專利名稱：發(fā)光裝置、打印頭以及圖像形成設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法、打印頭以及圖像形成設(shè)備。
背景技術(shù)：
在電子照相圖像形成設(shè)備(諸如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)或傳真機(jī))中，以如下方式在 記錄紙張上形成圖像。首先，通過使得光學(xué)記錄單元發(fā)光從而把圖像信息轉(zhuǎn)移到感光體 上來在均勻充電的感光體上形成靜電潛像。隨后，通過采用調(diào)色劑顯影使得靜電潛像可 見。最后，把調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印并定影到記錄紙張上。除了通過使用激光束在第一掃描方 向上進(jìn)行激光掃描執(zhí)行曝光的光學(xué)掃描記錄單元之外，近些年已采用使用下面的LED打 印頭(LPH)的記錄裝置作為這種光學(xué)記錄單元以適應(yīng)減小設(shè)備尺寸的需要。這種LPH包 括在第一掃描方向上排列的大量發(fā)光二極管(LED)，這些發(fā)光二極管作為發(fā)光元件。日本專利申請公開No.2004-181741描述了一種自掃描發(fā)光元件陣列(SLED 自掃描發(fā)光裝置)芯片，其中移位部分和發(fā)光部分彼此分離，并且該芯片具有二極管耦 合。在這種結(jié)構(gòu)的SLED芯片中，移位部分中的晶閘管并不具有與其相連的對應(yīng)發(fā)光晶 閘管，以便實(shí)現(xiàn)多重發(fā)光并且中斷進(jìn)行中的數(shù)據(jù)寫入。在使用具有SLED的LPH的記錄裝置中，使用實(shí)現(xiàn)多重發(fā)光的SLED芯片造成 功耗增加。本發(fā)明的目的在于提供一種抑制功耗增加的使用實(shí)現(xiàn)多重發(fā)光的自掃描發(fā)光元 件陣列的發(fā)光裝置、自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法、打印頭以及圖像形成設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種發(fā)光裝置，包括自掃描發(fā)光元件陣列； 以及點(diǎn)亮控制器，所述自掃描發(fā)光元件陣列包括直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲 器元件，其設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每一個(gè)存儲器元 件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比， 在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易被設(shè)定在導(dǎo) 通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲 器元件，每個(gè)開關(guān)元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān) 元件被設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在 被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通 狀態(tài)；所述點(diǎn)亮控制器包括轉(zhuǎn)移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元 件，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定所述多個(gè)開關(guān)元件從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端 側(cè)；存儲器信號生成單元，其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組 中的一組的多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng) 的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān) 斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存 儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且 隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信 號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與想要點(diǎn)亮的 發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述想要點(diǎn)亮的 發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在發(fā)光裝置的第一方面，所述自掃描發(fā)光元件陣列還 包括多個(gè)消除元件，所述多個(gè)消除元件設(shè)定為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各 個(gè)存儲器元件，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括消除信號生成單元，所述消除信號生成單元 把消除信號提供到所述多個(gè)消除元件，在所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀 態(tài)之后，所述消除信號防止與所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通 狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在發(fā)光裝置的第一和第二方面中任一方面，所述自掃 描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)保持元件，所述多個(gè)保持元件設(shè)置在各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存 儲器元件之間從而與各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)，并且電連接到各個(gè)發(fā)光元 件和各個(gè)存儲器元件，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在各個(gè)存儲器元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的 情況下，所述多個(gè)保持元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易點(diǎn)亮，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括保 持信號生成單元，所述保持信號生成單元把保持信號提供到所述多個(gè)保持元件，在使得 與所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述保持信 號使得與處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件相對應(yīng)的保持元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種發(fā)光裝置，包括自掃描發(fā)光元件陣列； 以及點(diǎn)亮控制器，所述自掃描發(fā)光元件陣列包括基板；多個(gè)發(fā)光晶閘管，其形成在 所述基板上并且直線排列；多個(gè)存儲器晶間管，其形成在所述基板上并且設(shè)置為與各個(gè) 發(fā)光晶閘管相對應(yīng)，并且電連接到各個(gè)發(fā)光晶閘管，每一個(gè)存儲器晶閘管都被設(shè)定在導(dǎo) 通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)存儲器晶間管把所述多個(gè)發(fā)光晶間管的各 個(gè)閾值電壓變成這樣的值與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情 況下，所述值使得各個(gè)發(fā)光晶間管容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管，其形 成在所述基板上并且設(shè)置為與各個(gè)存儲器晶間管相對應(yīng)，并且電連接到各個(gè)存儲器晶閘 管，每一個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)轉(zhuǎn)移 晶閘管被設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，并且把所述多個(gè)存儲器晶 閘管的各個(gè)閾值電壓變成這樣的值與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情 況下，所述值使得各個(gè)存儲器晶間管容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；所述點(diǎn)亮控制器包括轉(zhuǎn) 移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定所述多 個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信號生成單元， 其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光晶閘管被分成的多個(gè)組中的一組的多個(gè)發(fā)光晶閘 管相對應(yīng)的多個(gè)存儲器晶閘管，在與形成所述組的發(fā)光晶閘管相對應(yīng)的轉(zhuǎn)移晶閘管被設(shè) 定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng)的發(fā)光晶閘管，則所述 存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng)的存儲器晶閘管臨時(shí)從關(guān)斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng)的發(fā)光晶閘管，則所述存儲 器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng)的存儲器晶閘管保持在關(guān)斷狀態(tài)，并 且隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn) 亮信號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光晶間管，在使得與想要 點(diǎn)亮的發(fā)光晶間管相對應(yīng)的存儲器晶間管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述 想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在發(fā)光裝置的第四方面，所述自掃描發(fā)光元件陣列還 包括多個(gè)消除二極管，所述多個(gè)消除二極管設(shè)置為與各個(gè)存儲器晶閘管相對應(yīng)并且電連 接到各個(gè)存儲器晶閘管，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括消除信號生成單元，所述消除信號 生成單元把消除信號提供到所述多個(gè)消除二極管，在所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管被 設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述消除信號防止與所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管相對應(yīng)的存儲器 晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，在發(fā)光裝置的第五方面，所述自掃描發(fā)光元件陣列的
消除二極管是肖特基二極管。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，在發(fā)光裝置的第四到第六方面中的任一方面，所述自 掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)保持晶閘管，所述多個(gè)保持晶閘管形成在所述基板上，并 且設(shè)置在各個(gè)發(fā)光晶間管和各個(gè)存儲器晶間管之間從而與各個(gè)發(fā)光晶間管和各個(gè)存儲器 晶閘管相對應(yīng)，并且電連接到各個(gè)發(fā)光晶閘管和各個(gè)存儲器晶閘管，所述多個(gè)保持晶閘 管把所述多個(gè)發(fā)光晶閘管的各個(gè)閾值電壓變成這樣的值與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在所 述多個(gè)存儲器晶間管被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述值使得各個(gè)發(fā)光晶間管容易被設(shè) 定在導(dǎo)通狀態(tài)，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括保持信號生成單元，所述保持信號生成單元 把保持信號提供到所述多個(gè)保持晶閘管，在使得與所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管相對 應(yīng)的存儲器晶間管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述保持信號使得與處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶 閘管相對應(yīng)的保持晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了一種自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法，所述自 掃描發(fā)光元件陣列包括直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè)置為與各 個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每一個(gè)存儲器元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài) 和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情 況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元 件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件，每一個(gè)開關(guān)元件 都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被設(shè)定成允許導(dǎo)通 狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情 況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，所述驅(qū)動方法包 括把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，使得所述多個(gè)開關(guān)元件的導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè) 順序移動到另一端側(cè)；把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組中的一 組的多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng)的開關(guān) 元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則 所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān)斷狀態(tài) 變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且隨后使 得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及針對每一組把 點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件 設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第九方面，在自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法的第八方面，所述 自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)消除元件，所述多個(gè)消除元件設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件 相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件，并且所述驅(qū)動方法還包括把消除信號提供到所 述多個(gè)消除元件，在所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述消除信 號防止與所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，在自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法的第八到第十方面 中的任一方面，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)保持元件，所述多個(gè)保持元件設(shè)置 在各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件之間從而與各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)， 并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在各個(gè)存儲器 元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)保持元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易點(diǎn)亮，并且 所述驅(qū)動方法還包括把保持信號提供到所述多個(gè)保持元件，在使得與所述組中想要點(diǎn) 亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述保持信號使得與處于導(dǎo)通 狀態(tài)的存儲器元件相對應(yīng)的保持元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供了一種打印頭，包括曝光單元；以及光學(xué)單 元，所述曝光單元對圖像載體進(jìn)行曝光并且包括自掃描發(fā)光元件陣列；以及點(diǎn)亮控制 器，所述自掃描發(fā)光元件陣列包括直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè) 置為與各個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每一個(gè)存儲器元都被設(shè)定在導(dǎo) 通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通 狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多 個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件，每一個(gè) 開關(guān)元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被設(shè)定成 允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通 狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；所述點(diǎn) 亮控制器包括轉(zhuǎn)移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，所述轉(zhuǎn)移 信號設(shè)定所述多個(gè)開關(guān)元件從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信 號生成單元，其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組中的一組的多 個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng)的開關(guān)元件被 設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存 儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān)斷狀態(tài)變成導(dǎo) 通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使得 與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且隨后使得已經(jīng) 被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信號生成單元， 其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對 應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo) 通狀態(tài)；所述光學(xué)單元使得從所述曝光單元發(fā)出的光會聚到所述圖像載體上。
