專利名稱：一種雙面鏤空板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷電路板制造領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種雙面鏤空板的 制造方法。
背景技術(shù)：
在柔性印刷線路板(Flexible Printed Circuit board,簡稱FPC)中， 一般來講用于制作柔性印刷線路板的FPC基板包括介電層和覆蓋在介電層表 面上的導(dǎo)電層，對(duì)于單面FPC基板而言，導(dǎo)電層僅覆蓋在介電層的一個(gè)側(cè)面 上；在雙面FPC基板中，導(dǎo)電層覆蓋在介電層的兩個(gè)側(cè)面上；通常，鏤空板 作為印刷電路板中的一種，通過在銅箔的兩面分別壓合覆蓋膜，并經(jīng)過沖壓 工序在電路板上沖出局部鏤空?qǐng)D形而形成。而鏤空板FPC基板只有導(dǎo)電層沒 有介電層，即純銅箔，在線路形成之前都要在該純銅箔的一面熱壓一層蓋膜， 然后再兩面層壓干膜，形成線路，依次有以下步驟銅箔裁斷一鉆孔一化研 —L2面貼蓋膜一熱壓L2面蓋膜一烘烤一化研一兩面干膜層壓一曝光一顯影 —蝕刻一化研一Ll面貼蓋膜一熱壓Ll面蓋膜。制作過程尤其是熱壓時(shí)容易 產(chǎn)生異物和殘膠，從而導(dǎo)致線路制作難度很大，線路不良很高，增加制造成 本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人經(jīng)過深入的反復(fù)的研究和實(shí)驗(yàn)后，發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致線路制作難度很 大，線路不良很高，增加制造成本的根本原因是在貼蓋膜時(shí)沒有將銅面保護(hù)， 以導(dǎo)致在第二面貼蓋膜和熱壓蓋膜時(shí)，第一面的銅面產(chǎn)生異物和殘膠。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供一種線路制作簡單，成本低，線 路良率高的雙面鏤空板的制造方法。
本發(fā)明提供的制造雙面鏤空板的方法，它按照以下步驟進(jìn)行 (1).銅箔裁斷，將銅箔裁取設(shè)計(jì)要求的雙面銅箔；
(2) .鉆孔；根據(jù)設(shè)計(jì)要求在所述雙面銅箔上鉆孔；
(3) .化研對(duì)銅箔表面進(jìn)行表面化學(xué)處理；
(4) .干膜層壓;將干膜層壓在第一層銅箔的上表面；
(5) .貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下表 面，進(jìn)行預(yù)壓；
(6) .熱壓蓋膜:將步驟(5)的銅箔與蓋膜進(jìn)行熱壓；
(7) .烘烤；
(8) .再次化研將銅箔表面進(jìn)行第二次表面化學(xué)處理；
(9) .干膜層壓在壓有蓋膜的第二層銅箔蓋膜表面層壓一層干膜；
(10) .曝光將設(shè)計(jì)完成的線路圖案進(jìn)行曝光；
(11) .顯影對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影；(12) .蝕刻用蝕刻液對(duì)雙面銅箔線路蝕刻；
(13) .剝膜線路形成后將兩面的干膜剝除；
(14) .第3次化研:對(duì)銅箔表面第三次表面化學(xué)處理；
(15) .再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行對(duì)位，并且在第一層銅箔上表面 貼蓋膜；
(16) .再次熱壓蓋膜將步驟(15)的銅箔與蓋膜進(jìn)行熱壓；
(17) .后續(xù)步驟。
作為改一改進(jìn)，所述步驟(3).步驟(8)和步驟(14)中表面化學(xué)處 理為化學(xué)研磨。
作為改一改進(jìn)，所述步驟(5).步驟(15)的對(duì)位方式為孔對(duì)位。
作為改一改進(jìn)，所述步驟(7)烘烤溫度80'C-160°C，烘烤時(shí)間為0.5-2 小時(shí)。
作為改一改進(jìn)，所述步驟(4)和步驟(9)的干膜為杜邦20或者杜邦 30或者杜邦40。
作為改一改進(jìn)，所述干膜為杜邦20時(shí)，曝光條件為曝光機(jī)的曝光量為 5-8級(jí)，顯影條件采用2.5-2.7M/MIN的速度進(jìn)行。
作為改一改進(jìn)，所述干膜為杜邦30時(shí)，曝光條件為曝光機(jī)的曝光量為 5-8級(jí)，顯影條件為采用采用2. 3-2. 5M/MIN的速度進(jìn)行。
