側(cè)阻擋層114的保護(hù),不受外部環(huán)境的影響,即,是與外部環(huán)境中存在的水和氧氣隔離的結(jié)構(gòu),所以,如后述的圖2所示,在密封膜110中,除了形成針眼200受水或氧氣等侵入的情況之外,自修復(fù)層113的體積不變化,而保持固體狀態(tài)。
具體地說,構(gòu)成內(nèi)側(cè)阻擋層112和外側(cè)阻擋層114的材料例如可以舉出SiN、AlN、GaN等氮化物、SiO2、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等氧化物、SiON等氮氧化物、SiCN等碳氮化物、金屬氟化合物和金屬膜等。這樣的緩沖層111、對內(nèi)側(cè)阻擋層112和外側(cè)阻擋層114的構(gòu)成材料和配設(shè)的數(shù)量等,可以進(jìn)行適當(dāng)選擇和設(shè)定。
另一方面,自修復(fù)層113由通過與水(這里包含液態(tài)和氣態(tài))、氧氣、各種氣體、有機(jī)成分等劣化因素接觸來啟動(dòng)自修復(fù)功能的材料構(gòu)成。這里,自修復(fù)層113的自修復(fù)功能是指當(dāng)上述那樣的劣化因素與自修復(fù)層113產(chǎn)生的缺陷部分(具體地說,后述的針眼等缺損部分)接觸時(shí),缺陷部分周邊的自修復(fù)層113的體積發(fā)生變化,并流入缺陷部分而將該缺陷部分填補(bǔ),因此,缺陷部分被修復(fù)。
作為自修復(fù)層113的具體的構(gòu)成材料,例如,可以使用體積因水而變化的材料、體積因氧氣而變化的材料、因有機(jī)EL元件100在外部環(huán)境下存在的除氧氣之外的氣體的作用而發(fā)生變化的材料和因與外部侵入的劣化因素接觸而體積發(fā)生變化的材料等。自修復(fù)層113可以由這樣一些材料中的一種材料構(gòu)成,也可以包含2種或以上的材料。例如,也可以將體積因與水接觸而變化的材料和體積因與氧氣接觸而變化的材料混合后構(gòu)成自修復(fù)層113。
例如,也可以由因水或氧氣而顯示可塑性的材料構(gòu)成自修復(fù)層113。在由該材料構(gòu)成的自修復(fù)層113中,構(gòu)成材料通過與水和氧氣接觸而顯示可塑性并產(chǎn)生體積變化,伴隨該體積變化,自修復(fù)層113的形狀發(fā)生變化。作為構(gòu)成自修復(fù)層113的材料,具體地說,可以使用使用了金屬茂催化劑的聚乙烯和熱可塑性樹脂的混合樹脂、或?qū)⒂设F粉和鹵化金屬的混合物構(gòu)成的鐵系氧吸收劑與作為熱可塑性樹脂的聚烯烴樹脂配合的氧吸收性樹脂。
此外,也可以使用氯化物等鹵化物或含有做為像硫酸鹽那樣的硫磺的含氧酸等無機(jī)酸鹽的遷移金屬系催化劑和聚酰胺樹脂的氧吸收性樹脂?;蛘?,也可以使用丙烯酸鹽聚合體架橋物或乙烯乙醇丙烯酸鹽聚合體架橋物等高吸水性樹脂,此外,還可以使用乙烯乙醇等吸水性樹脂和混合了烯烴系樹脂的氧吸收性樹脂的混合物、或氧吸收性聚酰胺樹脂組成物。
對構(gòu)成密封膜110的各層111-114的厚度沒有限制,可以適當(dāng)設(shè)定,但自修復(fù)層113的厚度應(yīng)能保證執(zhí)行自修復(fù)動(dòng)作。
其次,參照圖2和圖3,和密封膜110的成膜工序一起,具體說明密封膜110的自修復(fù)層113的自修復(fù)動(dòng)作。圖2和圖3是用來說明自修復(fù)層113的自修復(fù)動(dòng)作的有機(jī)EL元件100的示意性局部剖面圖。再有,在圖2和圖3中,省略了圖1所示的元件襯底120的詳細(xì)圖示。
首先,在密封膜110的成膜工序中,如圖1所示,形成緩沖層111,將元件襯底120的整個(gè)表面覆蓋。這里,利用旋涂等方法將光硬化樹脂涂敷在元件襯底120的整個(gè)表面上,然后,照射紫外線,使該樹脂硬化,形成緩沖層111。
接著,形成內(nèi)側(cè)阻擋層112,將該緩沖層111的整個(gè)表面覆蓋。這里,利用使用了由Si3N4構(gòu)成的靶的濺射法,形成由SiNx膜形成的內(nèi)側(cè)阻擋層112。進(jìn)而,形成自修復(fù)層113,將這樣形成的內(nèi)側(cè)阻擋層112的整個(gè)表面覆蓋。
