專利名稱：：GaN單晶襯底和GaN單晶襯底的表面加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種氮化鎵(GaN)單晶襯底及其表面加工方法，具體涉及一種GaN單晶襯底，其透射率較高而所述襯底的頂面的損傷層和底面的損傷層的厚度差異較小，以及一種加工所述GaN單晶原始襯底表面的方法。
背景技術(shù)：
：通常，由于氮化鎵(GaN)具有大能帶隙、高原子間結(jié)合力和高熱導(dǎo)率而具有適于作為光學(xué)器件和高溫高功率器件的性能。所以，GaN類半導(dǎo)體化合物用于制備各種光學(xué)器件。具體來說，使用GaN制備的藍(lán)光和綠光發(fā)射器件被廣泛用于各領(lǐng)域，例如多媒體、交通信號(hào)燈、內(nèi)部照明燈、高密度光源、高分辨率電力系統(tǒng)(highresolutionpowersystem)、信息和通訊裝置等。通過在異質(zhì)的藍(lán)寶石(A1203)基底上生長(zhǎng)GaN來制備氮化鎵(GaN)襯底。然而，由于氮化鎵和藍(lán)寶石的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)不同，所以當(dāng)?shù)墝有纬捎谒鏊{(lán)寶石基底上時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生高密度晶體缺陷。所以，當(dāng)?shù)墝訌乃{(lán)寶石基底上分離時(shí)，所述氮化鎵層可能會(huì)彎曲甚至斷裂。圖1為基底IO和生長(zhǎng)于該基底IO上的氮化鎵層的剖面圖，圖2是從所述基底IO上分離的氮化鎵層的剖面圖。參照?qǐng)Dl和2，所述氮化鎵層生長(zhǎng)于可由藍(lán)寶石、碳化硅或硅形成的被稱為異質(zhì)基底的基底10上。然而，由于氮化鎵和藍(lán)寶石具有不同的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，所以會(huì)發(fā)生如圖l所示的彎曲。并且，當(dāng)?shù)墝訌乃霎愘|(zhì)基底上分離時(shí)，一種如圖2所示的諸如晶體學(xué)傾斜的現(xiàn)象會(huì)在氮化鎵層生長(zhǎng)的環(huán)境中發(fā)生，所以高密度的螺紋位錯(cuò)在薄層內(nèi)形成，從而影響了表面的平面化并引起了所述彎曲。在最小化上述彎曲的常規(guī)方法中，逐步減小用于加工所述表面的磨料的顆粒大小，從而去除該表面的損傷層。或者，用拋光設(shè)備把由于使用異質(zhì)基底而導(dǎo)致彎曲的氮化鎵襯底的一面或兩面弄平。然而，即使用上述方法將所述氮化鎵襯底的表面拋光，但由于其兩面的損傷程度不同，在兩面上會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力差異。結(jié)果，所述襯底會(huì)向損傷程度較小的那一面彎。氮化鎵層的彎曲和由于彎曲造成的氮化鎵層的斷裂不利于大規(guī)模生產(chǎn)和降低生產(chǎn)成本，從而降低了生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明提供了一種易于制造并且質(zhì)量較高的氮化鎵單晶襯底的表面加工方法，并提供所述氮化鎵單晶襯底。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種氮化鎵單晶村底的表面加工方法，其中當(dāng)所述襯底的兩面被拋光后，用波長(zhǎng)在370-800nm范圍內(nèi)的光線測(cè)量時(shí)，所述襯底的透射率在65~90%的范圍內(nèi)，并提供所述氮化鎵單晶襯底。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種氮化鎵單晶襯底的表面加工方法，其中通過對(duì)兩面進(jìn)行拋光，氮化鎵單晶原始襯底兩面上的損傷層的厚度比(DLa/DLb)在0.99~1.01的范圍內(nèi)，并且其透射率在65~90°/。范圍內(nèi)，并提供所述氮化鎵單晶襯底。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式，本發(fā)明提供一種通過將其兩面拋光而制備的氮化^l家單晶襯底。由于所述襯底的兩面都^皮拋光，可以測(cè)量其透射率。當(dāng)用波長(zhǎng)在370~800nm范圍內(nèi)的光線測(cè)量時(shí)，所述襯底的透射率為65~90%。照射到所述單晶襯底上的光線則使用紫外線到紅外線范圍內(nèi)的光線。