作為改一改進(jìn)，所述干膜為杜邦40時(shí)，曝光條件為曝光機(jī)的曝光量為 5-8級(jí)，顯影條件為采用1. 9-2. 1M/MIN的速度進(jìn)行。作為改一改進(jìn)，所述步驟(12)中蝕刻液為銅蝕刻液。
作為改一改進(jìn)，所述步驟(17)后續(xù)步驟還包括打孔、沖壓、電檢、全 檢、包裝。
本發(fā)明提供的制造鏤空板的方法的優(yōu)勢在于，由于本發(fā)明鏤空板的制造 方法的變化，在銅箔上熱壓一面蓋膜之前先在該銅箔的另一面層壓一面干 膜，用來保護(hù)銅面，避免在貼合、熱壓蓋膜時(shí)產(chǎn)生異物，影響線路良率。本 發(fā)明有效的降低了鏤空板成品不良率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例與對(duì)比例的成品不良率曲線比較圖。
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)地描述。 本發(fā)明提供鏤空板的制造方法，包括
(1) .將銅箔裁取設(shè)計(jì)要求的雙面銅箔；
(2) .鉆孔；將步驟(1)雙面銅箔上NC (數(shù)控)鉆孔，即用NC鉆孔機(jī) 進(jìn)行鉆孔；
(3) .化研對(duì)銅箔表面進(jìn)行表面化學(xué)處理；即將銅箔表面進(jìn)行化研， 除去表面異物，清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；(4) .干膜層壓;將干膜層壓在第一層銅箔的上表面，所用干膜為杜邦
20;
(5) .貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下 表面，進(jìn)行預(yù)壓，所用蓋膜為PI (聚酰亞氨)蓋膜；
(6) .熱壓蓋膜:將步驟(5)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(7) .烘烤，烘烤溫度為8(TC-160。C，烘烤時(shí)間為0.5-2小時(shí)；
(8) .再次化研將銅箔表面進(jìn)行第二次表面化學(xué)處理，即將銅箔表面 進(jìn)行化研，除去表面異物，清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(9) .干膜層壓在壓有蓋膜的第二層銅箔蓋膜表面層壓一層干膜;， 所用干膜為杜邦系列，可以為杜邦20 (20就是20um厚的干膜)或者30或
者40;
(10) .曝光將設(shè)計(jì)完成的線路圖案用曝光機(jī)進(jìn)行紫外線曝光；曝光 采用一般的曝光機(jī)，曝光能量為5-7級(jí)，可以根據(jù)所選干膜的材料來確定；
(11) .顯影對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，將未曝光的干膜部分溶解以 露出導(dǎo)電層，保留曝光的干膜部分(與預(yù)定的線路圖案對(duì)應(yīng))；顯影速度為 1.9-2.7M/MIN;可以根據(jù)所選干膜的材料來確定；
(12) .蝕刻對(duì)雙面銅箔線路蝕刻；，用銅蝕刻液腐蝕暴露的導(dǎo)電層部 分而將其除去，并保留曝光的干膜所覆蓋的導(dǎo)電層部分，再將曝光的千膜去 除，從而最終在線路板基板上形成線路；
(13) .剝膜線路形成后將兩面的干膜剝除；(14) .第3次化研:對(duì)銅箔表面第三次表面化學(xué)處理，對(duì)銅箔表面清潔，
減少蓋膜下異物，同時(shí)增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(15) .再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，并且在第一層銅箔上表 面貼PI蓋膜；
(16) .再次熱壓蓋膜將步驟(15)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(17) .后續(xù)步驟，后續(xù)步驟還包括打孔、沖壓、電檢、全檢、包裝， 所述打孔是指在產(chǎn)品的某個(gè)部位用機(jī)械方法作出檢測孔和定位孔；沖壓指將 整張產(chǎn)品沖成單個(gè)產(chǎn)品；電檢指通過制具測定產(chǎn)品的電性能；全檢指用目測 或者其他設(shè)備檢査產(chǎn)品外觀；包裝指將產(chǎn)品包裝出貨。
本發(fā)明提供鏤空板的制造方法中步驟(12)采用銅蝕刻液。