根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供了一種圖像形成設(shè)備，包括充電單元，其對 圖像載體進(jìn)行充電；曝光單元；光學(xué)單元；顯影單元；以及轉(zhuǎn)印單元，所述曝光單元對 所述圖像載體進(jìn)行曝光并且包括自掃描發(fā)光元件陣列以及點(diǎn)亮控制器，所述自掃描發(fā)光 元件陣列包括直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光元件 相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每一個(gè)存儲器元都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中 的任一個(gè)狀態(tài)，與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述 多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置 為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件，每一個(gè)開關(guān)元件都被設(shè)定在 導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端 側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述 多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；所述點(diǎn)亮控制器包括轉(zhuǎn)移 信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定所述多個(gè)開 關(guān)元件從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信號生成單元，其把存 儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組中的一組的多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的 多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng)的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情 況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān)斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不 想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的 開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài) 的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮 信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；所述光學(xué)單 元使得從所述曝光單元發(fā)出的光會聚到所述圖像載體上；所述顯影單元對形成在所述圖 像載體上的靜電潛像進(jìn)行顯影；所述轉(zhuǎn)印單元將所述圖像載體上顯影出的圖像轉(zhuǎn)印到被 轉(zhuǎn)印體上。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使用實(shí)現(xiàn)多重發(fā) 光的自掃描發(fā)光元件陣列抑制發(fā)光裝置的功耗增加。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以增大發(fā)光占空比 (發(fā)光效率)。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以進(jìn)一步增大發(fā)光 占空比。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使用實(shí)現(xiàn)多重發(fā) 光的自掃描發(fā)光元件陣列抑制發(fā)光裝置的功耗增加。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以增大發(fā)光占空 比。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，與沒有采用本結(jié) 構(gòu)的情況相比，可以抑制寄生晶閘管 運(yùn)行。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以進(jìn)一步增大發(fā)光 占空比。
根據(jù)本發(fā)明的第八方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以使用實(shí)現(xiàn)多重發(fā) 光的自掃描發(fā)光元件陣列抑制發(fā)光裝置的功耗增加。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以增大發(fā)光占空 比。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以進(jìn)一步增大發(fā)光 占空比。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以抑制功耗的增 力口，同時(shí)減小打印頭的尺寸。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，與沒有采用本結(jié)構(gòu)的情況相比，可以抑制功耗的增 力口，同時(shí)加速圖像形成。


根據(jù)以下附圖具體描述了本發(fā)明的(多個(gè))示例性實(shí)施例，其中圖1示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的圖像形成設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)的實(shí)例；圖2是示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的打印頭的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3是發(fā)光裝置的俯視圖；圖4是示出了第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置中的信號生成電路的結(jié)構(gòu)以及信 號生成電路和發(fā)光芯片的布線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5是說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片的布線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖6是說明發(fā)光芯片的操作概要的示意圖；圖7是說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片操作的時(shí)序圖；圖8是說明沒有應(yīng)用第一示例性實(shí)施例情況下的發(fā)光芯片操作的時(shí)序圖；圖9是示出了存儲器晶閘管的閾值電壓與存儲器晶閘管關(guān)斷之后柵極端子電勢 的變化的一個(gè)實(shí)例的曲線圖；圖10是說明第二示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片操作的時(shí)序圖；圖11是示出了第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置中的信號生成電路的結(jié)構(gòu)以及信 號生成電路與每一個(gè)發(fā)光芯片之間的布線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖12是說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片的電路結(jié)構(gòu)的示意圖；圖13是說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片操作的時(shí)序圖；圖14是示出了第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置中的信號生成電路的結(jié)構(gòu)以及信 號生成電路與每一個(gè)發(fā)光芯片之間的布線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖15是說明第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片的電路結(jié)構(gòu)的示意圖；圖16是說明第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片操作的時(shí)序圖；圖17是示出了第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置中的信號生成電路的結(jié)構(gòu)以及信 號生成電路與每一個(gè)發(fā)光芯片中之間的布線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖18是說明第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片的電路結(jié)構(gòu)的示意圖；以及圖19是說明第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式(圖像形成設(shè)備)下文將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。<第一示例性實(shí)施例>圖1示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的圖像形成設(shè)備1的整體結(jié)構(gòu)的實(shí)例。圖1 中所示的圖像形成設(shè)備1通常被稱為串聯(lián)型圖像形成設(shè)備。圖像形成設(shè)備1包括圖像形 成處理單元10、圖像輸出控制器30和圖像處理器40。圖像形成處理單元10根據(jù)不同顏 色的圖像數(shù)據(jù)集形成圖像。圖像輸出控制器30控制圖像形成處理單元10。圖像處理器 40連接到諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC) 2和圖像讀取設(shè)備3之類的裝置，對從上述裝置接收到的 圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行預(yù)定的圖像處理。圖像形成處理單元10包括圖像形成單元11。圖像形成單元11由等間隔并行布 置的多個(gè)引擎組成。具體地說，圖像形成單元11由四個(gè)圖像形成單元11Y、11M、IlC 和IlK組成。圖像形成單元11Y、11M、IlC和IlK中的每一個(gè)都包括感光鼓12、充電 裝置13、打印頭14和顯影裝置15。在作為圖像載體實(shí)例的感光鼓12上形成靜電潛像， 并且感光鼓12保持調(diào)色劑圖像。作為充電單元實(shí)例的充電裝置13以預(yù)定電勢對感光鼓 12的表面均勻充電。打印頭14對通過充電裝置13充電的感光鼓12進(jìn)行曝光。作為顯 影單元實(shí)例的顯影裝置15將由打印頭14形成的靜電潛像進(jìn)行顯影。這里，除了在顯影裝 置15中容納的調(diào)色劑的顏色不同之外，圖像形成單元11Y、11M、IlC和IlK具有大致 相同的結(jié)構(gòu)。圖像形成單元11Y、11M、IlC和IlK分別形成黃色(Y)、晶紅色(M)、 青色(或稱藍(lán)綠色)(C)和黑色(K)調(diào)色劑圖像。另外，圖像形成處理單元10還包括紙張傳送帶21、驅(qū)動輥22、轉(zhuǎn)印輥23和定 影裝置24。紙張傳送帶21傳送作為被轉(zhuǎn)印體的記錄紙張，從而通過多層轉(zhuǎn)印把分別形 成在圖像形成單元11Y、11M、IlC和IlK的感光鼓12上的不同顏色的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印 到記錄紙張上。驅(qū)動輥22是驅(qū)動紙張傳送帶21的輥。作為轉(zhuǎn)印單元實(shí)例的每個(gè)轉(zhuǎn)印輥 23把形成在對應(yīng)感光鼓12上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄紙張上。定影裝置24把調(diào)色劑圖 像定影在記錄紙張上。在該圖像形成設(shè)備1中，圖像形成處理單元10根據(jù)從圖像輸出控制器30提供的各種控制信號執(zhí)行圖像形成操作。在圖像輸出控制器30的控制下，圖像處理器40對從 個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC) 2或圖像讀取設(shè)備3接收的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行圖像處理，并且隨后把得到的 數(shù)據(jù)集提供到對應(yīng)的圖像形成單元11。隨后，例如在黑色(K)圖像形成單元IlK中，感 光鼓12在沿箭頭A方向旋轉(zhuǎn)的同時(shí)由充電裝置13以預(yù)定電勢進(jìn)行充電，并且隨后打印頭 14根據(jù)從圖像處理器40提供的圖像數(shù)據(jù)集進(jìn)行發(fā)光來對感光鼓12進(jìn)行曝光。通過這種 操作，用于黑色(K)圖像的靜電潛像形成在感光鼓12上。其后，顯影裝置15把形成在 感光鼓12上的靜電潛像顯影出來，并且因此黑色(K)調(diào)色劑圖像形成在感光鼓12上。 類似地，分別在圖像形成單元11Y、IlM和IlC上形成黃色(Y)、晶紅(M)和青色(C) 調(diào)色劑圖像。通過施加到轉(zhuǎn)印輥23的轉(zhuǎn)印電場，在各個(gè)圖像形成單元11中形成在感光鼓12 上的各個(gè)顏色的調(diào)色劑圖像被順序地靜電轉(zhuǎn)印到由于紙張傳送帶21的運(yùn)動而提供的記錄 紙張。這里，紙張傳送帶21沿箭頭B方向運(yùn)動。通過這種操作，在記錄紙張上形成了作為重疊顏色調(diào)色劑圖像的合成調(diào)色劑圖像。其后，其上靜電轉(zhuǎn)印了合成調(diào)色劑圖像的記錄紙張被發(fā)送到定影裝置24。發(fā)送 到定影裝置24的記錄紙張上的合成調(diào)色劑圖像由定影裝置24利用熱和壓力通過定影處理 定影到記錄紙張上，并且隨后從圖像形成設(shè)備1輸出。(打印頭) 圖2是示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的打印頭14的結(jié)構(gòu)的示意圖。打印頭14包 括外殼61、發(fā)光部分63、電路板62和棒狀透鏡陣列64。發(fā)光部分63具有多個(gè)LED (在 第一示例性實(shí)施例中是發(fā)光晶間管)。在電路板62上安裝了發(fā)光部分63、信號生成電路 100 (參見稍后描述的圖3)等，信號生成電路100作為驅(qū)動發(fā)光部分63的點(diǎn)亮控制器的實(shí) 例。作為光學(xué)單元實(shí)例的棒狀透鏡陣列64把發(fā)光部分63所發(fā)出的光會聚到感光鼓12的 表面上。這里，發(fā)光部分63、信號生成電路100和其上安裝了這些元件的電路板62將被 稱為發(fā)光裝置65，該發(fā)光裝置65作為曝光單元的實(shí)例。外殼61例如由金屬制成，并且支撐電路板62和棒狀透鏡陣列64。外殼61被設(shè) 置成使得發(fā)光部分63的發(fā)光點(diǎn)位于棒狀透鏡陣列64的焦平面上。此外，棒狀透鏡陣列 64沿感光鼓12的軸向(第一掃描方向)布置。(發(fā)光裝置)圖3是發(fā)光裝置65的俯視圖。如圖3所示，發(fā)光裝置65的發(fā)光部分63由在電路板62上沿第一掃描方向排列 成兩行的60個(gè)發(fā)光芯片Cl到C60組成。這里，60個(gè)發(fā)光芯片Cl到C60以鋸齒形圖案 排列，其中發(fā)光芯片Cl到C60的每相鄰的兩個(gè)彼此面對。注意，如果不區(qū)分發(fā)光芯片Cl 到C60，則它們被描述為發(fā)光芯片C (Cl到C60)或發(fā)光芯片C。對其它的術(shù)語也是如此。所有的發(fā)光芯片C(C1到C60)具有相同的結(jié)構(gòu)。每個(gè)發(fā)光芯片C(C1到C60) 具有由作為發(fā)光元件實(shí)例的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3···組成的發(fā)光晶閘管陣列(發(fā)光元件 陣列)，這如稍后所述。發(fā)光晶閘管陣列沿發(fā)光芯片C的矩形的長邊排列。發(fā)光晶閘管 陣列排列成靠近長邊之一并且使得發(fā)光晶閘管Li、L2、L3…形成等間隔。這里，奇數(shù) 編號的發(fā)光芯片Cl、C3、C5···和偶數(shù)編號的發(fā)光芯片C2，C4，C6···排列成彼此面對。 另外，發(fā)光芯片Cl到C60排列成使得發(fā)光晶閘管在如虛線所示的發(fā)光芯片C的連接部分 中也沿第一掃描方向等間隔排列。而且，如上所述，發(fā)光裝置65包括驅(qū)動發(fā)光部分63的信號生成電路100。注意，如果不區(qū)分發(fā)光晶閘管Li、L2、L3···，則它們被稱為發(fā)光晶閘管L。圖4是示出了發(fā)光裝置65中的信號生成電路100的結(jié)構(gòu)以及信號生成電路100 和發(fā)光芯片C(C1到C60)的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。注意，在圖4中，由于描述布線結(jié)構(gòu)， 所以沒有以鋸齒形圖案圖示發(fā)光芯片Cl到C60。經(jīng)過圖像處理的圖像數(shù)據(jù)集以及各種控制信號從圖像輸出控制器30和圖像處理 器40(參見圖1)輸入到信號生成電路100，圖中省略了其圖示。隨后，信號生成電路100 根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集和各種控制信號對圖像數(shù)據(jù)集執(zhí)行重新排列并對發(fā)光強(qiáng)度等進(jìn)行校正。信號生成電路100包括點(diǎn)亮信號生成單元110，該點(diǎn)亮信號生成單元110把用于 向發(fā)光晶閘管L提供用于發(fā)光的電力的點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)發(fā)送到發(fā)光芯片C(C1 到 C60)。