在此,作為自修復(fù)層113的構(gòu)成材料,使用將乙烯乙醇等吸水性樹脂和混合了烯烴系樹脂的氧吸收性樹脂混合后的樹脂,并利用旋涂法將該樹脂涂敷在內(nèi)側(cè)阻擋層112的整個(gè)表面上。然后,通過加熱使樹脂硬化,形成自修復(fù)層113。
最后,形成外側(cè)阻擋層114將像上述那樣形成的自修復(fù)層113的整個(gè)表面覆蓋。這里,和內(nèi)側(cè)阻擋層112的情況一樣,利用使用了由Si3N4構(gòu)成的靶的濺射法,形成由SiNx膜形成的外側(cè)阻擋層114。這樣一來,便形成了具有緩沖層111、內(nèi)側(cè)阻擋層112、自修復(fù)層113、外側(cè)阻擋層114的密封膜110。
當(dāng)利用濺射法形成內(nèi)側(cè)阻擋層112和外側(cè)阻擋層114時(shí),通過在利用真空中發(fā)生的等離子體轟擊靶使靶粒子飛出的同時(shí)使該飛出的靶粒子附著并堆積在成膜面上來形成膜,但是,在該方法中,因?yàn)橛袝r(shí)異物等雜質(zhì)和靶粒子一起附著或堆積在成膜面上,所以,有時(shí)構(gòu)成內(nèi)側(cè)阻擋層112和外側(cè)阻擋層114的膜中會附著或混入異物等雜質(zhì)。
而且,當(dāng)這樣附著或混入在內(nèi)側(cè)阻擋層112和外側(cè)阻擋層114上的雜質(zhì)從這些層112、114中剝離時(shí),構(gòu)成密封膜110的緩沖層111、內(nèi)側(cè)阻擋層112、自修復(fù)層113、外側(cè)阻擋層114的一部分和雜質(zhì)一起被局部剝離。由此,如圖2所示,貫通構(gòu)成密封膜110的各層111~114,形成針眼200。
通過該針眼200的形成,構(gòu)成針眼200的內(nèi)壁的緩沖層111、內(nèi)側(cè)阻擋層112、自修復(fù)層113、外側(cè)阻擋層114的區(qū)域暴露在外部環(huán)境下,同時(shí),元件襯底120也通過針眼200暴露在外部環(huán)境下。而且,有機(jī)EL元件100的外部存在(即外部環(huán)境下存在)的水或氧氣等劣化因素會通過針眼200侵入元件襯底120。
這里,在本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件100中,如圖3所示,當(dāng)針眼200形成時(shí),與通過針眼200侵入密封膜110內(nèi)的水和氧氣接觸的自修復(fù)層113的區(qū)域的堆積會發(fā)生局部變化。具體地說,首先,構(gòu)成自修復(fù)層113的吸水性樹脂吸收侵入針眼200內(nèi)的水,同時(shí),構(gòu)成自修復(fù)層113的氧氣吸收性樹脂吸收侵入針眼200內(nèi)的氧氣。
而且,在自修復(fù)層113中,在針眼200的周邊部分,吸收水的吸水性樹脂和吸收氧氣的氧氣吸收性樹脂的堆積局部發(fā)生變化,將針眼200內(nèi)填埋。由此,針眼200被自修復(fù)層113堵塞,進(jìn)行自修復(fù)。因此,通過該自修復(fù),可以防止元件襯底120暴露在外部環(huán)境下,可以防止氧氣或水侵入有機(jī)EL元件100的元件襯底120的內(nèi)部。
在具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件100中,從下部電極102注入空穴注入層103的空穴經(jīng)空穴輸送層104導(dǎo)入發(fā)光層105。另一方面,從上部電極108注入電子注入層107的電子經(jīng)電子輸送層106導(dǎo)入發(fā)光層105。而且,導(dǎo)入到發(fā)光層105的空穴和電子結(jié)合,由此,在發(fā)光層105產(chǎn)生發(fā)光。
這里,在有機(jī)EL元件100中如前所述,因利用密封膜110的自修復(fù)層113可以防止劣化因素侵入元件內(nèi)部,故在構(gòu)成有機(jī)EL元件100的空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105、電子輸送層106和電子注入層107中,可以抑制起因于該劣化因素的劣化。因此,在有機(jī)EL元件100中,可以防止黑點(diǎn)的發(fā)生或擴(kuò)大及起因于該劣化因素的其他元件的劣化。