銅蝕刻液包括酸性蝕刻液和堿性蝕刻液，本發(fā)明采用的是酸性蝕刻液， 主要成分為氯化銅，雙氧水，鹽酸，蝕刻銅的原理為 Cu+2HCL+H202=CuCL2+2H20 。
實(shí)施例1:
(1) .銅箔裁斷，將銅箔裁取為250mi^350mra的雙面銅箔；
(2) .鉆孔；將步驟(1)雙面銅箔上NC (數(shù)控)鉆孔，即用NC鉆孔機(jī) 進(jìn)行鉆孔；
(3) .化研對(duì)銅箔表面進(jìn)行表面化學(xué)處理；即將銅箔表面進(jìn)行化研， 除去表面異物，清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(4) .干膜層壓;將千膜層壓在第一層銅箔的上表面，所用干膜為杜邦(5).貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下 表面，進(jìn)行預(yù)壓，所用蓋膜為PI (聚酰亞氨)蓋膜；
(6) .熱壓蓋膜:將步驟(5)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(7) .烘烤，所用烘烤溫度10(TC，烘烤時(shí)間為1.5小時(shí)；
(8) .再次化研將銅箔表面進(jìn)行第二次表面化學(xué)處理，即將銅箔表面 進(jìn)行化研,除去表面異物，清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(9) .干膜層壓在第二層銅箔下表面層壓一層干膜；，所用干膜為杜 邦20;
(10) .曝光將設(shè)計(jì)完成的線路圖案進(jìn)行紫外線曝光，曝光采用一般 的曝光機(jī)，曝光能量為6級(jí)；
(11) .顯影對(duì)曝光后的千膜進(jìn)行顯影，將未曝光的干膜部分溶解以 露出導(dǎo)電層，保留曝光的干膜部分(與預(yù)定的線路圖案對(duì)應(yīng))；顯影速度為 2. 6M/MIN;
(12) .蝕刻對(duì)雙面銅箔線路蝕刻；，用銅蝕刻液腐蝕暴露的導(dǎo)電層部 分而將其除去，并保留曝光的干膜所覆蓋的導(dǎo)電層部分，再將曝光的干膜去 除，從而最終在線路板基板上形成線路；
(13) .剝膜線路形成后將兩面的干膜剝除；
(14) .第3次化研:對(duì)銅箔表面第三次表面化學(xué)處理，對(duì)銅箔表面清潔，
減少蓋膜下異物，同時(shí)增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；(15) .再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，井且在第一層銅箔上表
面貼PI蓋膜；
(16) .再次熱壓蓋膜將步驟(15)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(17) .后續(xù)步驟，后續(xù)步驟還包括打孔、沖壓、電檢、全檢、包裝， 所述打孔是指在產(chǎn)品的某個(gè)部位用機(jī)械方法作出檢測孔和定位孔；沖壓指將 整張產(chǎn)品沖成單個(gè)產(chǎn)品；電檢指通過制具測定產(chǎn)品的電性能；全檢指用目測 或者其他設(shè)備檢査產(chǎn)品外觀；包裝指將產(chǎn)品包裝出貨。
用以上方法制造出的鏤空板記為Al。
實(shí)施例2:
(1) .銅箔裁斷，將銅箔裁取長為250咖*350咖的雙面銅箔；
(2) .鉆孔；將步驟(1)雙面銅箔上NC (數(shù)控)鉆孔，即用NC鉆孔機(jī) 進(jìn)行鉆孔；
(3) .化研對(duì)銅箔表面進(jìn)行表面化學(xué)處理；即將銅箔表面進(jìn)行化研, 除去表面異物,清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(4) .干膜層壓;將干膜層壓在第一層銅箔的上表面，所用干膜為杜邦
20;
(5) .貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下 表面，進(jìn)行預(yù)壓，所用蓋膜為PI (聚酰亞氨)蓋膜；
(6) .熱壓蓋膜:將步驟(5)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(7) .烘烤，所用烘烤溫度10(TC，烘烤時(shí)間為1.5小時(shí)；(8) .再次化研將銅箔表面進(jìn)行第二次表^fT學(xué)處理，即將銅箔表面
進(jìn)行化研，除去表面異物，清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(9) .干膜層壓在第二層銅箔下表面層壓一層干膜；，所用干膜為杜 邦30;