信號生成電路100包括轉(zhuǎn)移信號生成單元120，該轉(zhuǎn)移信號生成單元120根據(jù)各 種控制信號把第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2發(fā)送到發(fā)光芯片Cl到C60。此外， 信號生成電路100包括存儲器信號生成單元130，該存儲器信號生成單元130根據(jù)圖像數(shù) 據(jù)集發(fā)送指定將要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的存儲器信號Φιη(Φιη1到Φιη60)。 發(fā)光裝置65的電路板62設(shè)置有電源線104。電源線104連接到發(fā)光芯片C (Cl 到C60)的Vsub端子(參見稍后描述的圖5)，并且提供基準(zhǔn)電勢Vsub (例如，0V)。另 夕卜，發(fā)光裝置65的電路板62設(shè)置有另一電源線105。電源線105連接到發(fā)光芯片C(C1 到C60)的Vga端子(參見稍后描述的圖5)，并且提供用于供電的電源電勢Vga(例 如，-3.3V)。而且，電路板62設(shè)置有第一轉(zhuǎn)移信號線106和第二轉(zhuǎn)移信號線107。第一轉(zhuǎn)移 信號線106和第二轉(zhuǎn)移信號線107把來自信號生成電路100的轉(zhuǎn)移信號生成單元120的第 一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2分別發(fā)送到發(fā)光部分63。第一轉(zhuǎn)移信號線106和第 二轉(zhuǎn)移信號線107分別并聯(lián)連接到發(fā)光芯片C (Cl到C60)的Φ 1端子和Φ2端子(參見 稍后描述的圖5)。此外，電路板62設(shè)置有60個(gè)存儲器信號線108(108_1到108_60)。存儲器信號 線108把來自信號生成電路100的存儲器信號生成單元130的各個(gè)存儲器信號Φιη(Φιη1 到Φιη60)發(fā)送到對應(yīng)的發(fā)光芯片C (Cl到C60)。存儲器信號線108_1到108_60分別連 接到發(fā)光芯片Cl到C60的Φιη端子(參見稍后描述的圖5)。SP，存儲器信號Φιη(Φιη1 到Φιη60)被單獨(dú)地發(fā)送到發(fā)光芯片C(C1到C60)。而且，電路板62還設(shè)置有30個(gè)點(diǎn)亮信號線109(109_1到109_30)。點(diǎn)亮信號線 109把來自信號生成電路100的點(diǎn)亮信號生成單元110的各個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30) 發(fā)送到對應(yīng)的發(fā)光芯片C (Cl到C60)。點(diǎn)亮信號線109(109_1到109_30)中的每一個(gè)都 連接到作為一對的兩個(gè)發(fā)光芯片C的兩個(gè)ΦΙ端子(參見稍后描述的圖5)。例如，點(diǎn)亮 信號線109_1并聯(lián)連接到發(fā)光芯片Cl和C2的ΦΙ端子，并且點(diǎn)亮信號ΦΙ1共同提供到 發(fā)光芯片Cl和C2的ΦΙ端子。類似地，點(diǎn)亮信號線109_2并聯(lián)連接到發(fā)光芯片C3和 C4的ΦΙ端子，并且點(diǎn)亮信號ΦΙ2共同提供到發(fā)光芯片C3和C4的ΦΙ端子。其它的點(diǎn) 亮信號線也具有類似的結(jié)構(gòu)。這樣，點(diǎn)亮信號ΦΙ的數(shù)量(30)是發(fā)光芯片C的數(shù)量(60) 的半。如上所述，在第一示例性實(shí)施例中，基準(zhǔn)電勢Vsub、電源電勢Vga、第一轉(zhuǎn)移 信號Φ1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2共同被發(fā)送到所有發(fā)光芯片C(C1到C60)。存儲器信號 Φιη(Φιη1至IJ Φιη60)被單獨(dú)發(fā)送到發(fā)光芯片C(Cl到C60)。點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到Φ130) 中的每一個(gè)都被發(fā)送到發(fā)光芯片C (Cl到C60)中的對應(yīng)兩個(gè)。通過這種配置，點(diǎn)亮信號線109 (109_1到109_30)的數(shù)量被設(shè)定成小于發(fā)光芯片 C(C1到C60)的數(shù)量。點(diǎn)亮信號線109要求具有低電阻從而把用于點(diǎn)亮(發(fā)光)的電流提供到發(fā)光晶閘 管L。為此，如果點(diǎn)亮信號線109配置成寬布線，則電路板62的寬度變大，妨礙了打印 頭14的尺寸減小。另一方面，為了使得電路板62的寬度變窄，如果信號線被配置成具 有多層，則這種配置妨礙了打印頭14的成本降低。在第一示例性實(shí)施例中，與分別為發(fā)光芯片C設(shè)置點(diǎn)亮信號線109的情況相比，減少了點(diǎn)亮信號線109的數(shù)量，并且由此可以減小打印頭14的尺寸并且以低成本制造打 印頭14。另一方面，在第一示例性實(shí)施例中，存儲器信號線108設(shè)置成使得存儲器信號 線108的數(shù)量與發(fā)光芯片C的數(shù)量相等。如稍后所述，唯一必須的是，存儲器信號線108 提供保持存儲器晶閘管M(參見稍后描述的圖5)的導(dǎo)通(ON)狀態(tài)的電流。保持存儲器 晶閘管M的導(dǎo)通狀態(tài)的電流小于用于使發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)的電流，并且由此存 儲器信號線108的寬度被設(shè)定成不像點(diǎn)亮信號線109 —樣具有低電阻是可接受的。換言之，減小點(diǎn)亮信號線109的數(shù)量可以實(shí)現(xiàn)減小打印頭14的尺寸和低成本制造打印頭14。(發(fā)光芯片)圖5是說明作為自掃描發(fā)光元件陣列(SLED)芯片的發(fā)光芯片C (Cl到C60)的 布線結(jié)構(gòu)的示意圖。這里，發(fā)光芯片Cl被描述為一個(gè)實(shí)例。然而，其它發(fā)光芯片C2到 C60具有與發(fā)光芯片Cl相同的結(jié)構(gòu)。發(fā)光芯片Cl (C)包括由排成一行的作為開關(guān)元件實(shí)例的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、 T3···組成的轉(zhuǎn)移晶閘管陣列(開關(guān)元件陣列)，由同樣排成一行的作為存儲器元件實(shí)例的 存儲器晶閘管Ml、M2、M3…組成的存儲器晶閘管陣列(存儲器元件陣列)，以及由同 樣排成一行的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3…組成的發(fā)光晶閘管陣列(發(fā)光元件陣列)，這些 陣列都被布置在基板80上。這里，與發(fā)光晶閘管L相類似，如果不區(qū)分轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3···，則它們 被稱為轉(zhuǎn)移晶閘管T。類似地，如果不區(qū)分存儲器晶閘管Ml、M2、M3···，則它們被稱
為存儲器晶閘管M。發(fā)光芯片Cl (C)包括連接如下各個(gè)對的耦合二極管Del、Dc2、Dc3…，所述 各個(gè)對是轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3中的每兩個(gè)并且按照編號順序形成。而且，發(fā)光芯片 Cl(C)包括連接二極管 Dml、Dm2、Dm3···。此外，發(fā)光芯片Cl (C)包括電源線電阻Rtl、Rt2, Rt3···，電源線電阻Rml、 Rm2、Rm3···，以及電阻 Rnl、Rn2、Rn3···。這里，與發(fā)光晶閘管L等類似，如果不分別地區(qū)分耦合二極管Del、Dc2、 Dc3…，連接二極管Dml、Dm2、Dm3···，電源線電阻Rtl、Rt2、Rt3···，電源線電阻 Rml、Rm2、Rm3···，以及電阻Rnl、Rn2、Rn3···，則它們被分別稱為耦合二極管Dc，
連接二極管Dm，電源線電阻Rt，電源線電阻Rm，以及電阻Rn。在第一示例性實(shí)施例中，如果發(fā)光晶閘管陣列中的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量被設(shè)定 為128，則轉(zhuǎn)移晶閘管T的數(shù)量以及存儲器晶閘管M的數(shù)量也被設(shè)定為128。類似地， 連接二極管Dm的數(shù)量、電源線電阻Rt和Rm各自的數(shù)量、電阻Rn的數(shù)量也為128。同 時(shí)，耦合二極管Dc的數(shù)量為127，比轉(zhuǎn)移晶閘管T的數(shù)量小1。注意，在圖5中，僅示出了主要包括轉(zhuǎn)移晶閘管Tl到T8、存儲器晶閘管Ml到 M8、以及發(fā)光晶閘管Ll到L8的部分。在其它部分中，以與該部分相同的模式重復(fù)。轉(zhuǎn)移晶閘管T的數(shù)量并非必須與發(fā)光晶閘管L的數(shù)量相等，并且可以大于發(fā)光晶 閘管L的數(shù)量。而且，發(fā)光芯片Cl (C)包括一個(gè)啟動二極管Ds。為了防止過量電流流入到第一轉(zhuǎn)移信號線72和第二轉(zhuǎn)移信號線73中，發(fā)光芯片Cl (C)包括限流電阻Rl和R2。注意，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3···在圖5中按照編號順序排列。這里，轉(zhuǎn)移晶 閘管Tl、T2、T3···從圖5的左側(cè)開始排列，諸如Tl、T2、T3···。類似地，存儲器晶 閘管Ml、M2、M3···和發(fā)光晶閘管Li、L2、L3…也從圖5的左側(cè)按照編號順序排列。 另外，耦合二極管Del、Dc2、Dc3···，連接二極管Dml、Dm2、Dm3···，電源線電阻 Rtl、Rt2、Rt 3···，電源線電阻 Rml、Rm2、Rm3···，以及電阻 Rnl、Rn2、Rn3···也從 圖5的左側(cè)按照編號順序排列。接下來，將描述發(fā)光芯片Cl (C)中的元件之間的電連接。轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3···的陽極端子，存儲器晶閘管Ml、M2、M3···的陽極 端子和發(fā)光晶閘管Li、L2、L3…的陽極端子連接到發(fā)光芯片Cl (C)的基板80 (公共陽 極)。這些陽極端子通過基板80所設(shè)置的Vsub端子連接到電源線104 (參見圖4)?；?準(zhǔn)電勢Vsub被提供到該電源線104。轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3…的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3···通過各個(gè)電源線電阻 RtU Rt2, Rt3···連接到電源線71，各個(gè)電源線電阻Rtl、Rt2、Rt3···與各個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管 Tl、T2、T3···對應(yīng)地設(shè)置。電源線71連接到Vga端子。Vga端子連接到電源線105 (參 見圖4)，并且電源電勢Vga被提供到Vga端子。根據(jù)轉(zhuǎn)移晶閘管T的陣列，奇數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T3、T5···的陰極端子連 接到第一轉(zhuǎn)移信號線72。第一轉(zhuǎn)移信號線72通過限流電阻Rl連接到作為第一轉(zhuǎn)移信號 Φ 1的輸入端子的Φ 1端子。第一轉(zhuǎn)移信號線106 (參見圖4)連接到該Φ 1端子，并且第 一轉(zhuǎn)移信號Φ1被提供到該Φ1端子。同時(shí)，根據(jù)轉(zhuǎn)移晶閘管T的陣列，偶數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管Τ2、Τ4、Τ6···的陰極 端子連接到第二轉(zhuǎn)移信號線73。第二轉(zhuǎn)移信號線73通過限流電阻R2連接到作為第二轉(zhuǎn) 移信號Φ 2的輸入端子的Φ 2端子。第二轉(zhuǎn)移信號線107 (參見圖4)連接到該Φ 2端子， 并且第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2被提供到該Φ 2端子。存儲器晶閘管Ml、M2、M3···的陰極端子通過對應(yīng)的電阻Rnl、Rn 2、Rn3···連
接到存儲器信號線74。存儲器信號線74連接到作為存儲器信號Φιη(在發(fā)光芯片Cl的 情況下為Φιη )的輸入端子的Φιη端子。存儲器信號線108 (參見圖4:在發(fā)光芯片Cl 的情況下為存儲器信號線108_1)連接到該Φιη端子，并且存儲器信號Φιη(參見圖4 在發(fā)光芯片Cl的情況下為存儲器信號Φιη )被提供到該Φιη端子。 轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、Τ2、Τ3…的各個(gè)柵極端子Gtl、Gt2、Gt3···根據(jù)一一對應(yīng)關(guān)系 通過各個(gè)連接二極管Dml、Dm2、Dm3···連接到存儲器晶閘管Ml、M2、M3···的編號 與所連接的柵極端子Gt相同的一個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3。換言之，連接二極管 Dml、Dm2、Dm3···的陽極端子分別連接到轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3···的柵極端子Gtl、 Gt2、Gt3···，連接二極管Dml、Dm2、Dm3···的陰極端子分別連接到存儲器晶閘管Ml、 M2、M3···的柵極端子 Gml、Gm2、Gm3…。這里，如果不區(qū)分柵極端子Gtl、Gt2、Gt3…和柵極端子Gml、Gm2、
Gm3···，則它們被分別稱為柵極端子Gt和柵極端子Gm。存儲器晶閘管Ml、M2、M3···的各個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3…通過各個(gè)電 源線電阻Rml、Rm2、Rm3…連接到電源線71，各個(gè)電源線電阻Rml、Rm2、Rm3···與各個(gè)存儲器晶閘管Ml、M2、M3···對應(yīng)地設(shè)置。電源線71連接到Vga端子。Vga端子 連接到電源線105 (參見圖4)，并且電源電勢Vga被提供到Vga端子。另夕卜，存儲器晶閘管Ml、M2、M3···的各個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3···按照 一一對應(yīng)的關(guān)系連接到發(fā)光晶閘管Li、L2、L3…的編號與所連接的柵極端子Gm相同的 對應(yīng)一個(gè)柵極端子Gil、G12、G13···。各個(gè)耦合二極管Del、Dc2、Dc3…連接在如下各對柵極端子Gt之間，所述各對 柵極端子Gt是發(fā)光晶閘管Li、L2、L3···的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3···中的按照編號順 序形成的兩個(gè)柵極端子Gt。換言之，每個(gè)耦合二極管Del、Dc2、Dc3…串聯(lián)連接到柵 極端子Gtl、Gt2, Gt3…的對應(yīng)兩個(gè)。耦合二極管Dcl連接為使得其方向是電流從柵極 端子Gtl流向柵極端子Gt2的方向。把相同的配置應(yīng)用于其它的耦合二極管Dc2、Dc3、 Dc4".。