如上所述,若按照本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件100,即使密封膜110形成了針眼200,該針眼200也可以通過自修復(fù)層113局部地進(jìn)行自修復(fù),所以,可以防止水份或氧氣等劣化因素從針眼200侵入元件內(nèi)部,以進(jìn)行十分可靠的密封。因此,可以防止因水份或氧氣等劣化因素而產(chǎn)生的有機(jī)EL元件100的元件特性的劣化,結(jié)果,可以實(shí)現(xiàn)良好的元件特性、即良好的發(fā)光特性等。
此外,通過在密封膜110內(nèi)部形成自修復(fù)層113,可以不用加厚密封膜110的厚度即可防止劣化因素的侵入。因此,在有機(jī)EL元件100的薄型化和生產(chǎn)效率方面能得到有利的效果,同時(shí),可以消除因密封膜110變厚而帶來的問題。
(實(shí)施方式2)本發(fā)明的實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板由實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件構(gòu)成。在這樣構(gòu)成的本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板中,對于作為面板的構(gòu)成要素的有機(jī)EL元件,如前所述,可以抑制黑點(diǎn)的發(fā)生和擴(kuò)大等,實(shí)現(xiàn)良好的元件特性。因此,在這樣由有機(jī)EL元件構(gòu)成的有機(jī)EL顯示面板中,可以實(shí)現(xiàn)具有良好顯示特性的高品質(zhì)面板。下面,參照圖4說明本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板的實(shí)施方式。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板的構(gòu)成的示意性剖面圖。這里,說明無源驅(qū)動(dòng)型全彩色顯示的有機(jī)EL顯示面板。該有機(jī)EL顯示面板可以是頂部放射型,也可以是底部放射型。
如圖4所示,本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板通過配設(shè)多個(gè)和圖1所示的實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件100相同的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件100R、100G、100B來構(gòu)成。有機(jī)EL元件100R具有紅色發(fā)光層105R而發(fā)紅光。有機(jī)EL元件100G具有綠色發(fā)光層105G而發(fā)綠光。有機(jī)EL元件100B具有藍(lán)色發(fā)光層105B而發(fā)藍(lán)光。
在有機(jī)EL顯示面板中,通過這些發(fā)各色光的有機(jī)EL元件100R、100G、100B形成紅色象素、綠色象素和藍(lán)色象素,通過RGB顯示來實(shí)現(xiàn)全彩色顯示。
下面,結(jié)合制造工序說明本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。首先,有機(jī)EL顯示面板的制造工序大致分為形成下部電極102的前處理工序、形成空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105(105R,105G,105B)、電子輸送層106、電子注入層107和上部電極108并形成元件襯底120的成膜工序和用密封膜110密封該元件襯底120的密封工序。
制造有機(jī)EL顯示面板時(shí),在前處理工序中,首先,利用前述的實(shí)施方式1的方法,在支持襯底101上按規(guī)定的間隔形成條狀的多個(gè)下部電極102。接著,利用前述的實(shí)施方式1的方法,形成從該下部電極102引出再與面板外部的集成電路或驅(qū)動(dòng)器等連接的引出電極(未圖示)。