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式，本發(fā)明提供一種氮化鎵單晶襯底的表面加工方法，包括將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底的頂面和底面平面化；將波長(zhǎng)在370-800nm范圍內(nèi)的光線照射在所述^皮加工成平面的氮化鎵襯底上；測(cè)量所述氮化鎵原始襯底的透射率；并確認(rèn)所述透射率是否在65~90%范圍內(nèi)。為了將所述氮化鎵單晶襯底的透射率控制在65~90%的范圍內(nèi)，當(dāng)所述透射率在65~90%的范圍之外時(shí)，可以進(jìn)一步將所述氮化鎵原始襯底的頂面或底面平面化。所述氮化鎵原始襯底的平面化可進(jìn)一步包括將所述氮化鎵原始襯底的頂面和底面中的任意一面平面化；翻轉(zhuǎn)所述氮化鎵原始襯底并將被加工成平面的那一面固定于所述支架臺(tái)上；并將所述氮化鎵原始襯底頂面和底面中的另一面平面化。根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施方式，本發(fā)明提供了一種通過將其兩面拋光而制備的氮化鎵單晶襯底，其特征在于其兩面的損傷層的厚度比在0.99-1.01的范圍內(nèi)，并且其透射率為65~90%。所述透射率可用波長(zhǎng)在370~800nm范圍內(nèi)的光測(cè)量，則照射到所述單晶襯底上以測(cè)量透射率的光可在紫外線到紅外線的范圍內(nèi)。當(dāng)通過拋光其兩面得到的氮化鎵單晶襯底用波長(zhǎng)在370-800nm范圍內(nèi)的光線測(cè)量得到的透射率為65~90%時(shí)，所述襯底的頂面和底面^皮均勻拋光，從而能夠制備沒有擦痕的襯底。并且，當(dāng)在該底面上形成電極時(shí)，可獲得優(yōu)異的電極接觸效果。根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施方式，本發(fā)明提供一種氮化鎵單晶襯底的表面加工方法，該方法包括將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底的頂面和底面平面化；測(cè)量所述氮化鎵單晶原始襯底兩面上的損傷層的厚度比(DLa/DLb);并確認(rèn)所述損傷層的厚度比(DLa/DLb)是否在0.99~1.01的范圍內(nèi)；將波長(zhǎng)在370~800nm范圍內(nèi)的光線照射在所述氮化鎵原始襯底上；測(cè)量所述氮化鎵原始襯底的透射率；并確認(rèn)所述透射率是否在65~90%范圍內(nèi)?？梢杂猛干潆娮语@微鏡測(cè)量所述氮化鎵單晶原始襯底兩面上的損傷層的厚度，當(dāng)測(cè)得的損傷層的厚度比(DLa/DLb)在0.99-1.01的范圍之外時(shí)，可進(jìn)一步將所述氮化鎵原始襯底的頂面或底面平面化。所述氮化鎵原始襯底的平面化可進(jìn)一步包括將所述氮化鎵原始襯底的頂面和底面中的任意一面平面化；翻轉(zhuǎn)所述氮化鎵原始襯底并將^皮加工成平面的那一面固定于所述支架臺(tái)上；并平面化所述氮化鎵原始村底的(頂面和底面中的)另一面。通常，可以用單晶基底制備化合物半導(dǎo)體村底，可以使用與要生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體襯底材料相同的同質(zhì)單晶基底，也可以使用異質(zhì)單晶基底。當(dāng)所述均質(zhì)單晶基底用作基底時(shí)，由于該基底和要生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體襯底，即生長(zhǎng)層，在晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)上沒有區(qū)別，所以可減少在生長(zhǎng)和分離過程中生長(zhǎng)層上發(fā)生的彎曲或斷裂。然而，當(dāng)所述用作基底的單晶基底和從該基底上生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體是由相同材料形成時(shí)，則難以將所述化合物半導(dǎo)體襯底從所述基底上分離開，而且不能使用通過吸收不同波長(zhǎng)的光來溶解界面部分的激光浮離法(laserlift-off)。并且，當(dāng)所述基底和化合物半導(dǎo)體的原料比較昂貴時(shí)，也難以大量采用這樣的基底。所以，在形成用作高能藍(lán)光發(fā)光二極管材料的氮化鎵(GaN)的方法中，所述基底使用相對(duì)便宜并且與氮化鎵有不同波長(zhǎng)范圍的吸收光的藍(lán)寶石。由于使用異質(zhì)的藍(lán)寶石作為基底，藍(lán)寶石和氮化鎵具有不同的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，所以氮化鎵層可能會(huì)彎曲，甚至正在生長(zhǎng)的氮化鎵層可能會(huì)由于斷裂而損壞。氮化鎵層的彎曲或由彎曲引起的斷裂對(duì)氮化鎵的大規(guī)模生產(chǎn)或其生產(chǎn)成本不利，所以可能降低生產(chǎn)的效率。