發(fā)光晶閘管Li、L2、L3···的陰極端子連接到點(diǎn)亮信號線75，而點(diǎn)亮信號線75 連接到作為點(diǎn)亮信號ΦΙ(在發(fā)光芯片Cl的情況下為點(diǎn)亮信號ΦΙ1)的輸入端子的ΦΙ端 子。點(diǎn)亮信號線109(參見圖4 在發(fā)光芯片Cl的情況下為點(diǎn)亮信號線109_1)連接到 ΦΙ端子，并且點(diǎn)亮信號ΦΙ(參見圖4 在發(fā)光芯片Cl的情況下為點(diǎn)亮信號ΦΙ1)提供到 ΦΙ端子。注意，如圖4所示，對于其它發(fā)光芯片C2到C60的ΦΙ端子，點(diǎn)亮信號ΦΙ1 到ΦΙ30分別被提供到每個(gè)都由兩個(gè)發(fā)光芯片C組成的對應(yīng)發(fā)光芯片對。位于轉(zhuǎn)移晶閘管陣列一端側(cè)的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl的柵極端子Gtl連接到啟動二極管 Ds的陰極端子。同時(shí)，啟動二極管Ds的陽極端子連接到第二轉(zhuǎn)移信號線73。(發(fā)光部分的操作)接下來，將描述發(fā)光部分63的操作。如圖4所示，第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二 轉(zhuǎn)移信號Φ 2組成的一對被共同提供到構(gòu)成發(fā)光部分63的發(fā)光芯片C(C1到C60)。同 時(shí)，基于圖像數(shù)據(jù)集的存儲器信號Φιη(Φιη1到Φιη60)被單獨(dú)提供到發(fā)光芯片C (Cl到 C60)。點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)被分別提供到每個(gè)都由兩個(gè)發(fā)光芯片C組成的對應(yīng) 發(fā)光芯片對，從而由構(gòu)成每一對的兩個(gè)發(fā)光芯片C共用每個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ，并且點(diǎn)亮信號 ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)被單獨(dú)提供到構(gòu)成不同對的發(fā)光芯片C。發(fā)光芯片C (Cl到C60)使用第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2組成的信號 對并行地執(zhí)行順序操作(點(diǎn)亮控制)，使得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)和熄滅。這里， 使得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)并熄滅的順序操作被稱為點(diǎn)亮控制。因此，如果描述了發(fā)光芯片Cl的操作，則就會了解發(fā)光部分63的操作。此 后，將以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例來描述發(fā)光芯片C的操作。(發(fā)光芯片的點(diǎn)亮控制)圖6是說明發(fā)光芯片Cl (C)的操作概要的示意圖。在第一示例性實(shí)施例中，利用由事先設(shè)置的多個(gè)發(fā)光點(diǎn)(發(fā)光晶閘管L)構(gòu)成的 一組，在發(fā)光芯片Cl (C)中執(zhí)行點(diǎn)亮控制。圖6示出了使用由8個(gè)發(fā)光晶閘管L構(gòu)成的一組來執(zhí)行點(diǎn)亮控制的情況。換言 之，在第一示例性實(shí)施例中，同時(shí)使得多達(dá)8個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮。首先，在圖6中，對 8個(gè)發(fā)光晶閘管Ll到L8執(zhí)行點(diǎn)亮控制，如從發(fā)光芯片Cl (C)左側(cè)開始的組#Α所示(稍 后所述的圖7中所示的點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α))。接下來，對與組#八相鄰的組#Β中的8 個(gè)發(fā)光晶閘管L9到L16執(zhí)行點(diǎn)亮控制(稍后所述的圖7中所示的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Β))。隨后，對示為組#(的8個(gè)發(fā)光晶閘管L17到L24執(zhí)行點(diǎn)亮控制。如果發(fā)光芯片C所設(shè) 置的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量為128，則按照類似的方式對8個(gè)發(fā)光晶閘管L重復(fù)執(zhí)行點(diǎn)亮控 制，直到對發(fā)光晶閘管L128執(zhí)行點(diǎn)亮控制為止。換言之，在第一示例性實(shí)施例中，按照時(shí)間先后順序依次對組#A、#B…執(zhí)行點(diǎn) 亮控制，并且在組#八、#B中的每一組中同時(shí)對多個(gè)發(fā)光點(diǎn)(發(fā)光晶閘管L)執(zhí)行點(diǎn)亮控 制。(驅(qū)動波形)圖7是說明第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl (C)操作的時(shí)序圖。在圖7中， 假定時(shí)間按照字母順序從時(shí)間點(diǎn)(時(shí)刻)a到時(shí)間點(diǎn)y。這里示出了第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、 第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲器信號Φιη 、點(diǎn)亮信號ΦΙ1、以及在各個(gè)存儲器晶閘管Ml到 Μ8的陽極端子和陰極端子之間流動的電流J(Ml)到J(MS)的波形。圖7示出了對由圖6所示的8個(gè)發(fā)光晶閘管L構(gòu)成的每個(gè)組執(zhí)行點(diǎn)亮控制的情 況，并且主要示出了在對組#人中的發(fā)光晶閘管Ll到L8執(zhí)行點(diǎn)亮控制時(shí)從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí) 間點(diǎn)y的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)。注意，點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)的后面是在對組#B中的發(fā) 光晶閘管L9到L16執(zhí)行點(diǎn)亮控制時(shí)的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)，在對組#C中的發(fā)光晶閘管 L17到L24執(zhí)行點(diǎn)亮控制時(shí)的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#C)，等等。圖7示出了使得組#A中的8個(gè)發(fā)光晶閘管Ll到L8中的發(fā)光晶閘管Li、L2、 L3、L5和L8點(diǎn)亮(發(fā)光)并且保持8個(gè)發(fā)光晶閘管Ll到L8中的發(fā)光晶閘管L4、L6和 L7熄滅的情況。換言之，假定在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中執(zhí)行圖像數(shù)據(jù)集“11101001” 的打印。對于每個(gè)點(diǎn)亮控制時(shí)段(如點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)、點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)···)，重 復(fù)第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2和點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的波形。另一方面，盡管 存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)具有根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集發(fā)生改變的部分，但是存儲器信號的基本部 分在每個(gè)點(diǎn)亮控制時(shí)段(如點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)、點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Β)···)中重復(fù)。因 此，只要描述了點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)，就可以了解這些波形。注意，作為點(diǎn)亮控制時(shí)段 Τ(#Α)的前時(shí)段的從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)c的時(shí)段是用于啟動發(fā)光芯片Cl (C)的操作的時(shí) 段。在對操作的描述中將說明這一時(shí)段。首先，將描述點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中的第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、 存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)和點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的波形。第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)的開始時(shí)間點(diǎn)C處具有低電平的電勢 (下文稱為“L”)，并且在時(shí)間點(diǎn)f處從“L”變成高電平的電勢(下文稱為“H”)， 隨后在時(shí)間點(diǎn)i處從“H”變成“L”。在時(shí)間點(diǎn)k處，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1的電勢保持 在“L”。隨后，與從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)k的時(shí)段相同的波形在從時(shí)間點(diǎn)k到時(shí)間點(diǎn)w 的時(shí)段中重復(fù)三次。在時(shí)間點(diǎn)w處，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1的電勢為“L”，而在作為點(diǎn)亮 控制時(shí)段T(#A)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)y處，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1的電勢保持在“L”。第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2在時(shí)間 點(diǎn)c處為“H”，在時(shí)間點(diǎn)e處從“H”變成“L”， 隨后在時(shí)間點(diǎn)j處，從“L”變成“H”。在時(shí)間點(diǎn)k處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢保持 在“H”。隨后，與從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)k的時(shí)段相同的波形在從時(shí)間點(diǎn)k到時(shí)間點(diǎn)w 的時(shí)段中重復(fù)三次。在時(shí)間點(diǎn)w處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢為“H”，而在作為點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)y處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢保持在“H”。這里，在從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)w的時(shí)段內(nèi)將第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號 Φ2相互比較的情況下，在從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)k的時(shí)段內(nèi)，第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn) 移信號Φ 2中的每一個(gè)都具有交替重復(fù)“H”和“L”的電勢，中間插入了兩個(gè)電勢都 為“L”的時(shí)段(例如，從時(shí)間點(diǎn)e到時(shí)間點(diǎn)f，或從時(shí)間點(diǎn)i到時(shí)間點(diǎn)j)。不存在第一 轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2同時(shí)為“H”的時(shí)段。第二轉(zhuǎn)移信號Φ2是第一轉(zhuǎn)移 信號Φ 1向右移位了與時(shí)間軸上從時(shí)間點(diǎn)f到時(shí)間點(diǎn)j的時(shí)段對應(yīng)的時(shí)段的信號。與從時(shí) 間點(diǎn)f到時(shí)間點(diǎn)j的時(shí)段對應(yīng)的時(shí)段是第一轉(zhuǎn)移信號Φ1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2中每一個(gè)的 重復(fù)周期(稍后描述的時(shí)段t 1的兩倍時(shí)段)的一半。接下來，將描述存儲器信號Φ ml ( Φ m)。從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)g的時(shí)段是把圖 像數(shù)據(jù)集寫入存儲器晶閘管Ml中時(shí)的寫入時(shí)段T(M1)，而從時(shí)間點(diǎn)g到時(shí)間點(diǎn)k的時(shí) 段是把圖像數(shù)據(jù)集寫入存儲器晶閘管M2中時(shí)的寫入時(shí)段T(M2)。類似地，在點(diǎn)亮控制 時(shí)段T(#A)中，設(shè)置有把圖像數(shù)據(jù)集寫入到各個(gè)存儲器晶閘管M3到M8中時(shí)的寫入時(shí)段 T(M3)到T(M8)。注意，如果不區(qū)分寫入時(shí)段T(Ml)到T(MS)，則它們被稱為寫入時(shí) 段 T(M)。這些寫入時(shí)段T (Ml)到T(M8)等于相同時(shí)段tl。根據(jù)構(gòu)成圖像數(shù)據(jù)集“11101001”的第一位“1”，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的 電勢在寫入時(shí)段T(Ml)的開始時(shí)間點(diǎn)c處從“H”變成“L”，在時(shí)間點(diǎn)d處其電勢從 “L”變成“H”。隨后，其電勢保持在“H”直到作為寫入時(shí)段T(Ml)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn) 的時(shí)間點(diǎn)g為止。在作為寫入時(shí)段T(M2)的開始時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)g處，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集 “11101001”的第二位“1”，其電勢再次從“H”變成“L”，在時(shí)間點(diǎn)h處，其電勢
從“L”變成“H”。隨后，其電勢保持在“H”直到作為寫入時(shí)段T(M2)的結(jié)束時(shí) 間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)k為止。換言之，寫入時(shí)段T(Ml)中的波形在寫入時(shí)段T(M2)中重復(fù)。 而且，在與圖像數(shù)據(jù)集“11101001”的第三位“1”對應(yīng)的寫入時(shí)段T(M3)中，也重復(fù) 了相同的波形。同時(shí)，在作為寫入時(shí)段T(M4)的開始時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)m處，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集 “11101001”的第四位“0”，其電勢從“H”變成存儲器電平電勢(下文稱為“S”)，
在時(shí)間點(diǎn)η處，其電勢從“S”變成“H”。其電勢保持在“H”直到作為寫入時(shí)段 Τ(Μ4)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)ο為止。換言之，在時(shí)間點(diǎn)m處從“H”到“S”的變 化不同于上面描述的在時(shí)間點(diǎn)C、g和k處從“H”到“L”的變化。注意，存儲器電 平電勢“S”是處于“H”和“L”之間的電勢，表示使得接通之后被關(guān)斷的存儲器晶 閘管M準(zhǔn)備在預(yù)定時(shí)段之后接通的電勢電平，稍后將對其進(jìn)行具體描述。注意，將對晶 閘管的接通和關(guān)斷進(jìn)行具體描述。隨后，在寫入時(shí)段T(M5)中，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集“11101001”的第五位“1”， 重復(fù)寫入時(shí)段T(Ml)中的波形。在接下來的寫入時(shí)段T (M6)和寫入時(shí)段T(M7)中，根 據(jù)圖像數(shù)據(jù)集“11101001”的第六位和第七位“0”，分別重復(fù)寫入時(shí)段T(M4)中的波形。其后，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在作為寫入時(shí)段T(Μ8)的開始時(shí)間點(diǎn)的時(shí) 間點(diǎn)r處根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集“11101001”的第八位“1”從“H”變成“L”，在時(shí)間點(diǎn)s處，其電勢從“L”變成“S”。隨后，在時(shí)間點(diǎn)u處，該電勢從“S”變成“H”。 在寫入時(shí)段T(MS)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)w處，其電勢保持在“H”。隨后，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢保持在“H”直到作為點(diǎn)亮控制時(shí)段 Τ(#Α)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)y為止。注意，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)在上述寫入時(shí)段T(Ml)到T(MS)的每個(gè)開始時(shí) 間點(diǎn)處從“H”到“L”的變化或者從“H”到“S”的變化取決于把發(fā)光晶閘管L (每 一個(gè)都具有與對應(yīng)的存儲器晶閘管M相同的編號)設(shè)定成點(diǎn)亮或熄滅的圖像數(shù)據(jù)集，在 發(fā)光控制時(shí)段Τ(#Α)中對這些發(fā)光晶閘管L同時(shí)執(zhí)行點(diǎn)亮控制。具體地說，當(dāng)圖像數(shù) 據(jù)集為“1”并且使得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)時(shí)，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從
“H”變成“L”。同時(shí)，當(dāng)圖像數(shù)據(jù)集為“0”并且發(fā)光晶閘管L保持為熄滅(不發(fā) 光)時(shí)，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”變成“S”。如上所述，在寫入時(shí)段T(Ml)到T(MS)的每個(gè)開始時(shí)間點(diǎn)處，存儲器信號 ΦιηΙ(Φιη)的電勢根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集從“H”變成“L”和“S”中的任一個(gè)。除了在寫 入時(shí)段T(MS)之外，其電勢在經(jīng)過時(shí)段t2之后從“L”和“S”中的任一個(gè)變成“H”。 注意，在寫入時(shí)段T(MS)中，在經(jīng)過時(shí)段t2之后，其電勢變成“S”。稍后將描述寫入 時(shí)段T(MS)中的操作。在存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)與第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第轉(zhuǎn)移信號Φ 2中的每一個(gè)之 間的關(guān)系中，當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)移信號Φ1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2中的任一個(gè)為“L”時(shí)，在寫入時(shí) 段T(Ml)到T(MS)的每個(gè)開始時(shí)間點(diǎn)處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”變成