(10) .曝光將設(shè)計(jì)完成的線路圖案進(jìn)行紫外線曝光；曝光采用一般 的曝光機(jī)，曝光能量為6級(jí)；
(11) .顯影對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，將未曝光的干膜部分溶解以 露出導(dǎo)電層，保留曝光的干膜部分(與預(yù)定的線路圖案對(duì)應(yīng))；顯影速度為 2. 4M/MIN;
(12) .蝕刻對(duì)雙面銅箔線路蝕刻；，用銅蝕刻液腐蝕暴露的導(dǎo)電層部 分而將其除去，并保留曝光的干膜所覆蓋的導(dǎo)電層部分，再將曝光的干膜去 除，從而最終在線路板基板上形成線路；
(13) .剝膜線路形成后將兩面的干膜剝除；
(14) .第3次化研:對(duì)銅箔表面第三次表面化學(xué)處理，對(duì)銅箔表面清潔， 減少蓋膜下異物，同時(shí)增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(15) .再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，并且在第一層銅箔上表 面貼PI蓋膜；
(16) .再次熱壓蓋膜將步驟(15)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(17) .后續(xù)步驟，后續(xù)步驟還包括打孔、沖壓、電檢、全檢、包裝， 所述打孔是指在產(chǎn)品的某個(gè)部位用機(jī)械方法作出檢測孔和定位孔；沖壓指將 整張產(chǎn)品沖成單個(gè)產(chǎn)品；電檢指通過制具測定產(chǎn)品的電性能；全檢指用目測 或者其他設(shè)備檢査產(chǎn)品外觀；包裝指將產(chǎn)品包裝出貨。用以上方法制造出的鏤空板記為A2。
實(shí)施例3:
(1) .銅箔裁斷,將銅箔裁取長為為250ira^350mm的雙面銅箔；
(2) .鉆 L;將步驟(1)雙面銅箔上NC (數(shù)控)鉆 L，即用NC鉆孔機(jī) 進(jìn)行鉆孔；
(3) .化研對(duì)銅箔表面進(jìn)行表面化學(xué)處理；即將銅箔表面進(jìn)行化研， 除去表面異物,清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(4) .干膜層壓;將干膜層壓在第一層銅箔的上表面，所用干膜為杜邦
20;
(5).貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下 表面，進(jìn)行預(yù)壓，所用蓋膜為PI (聚酰亞氨)蓋膜；
(6).熱壓蓋膜:將步驟(5)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(7) .烘烤，所用烘烤溫度10(TC，烘烤時(shí)間為1.5小時(shí)；
(8) .再次化研將銅箔表面進(jìn)行第二次表面化學(xué)處理，即將銅箔表面 進(jìn)行化研，除去表面異物，清潔銅箔表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(9) .干膜層壓在第二層銅箔下表面層壓一層干膜;，所用干膜為杜 邦40;
(10) .曝光將設(shè)計(jì)完成的線路圖案進(jìn)行紫外線曝光，曝光采用一般 的曝光機(jī)，曝光能量為6級(jí)；
(11) .顯影對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，將未曝光的干膜部分溶解以
露出導(dǎo)電層，保留曝光的干膜部分(與預(yù)定的線路圖案對(duì)應(yīng))；顯影速度為2.0M/MIN;
(12) .蝕刻對(duì)雙面銅箔線路蝕刻；，用銅蝕刻液腐蝕暴露的導(dǎo)電層部 分而將其除去，并保留曝光的干膜所覆蓋的導(dǎo)電層部分，再將曝光的干膜去 除，從而最終在線路板基板上形成線路；
(13) .剝膜線路形成后將兩面的干膜剝除；
(14) .第3次化研:對(duì)銅箔表面第三次表面化學(xué)處理，對(duì)銅箔表面清潔， 減少蓋膜下異物，同時(shí)增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；
(15) .再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行孔對(duì)位，并且在第一層銅箔上表 面貼PI蓋膜；
