專利名稱：輻射源、光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和一種用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在該例子中，可以將可選地稱為掩?；?掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn) 移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個或多個管芯的一部分)上。通常， 圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通 常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括步進(jìn) 機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分； 以及掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時 平行或反向平行于該方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。還可以通過將所述圖 案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。通過如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利準(zhǔn)則來給出圖案印刷的極限的理論估 計(jì)
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括輻射源，被配置成產(chǎn)生極紫外輻射，所述輻射源包括腔，在所述腔中產(chǎn)生等離子體；收集器反射鏡，被配置以反射由所述等離子體發(fā)射的輻射；和碎片減緩系統(tǒng)，包括氣體供給系統(tǒng)，被配置以朝向所述等離子體供給第一氣流，所述第一氣流被選擇以熱 能化由所述等離子體產(chǎn)生的碎片；和多個氣體岐管，被布置在靠近所述收集器反射鏡的位置處，所述氣體岐管被配置成將 第二氣流供給到所述腔內(nèi)，所述第二氣流被朝向所述等離子體引導(dǎo)，以防止熱能化的碎片 沉積到所述收集器反射鏡上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述碎片被通過使用所述佩克萊特效應(yīng)來抑制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述輻射源是激光產(chǎn)生等離子體源或放電產(chǎn) 生等離子體源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述腔包含氫氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻設(shè)備，其中所述氫氣的壓強(qiáng)是約lOOPa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中在所述第二氣流中的氣體是氫氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述氣體岐管包括多個氣體出口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述第一氣流中的氣體是氬氣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述第一氣流中的氣體具有小于所述第二氣 流中的氣體的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述第一氣流形成圍繞所述等離子體的氣 體簾幕。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述第一氣流是超音速的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述氣體供給系統(tǒng)包括被布置于靠近所述 收集器反射鏡處的一個或更多的出口。
13.一種輻射源，被配置成產(chǎn)生極紫外輻射，所述輻射源包括腔，在所述腔中產(chǎn)生等離子體；收集器反射鏡，被配置以反射由所述等離子體發(fā)射的輻射；和碎片減緩系統(tǒng)，包括氣體供給系統(tǒng)，被配置以朝向所述等離子體供給第一氣流，所述第一氣流被選擇以將 由所述等離子體產(chǎn)生的碎片熱能化；和多個氣體岐管，被布置在靠近所述收集器反射鏡的位置處，所述氣體岐管被配置成將 第二氣流供給到所述腔內(nèi)，所述第二氣流被朝向所述等離子體引導(dǎo)，以防止被熱能化的碎 片沉積到所述收集器反射鏡上。
14.一種防止由等離子體產(chǎn)生的碎片沉積到光刻設(shè)備中的等離子體輻射源的收集器反 射鏡上的方法，所述方法包括以下步驟朝向所述等離子體供給第一氣流，所述第一氣流被配置成將由所述等離子體產(chǎn)生的碎 片熱能化；和朝向所述等離子體供給第二氣流，以防止由所述等離子體產(chǎn)生的被熱能化的碎片沉積 到所述收集器反射鏡上，所述第二氣流被用靠近所述收集器反射鏡布置的多個氣體岐管供
15. 一種器件制造方法，包括以下步驟 產(chǎn)生發(fā)射極紫外輻射的等離子體； 用收集器反射鏡收集所述極紫外輻射； 將所述極紫外輻射轉(zhuǎn)換成輻射束； 對所述輻射束進(jìn)行圖案化； 將所述輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；和防止由所述等離子體產(chǎn)生的碎片沉積到所述收集器反射鏡上，所述防止步驟包括 朝向所述等離子體供給第一氣流，所述第一氣流被配置成將由所述等離子體產(chǎn)生的碎 片熱能化；和朝向所述等離子體供給第二氣流，以防止由所述等離子體產(chǎn)生的被熱能化的碎片沉積 到所述收集器反射鏡上，所述第二氣流被用靠近所述收集器反射鏡布置的多個氣體岐管供
全文摘要
一種光刻設(shè)備(1)，包括輻射源(SO)，被配置成產(chǎn)生極紫外輻射，所述輻射源(SO)包括腔(210)，在所述腔中產(chǎn)生等離子體(225)；收集器反射鏡(270)，被配置以反射由所述等離子體(225)發(fā)射的輻射；和碎片減緩系統(tǒng)(230)，所述碎片減緩系統(tǒng)(230)包括氣體供給系統(tǒng)(235)，被配置以朝向所述等離子體供給第一氣流(240)，所述第一氣流(240)被選擇以將由所述等離子體(225)產(chǎn)生的碎片熱能化；和多個氣體岐管(247)，被布置在靠近所述收集器反射鏡(270)的位置處，所述氣體岐管被配置成將第二氣流(250)供給到所述腔(210)內(nèi)，所述第二氣流(250)被朝向所述等離子體(225)引導(dǎo)，以防止被熱能化的碎片沉積到所述收集器反射鏡(270)上。
文檔編號H05G2/00GK102119365SQ200980131196
公開日2011年7月6日 申請日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月14日
發(fā)明者E·R·魯普斯特拉, J·H·J·莫爾斯, V·Y·巴尼內(nèi) 申請人:Asml荷蘭有限公司