“L”和“S”中的任一個(gè)。例如，在寫入時(shí)段T(Ml)中第一轉(zhuǎn)移信號Φ1為“L”時(shí) 的時(shí)間點(diǎn)c處，在寫入時(shí)段Τ(Μ2)中第二轉(zhuǎn)移信號Φ2為“L”時(shí)的時(shí)間點(diǎn)g處，存儲 器信號Φιη 為“L”。同時(shí)，在第二轉(zhuǎn)移信號Φ2為“L”時(shí)的時(shí)間點(diǎn)m處，存儲器 信號Φ ml為“S”。在寫入時(shí)段T (M3)和T(M5)到T(M8)中也是這樣。點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)是把電流提供到發(fā)光晶閘管L用于點(diǎn)亮(發(fā)光)的信號，這 如稍后所述。點(diǎn)亮信號ΦΙ在點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α)的開始時(shí)間點(diǎn)C處為“H”，其電勢在時(shí) 間點(diǎn)t處變成發(fā)光電平電勢(下文稱為“Le”)。其電勢在時(shí)間點(diǎn)χ處從“Le”變成 “H”。隨后，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)y處，其電勢保持在“H”。注意，發(fā)光電平電勢“Le”表示根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集被指定點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L準(zhǔn) 備好接通的電勢電平(發(fā)光電平)，這如稍后所述。稍后將描述晶閘管的接通。(晶閘管的基本操作)在描述發(fā)光芯片Cl (C)的操作之前，將描述晶閘管(轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘 管M和發(fā)光晶閘管L)的基本操作。這些晶閘管(轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘管M和發(fā) 光晶閘管L)是如下半導(dǎo)體器件每一個(gè)半導(dǎo)體器件都有三個(gè)端子，分別是陽極端子(陽 極)、陰極端子(陰極)和柵極端子(柵極)。在下文，如圖5所述，作為實(shí)例，提供到晶閘管陽極端子(Vsub端子)的基準(zhǔn)電 勢Vsub被設(shè)定為0V( “H”)，提供到Vga端子的電源電勢Vga被設(shè)定為_3.3V( “L”)。 每一個(gè)晶閘管都具有pnpn結(jié)構(gòu)，其中ρ型層、η型層、ρ型層和η型層(諸如GaAs、 GaAlAs等)依次順序?qū)盈B在基板80上，該基板具有ρ導(dǎo)電型(諸如GaAs、GaAlAs等)，p-n結(jié)的擴(kuò)散電勢(正向電勢)Vd被設(shè)定為1.3V。當(dāng)?shù)陀陂撝惦妷旱碾妱?負(fù)值較小的電勢)被施加到陰極端子時(shí)，具有上述結(jié)構(gòu) 的晶閘管接通(有時(shí)稱為導(dǎo)通)。當(dāng)晶閘管接通時(shí)，晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，其中電流在 其陽極端子與陰極端子之間流動。這里，晶閘管的閾值電壓是通過從柵極端子電勢減去 擴(kuò)散電勢Vd得到的值。因此，如果晶閘管的柵極端子電勢為-1.3V時(shí)，擴(kuò)散電勢vd為 1.3V，由此得到閾值電壓為-2.6V。因此，當(dāng)小于-2.6V的電勢(<_2.6V)被施加到陰 極端子時(shí)，晶閘管接通。隨后，當(dāng)晶閘管接通時(shí)，晶閘管柵極端子的電勢接近陽極端子的電勢。陽極 端子被設(shè)定在基準(zhǔn)電勢Vsub(OV)，由此柵極端子的電勢變成接近OV的電勢(準(zhǔn)確地說 是-0.2V，如稍后所述)。注意，在下面的描述中，已經(jīng)接通的晶閘管的柵極端子的電勢 按照簡單易懂的方式假定為0V。這里，晶閘管的陰極端子具有擴(kuò)散電勢Vd。擴(kuò)散電勢Vd為1.3V，由此陰極端 子的電勢為-1.3V。一旦晶閘管接通，晶閘管就處于導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)陰極端子的電勢小于或等于晶 閘管導(dǎo)通時(shí)的電勢。當(dāng)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，即使柵極端子的電勢發(fā)生各種變化，晶 閘管的導(dǎo)通狀態(tài)也不會變成關(guān)斷(OFF)狀態(tài)。另一方面，當(dāng)陰極端子具有超過導(dǎo)通狀態(tài) 時(shí)電勢的高電勢(在負(fù)電勢側(cè)大于閾值電壓(或者絕對值小于閾值電壓)的電勢、或者大 于或等于OV的電勢)時(shí)，晶閘管不會保持導(dǎo)通狀態(tài)并且關(guān)斷。這里，在處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管中，陰極端子的電勢為-1.3V。因此，如 果施加到陰極端子的電勢小于或等于-l.3Vk_l.3V)，則保持導(dǎo)通狀態(tài)。同時(shí)，超 過-1.3VO-1.3V)的高電壓被施加到陰極端子，晶閘管關(guān)斷(有些情況稱為截止)。在 陰極端子被設(shè)定為“H” (OV)從而陽極端子和陰極端子具有相同電勢的情況下，晶閘管 也關(guān)斷。當(dāng)晶閘管關(guān)斷時(shí)，晶閘管進(jìn)入這樣的狀態(tài)(關(guān)斷狀態(tài))導(dǎo)通電流不在陽極端 子和陰極端子之間流動。如上所述，在導(dǎo)通狀態(tài)下，保持了導(dǎo)通電流流入晶閘管的狀態(tài)，并且晶閘管不 會根據(jù)柵極端子的電勢關(guān)斷。換言之，通過設(shè)定導(dǎo)通狀態(tài)，晶間管具有存儲和保持功 能。如上所述，與使得晶閘管接通所需的電勢相比，保持晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的電勢較 低是可接受的。注意，當(dāng)接通時(shí)，發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)，而關(guān)斷時(shí)，發(fā)光晶閘管L熄滅 (不發(fā)光)。如上所述，通過使用柵極端子的電勢改變閾值電壓來接通晶閘管，并且改變陰 極端子的電勢來關(guān)斷晶閘管。(發(fā)光芯片的操作)參考圖5，根據(jù)圖7所示的時(shí)序圖來描述發(fā)光部分63和發(fā)光芯片C的操作。(初始狀態(tài))在圖7所示的時(shí)序圖中的時(shí)間點(diǎn)a處，在發(fā)光部分63的發(fā)光芯片C (Cl到C60) 的每一個(gè)基板80上設(shè)置的Vsub端子被設(shè)定在基準(zhǔn)電勢Vsub(OV) ( “H”)。同時(shí)，每 個(gè)Vga端子被設(shè)定在電源電勢Vga(_3.3V)( “L”)(參見圖4)。
而且，信號生成電路100的轉(zhuǎn)移信號生成單元120把第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn) 移信號Φ2設(shè)定在“H”，存儲器信號生成單元130把存儲器信號Φιη(Φιη1到Φιη60) 設(shè)定在“H”，而點(diǎn)亮信號生成單元110把點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)設(shè)定在“H”(參 見圖4)。借此操作，第一轉(zhuǎn)移信號線106變成“H”，由此每個(gè)發(fā)光芯片C的第一轉(zhuǎn)移 信號線72通過發(fā)光部分63中的每個(gè)發(fā)光芯片C的Φ 1端子變成“H”。類似地，第二 轉(zhuǎn)移信號線107變成“H”，由此每個(gè)發(fā)光芯片C的第二轉(zhuǎn)移信號線73通過每個(gè)發(fā)光芯 片C的Φ 2端子變成“H”。存儲器信號線108(108_1到108_60)變成“H”，由此每 個(gè)發(fā)光芯片C的存儲器信號線74通過每個(gè)發(fā)光芯片C的Φιη端子變成“H”。另外， 點(diǎn)亮信號線109(109_1到109_30)變成“H”，由此每個(gè)發(fā)光芯片C的點(diǎn)亮信號線75通 過每個(gè)發(fā)光芯片C的ΦΙ端子變成“H”。在下文，把發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例來描述發(fā)光芯片C的操作。其它發(fā)光芯片C2 到C60類似于發(fā)光芯片Cl進(jìn)行操作，并且同時(shí)與發(fā)光芯片Cl并行進(jìn)行操作。由于發(fā)光芯片Cl (C)的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、Τ2、Τ3···，存儲器晶閘管Ml、M2、 M3···以及發(fā)光晶閘管Li、L2、L3···的陽極端子連接到Vsub端子，所以向Vsub端子提 供 “H”(OV)。同時(shí)，由于奇數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T3、 …的陰極端子連接到設(shè)定在 “H”的第一轉(zhuǎn)移信號線72，而偶數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管Τ2、Τ4、Τ6…的陰極端子連接
到設(shè)定在“H”的第二轉(zhuǎn)移信號線73，所以轉(zhuǎn)移晶閘管T的陽極端子和陰極端子變成 “H”。因此，每個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管T處于關(guān)斷狀態(tài)。類似地，由于存儲器晶閘管Ml、M2、M3…的陰極端子連接到設(shè)定在“H”的 存儲器信號線74，所以陽極端子和陰極端子變成“H”。因此，每個(gè)存儲器晶閘管M處 于關(guān)斷狀態(tài)。另外，由于發(fā)光晶閘管Li、L2、L3…的陰極端子連接到設(shè)定在“H”的發(fā)光信 號ΦΙ(在發(fā)光芯片Cl的情況下為發(fā)光信號ΦΙ1)，所以發(fā)光晶閘管L的陽極端子和陰極 端子變成“H”。因此，每個(gè)發(fā)光晶閘管L處于關(guān)斷狀態(tài)。另一方面，轉(zhuǎn)移晶閘管T的柵極端子Gt、存儲器晶閘管M的柵極端子Gm以及 發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl中的每一個(gè)都通過電源線電阻Rt和Rm中的任一個(gè)連接到電 源線71。通過Vga端子為電源線71提供電源電勢Vga。因此，除了稍后所述的情況之 夕卜，這些柵極端子Gt、Gm和Gl的電勢均為電源電勢Vga(-3.3V)。如上所述，位于圖5中的轉(zhuǎn)移晶閘管陣列一端側(cè)的柵極端子Gtl連接到啟動二極 管Ds的陰極端子。啟動二極管Ds的陽極端子連接到設(shè)定在“H”的第二轉(zhuǎn)移信號線 73。因此，由于連接到柵極端子Gtl的啟動二極管Ds的陰極端子通過電源線電阻Rt連 接到電源線71，所以啟動二極管Ds的陽極端子意在具有“L” (-3.3V)的電勢。同時(shí)， 陽極端子的電勢為“H” (0V),由此啟動二極管D s進(jìn)入沿正向?qū)佣O管施加電場 的狀態(tài)(正向偏置狀態(tài))。結(jié)果，啟動二極管Ds的陰極端子(柵極端子Gtl)的電勢變 成-1.3V，該電勢是通過從為啟動二極管Ds的陽極端子設(shè)定的“H”(OV)減去擴(kuò)散電壓 Vd(1.3V)而得到的。因此，如上所述，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl的閾值電壓變成-2.6V，該電壓是通過從柵極 端子Gtl的電勢(-1.3V)減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到的。
注意，與轉(zhuǎn)移晶閘管Tl相鄰的轉(zhuǎn)移晶閘管T2的柵極端子Gt2通過耦合二極管 Dcl連接到柵極端子Gtl，由此柵極端子Gt2的電勢變成-2.6V，該電勢是通過從柵極端 子Gtl的電勢(-1.3V)減去耦合二極管Dcl的擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到的。因此，轉(zhuǎn) 移晶閘管T2的閾值電壓變成-3.9V。注意，轉(zhuǎn)移晶閘管T3的柵極端子Gt3通過耦合二極管Dc2連接到轉(zhuǎn)移晶閘管T2 的柵極端子Gt2，由此根據(jù)上述計(jì)算方法計(jì)算出柵極端子Gt3的電勢為-3.9V。然而，柵 極端子Gt3通過電源線電阻Rt3連接到電源電勢Vga( “L” -3.3V)。因此，柵極端 子Gt3的電勢的值不小于-3.3V，并且因此為-3.3V。因此，轉(zhuǎn)移晶閘管T3的閾值電壓 為-4.6V。類似地設(shè)定各個(gè)編號不小于4的轉(zhuǎn)移晶閘管T的閾值電壓。類似地，存儲器晶閘管Ml的柵極端子Gml(以及發(fā)光晶閘管Ll的柵極端 子Gll)通過連接二極管Dml連接到柵極端子Gtl，由此存儲器晶閘管Ml的柵極端 子Gml (以及柵極端子Gll)的電勢變成-2.6V，該電勢是通過從柵極端子Gtl的電勢 (-1.3V)減去連接二極管Dml的擴(kuò)散電壓Vd(1.3V)而得到的。因此，存儲器晶閘管 Ml (發(fā)光晶閘管Li)的閾值電壓變成-3.9V。注意，存儲器晶閘管M2的柵極端子Gm2 (發(fā)光晶閘管L2的柵極端子G12也同 樣如此)通過耦合二極管Dcl和連接二極管Dm2連接到柵極端子Gtl。然而，柵極端子 Gm2通過電源線電阻Rm2連接到電源線71。因此，與上述轉(zhuǎn)移晶閘管T3的情況類似， 存儲器晶閘管M2的柵極端子Gm2(發(fā)光晶閘管L2的柵極端子G12也同樣如此)的電勢 變成-3.3V。因此，存儲器晶閘管M2(發(fā)光晶閘管L2)的閾值電壓變成4.6V。類似地 設(shè)定各個(gè)編號不小于3的存儲器晶閘管M(以及發(fā)光晶閘管L)的閾值電壓。注意，即使晶閘管的閾值變化，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲器 信號ΦιηΙ(Φιη)以及點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)為“H”(OV)，由此所有轉(zhuǎn)移晶閘管Τ、存儲 器晶閘管M和發(fā)光晶閘管L都處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)移信號Φ 1的電勢在時(shí)間點(diǎn)b處從“H” (OV)變成“L” (-3.3V)時(shí)，
具有-2.6V閾值電壓的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl接通。然而，轉(zhuǎn)移晶閘管T3之后的奇數(shù)編號的轉(zhuǎn) 移晶閘管T被提供給第轉(zhuǎn)移信號Φ 1，閾值電壓為-4.6V，由此這些轉(zhuǎn)移晶閘管T沒有接 通。另外，由于第二轉(zhuǎn)移信號Φ2為“H” (0V),所以閾值電壓為-3.9V的轉(zhuǎn)移晶閘管 Τ2沒有接通。各個(gè)編號不小于4的偶數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管T沒有接通，這是因?yàn)檫@些轉(zhuǎn) 移晶閘管的閾值電壓為-4.6V的緣故。注意，在時(shí)間點(diǎn)b處，由于存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)和點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢 保持在“H”，所以存儲器晶閘管M和發(fā)光晶閘管L中沒有一個(gè)接通。換言之，在時(shí)間 點(diǎn)b處，只有轉(zhuǎn)移晶閘管Tl接通。當(dāng)轉(zhuǎn)移晶閘管Tl接通時(shí)，如上所述，柵極端子Gtl的電勢變成作為陽極端子 電勢的“H”(OV)。另外，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl的陰極端子(第一轉(zhuǎn)移信號線72)的電勢變 成-1.3V，該電勢是通過從陽極端子電勢“H”(OV)減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到的。因此，耦合二極管Dcl的陽極端子的電勢變成作為柵極端子Gtl的電勢的0V， 而作為耦合二極管Dcl的陰極端子的柵極端子Gt2的電勢為-2.6V，由此耦合二極管Dcl 進(jìn)入正向偏置狀態(tài)。在該狀態(tài)下，柵極端子Gt2的電勢變成-1.3V，該電勢是通過從柵極 端子Gtl的電勢(OV)減去耦合二極管Dcl的擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到的。因此，轉(zhuǎn)移晶閘管T2的閾值電壓變成-2.6V?？梢允褂蒙鲜龇椒ㄓ?jì)算通過耦合二極管Dc2連接到轉(zhuǎn)移晶閘管T2的柵極端子 Gt2的柵極端子Gt3的電勢，該電勢變成-2.6V。因此，轉(zhuǎn)移晶閘管T3的閾值電壓變 成-3.9V。轉(zhuǎn)移晶閘管T3之后的各個(gè)編號不小于4的轉(zhuǎn)移晶閘管T的柵極端子Gt的電 勢保持在電源電勢Vga(_3.3V)，由此各個(gè)編號不小于4的轉(zhuǎn)移晶閘管T的閾值電壓保持 在-4.6V。當(dāng)轉(zhuǎn)移晶閘管Tl接通并且柵極端子Gtl的電勢變成“H”(OV)時(shí)，連接二 極管Dml被正向偏置。因此，柵極端子Gml (柵極端子Gll也同樣如此)的電勢變 成-1.3V，該電勢是通過從柵極端子Gtl的電勢(OV)中減去連接二極管Dml的擴(kuò)散電壓 Vd(1.3V)而得到的。因此，存儲器晶閘管Ml (發(fā)光晶閘管Ll也同樣如此)的閾值電壓 變成-2.6V。注意，與其相鄰的存儲器晶閘管M2的柵極端子Gm2(柵極端子G12也同樣如 此)的電勢變成-2.6V，這是因?yàn)闁艠O端子Gm2通過彼此串聯(lián)連接的耦合二極管Dcl和 連接二極管Dm2連接到柵極端子Gtl的緣故。因此，存儲器晶閘管M2(發(fā)光晶閘管L2 也同樣如此)的閾值電壓變成-3.9V。另外，各個(gè)編號不小于3的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm (發(fā)光晶閘管L的柵 極端子Gl)的電勢保持在等于電源電勢Vga的-3.3V。因此，各個(gè)編號不小于3的存儲 器晶閘管M(發(fā)光晶閘管L)的閾值電壓保持在-4.6V。如上所述，緊接在時(shí)間點(diǎn)b之后(指示在晶閘管的狀態(tài)等根據(jù)時(shí)間點(diǎn)b處的信號 電勢的變化而變化之后的時(shí)間點(diǎn))，只有轉(zhuǎn)移晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)。(操作狀態(tài))當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn)C處從“H”(OV)變成“L” (-3.3V)