然而，當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵單晶襯底和其表面加工方法時(shí)，能夠制備出具有透射率在65~90%范圍內(nèi)的氮化鎵單晶襯底，或其兩面損傷層的厚度比(DLa/DLb)在0.99~1.01范圍內(nèi)并且透射率在65~90%范圍內(nèi)的氮化鎵單晶襯底。所以，由于防止了所述氮化鎵層的彎曲，使得其大規(guī)模生產(chǎn)成為可能，并且對(duì)降低生產(chǎn)成本非常有利。通過結(jié)合附圖詳細(xì)說明優(yōu)選的實(shí)施方式，本發(fā)明上述的和其他的特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說會(huì)更加顯而易見，其中圖1是異質(zhì)基底和在該異質(zhì)基底上生長(zhǎng)的氮化鎵層的剖面圖2是從該異質(zhì)基底上分離的氮化鎵層的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底的剖面圖；圖4是在基底上生長(zhǎng)的氮化鎵單晶襯底的剖面圖；圖5是從該基底上分離的氮化鎵單晶襯底的剖面圖；圖6-11是根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵單晶襯底的表面加工方法的剖面圖；圖12是說明根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底的表面加工方法的流程圖13是說明根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶村底的表面加工方法的流程圖14是說明根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底損傷層的厚度的剖面圖15A和15B是氮化鎵單晶襯底的頂面和底面上的損傷層的照片；圖16是拋光的氮化鎵單晶襯底透射率的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。具體實(shí)施例方式下文中將結(jié)合附圖更完全的說明本發(fā)明，其中說明了本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以不同方式實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)解釋為限于在此提出的實(shí)施方式。第一示例性實(shí)施方式圖3為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底110的剖面圖。氮化鎵單晶襯底110的兩面被拋光，并具有均勻的表面粗糙度。結(jié)果用波長(zhǎng)在370800nm范圍內(nèi)的光線(紫外線、可見光或紅外線)測(cè)量氮化鎵單晶襯底110的透射率，其透射率在65~90%范圍內(nèi)。圖4為在基底IOO上生長(zhǎng)的氮化鎵單晶襯底IIO的剖面圖，圖5為從基底IOO上分離的氮化鎵單晶襯底110的剖面圖。如圖4所示，氮化鎵單晶襯底IIO在基底IOO上生長(zhǎng)。藍(lán)寶石、碳化硅(SiC)或砷化鎵(GaAs)可用作基底100，在本示例性實(shí)施方式中使用的是藍(lán)寶石?？梢杂迷撍{(lán)寶石基底吸收不同波長(zhǎng)范圍的光來進(jìn)行用于部分溶解基底和氮化鎵襯底間界面的激光浮離過程。接下來，如圖5所示，形成于基底IOO上的氮化鎵單晶襯底110從基底IOO上分離。可用激光浮離法從基底IOO分離氮化鎵單晶襯底110。具體地說，當(dāng)?shù)墝釉谧鳛榛?00的藍(lán)寶石基底上生長(zhǎng)好之后，將激光照射在該透明的藍(lán)寶石基底上來溶解氮化鎵層和藍(lán)寶石基底間界面周圍的氮化鎵層，從而將氮化鎵層與藍(lán)寶石基底分離。從基底IOO上分離的氮化鎵單晶襯底110由于與基底IOO的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)不同而彎曲。下面說明為平面化根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵單晶襯底的表面加工方法圖6~ll是圖示根據(jù)本發(fā)明氮化鎵單晶襯底IIO的表面加工方法的剖面圖，圖12是說明根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底的表面加工方法的流程圖。如圖6所示，為了表面加工，將氮化鎵單晶村底110置于支架臺(tái)200上。金屬材料或鋁或玻璃基板可用作支架臺(tái)200的材料。氮化鎵單晶襯底110的頂面和底面分別記為第一面(N-面)lll和第二面(Ga-面)112，并且用蠟將第二面112固定于支架臺(tái)200上。