當(dāng)在支持襯底101上形成了下部電極102和引出電極(未圖示)時(shí),接著,在露出在下部電極102之間的支持襯底101的表面上形成絕緣膜401。
此外,在絕緣膜401上形成間隔(未圖示)。這里,形成由聚酰亞胺、SiO2等構(gòu)成的絕緣膜401,將上部電極108和下部電極102交叉形成的發(fā)光區(qū)(除該發(fā)光區(qū)外)包圍。通過以上的前處理工序,形成形成有在支持襯底101上形成的下部電極102、引出電極(未圖示)、絕緣膜401和間隔(未圖示)的前處理襯底。
接著,在像上述那樣得到的前處理襯底上進(jìn)行成膜工序的各個(gè)處理,依次形成空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105、電子輸送層106、電子注入層107。各個(gè)層103~107形成時(shí)的成膜方法和前述實(shí)施方式1相同。
即,首先,在經(jīng)前處理工序得到的前處理襯底的表面形成空穴注入層103,在該空穴注入層103上進(jìn)而形成空穴輸送層104。接著,在該空穴輸送層104上進(jìn)而形成發(fā)光層105。這里,在發(fā)光層105形成時(shí),分開進(jìn)行有機(jī)EL元件100R、100G、100B的發(fā)光層105的涂敷,形成紅色發(fā)光層105R、綠色發(fā)光層105G和藍(lán)色發(fā)光層105B。
通過這樣分開進(jìn)行發(fā)光層105的涂敷,發(fā)光顏色不同的3種象素、即由發(fā)紅色光的有機(jī)EL元件100R構(gòu)成的紅色象素RP、由發(fā)綠色光的有機(jī)EL元件100G構(gòu)成的綠色象素GP和由發(fā)藍(lán)色光的有機(jī)EL元件100B構(gòu)成的藍(lán)色象素BP相鄰形成。
有機(jī)EL元件100R、100G、100B的紅色發(fā)光層105R、綠色發(fā)光層105G和藍(lán)色發(fā)光層105B通過使用開口圖案不同的3種成膜用掩膜(未圖示)成膜,容易實(shí)現(xiàn)。例如,當(dāng)有選擇地在有機(jī)EL元件100R的區(qū)域形成紅色發(fā)光層105R時(shí),只使用對該區(qū)域使用具有開口的成膜用掩膜(未圖示)進(jìn)行成膜。由此,在有機(jī)EL元件100R的區(qū)域中,透過成膜用掩膜(未圖示)的開口,紅色發(fā)光材料在空穴輸送層104上堆積,由此形成紅色發(fā)光層105R。
這時(shí),有機(jī)EL元件100G、100B的區(qū)域因被成膜用掩膜(未圖示)覆蓋,故在這些區(qū)域中,紅色發(fā)光材料堆積在成膜用掩膜(未圖示)的表面。由此,可以只在有機(jī)EL元件100R的區(qū)域有選擇地來形成紅色發(fā)光層105R。
而且,和上述一樣,當(dāng)在有機(jī)EL元件100G的區(qū)域形成綠色發(fā)光層105G時(shí),只對該區(qū)域使用具有開口的成膜用掩膜(未圖示)。此外,當(dāng)在有機(jī)EL元件100B的區(qū)域形成藍(lán)色發(fā)光層105B時(shí),只對該區(qū)域使用具有開口的成膜用掩膜(未圖示)。此外,在使用這樣的成膜掩膜(未圖示)分別形成紅色發(fā)光層105R、綠色發(fā)光層105G和藍(lán)色發(fā)光層105B時(shí),例如,進(jìn)行2次以上的反復(fù)成膜。因此,可以防止在有機(jī)EL元件100R、100G、100B的紅色發(fā)光層105R、綠色發(fā)光層105G和藍(lán)色發(fā)光層105B出現(xiàn)未成膜。
當(dāng)進(jìn)行分開涂敷形成由紅色發(fā)光層105R、綠色發(fā)光層105G和藍(lán)色發(fā)光層105B構(gòu)成的發(fā)光層105之后,在發(fā)光層105的表面形成電子輸送層106。接著,進(jìn)而在電子輸送層106上形成電子注入層107。
接著,利用前述實(shí)施方式1的方法在電子注入層107的表面形成上部電極108。