時(shí)，閾值電壓為-2.6V的存儲器晶閘管Ml接通。然而，存儲器晶閘管Μ2和各個(gè)編號 不小于3的存儲器晶閘管M沒有接通，這是因?yàn)榇鎯ζ骶чl管Μ2的閾值電壓為-3.9V， 而各個(gè)編號不小于3的存儲器晶閘管M的閾值電壓為-4.6V的緣故。換言之，在時(shí)間點(diǎn)c接通的存儲器晶閘管M僅僅是存儲器晶閘管Ml。隨后，如在電流J(Ml)所示，導(dǎo)通電流Jo流入已經(jīng)接通的存儲器晶閘管Ml。當(dāng)存儲器晶閘管Ml接通時(shí)，與轉(zhuǎn)移晶閘管Tl的情況類似，柵極端子Gml的電 勢變?yōu)椤癏”(OV)。隨后，由于發(fā)光晶閘管Ll的柵極端子Gll連接到柵極端子Gml， 所以發(fā)光晶閘管L的閾值電壓變?yōu)?1.3V。注意，由于存儲器晶閘管M2的柵極端子Gm2(發(fā)光晶閘管L2的柵極端子G12) 通過正向偏置的連接二極管Dm2連接到變成-1.3V的柵極端子Gt2，所以存儲器晶閘管 M2的柵極端子Gm2(發(fā)光晶閘管L2的柵極端子G12)的電勢為2.6V。因此，存儲器晶 閘管M2(發(fā)光晶閘管L2)的閾值電壓變成-3.9V。然而，由于柵極端子Gm(柵極端子Gl)的電壓為-3.3V，所以各個(gè)編號不小于3 的存儲器晶閘管M(發(fā)光晶閘管L)的閾值電壓為-4.6V。因此，在時(shí)間點(diǎn)c處，各個(gè)編號不小于2的存儲器晶閘管M不會接通。另外，由于點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)為“H” (0V),所以沒有發(fā)光晶閘管L接通。因此，緊接著時(shí)間點(diǎn)C之后，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl和存儲器晶閘管Ml保持在導(dǎo)通狀態(tài)。注意，如上所述，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管Ml的陰極端子的電勢變成-1.3V， 該電勢是通過從陽極端子的電勢(OV)減去擴(kuò)散電壓Vd(1.3V)而得到的。然而，由于存 儲器晶閘管Ml通過電阻Rnl連接到存儲器信號線74，所以存儲器信號線74的電勢保持 在 “L”(-3.3V)。在上文已經(jīng)分別描述了發(fā)光芯片Cl (C)的晶閘管(轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘管 M和發(fā)光晶閘管L)和二極管(耦合二極管Dc和連接二極管Dm)的操作。然而，下面 將描述晶閘管和二極管的操作。具體地說，當(dāng)晶閘管接通時(shí)，該晶閘管的柵極端子(柵極端子Gt、柵極端子Gm 和柵極端子Gl)的電勢變?yōu)椤癏”(OV)。隨后，對于柵極端子沒有通過任何二極管而與電勢為“H” (OV)的柵極端子連 接的晶閘管而言，該晶閘管的閾值電壓為1.3V。另外，通過一級正向偏置的二極管(一個(gè)二極管)與電勢為“H”(OV)的柵 極端子連接的柵極端子的電勢變?yōu)?1.3V，該電勢是通過從“H”(OV)減去擴(kuò)散電勢 Vd(1.3V)而得到的。因此，具有該柵極端子的晶閘管的閾值電壓變成-2.6V。而且，通過兩級正向偏置的二極管(彼此串聯(lián)連接的兩個(gè)二極管)與電勢為 “H”(OV)的柵極端子連接的柵極端子的電勢變成-2.6V，該電勢是通過從“H” (OV)
減去擴(kuò)散電壓Vd(1.3V)的兩倍而得到的。因此，具有該柵極端子的晶閘管的閾值電壓變 成-3.9V。另外，通過三級或更多級二極管與電勢為“H” (OV)的柵極端子連接的柵極 端子通過電源線電阻(Rt或Rm)被提供電源電勢Vga(_3.3V)，并且因此仍受到電勢為
“H”(OV)的柵極端子的影響。因此，該柵極端子的電勢保持在電源電勢Vga(_3.3V)。 因此，具有該柵極端子的晶閘管的閾值電壓變成-4.6V。沒有通過任何二極管而與電勢為“H” (OV)的柵極端子連接的晶閘管、以及柵 極端子通過一級正向偏置的二極管與電勢為“H” (OV)的柵極端子連接的晶閘管在電勢
“L” (-3.3V)或更小(或絕對值更大)處接通。同時(shí)，柵極端子通過兩級或更多級的正 向偏置的二極管與電勢為“H” (OV)的柵極端子連接的晶閘管在電勢“L” (-3.3V)處 沒有接通。因此，唯一需要關(guān)注的是柵極端子沒有通過任何二極管而與電勢為“H” (OV) 的柵極端子連接的晶閘管、以及柵極端子通過一級正向偏置的二極管與電勢為 “H” (OV)的柵極端子連接的晶閘管。在下文，僅描述在各個(gè)定時(shí)處柵極端子沒有通過任何二極管而與電勢為 “H” (OV)的柵極端子連接的晶閘管、以及柵極端子通過一級正向偏置的二極管與電勢
為“H” (OV)的柵極端子連接的晶閘管。在各個(gè)定時(shí)處，將省略對沒有接通的晶閘管、 這些晶閘管的柵極端子的電勢及其閾值電壓的變化的描述。返回參考圖7，將描述發(fā)光芯片Cl (C)的其它操作。在時(shí)間點(diǎn)d處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“L”變成“H”。隨后，
由于存儲器晶閘管Ml的陽極端子和陰極端子具有相同的電勢“H”，所以存儲器晶閘管 Ml關(guān)斷。因此，如在電流J(Ml)中所示，電流停止流入存儲器晶閘管Ml中。
由于柵極端子Gml通過電源線電阻Rml連接到電源電勢Vga (-3.3V)，所以柵 極端子Gml的電勢開始從“H”(OV)變成電源電勢Vga(-3.3V)。換言之，在柵極端子 Gml的寄生電容中蓄積的電荷通過電源線電阻Rml被釋放。緊接著時(shí)間點(diǎn)d之后，僅僅轉(zhuǎn)移晶閘管Tl保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)e處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢從“H”變成“L”。隨后，閾值電 源為-2.6V的轉(zhuǎn)移晶閘管T2接通。當(dāng)轉(zhuǎn)移晶閘管T2接通時(shí)，柵極端子Gt 2的電勢增大到“H”(OV)。而且，通 過一級正向偏置的二極管(耦合二極管Dc2)連接到柵極端子Gt2的轉(zhuǎn)移晶閘管T3的閾值 電壓變成-2.6V。類似地，通過一級二極管(連接二極管Dm2)連接到柵極端子Gt2的存 儲器晶閘管M2和發(fā)光晶閘管L2兩者的閾值電壓變成-2.6V。此時(shí)，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl保持在導(dǎo)通狀態(tài)。因此，通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移晶閘管 Tl，與奇數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T3…的陰極端子相連的第一轉(zhuǎn)移信號線72的電勢保持 在擴(kuò)散電勢Vd(_1.3V)。因此，轉(zhuǎn)移晶間管T3不會接通。緊接著時(shí)間點(diǎn)e之后，兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管Tl和T2都處于導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)f處，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1的電勢Φ1從“L”變成“H”。隨后，轉(zhuǎn) 移晶閘管Tl的陰極端子和陽極端子變成相同的電勢“H”。因此，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl不再 保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且由此關(guān)斷。此時(shí)，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl的柵極端子Gtl開始向電源電勢Vga(_3.3V)變化，這是因 為柵極端子Gtl通過電源線電阻Rtl連接到電源線71的緣故。通過這種變化，轉(zhuǎn)移晶閘 管Tl和轉(zhuǎn)移晶閘管T2之間的耦合二極管Dcl變?yōu)榉聪蚱?。因此，柵極端子Gt2的電 勢“H”(OV)不再影響柵極端子Gtl。換言之，如上所述，電勢“H” (OV)不會影響通過反向偏置的二極管與其相連 的柵極端子。緊接在時(shí)間點(diǎn)f之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T2保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)g處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”(OV)變成 “L”(-3.3V)。隨后，由于存儲器晶閘管Μ2的閾值電壓為-2.6V，所以存儲器晶閘管
Μ2接通。柵極端子Gml在時(shí)間點(diǎn)d處開始從“H” (OV)變化到電源電勢Vga(_3.3V)。 該電勢變化由時(shí)間常數(shù)確定，該時(shí)間常數(shù)由柵極端子Gml的寄生電容和電源線電阻Rml 定義。在時(shí)間點(diǎn)g處，如果柵極端子Gml的電勢保持在-2V或更大電勢，則存儲器晶 閘管Ml的閾值電壓為-3.3V或更大。因此，在存儲器信ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”變 成“L”(-3.3V)時(shí)的時(shí)間點(diǎn)g處，如果柵極端子Gml的電勢保持在-2V電勢或更大， 則存儲器晶閘管Ml也接通。當(dāng)存儲器晶閘管Ml和M2接通時(shí)，導(dǎo)通電流Jo流入存儲器晶閘管Ml和M2，這 如在電流J(Ml)和J(M2)中所示。隨后，柵極端子Gml和Gm2的電勢變?yōu)椤癏”(OV)。換言之，緊接著時(shí)間點(diǎn)g之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T2以及存儲器晶閘管Ml和M2處 于導(dǎo)通狀態(tài)。隨后，當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn)h處從“L”變成“H”時(shí)，
存儲器晶閘管Ml和M2的陽極端子和陰極端子的電勢均變成“H”，并且因此存儲器晶閘管Ml和M2兩者關(guān)斷。與時(shí)間點(diǎn)d的情況類似，柵極端子Gml和Gm2的電勢開始從 “H”(OV)向著電源電勢Vga(-3.3V)變化。因此，電流沒有流入存儲器晶閘管Ml和 M2，這如在電流J(Ml)和J(M2)中所示。緊接著時(shí)間點(diǎn)h之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T2保持在導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)移信號Φ1的電勢在時(shí)間點(diǎn)i從“H”變成“L”時(shí)，閾值電壓為-2.6V 的轉(zhuǎn)移晶閘管T3接通。隨后，柵極端子Gt3的電勢增加到“H”(OV)。另外，通過一 級正向偏置的二極管(耦合二極管Dc3)連接到柵極端子Gt3的轉(zhuǎn)移晶閘管T4的閾值電壓 變成-2.6V。類似地，柵極端子Gm3(柵極端子G13)通過一級二極管(連接二極管Dm3) 連接到柵極端子Gt3的存儲器晶閘管M3(存儲器晶閘管L3)的閾值電壓變成-2.6V。此時(shí)，由于轉(zhuǎn)移晶閘管T2保持在導(dǎo)通狀態(tài)，所以通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移晶閘 管T2，與偶數(shù)編號的轉(zhuǎn)移晶閘管T2、T4···的陰極端子相連的第二轉(zhuǎn)移信號線73保持在 擴(kuò)散電勢Vd(_1.3V)的電勢處。因此，轉(zhuǎn)移晶閘管T4沒有接通。緊接著時(shí)間點(diǎn)i之后，兩個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管T2和T3保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)j處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢從“L”變成“H”。隨后，由于轉(zhuǎn) 移晶閘管T2的陰極端子和陽極端子兩者的電勢都變成“H”，所以轉(zhuǎn)移晶閘管T2不會保 持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且由此轉(zhuǎn)移晶閘管T2關(guān)斷。此時(shí)，由于轉(zhuǎn)移晶閘管T2的柵極端子Gt2通過電源線電阻Rt2連接到電源線 71，所以柵極端子Gt2的電勢開始從“H”(OV)變成電源電勢Vga(-3.3V)。隨后， 轉(zhuǎn)移晶閘管T2與轉(zhuǎn)移晶閘管T3之間的耦合二極管Dc2變成反向偏置，并且由此已變成
“H” (OV)的柵極端子Gt3不會影響柵極端子Gt2。緊接著時(shí)間點(diǎn)j之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T3保持在導(dǎo)通狀態(tài)。從時(shí)間點(diǎn)k到時(shí)間點(diǎn)m的寫入時(shí)段T(M3)重復(fù)寫入時(shí)段T(Ml)。如在時(shí)間點(diǎn) g處的操作所述，在時(shí)間點(diǎn)k處，存儲器晶閘管Ml和M2的柵極端子Gml和Gm2的電 勢為-2V或更大，存儲器晶閘管Ml和M2的閾值電壓為-3.3V或更大。因此，在時(shí)間 點(diǎn)k處，如果存儲器信號Φ ml ( Φ m)從“H”(OV)變成“L”(-3.3V)，則除了閾值電 壓為-2.6V的存儲器晶閘管M3之外，存儲器晶閘管Ml和M2也準(zhǔn)備接通。隨后，如在 電流J(Ml)、J(M2)和J(M3)中所示，導(dǎo)通電流Jo流入存儲器晶閘管Ml、M2和M3。 柵極端子Gml、Gm2和Gm3的電勢變成0V。換言之，緊接著時(shí)間點(diǎn)k之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T3和存儲器晶閘管Ml、M2和M3 保持在導(dǎo)通狀態(tài)。存儲器晶閘管M4的閾值電壓為-2.6V。隨后，當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn)1處從“L”(-3.3V)變成 “H”(OV)時(shí)，存儲器晶閘管Ml、M2和M3關(guān)斷，電流不會流入存儲器晶閘管Ml、
M2和M3中，這如在電流J(M1)、J(M2)和J(M3)中所示。另夕卜，存儲器晶閘管Ml、 M2和M3的柵極端子Gml、Gm2和Gm3的電勢開始從OV變成電源電勢Vga (-3.3V)。接下來，將描述從時(shí)間點(diǎn)m到時(shí)間點(diǎn)ο的寫入時(shí)段T(M4)。在時(shí)間點(diǎn)m處， 存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”變成“S”。在時(shí)間點(diǎn)m處，存儲器晶閘管M4 的閾值電壓為-2.6V。然而，與“L”不同，“S”被設(shè)定在閾值電壓為-2.6V的存儲器 晶閘管M沒有接通時(shí)的電勢。例如，“S”被設(shè)定在-2.5V。然而，存儲器晶閘管Ml、M2和M3的柵極端子Gml、Gm2和Gm3的電勢在時(shí)間點(diǎn)1處開始從OV變成-3.3V。隨后，在時(shí)間點(diǎn)m處，如果這些柵極端子Gml、Gm2 和Gm3的電勢為-1.2V或更大，則存儲器晶閘管Ml、M2和M3的閾值電壓變成-2.5V 或更大。因此，當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)在時(shí)間點(diǎn)m處從“H”變成“S”(-2.5V) 時(shí)，存儲器晶閘管Ml、M2和M3再次接通。然而，如上所述，存儲器晶閘管M4沒有 接通。由于存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢為“S”，所以流入到已經(jīng)接通的存儲器晶 閘管Ml、M2和M3中的電流變成小于導(dǎo)通電流Jo的保持電流Js，這如在電流J(Ml)、 J(M2)和J(M3)中所示。注意，由于存儲器晶閘管M4處于關(guān)斷狀態(tài)，所以沒有電流流 入該存儲器晶閘管M4，這如在電流J(M4)中所示。因此，緊接著時(shí)間點(diǎn)m之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T4和存儲器晶閘管Ml、M2和M3處 于導(dǎo)通狀態(tài)。如上所述，在時(shí)間點(diǎn)m處，存儲器晶閘管Ml、M2和M3被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)， 而存儲器晶閘管M4被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)。換言之，通過為存儲器信號Φιη設(shè)定除“H”和“L”之外的電勢電壓“S”，
當(dāng)存儲器信號Φιη的電勢從“H”變成“S”時(shí)，使得在接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管 M再次接通，而還沒有接通的存儲器晶間管M保持沒有接通。S卩，通過根據(jù)情況使用這 兩個(gè)電平“S”和“L”，選擇是否接通存儲器晶閘管Μ。因此，當(dāng)存儲器信號Φ ml (Φιη)的電勢從“H”變成“L”，或者從“H”變
成“S”時(shí)，接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管Μ(例如，存儲器晶閘管Ml、M2和M3)的 柵極端子Gm的電勢會變成某一值以上，該值是通過把擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)添加到“S” 而得到的(在“S”為-2.5V的情況下，該值為-1.2V)。從時(shí)間點(diǎn)ο到時(shí)間點(diǎn)ρ的下一個(gè)寫入時(shí)段T (M5)重復(fù)寫入時(shí)段T (M3)，但是轉(zhuǎn) 移晶閘管T和存儲器晶閘管M具有不同的編號。類似地，從時(shí)間點(diǎn)ρ到時(shí)間點(diǎn)q的寫入 時(shí)段T(M6)和從時(shí)間點(diǎn)q到時(shí)間點(diǎn)r的寫入時(shí)段T(M7)重復(fù)寫入時(shí)段T(M4)。因此， 省略其具體描述。 接下來將描述時(shí)間點(diǎn)r和隨后的時(shí)段。在時(shí)間點(diǎn)r處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”(OV)變成 “L”(-3.3V)。隨后，由于存儲器晶閘管Μ8在寫入時(shí)段Τ(Μ7)的閾值電壓為-2.6V，所 以存儲器晶閘管Μ8接通。存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5的柵極端子Gml、Gm2、 Gm3和Gm5的電勢保持在-1.2V或更大的電壓，由此存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5 的閾值電壓為-2.5V或更大。因此，在時(shí)間點(diǎn)r處，存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5 接通。換言之，緊接著時(shí)間點(diǎn)r之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T8和存儲器晶閘管Ml、M2、M3和 M5處于導(dǎo)通狀態(tài)。對于流入到存儲器晶閘管M中的電流，在時(shí)間點(diǎn)r處，導(dǎo)通電流Jo流入存儲器 晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8，這如在電流J(M1)、J(M2)、J(M3)、J(M5)和 J(M8) 中所示。同時(shí)，沒有電流流入存儲器晶閘管M4、M6和M7中，這如在電流J(M4)、 J(M6)和J(M7)中所示。在時(shí)間點(diǎn)s處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“L”變成“S”。由于處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管M的陰極電壓為-1.3V，所以存儲器電平電勢“S”(-2.5V)使 得這些存儲器晶間管M保持在導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，保持電流Js流入存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8中，這如在電 流J(M1)、J(M2)、J(M3)、J(M5)和J(M8)中所示。同時(shí)，沒有電流流入處于關(guān)斷狀 態(tài)的存儲器晶閘管M4、M6和M7中。處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8的柵極端子Gml、 Gm2、Gm3、Gm5 和 Gm8 的電勢為 “H”(OV)。因此，柵極端子 Gil、G12、G13、 G15和G18分別連接到各個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3、Gm5和Gm8的發(fā)光晶閘管Li、 L2、L3、L5和L8的閾值電壓為-1.3V。