(16) .再次熱壓蓋膜將步驟(15)的銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；
(17) .后續(xù)步驟，后續(xù)步驟還包括打孔、沖壓、電檢、全檢、包裝， 所述打孔是指在產(chǎn)品的某個(gè)部位用機(jī)械方法作出檢測孔和定位孔；沖壓指將 整張產(chǎn)品沖成單個(gè)產(chǎn)品；電檢指通過制具測定產(chǎn)品的電性能；全檢指用目測 或者其他設(shè)備檢査產(chǎn)品外觀；包裝指將產(chǎn)品包裝出貨。
用以上方法制造出的鏤空板記為A3。
對(duì)比例
按照現(xiàn)有技術(shù)的制造方法將銅箔裁取長為250mm*350iran的雙面銅箔； 雙面銅箔上NC (數(shù)控)鉆孔，即用NC鉆孔機(jī)進(jìn)行鉆孔;將產(chǎn)品進(jìn)行化研，除 去表面異物，清潔銅箔表面；在第二層銅箔上貼PI蓋膜；將貼好PI蓋膜的
銅箔與PI蓋膜進(jìn)行熱壓；將雙面銅箔進(jìn)行烘烤，所用烘烤溫度IO(TC，烘烤 時(shí)間為1.5小時(shí);增加蓋膜與銅箔結(jié)合力，增加蓋膜剝離強(qiáng)度；再次化研產(chǎn) 品烘烤后銅箔表面會(huì)嚴(yán)重的氧化，也有較多異物，需化研處理，將銅箔表面進(jìn)行第二次表面化學(xué)處理，即將銅箔表面進(jìn)行化研;餘去表面異物，清潔銅箔
表面，增加蓋膜與銅箔的結(jié)合力；兩面干膜層壓在雙面銅箔兩面各層壓一 層感光干膜，用于感光成預(yù)定圖形，所用千膜為杜邦20;曝光利用紫外線 根據(jù)設(shè)計(jì)好的線路圖案對(duì)感光杜邦20干膜進(jìn)行感光；顯影用顯影液對(duì)曝 光后的杜邦20干膜進(jìn)行顯影，將未曝光的杜邦20干膜部分溶解以露出導(dǎo)電
層，保留曝光的杜邦20干膜部分(與預(yù)定的線路圖案對(duì)應(yīng))；蝕刻用蝕刻
液腐蝕暴露的導(dǎo)電層部分而將其除去，并保留曝光的杜邦20干膜所覆蓋的 導(dǎo)電層部分，再將曝光的杜邦20干膜去除，從而最終在雙面銅箔上形成線
路，第3次化研；對(duì)形成線路的銅箔表面清潔，減少蓋膜下異物，同時(shí)增加 蓋膜與銅箔的結(jié)合力。貼蓋膜，在第一層銅箔上貼PI蓋膜；熱壓蓋膜熱
壓步驟(13)的PI蓋膜，可以保護(hù)銅面，防止氧化，并增強(qiáng)產(chǎn)品彎折等性 能；表面處理后出貨，此鏤空板記為A4。
參照?qǐng)D1可以看出，按照同樣的材料和方法制成600個(gè)雙面鏤空板，采用 本發(fā)明的鏤空板的制造方法的A3、 A2和Al的成品不良率明顯降低，由于本 發(fā)明鏤空板的制造方法的變化，在銅箔上熱壓一面蓋膜之前先在該銅箔的 另一面層壓一面干膜，用來保護(hù)銅面，避免在貼合、熱壓蓋膜時(shí)產(chǎn)生異物， 影響線路良率；本發(fā)明有效的降低了鏤空板成品不良率。
以上所述之具體實(shí)施方式
為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，并非以此限定本發(fā) 明的具體實(shí)施范圍，凡依照本發(fā)明之方法所作的等效變化均在本發(fā)明的保護(hù) 范圍內(nèi)。.由表1可以看出，按照同樣的材料和方法制成600個(gè)雙面鏤空板，采用本
發(fā)明的鏤空板的制造方法的A3、 A2和A1的成品不良率明顯降低，由于本發(fā) 明鏤空板的制造方法的變化，在銅箔上熱壓一面蓋膜之前先在該銅箔的另 一面層壓一面干膜，用來保護(hù)銅面，避免在貼合、熱壓蓋膜時(shí)產(chǎn)生異物，影 響線路良率；本發(fā)明有效的降低了鏤空板成品不良率。
以上所述之具體實(shí)施方式
為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，并非以此限定本發(fā) 明的具體實(shí)施范圍，凡依照本發(fā)明之方法所作的等效變化均在本發(fā)明的保護(hù) 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙面鏤空板的制造方法，其特征在于，它按照以下步驟進(jìn)行(1).銅箔裁斷，將銅箔裁取設(shè)計(jì)要求的雙面銅箔；(2).鉆孔；根據(jù)設(shè)計(jì)要求在所述雙面銅箔上鉆孔；(3).化研對(duì)銅箔表面進(jìn)行表面化學(xué)處理；(4).干膜層壓；將干膜層壓在第一層銅箔的上表面；(5).貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下表面，進(jìn)行預(yù)壓；(6).熱壓蓋膜將步驟(5)的銅箔與蓋膜進(jìn)行熱壓；(7).烘烤；(8).再次化研將銅箔表面進(jìn)行第二次表面化學(xué)處理；(9).干膜層壓在壓有蓋膜的第二層銅箔蓋膜表面層壓一層干膜；(10).曝光將設(shè)計(jì)完成的線路圖案進(jìn)行曝光；(11).顯影對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影；(12).蝕刻對(duì)雙面銅箔線路蝕刻；(13).剝膜線路形成后將兩面的干膜剝除；(14).第3次化研對(duì)銅箔表面第三次表面化學(xué)處理；(15).再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行對(duì)位，并且在第一層銅箔上表面貼蓋膜；(16).再次熱壓蓋膜將步驟(15)的銅箔與蓋膜進(jìn)行熱壓；(17).后續(xù)步驟。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(3).步驟(8)和步 驟(14)中表面化學(xué)處理為化學(xué)研磨。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(5).步驟(15)的 對(duì)位方式為孔對(duì)位。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(7)烘烤溫度80°C-160 °C，烘烤時(shí)間為0.5-2小時(shí)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(4)和步驟(9)的 干膜為杜邦20或者杜邦30或者杜邦40。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述千膜為杜邦20時(shí)，曝光條 件為曝光機(jī)的曝光量為5-8級(jí)；顯影條件采用2. 5-2. 7M/MIN的速度進(jìn)行。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述千膜為杜邦30時(shí)，曝光條 件為曝光機(jī)的曝光量為5-8級(jí)；顯影條件為采用2. 3-2. 5M/MIN的速度進(jìn)行。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述千膜為杜邦40時(shí)，曝光條 件為曝光機(jī)的曝光量為5-8級(jí)；顯影條件為采用1. 9-2. 1M/MIN的速度進(jìn)行。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(12)中蝕刻液為銅蝕 刻液。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(17)后續(xù)步驟還包 括打孔、沖壓、電檢、全檢、包裝。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙面鏤空板的制造方法。所述方法包括銅箔裁斷；鉆孔；化研；干膜層壓將干膜層壓在第一層銅箔的上表面；貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行對(duì)位，將蓋膜貼在第二層銅箔的下表面，進(jìn)行預(yù)壓；熱壓蓋膜；烘烤；再次化研；干膜層壓在壓有蓋膜的第二層銅箔蓋膜表面層壓一層干膜；曝光；顯影；剝膜；第3次化研；再次貼蓋膜將雙面銅箔進(jìn)行對(duì)位，并且在第一層銅箔上表面貼蓋膜；再次熱壓蓋膜；后續(xù)步驟。本發(fā)明公開了一種雙面鏤空板的制造方法，在銅箔上熱壓一面蓋膜之前先在該銅箔的另一面層壓一面干膜，用來保護(hù)銅面，避免在貼合、熱壓蓋膜時(shí)產(chǎn)生異物，影響線路良率，同時(shí)提前給銅箔增加了厚度，可以大大較少制作過程中的銅箔褶皺；本發(fā)明有效的降低了鏤空板成品不良率。
文檔編號(hào)H05K3/00GK101626661SQ20081006848
公開日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2008年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月11日
發(fā)明者鄧柏林, 魏海琴 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司