這里,利用間隔圖案,按規(guī)定的間隔形成多個(gè)與下部電極102正交的條狀的上部電極108。由此,位于下部電極102和上部電極108的交叉部的發(fā)光層105的區(qū)域便可以發(fā)光了。在本實(shí)施方式中,可以實(shí)現(xiàn)由有機(jī)EL元件100R、100G、100B構(gòu)成的多個(gè)象素RP、GP、BP呈矩陣狀配置的無源驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL顯示面板。
在上部電極108形成后,和下部電極102的情況一樣,形成從上部電極108引出與面板外部的集成電路或驅(qū)動(dòng)器等連接的引出電極(未圖示)。引出電極(未圖示)的形成方法和前述的實(shí)施方式1一樣。
像以上那樣,在成膜工序中,可以得到在由前處理工序得到的前處理襯底上形成了空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105(105R、105G、105B)、電子輸送層106、電子注入層107、上部電極108和引出電極(未圖示)的元件襯底120。而且,在該元件襯底120上在密封工序中進(jìn)行了各種處理從而形成密封膜110。
具體地說,在密封工序中,首先,在氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w的環(huán)境中,利用前述實(shí)施方式1的方法,形成將元件襯底120的表面覆蓋的緩沖層111,進(jìn)而,依次形成內(nèi)側(cè)阻擋層112、自修復(fù)層113和外層阻擋層114。這樣,在元件襯底120上依次形成111~114各個(gè)層而形成密封膜110,由此,利用密封膜110將元件襯底120密封。
這里,在這樣形成的密封膜110中,和前述實(shí)施方式1的圖2一樣,因成膜時(shí)附著的異物等雜質(zhì)的剝離而在密封膜110中形成針眼200,但因密封膜110的構(gòu)成包含自修復(fù)層113,故和前述實(shí)施方式1的圖3一樣,針眼200被自修復(fù)層113堵塞而實(shí)現(xiàn)自修復(fù)。因此,可以防止水份或氧氣等劣化因素通過針眼200侵入元件襯底120。
像上述那樣,進(jìn)而對由密封膜110密封的元件襯底120進(jìn)行劃線處理、點(diǎn)亮檢查、TAB壓接處理、園偏振片粘貼處理和模塊檢查等各種處理。經(jīng)過這樣的密封工序中的各個(gè)處理,制作出有機(jī)EL顯示面板。
如上所述,在本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板中,密封膜110上形成的針眼200等缺陷部分可以通過密封膜110的自修復(fù)層113實(shí)現(xiàn)自修復(fù),所以,可以防止來自外部的劣化因素通過密封膜110的缺陷部分侵入元件內(nèi)部。因此,在各有機(jī)EL元件100R、100G、100B中,可以防止因黑點(diǎn)的發(fā)生或擴(kuò)大等而使元件特性劣化,可以得到良好的元件特性。
因此,在由這樣的有機(jī)EL元件100R、100G、100B構(gòu)成的有機(jī)EL顯示面板中,對于各象素RP、GP、BP可以實(shí)現(xiàn)良好的顯示特性,因此,可以保持穩(wěn)定的高質(zhì)量和高生產(chǎn)效率。此外,與過去使用密封罐或密封襯底密封的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示面板相比,可以謀求薄型化。進(jìn)而,這樣的自修復(fù)層113可以和密封膜110的緩沖層111或內(nèi)側(cè)及外側(cè)阻擋層112、114一起,容易在一連串的成膜工序中形成,不需要特別的工序和設(shè)備。
再有,上面,說明了對構(gòu)成各象素RP、GP、BP的各有機(jī)EL元件100R、100G、100B的發(fā)光層105分開涂敷從而實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的有機(jī)EL顯示面板,但也可以是具有單發(fā)白色光的發(fā)光層105,對各象素RP、GP、BP分別配置紅色、綠色和藍(lán)色的彩色濾光片從而實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的彩色濾光片方式的有機(jī)EL顯示面板。