同時(shí)，由于處于關(guān)斷狀態(tài)的各個(gè)存儲器晶閘管 M4、M6和M7的柵極端子Gm4、Gm6和Gm7通過各個(gè)電源線電阻Rm4、Rm6和Rm7 連接到電源電勢Vga(_3.3V)，所以柵極端子Gm4、Gm6和Gm7保持在-3.3V。因此，各 個(gè)柵極端子G14、G16和G17連接到各個(gè)柵極端子Gm4、Gm6和Gm7的發(fā)光晶閘管L4、 L6和L7的閾值電壓為-4.6V。由于轉(zhuǎn)移晶閘管T8處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以柵極端子GtS的電勢為0V。設(shè)置為與 發(fā)光晶閘管L8相鄰并且通過兩級正向偏置二極管(耦合二極管DcS和圖中未示出的連接 二極管Dm9)連接到柵極端子GtS的發(fā)光晶閘管L9(圖中未示出)的柵極端子G19(圖中 未示出)的電勢為-2.6V。因此，發(fā)光晶閘管L9的閾值電壓為-3.9V。另外，由于各個(gè) 編號不小于10的發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl的電勢等于電源電勢Vga(_3.3V)，所以這 些發(fā)光晶閘管L的閾值電壓為-4.6V。換言之，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8的閾值電壓為-1.3V，發(fā)光晶閘管 L4、L6和L7的閾值電壓為-4.6V，發(fā)光晶閘管L9的閾值電壓為-3.9V，而各個(gè)編號不小 于10的發(fā)光晶閘管L的閾值電壓為-4.6V。隨后，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)保持在電勢“S”直到時(shí)間點(diǎn)u為止。在該時(shí)段 內(nèi)，存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在以上描述中，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在寫入時(shí)段T (Μ8)的時(shí)間點(diǎn)!·處 從“H”變成“L”，從而除了使得發(fā)光晶閘管Li、L2、L3和L5點(diǎn)亮之外，還使得發(fā)光 晶閘管L8點(diǎn)亮。然而，在不使得發(fā)光晶閘管L8點(diǎn)亮的情況下，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη) 的電勢在寫入時(shí)段Τ(Μ8)的開始時(shí)間點(diǎn)r處從“H”變成“S”。這里，為了描述點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢“Le”，將描述在不使得發(fā)光晶閘管 L8點(diǎn)亮的情況下發(fā)光晶閘管L8的閾值電壓。在不使得發(fā)光晶閘管L8點(diǎn)亮的情況下，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間 點(diǎn)r處從“H”(OV)變成“S”(-2.5V)。然而，由于存儲器晶閘管M8的閾值電壓 為-2.6V，所以存儲器晶閘管M8沒有接通。同時(shí)，如上所述，由于存儲器晶閘管Ml、 M2、M3和M5的柵極端子Gml、Gm2、Gm3和Gm5的電勢保持在-1.2V或更大，所以 存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5的閾值電壓為-2.5V或更大。因此，在時(shí)間點(diǎn)r處， 存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5接通。隨后，存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5的 柵極端子Gml、Gm2、Gm3和Gm5都變成0V。 由此，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3和L5 的閾值電壓都變成-1.3V，這是因?yàn)檫B接到各個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3和Gm5的柵 極端子Gil、G12、G13和G15都變成OV的緣故。
由于轉(zhuǎn)移晶閘管T8處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以其柵極端子GtS的電勢為0V。另外， 由于發(fā)光晶閘管L8的柵極端子G18通過一級正向偏置二極管(連接二極管Dm8)連接到 柵極端子Gt8，所以柵極端子G18的電勢變成-1.3V。因此，發(fā)光晶閘管L8的閾值電壓 變成-2.6V。S卩，在有些情況下，發(fā)現(xiàn)沒有點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的閾值電壓變成-2.6V。注意，除了發(fā)光晶閘管L8之外，其它發(fā)光晶閘管L的閾值電壓都與上述同樣使 得發(fā)光晶閘管L8點(diǎn)亮的情況下的閾值電壓相同。具體地說，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3和L5的閾值電壓為-1.3V，發(fā)光晶閘管 L4、L6和L7的閾值電壓為-4.6V，發(fā)光晶閘管L8的閾值電壓為-2.6V，發(fā)光晶閘管L9 的閾值電壓為-3.9，而各個(gè)編號不小于10的發(fā)光晶閘管L的閾值電壓為-4.6V。在該時(shí)段中，存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5保持在導(dǎo)通狀態(tài)。如上所述，要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的閾值電壓為-1.3V，而不引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶 閘管L的閾值電壓為-2.6V或更小(《-2.6)。因此，為了使得將要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮，點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的點(diǎn)亮電平 電勢“Le”被設(shè)定在大于-2.6V并且不大于-1.3V之間的值(-2.6 < "Le"《_1.3)。在時(shí)間點(diǎn)t處，點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢從“H”變成“Le”。隨后，發(fā)光 晶閘管Li、L2、L3、L5和L8接通并且點(diǎn)亮(發(fā)光)，這是因?yàn)槠溟撝惦妷簽?1.3V的 緣故。此時(shí)，由于為點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)提供了電流驅(qū)動，所以點(diǎn)亮信號線75的電勢沒 有變成處于導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管L的陰極端子的電勢，并且使得多個(gè)發(fā)光晶閘管L同時(shí) 點(diǎn)殼。然而，由于除了這些發(fā)光晶閘管L之外其它發(fā)光晶閘管L的閾值電壓為-2.6V或 更小，所以它們沒有接通和點(diǎn)亮(不發(fā)光)因此，緊接著時(shí)間點(diǎn)t之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T8和存儲器晶閘管Ml、M2、M3、 M5和M8保持在導(dǎo)通狀態(tài)，而發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通) 狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)u處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“S”變成“H”。隨后，由 于存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8的陰極端子和陽極端子都變成電勢“H”，所 以存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8不再保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且由此它們關(guān)斷。 因此，沒有電流流入存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8，這如電流J(Ml)到J(M8)
中所示。在相同時(shí)間點(diǎn)u處，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1的電勢從“H”變成“L”。隨后，閾值 電壓為-2.6V的轉(zhuǎn)移晶閘管T9接通。而且，轉(zhuǎn)移晶閘管TlO的閾值電壓被設(shè)定在-2.6V。 此外，由于轉(zhuǎn)移晶閘管T9(圖5中未示出)的柵極端子Gt9(圖5中未示出)的電勢變成 0V,由此通過一級正向二極管(連接二極管Dm9 (圖5中未示出))與柵極端子Gt9相連的 存儲器晶閘管M9(圖5中未示出)的柵極端子Gm9(圖5中未示出)的電勢變成-1.3V， 并且存儲器晶閘管M9的閾值電壓變成-2.6V。此時(shí)，即使存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)保持 在電勢“S”，存儲器晶閘管Μ9也沒有接通。另外，即使存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電 勢變成“H”，存儲器晶閘管Μ9也沒有接通。緊接著時(shí)間點(diǎn)u之后，轉(zhuǎn)移晶閘管Τ8和Τ9保持在導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光晶閘管Li、 L2、L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。
注意，在第一示例性實(shí)施例中，在時(shí)間點(diǎn)u處，存儲器信號C^ml(Ctm)W “S” 到“H”的電勢變化和第一轉(zhuǎn)移信號Φ1從“H”到“L”的電勢變化同時(shí)進(jìn)行。如上 所述，即使存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢為“S”或“H”，存儲器晶閘管Μ9也沒有 接通。因此，即使首先進(jìn)行這些變化中的任一個(gè)，都不會有問題。在時(shí)間點(diǎn)ν處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢從“L”變成“H”。隨后，轉(zhuǎn)移晶 閘管Τ8的陰極端子和陽極端子兩者的電勢變成“H”，所以轉(zhuǎn)移晶閘管Τ8不再保持在導(dǎo) 通狀態(tài)，并且由此轉(zhuǎn)移晶閘管Τ8關(guān)斷。緊接著時(shí)間點(diǎn)ν之后，轉(zhuǎn)移晶閘管Τ9保持在導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光晶閘管Li、L2、 L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)χ處，點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢從“Le”變成“H”。隨后，由于 發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8的陰極端子和陽極端子的電勢均變成“H”，所以發(fā) 光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8不再保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且由此它們關(guān)斷并熄滅。換 言之，在從時(shí)間點(diǎn)t到時(shí)間點(diǎn)χ的時(shí)段(發(fā)光時(shí)段t4)內(nèi)，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5
和L8已經(jīng)點(diǎn)亮。緊接著時(shí)間點(diǎn)χ之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T9保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)y處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”變成“L”。隨后，閾 值電壓為-2.6V的存儲器晶閘管Μ9接通。從時(shí)間點(diǎn)y開始的時(shí)段為驅(qū)動圖6中所示的組#B(發(fā)光晶閘管L9到L16)時(shí)的 點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)。除了根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集而設(shè)置的存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)之外，點(diǎn)亮 控制時(shí)段T (#Β)重復(fù)點(diǎn)亮控制時(shí)段(#Α)。換言之，點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Β)的時(shí)間點(diǎn)y對 應(yīng)于點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)的時(shí)間點(diǎn)C。隨后的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#C)…與上述相同。在第一示例性實(shí)施例中，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集“11101001”，在點(diǎn)亮控制時(shí)段 T(#A)的發(fā)光時(shí)段t4中使得發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。下面將對以上描述進(jìn)行總結(jié)。在第一示例性實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移晶閘管T具有這樣的時(shí)段(例如，從時(shí)間點(diǎn)e到時(shí) 間點(diǎn)f的時(shí)段)，在該時(shí)段中通過使用第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2使兩個(gè)相鄰 的轉(zhuǎn)移晶閘管T都進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且轉(zhuǎn)移晶閘管T被設(shè)定成按照編號順序從關(guān)斷狀態(tài) 變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且從導(dǎo)通狀態(tài)變成關(guān)斷狀態(tài)。換言之，按照轉(zhuǎn)移晶閘管陣列的編號順 序變換導(dǎo)通狀態(tài)。在第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2中的任一個(gè)具有電勢“L”的時(shí)段中， 只有一個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管T處于導(dǎo)通狀態(tài)(例如，在圖7中從時(shí)間點(diǎn)f到時(shí)間點(diǎn)i的時(shí)段內(nèi)只 有轉(zhuǎn)移晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài))。當(dāng)轉(zhuǎn)移晶閘管T進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，其柵極端子Gt的電勢增加到“H”(OV)，而 連接到柵極端子Gm的存儲器晶閘管M的閾值電壓增大(-2.6V)。在只有一個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘 管T處于導(dǎo)通狀態(tài)的定時(shí)處(例如，圖7中的時(shí)間點(diǎn)c、g和k)，如果存儲器信號Φιη的 電勢被設(shè)定在“L”(-3.3V)，則具有增大的閾值電壓的存儲器晶閘管M接通。隨后， 柵極端子Gm的電勢增大到“H”(OV)。同時(shí)，如果存儲器信號Φιη的電勢被設(shè)定在
“H”和“L”之間的“S”(-2.5V)，則具有增大的閾值電壓的存儲器晶閘管M沒有接通。
其后，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M關(guān)斷。由此，接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管 M的柵極端子Gm的電勢從“H”(OV)變成“L”(-3.3V)。然而，在柵極端子Gm的 電勢小于預(yù)定電勢(-1.2V)之前，使得存儲器信號Φιη的電勢再次變成“L” (-3.3V)或 “S”(-2.5V)，由此使得接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M再次接通(例如時(shí)間點(diǎn)g、k和m) ο如上所述，在只有一個(gè)轉(zhuǎn)移晶閘管T處于導(dǎo)通狀態(tài)的定時(shí)，在根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集 使得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的情況下(例如，在圖像數(shù)據(jù)集“1”的情況下)，存儲器信號 Φιη的電勢變成“L”(-3.3V)，而在不使得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的情況下(例如，在圖像 數(shù)據(jù)集“0”的情況下)，存儲器信號Φιη的電勢變成“S”(-2.5V)。因此，僅僅使得 具有與對應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)集“1”(引起點(diǎn)亮)的發(fā)光晶閘管L相同編號的存儲器晶閘管M 接通。如果已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M關(guān)斷，則它再次接通。因此，引起點(diǎn)亮的發(fā)光 晶閘管L的位置(編號)被存儲。此時(shí)，引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量可以是多個(gè)。 在對應(yīng)于預(yù)定位數(shù)的寫入時(shí)段T (M)結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)(在第一示例性實(shí)施例中的時(shí)間點(diǎn)r) 處，與引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L對應(yīng)的所有存儲器晶閘管M接通。當(dāng)存儲器晶閘管M處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，具有與存儲器晶閘管M相同編號的發(fā)光晶 閘管L的閾值電壓增大(到-1.3V)。因此，通過把點(diǎn)亮信號ΦΙ的電勢從“H”變成 "Le"，使得具有與處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管M相同編號的發(fā)光晶閘管L接通并點(diǎn)