如圖7所示，當(dāng)?shù)墕尉бr底110的第二面112固定于支架臺(tái)200上時(shí)，將第一面lll平面化。至于平面化設(shè)備，可以使用利用金剛石砂輪、金岡'J石平臺(tái)(diamondsurfaceplate)、或4吏用灰漿的研磨平臺(tái)(abrasivesurfaceplate)的機(jī)械設(shè)備。使用較輕的設(shè)備以保持所述氮化鎵單晶襯底110的彎曲狀態(tài)，從而使得第一面111的彎曲部分被拋光成平面而不改變所述氮化鎵單晶襯底110。隨后，通過將激光照射到第一面111的表面上來測(cè)定其平坦程度和表面的損傷層是否符合預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)表面粗糙度不符合標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，第一面lll的彎曲部分應(yīng)再次拋光。當(dāng)?shù)谝幻?11的表面粗糙度達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格時(shí)，如圖8、9所示，將氮化鎵單晶襯底110從支架臺(tái)200上分離，將被加工成平面第一面111用蠟固定到支架臺(tái)200的表面上，并且使得氮化鎵單晶襯底IIO的第二面112朝上。隨后，如圖10所示，當(dāng)?shù)墕尉бr底110的第一面111固定于支架臺(tái)200的表面上時(shí)，將第二面112平面化?？梢杂门c將第一面111加工成平面的相同的設(shè)備來將第二面112加工成平面。在這種情況下，使用較輕的設(shè)備以保持氮化鎵單晶襯底110的彎曲狀態(tài)，從而使第二面112的彎曲部分被拋光成平面而不改變氮化鎵單晶襯底110。加工成平面之后，通過將激光照射到第二面112的表面上來測(cè)定其平坦程度和表面的損傷層是否符合預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)所述表面粗糙度不符合標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，對(duì)第二面112的彎曲部分進(jìn)行再次拋光處理。然后，第二面112已完全被加工成平面的氮化鎵單晶襯底IIO從支架臺(tái)200上分離，從而完成如圖11所示的氮化鎵單晶襯底110。圖12是說明根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式所述氮化鎵單晶襯底的表面加工方法的流程圖。所述氮化鎵單晶襯底的表面加工方法包括如下步驟在步驟S310將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底的頂面和底面平面化；在步驟S320將波長(zhǎng)范圍在370~800nm的光線照射在^L加工成平面的氮化鎵原始襯底上；在步驟S330測(cè)量所述氮化鎵原始襯底的透射率；并在步驟S340確認(rèn)所述透射率是否在65~90%范圍內(nèi)。參考圖4~11的說明對(duì)應(yīng)于將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底頂面和底面平面化的步驟S310。為控制所述氮化鎵單晶襯底的透射率處于65~90%范圍內(nèi)，當(dāng)透射率在65~90%的范圍之外時(shí)，氮化鎵原始襯底的頂面或底面的可^皮再次平面化。那么，S310的平面化步驟可進(jìn)一步包括如下步驟將所述氮化鎵原始襯底的頂面和底面中的任意一面平面化，翻轉(zhuǎn)所述原始襯底并將凈皮加工成平面的一面固定于支架臺(tái)上，對(duì)所述氮化鎵原始襯底的另外一面進(jìn)行平面化。根據(jù)本發(fā)明，所述氮化鎵單晶襯底的兩個(gè)側(cè)面都被拋光，使得用波長(zhǎng)范圍在370-800nm的光測(cè)量時(shí)其透射率在6590。/。范圍內(nèi)。結(jié)果，所述頂面和底面具有均勻的表面粗糙度而沒有任何缺陷，當(dāng)在該襯底的表面上形成電極時(shí)，具有極好的電極接觸。第二示例性實(shí)施方式圖13是說明根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底表面的加工方法的流程圖。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶村底及其表面加工方法與上述根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底110及其表面加工方法相似。然而，在第二示例性實(shí)施方式中，加工所述氮化鎵單晶襯底表面的方法包括測(cè)量氮化鎵單晶原始襯底兩側(cè)面損傷層的厚度比(DLa/DLb)的步驟，來代替第一示例性實(shí)施方式中測(cè)量所述氮化鎵單晶襯底的透射率的步驟。