此外,也可以是通過將白色或藍(lán)色等發(fā)單色光的發(fā)光層105和熒光材料的色變換層組合起來的彩色調(diào)配方式來實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的有機(jī)EL顯示面板。進(jìn)而,也可以是對單色發(fā)光層105的發(fā)光區(qū)進(jìn)行照射電磁波等處理而實(shí)現(xiàn)多種發(fā)光顏色的光漂白方式、或?qū)⒕哂邪l(fā)光顏色不同的發(fā)光層105的多個(gè)有機(jī)EL元件層疊后形成一個(gè)象素的SOLED(transparent Stached OLED)方式的有機(jī)EL顯示面板。
此外,上面說明了無源驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示面板,但對由TFT驅(qū)動(dòng)的有源驅(qū)動(dòng)的有機(jī)EL顯示面板本發(fā)明也可以適用。此外,本發(fā)明的有機(jī)EL顯示面板如前所述,也可以底部放射型或頂部放射型,若是頂部放射型,特別是與過去使用密封罐或密封襯底進(jìn)行密封的情況相比,可以減小光射出時(shí)的密封膜110的折射率的影響,故可以得到更有利的效果。
此外,構(gòu)成實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件100和實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)不限于如圖1以及圖4所示的具有空穴注入層103、空穴輸送層104、發(fā)光層105、電子輸送層106、電子注入層107的結(jié)構(gòu)。例如,發(fā)光層105、空穴輸送層104和電子輸送層106也可以不是單層結(jié)構(gòu)而是多層結(jié)構(gòu)。此外,也可以省略空穴輸送層104和電子輸送層106中的任何一個(gè),或者,也可以將兩者都省去。此外,也可以根據(jù)用途插入載流阻塞層(a carrier blocking layer)等有機(jī)層。
此外,也可以構(gòu)成為將下部電極102作為陰極,將上部電極108作為陽極,這時(shí),從圖4的支持襯底101一側(cè)開始,按順序形成電子注入層103、電子輸送層104、發(fā)光層105、空穴輸送層106和空穴注入層107。
此外,在實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件100和實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板中,說明了密封膜110的自修復(fù)層113是一層的情況,但也可以構(gòu)成為包含多層自修復(fù)層113。例如,可以構(gòu)成為包含由因與水接觸而顯示體積變化的材料構(gòu)成的第1自修復(fù)層和由因與氧氣接觸而顯示體積變化的材料構(gòu)成的第2自修復(fù)層113。這時(shí),第1和第2自修復(fù)層113連續(xù)層疊,或者,在第1和第2自修復(fù)層113之間進(jìn)而配設(shè)內(nèi)側(cè)阻擋層113或緩沖層112。這樣,對于多個(gè)具有性質(zhì)不同的自修復(fù)層113的結(jié)構(gòu),也可以得到上述效果。
此外,例如,也可以構(gòu)成為通過內(nèi)側(cè)阻擋層113或緩沖層112,將多個(gè)把因與水接觸而顯示體積變化的材料和因與氧氣接觸而顯示體積變化的材料混合后形成的實(shí)施方式1和實(shí)施方式2的自修復(fù)層113多個(gè)層疊在一起。這樣,對于將多個(gè)同性質(zhì)的自修復(fù)層113層疊在一起的情況,也可以得到上述效果。
進(jìn)而,利用本發(fā)明的制造方法制造的有機(jī)EL元件也可以用于除顯示面板之外的用途。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL元件,具有形成在襯底上配設(shè)的對置的一對電極之間至少包含發(fā)光層的有機(jī)層的元件襯底,且用密封層將上述元件襯底的表面覆蓋,其特征在于上述密封層包含在規(guī)定的環(huán)境下顯示體積變化的自修復(fù)層。
2.權(quán)利要求1記載的有機(jī)EL元件,其特征在于上述自修復(fù)層包含因至少與水、氧氣和有機(jī)成分中的一種物質(zhì)接觸而顯示體積變化的材料。
3.權(quán)利要求1或2記載的有機(jī)EL元件,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有阻擋層,上述自修復(fù)層配設(shè)在比上述阻擋層更靠近上述元件襯底的內(nèi)側(cè)。
4.權(quán)利要求3記載的有機(jī)EL元件,其特征在于上述阻擋層配設(shè)在相對上述元件襯底的上述密封層的最外側(cè)。
5.權(quán)利要求1或2記載的有機(jī)EL元件,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有緩沖層,上述緩沖層配設(shè)在上述元件襯底的表面。
6.權(quán)利要求3記載的有機(jī)EL元件,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有緩沖層,上述緩沖層配設(shè)在上述元件襯底的表面。
7.權(quán)利要求4記載的有機(jī)EL元件,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有緩沖層,上述緩沖層配設(shè)在上述元件襯底的表面。
8.一種有機(jī)EL顯示面板,由有機(jī)EL元件構(gòu)成,上述有機(jī)EL元件具有形成在襯底上配設(shè)的對置的一對電極之間至少包含發(fā)光層的有機(jī)層的元件襯底,且用密封層將上述元件襯底的表面覆蓋,其特征在于上述有機(jī)EL元件的上述密封層包含在規(guī)定的環(huán)境下顯示體積變化的自修復(fù)層。
9.權(quán)利要求8記載的有機(jī)EL顯示面板,其特征在于上述自修復(fù)層包含因至少與水、氧氣和有機(jī)成分中的一種物質(zhì)接觸而顯示體積變化的材料。
10.權(quán)利要求8或9記載的有機(jī)EL顯示面板,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有阻擋層,上述自修復(fù)層配設(shè)在比上述阻擋層更靠近上述元件襯底的內(nèi)側(cè)。
11.權(quán)利要求10記載的有機(jī)EL顯示面板,其特征在于上述阻擋層配設(shè)在相對上述元件襯底的上述密封層的最外側(cè)。
12.權(quán)利要求8或9記載的有機(jī)EL顯示面板,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有緩沖層,上述緩沖層配設(shè)在上述元件襯底的表面。
13.權(quán)利要求10記載的有機(jī)EL顯示面板,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有緩沖層,上述緩沖層配設(shè)在上述元件襯底的表面。
14.權(quán)利要求11記載的有機(jī)EL顯示面板,其特征在于上述密封層進(jìn)而具有緩沖層,上述緩沖層配設(shè)在上述元件襯底的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有良好的元件特性并能實(shí)現(xiàn)高的生產(chǎn)率的有機(jī)EL元件。在有機(jī)EL元件(100)中,具有形成在襯底上配設(shè)的對置的一對電極之間至少包含發(fā)光層(105)的有機(jī)層的元件襯底(101),且用密封層(110)將上述元件襯底的表面覆蓋,其特征在于,上述密封層(110)包含在規(guī)定的環(huán)境下顯示體積變化的自修復(fù)層(113)。
文檔編號H05B33/00GK1710998SQ20051007855
公開日2005年12月21日 申請日期2005年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月17日
發(fā)明者免田芳生 申請人:東北先鋒電子股份有限公司