在第一示例性實(shí)施方式中，在使氮化鎵單晶襯底加工成平面之后，所述加工其表面的方法包括將波長(zhǎng)范圍在370-800nm的光照射到該被加工成平面的氮化鎵原始襯底上，測(cè)量該氮化鎵原始襯底的透射率，并確認(rèn)所述透射率是否在65~90%范圍內(nèi)的步驟。然而，在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式中，在使所述氮化鎵單晶襯底加工成平面之后，所述加工其表面的方法包括測(cè)量所述氮化鎵單晶原始襯底兩個(gè)側(cè)面的損傷層的厚度比(DLa/DLb)，并確認(rèn)所述損傷層的厚度比(DLa/DLb)是否在0.99~1.01范圍內(nèi)的步驟。氮化鎵單晶原始襯底兩側(cè)面的損傷層的厚度可用透射電子顯微鏡等設(shè)備測(cè)量。當(dāng)所述損傷層的厚度比(DLa/DLb)在0.99~1.01的范圍之外時(shí)，所述氮化4家原始襯底的頂面或底面可^皮再次平面化。當(dāng)?shù)玫剿璧膿p傷層的厚度比(DLa/DLb)時(shí)，該方法可進(jìn)一步包括如下步驟將波長(zhǎng)范圍在370-800nm的光線照射到該氮化鎵原始襯底上；測(cè)量該氮化鎵原始襯底的透射率；并確認(rèn)所述透射率是否在65~90%范圍內(nèi)。圖14是說明根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的氮化鎵單晶襯底的損傷層厚度的剖面圖。如圖14所示，所述氮化鎵單晶襯底的頂面，即第一面lll的損傷層的厚度為DLa，所述底面，即第二面112的損傷層的厚度為DLb。所以，損傷層厚度比(DLa/DLb)是指在平面化過程中氮化鎵單晶襯底的兩側(cè)面上產(chǎn)生的損傷層的厚度比。當(dāng)所述氮化鎵單晶襯底的兩側(cè)面上的損傷層的厚度比約為1時(shí)，所述村底的彎曲可被最小化。圖15A和15B分別是在所述氮化鎵單晶襯底兩面拋光后，損傷層被去除前的所述氮化鎵單晶襯底的第一面(N面)lll和第二面112(Ga面)的電子顯微照片。參考圖15A和15B，第一面上的損傷層的厚度為211nm,第二面上的損傷層厚度為209nm。由于兩面上的損傷層的厚度比為1.01，約等于l，可認(rèn)為其處于非常好的狀態(tài)。在所述氮化鎵襯底的兩個(gè)側(cè)面被拋光后，可通過另外的方法去除所述損傷層，例如活性離子蝕刻法。根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵單晶村底的透射率的測(cè)量結(jié)果示于表1和圖16。在兩面被拋光的襯底a和b中，所述透射率從波長(zhǎng)范圍的370nm處開始快速升高，在該波長(zhǎng)范圍的大部分范圍內(nèi)，顯示出大于65%的高透射率。然而，在一面被拋光的襯底c和d中，整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)都表現(xiàn)出低于65%的低透射率。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>所述氮化鎵單晶襯底的兩面被拋光后，測(cè)量其透射率和損傷層的厚度比來確認(rèn)該氮化鎵單晶襯底是否沒有缺陷并具有極佳的質(zhì)量。在用根據(jù)本發(fā)明的表面加工方法制備的氮化鎵單晶襯底中，當(dāng)襯底的透射率用波長(zhǎng)在370~800nm范圍內(nèi)的光線測(cè)量時(shí)，該透射率在65~90%范圍內(nèi)。在用根據(jù)本發(fā)明的表面加工方法制備的氮化鎵單晶襯底中，其兩側(cè)面的損傷層的厚度比(DIVDU)在0.99-1.01范圍內(nèi)，并且其透射率在65~90%范圍內(nèi)。在用根據(jù)本發(fā)明的表面加工方法制備的氮化鎵單晶襯底中，由于不會(huì)出現(xiàn)彎曲，所以對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)和生產(chǎn)成本是有利，從而顯著提高了生產(chǎn)效率。當(dāng)通過表面加工方法制備的所述氮化鎵單晶襯底，其透射率較高并且其損傷層的厚度比約等于1時(shí)，所述襯底可以在各種應(yīng)用領(lǐng)域中得到高產(chǎn)率和高性能。并且，由于所述襯底的頂面和底面凈皮均勻拋光，所以當(dāng)電極在所述襯底的表面上形成時(shí)，就會(huì)獲得極好的電極接觸效應(yīng)。本發(fā)明已經(jīng)用優(yōu)選的示例性實(shí)施方式進(jìn)行了說明。然而，應(yīng)理解的是，本發(fā)明的范圍并不限于所公開的實(shí)施方式。相反，本發(fā)明的范圍旨在包括等同物以及本領(lǐng)域技術(shù)人員利用當(dāng)前已知的或未來技術(shù)的能力范圍內(nèi)的各種修改和替代的配置。因此，權(quán)利要求的范圍應(yīng)該與最寬的解釋一致，以涵蓋所有這樣的修改和相似的配置。權(quán)利要求1、一種通過拋光襯底兩面而制備的氮化鎵單晶襯底，其中當(dāng)用波長(zhǎng)在370～800nm范圍內(nèi)的光線測(cè)量所述襯底的透射率時(shí)，所述透射率為65～90％。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵單晶襯底，其中照射在所述單晶襯底上測(cè)量透射率的光線是從紫外線至紅外線范圍內(nèi)的光線。3、一種氮化鎵單晶襯底的表面加工方法，包括如下步驟將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底的頂面和底面平面化；將波長(zhǎng)在370~800nm范圍內(nèi)的光線照射在所述凈皮加工成平面的氮化鎵原始襯底上；測(cè)量所述氮化鎵原始襯底的透射率；和確認(rèn)所述透射率是否在65~卯％的范圍內(nèi)。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)所述透射率在65~90%的范圍之外時(shí)，進(jìn)一步將所述氮化鎵原始襯底的頂面或底面平面4匕。5、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述平面化步驟進(jìn)一步包括如下步驟將所述氮化鎵原始村底的頂面和底面中的任意一面平面化，翻轉(zhuǎn)所述原始襯底并將#:加工成平面的那一面固定在所述支架臺(tái)上，和將所述氮化鎵原始襯底的另一面平面化。6、一種通過拋光襯底兩面而制備的氮化鎵單晶村底，其中所述氮化《家單晶原始襯底兩面上的損傷層的厚度比DIVDU在0.99-1.01的范圍內(nèi)；并且其透射率在65~90°/。的范圍內(nèi)。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底，其中所述透射率利用波長(zhǎng)在370~800nm范圍內(nèi)的光線來測(cè)量。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底，其中照射到所述單晶襯底上測(cè)量透射率的所述光線是^yv紫外線至紅外線范圍內(nèi)的光線。9、一種氮化4家單晶襯底的表面加工方法，包括如下步驟將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底的頂面和底面平面化；測(cè)量所述氮化鎵單晶原始襯底兩面上的損傷層的厚度比DLa/DLb;確認(rèn)所述損傷層的厚度比DIVDU是否在0.99~1.01的范圍內(nèi)；將波長(zhǎng)在370~800nm范圍的光線照射在所述氮化鎵原始襯底上；測(cè)量所述氮化^l家原始襯底的透射率；和確認(rèn)所述透射率是否在65~90%范圍內(nèi)。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述氮化鎵單晶原始襯底兩面上的損傷層的厚度用透射電子顯微鏡測(cè)量。11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)所述損傷層的厚度比DU/DU在0.99~1.01的范圍之外時(shí)，進(jìn)一步將所述氮化鎵原始襯底的頂面或底面平面化。12、根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述平面化步驟進(jìn)一步包括如下步驟將所述氮化鎵原始襯底的頂面和底面中的任意一面平面化，翻轉(zhuǎn)所述原始襯底并將^皮加工成平面的那一面固定于所述支架臺(tái)上，和將所述氮化鎵原始襯底的另一面平面化。全文摘要本發(fā)明提供了一種氮化鎵單晶襯底的表面加工方法，包括下列步驟將置于支架臺(tái)上的氮化鎵原始襯底的頂面和底面平面化；將波長(zhǎng)在370～800nm范圍內(nèi)的光線照射在所述被加工成平面的氮化鎵原始襯底上；測(cè)量所述氮化鎵原始襯底的透射率；并確認(rèn)所述透射率是否在65～90％范圍內(nèi)。通過所述表面加工方法拋光其兩面得到的氮化鎵單晶襯底在用波長(zhǎng)在370～800nm范圍內(nèi)的光線測(cè)量時(shí)具有65～90％的高透射率。并且，在所述氮化鎵單晶襯底兩面的損傷層的厚度比(DL_a/DL_b)在0.99～1.01的范圍內(nèi)。文檔編號(hào)C30B33/00GK101174597SQ20071016594公開日2008年5月7日申請(qǐng)日期2007年11月2日優(yōu)先權(quán)日2006年11月2日發(fā)明者李基秀,李柱憲,秦昌旭,鄭鎮(zhèn)石,金京俊申請(qǐng)人:三星康寧株式會(huì)社