殼(發(fā)光)ο換言之，存儲器晶閘管M具有這樣的功能(鎖存功能)把根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集使得 發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的位置(編號)進(jìn)行存儲。存儲器信號Φιη的電勢“L”作為用于把根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集而點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管 L的位置(編號)進(jìn)行存儲的信號，存儲器信號Φιη的電勢“S”作為使得接通之后關(guān)斷 的存儲器晶閘管M再次接通的信號(更新信號)。然而，電勢“S”不會使得其它存儲 器晶閘管M接通。換言之，存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息被保持直到發(fā)光晶閘管 L接通并點(diǎn)亮(發(fā)光)為止。注意，當(dāng)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)時(shí)，存儲器晶閘管M不必再存儲將要點(diǎn)亮的 發(fā)光存儲器L的位置(編號)。為了對存儲器晶閘管M的存儲信息(接通存儲器晶閘管L 的歷史)進(jìn)行復(fù)位，僅需要使得存儲器晶閘管M的閾值電壓變低(<_3.3V)，即，使得柵 極端子Gm的電勢變低(<_2V)，從而即使存儲器信號Φιη的電勢變成“L”(-3.3V)， 也能防止接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M再次接通。如上所述，柵極端子Gm的電勢根 據(jù)由柵極端子Gm的寄生電容和電源線電阻Rm所定義的時(shí)間常數(shù)而改變。因此，例如， 在把存儲器信號Φιη的電勢設(shè)定在“H”之后到再次設(shè)定在“L”的復(fù)位時(shí)段t5(從圖7 中的時(shí)間點(diǎn)u到時(shí)間點(diǎn)y)可以被設(shè)定長些，使得柵極端子Gm的電勢變得更低。第一示例性實(shí)施例中的驅(qū)動方法是所謂的動態(tài)驅(qū)動。在存儲器晶閘管M的柵極 端子Gm的電勢(電荷)不低于閾值電壓時(shí)，重復(fù)更新。借此操作，繼續(xù)存儲已經(jīng)接通 的存儲器晶閘管M。注意，由于如上所述，沒有接通的存儲器晶閘管M的閾值電壓保持在-3.9V 或-4.6V，所以這些存儲器晶閘管M保持在關(guān)斷狀態(tài)。
存儲器晶閘管M的陰極端子通過各個(gè)電阻Rn連接到提供有存儲器信號Φιη的 存儲器信號線74。盡管處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管M的陰極端子具有通過從陽極端子 (OV)中減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)得到的電勢，但是通過使用電阻Rn可以把存儲器信號線 74保持在存儲器信號Φιη的電勢。因此，可以使得多個(gè)存儲器晶閘管M同時(shí)進(jìn)入導(dǎo)通 狀態(tài)。注意，在圖4的電路中，點(diǎn)亮信號ΦΙ可以由電流驅(qū)動。另外，為了抑制發(fā)光 點(diǎn)(發(fā)光晶閘管L)的發(fā)光量的變化，可以使得將要提供的電流值根據(jù)同時(shí)引起點(diǎn)亮的發(fā) 光點(diǎn)(發(fā)光晶閘管L)的數(shù)量而改變。在以上描述中，描述了由電流驅(qū)動來提供點(diǎn)亮信號 ΦΙ，當(dāng)在一個(gè)發(fā)光時(shí)段t4使得多個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮?xí)r，提供對應(yīng)于發(fā)光晶閘管L的數(shù) 量的電流。相反，當(dāng)以預(yù)定電壓驅(qū)動(電壓驅(qū)動)點(diǎn)亮信號ΦΙ時(shí)，流入點(diǎn)亮(發(fā)光)的發(fā) 光晶閘管L中的電流變得恒定。在此情況下，為了在一個(gè)發(fā)光時(shí)段使得多個(gè)發(fā)光晶閘管 L點(diǎn)亮，僅需要在點(diǎn)亮信號線75與發(fā)光晶閘管L的每個(gè)陰極端子之間設(shè)置電阻，如同在 存儲器信號線74與每個(gè)存儲器晶閘管M之間設(shè)置電阻Rn—樣。如果不是這種情況，使 得點(diǎn)亮信號線75的電勢變成電勢(-1.3V)，該電勢是通過從處于導(dǎo)通狀態(tài)的一個(gè)發(fā)光晶 閘管L的陽極端子的電勢中減去擴(kuò)散電勢Vd而得到的，因此，其它發(fā)光晶閘管L不再接 通，并且沒有點(diǎn)亮。如果用電流驅(qū)動點(diǎn)亮信號ΦΙ，則不在點(diǎn)亮信號線75與發(fā)光晶閘管L的每個(gè)陰極 端子之間設(shè)置電阻是可接受的。在此情況下，使用電源電勢V、擴(kuò)散電勢Vd和外部電 阻R，把流入發(fā)光芯片C中的電流定義為I= (V-Vd)/R。因此，流入到在一個(gè)發(fā)光時(shí)段 t4同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)的多個(gè)發(fā)光晶閘管L中的每一個(gè)中的電流具有通過用1除以點(diǎn)亮(發(fā) 光)的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量而得到的值。因而，根據(jù)在一個(gè)發(fā)光時(shí)段同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光) 的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量的不同，流入每個(gè)發(fā)光晶閘管L中的電流是不同的，因此，每個(gè)發(fā) 光晶閘管L的光強(qiáng)度不同。為了避免這樣，待提供的電流值可以根據(jù)引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶 閘管L的數(shù)量而改變。通過使用提供給發(fā)光芯片C的圖像數(shù)據(jù)集得到在一個(gè)發(fā)光時(shí)段t4同時(shí)引起點(diǎn)亮 的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量，因此可以根據(jù)同時(shí)點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量來設(shè)定電流值。利用圖7描述流入存儲器晶閘管M的電流。注意，這里描述了從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí) 間點(diǎn)y的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)。如上所述，通過在時(shí)間點(diǎn)C把存儲器信號Φιη的電勢從“H”變成“L”，使得 存儲器晶閘管Ml接通。隨后，在時(shí)間點(diǎn)d處，通過把存儲器信號Φιη的電勢從“L” 變成“H”，使得存儲器晶閘管Ml關(guān)斷。換言之，在存儲器信號Φιη的電勢為“L” 的從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)d的時(shí)段t2內(nèi)，存儲器晶閘管Ml進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且導(dǎo)通電流 Jo流入到存儲器晶閘管Ml中。存儲器晶閘管Ml在時(shí)間點(diǎn)g處再次接通，并且在時(shí)間 點(diǎn)h處關(guān)斷。同樣在這一時(shí)段內(nèi)，導(dǎo)通電流Jo流入到存儲器晶閘管Ml中。在從時(shí)間點(diǎn) k到時(shí)間點(diǎn)1的時(shí)段內(nèi)重復(fù)相同的操作。通過在時(shí)間點(diǎn)m處把存儲器信號Φιη的電勢從
“H”變成“S”，使得存儲器晶閘管Ml接通，并且隨后通過在時(shí)間點(diǎn)η處把存儲器信 號Φιη的電勢從“S”變成“H”，使得存儲器晶閘管Ml關(guān)斷。在這一時(shí)段內(nèi)，小于 導(dǎo)通電流Jo的保持電流Js流入到存儲器晶閘管Ml中，這是因?yàn)榇鎯ζ骶чl管Ml的陰極端子的電勢為“S”的緣故。類似地，在從各個(gè)時(shí)間點(diǎn)O、P、q和r開始的時(shí)段t2期 間，導(dǎo)通電流Jo、保持電流Js、保持電流Js和導(dǎo)通電流Jo分別流入到存儲器晶閘管Ml 中。因此，從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段包括導(dǎo)通電流Jo流入存儲器晶閘管Ml的5個(gè) 時(shí)段、以及保持電流Js流入存儲器晶閘管Ml的3個(gè)時(shí)段。類似地，對于存儲器晶閘管M2來說，從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段包括導(dǎo)通電 流Jo流入到存儲器晶閘管M2的4個(gè)時(shí)段、以及保持電流Js流入存儲器晶閘管M2的3 個(gè)時(shí)段。類似地，對于存儲器晶閘管M3來說，從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段包括導(dǎo)通電 流Jo流入到存儲器晶閘管M3的3個(gè)時(shí)段、以及保持電流Js流入存儲器晶閘管M3的3 個(gè)時(shí)段。類似地，對于存儲器晶閘管M5來說，從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段包括導(dǎo)通電 流Jo流入到存儲器晶閘管M5的2個(gè)時(shí)段、以及保持電流Js流入存儲器晶閘管M5的2 個(gè)時(shí)段。對于存儲器晶閘管M8來說，從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段包括導(dǎo)通電流Jo流入 到存儲器晶閘管M8的1個(gè)時(shí)段。另一方面，對于存儲器晶閘管M4、M6和M7來說，在從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)S的 時(shí)段內(nèi)，既沒有導(dǎo)通電流Jo也沒有保持電流Js流入存儲器晶閘管。因此，對于存儲器晶閘管Ml到M8來說，具有導(dǎo)通電流Jo流入到存儲器晶閘管 的15個(gè)時(shí)段、以及保持電流Js流入到存儲器晶閘管的11個(gè)時(shí)段。注意，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中，忽略了保持電流Js流入到存儲器晶閘管中的 從時(shí)間點(diǎn)S到時(shí)間點(diǎn)U的時(shí)段。假定“L”被設(shè)定在-3.3V，“S”被設(shè)定在-2.5V，時(shí)段tl (與寫入時(shí)段T (Ml) 相同)被設(shè)定在100納秒，時(shí)段t2被設(shè)定在10納秒。另外，連接到存儲器晶閘管M的 每個(gè)陰極端子的電阻Rn被設(shè)定成IkQ。處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管M的陰極端子的 電勢為-1.3V，該電勢是通過從陽極端子的電勢(“H” (OV))中減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V) 而得到的。因此，在導(dǎo)通電流J0流入到存儲器晶閘管M的時(shí)段內(nèi)，_2V(= (-3.3V)-(_1.3V))的電壓被施加在電阻Rn的兩端。因此，導(dǎo)通電流Jo變成2mA(= 2V/lkQ)。同時(shí)，在保持電流Js流入存儲器晶閘管M的時(shí)段內(nèi)，_1.2V(= (-2.5V)-(_1.3V))被施加在電阻Rn的兩端。因此，保持電流Js變成1.2mA(= 1.2V/lkQ)。因此，在從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)s的時(shí)段中由存儲器晶閘管M和電阻Rn消 耗的能量被計(jì)算得到1.32納焦耳(=15倍X 10納秒X 2mAX 3.3V+11倍X 10納 秒 Xl.2mAX2.5V)。從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段為710納秒。如果發(fā)光占空比(發(fā)光時(shí)段t4與點(diǎn)亮 控制時(shí)段T(#A)的比率)被設(shè)定為50%，則點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)被設(shè)定為1420納秒。因此，在從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)y的上述時(shí)段內(nèi)由存儲器晶閘管M和電阻Rn所消 耗的能量是0.93mW的平均功耗。
返回到發(fā)光部分63，進(jìn)一步考慮其操作。如上所述，發(fā)光部分63的發(fā)光芯片 C2到C60與發(fā)光芯片Cl如上所述并行操作。在對發(fā)光芯片Cl的發(fā)光晶閘管Ll到L8 進(jìn)行點(diǎn)亮控制的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中，對其它發(fā)光芯片C2到C60中每一個(gè)的發(fā)光晶閘 管Ll到L8并行進(jìn)行發(fā)光控制。類似地，在對發(fā)光芯片Cl的發(fā)光晶閘管L9到L16進(jìn)行點(diǎn)亮控制的點(diǎn)亮控制時(shí) 段T(#B)中，對發(fā)光部分63的其它發(fā)光芯片C2到C60中每一個(gè)的發(fā)光晶閘管L9到L16 并行進(jìn)行發(fā)光控制。在其它點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#C)中，執(zhí)行相同的點(diǎn)亮控制。點(diǎn)亮信號ΦΙ的電勢被設(shè)定在“Le”的時(shí)段(從圖7中的時(shí)間點(diǎn)t到時(shí)間點(diǎn)χ) 確定了發(fā)光晶閘管L的發(fā)光時(shí)段t4。在第一示例性實(shí)施例中，為發(fā)光芯片C中的對應(yīng)兩 個(gè)提供點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)中的每一個(gè)。因此，在被提供了一個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ的 發(fā)光芯片C(例如，提供圖4中的點(diǎn)亮信號ΦΙ1的發(fā)光芯片Cl和C2)中，其發(fā)光時(shí)段t4 彼此相等。然而，由于可以為各個(gè)組(例如，為組設(shè)置不同的發(fā)光時(shí)段t4， 所以可以針對發(fā)光芯片C的各個(gè)組校正光強(qiáng)度的變化。可選地，可以通過為各個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ設(shè)置發(fā)光時(shí)段t4來校正發(fā)光芯片C之間的 光強(qiáng)度的變化。注意，已經(jīng)描述了在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)使得發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和 L8點(diǎn)亮(發(fā)光)以及使得發(fā)光晶閘管L4、L6和L7不被點(diǎn)亮(熄滅)。如上所述，當(dāng)使 得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮?xí)r，僅需要將存儲器信號Φιη的電勢設(shè)定在“L”。同時(shí)，當(dāng)不使 得發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮?xí)r，僅需要把存儲器信號Φιη的電勢設(shè)定在“S”。由于為圖4所 示的各個(gè)發(fā)光芯片C提供了存儲器信號Φιη，所以可以根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集來控制是否引起 發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。圖8是說明在沒有應(yīng)用第一示例性實(shí)施例情況下的發(fā)光芯片Cl (C)操作的時(shí)序 圖。除了以下說明，該操作與圖7所示應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的情況相同。換言之， 發(fā)光裝置65中的信號生成電路100的結(jié)構(gòu)以及信號生成電路100與每個(gè)發(fā)光芯片C (Cl到 C60)之間的布線結(jié)構(gòu)同圖4所示的結(jié)構(gòu)相同。另外，發(fā)光芯片C的電路結(jié)構(gòu)與圖5所示 的結(jié)構(gòu)相同。在點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α)中，假定打印圖像數(shù)據(jù)集“11101001”。圖8與第一示例性實(shí)施例的情況(圖7)之間的不同之處在于存儲器信號 ΦιηΙ(Φιη)在從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)r的時(shí)段中的波形。這里的驅(qū)動方法不是動態(tài)驅(qū)動而 是靜態(tài)驅(qū)動。在應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的情況下(圖7)，通過在存儲器晶閘管M的柵極端 子Gm的電勢小于預(yù)定值之前使得存儲器信號Φιη的電勢設(shè)定在“L”或“S”從而使得 接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M接通，防止存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息丟失。另一方面，在沒有應(yīng)用第一示例性實(shí)施例的情況下，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管 M沒有關(guān)斷，并且保持在導(dǎo)通狀態(tài)。將描述存儲器信號Φ ml的波形。存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在寫入時(shí)段T(Ml)的開始時(shí)間點(diǎn)C從“H”變 成“L”，并且在時(shí)間點(diǎn)d從“L”變成“S”。隨后，其電勢保持在“S”直到作為 寫入時(shí)段T(Ml)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)g為止。在同樣作為寫入時(shí)段T (M2)的開始時(shí) 間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)g處，其電勢從“S”變成“L”，并且隨后在時(shí)間點(diǎn)h處從“L”變成“S”。其電勢保持在“S”直到作為寫入時(shí)段T(M2)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)k為止。 即，寫入時(shí)段T(M2)中的波形重復(fù)寫入時(shí)段T(Ml)中的波形。隨后，同樣在隨后的寫 入時(shí)段T(M3)，重復(fù)相同的波形。然而，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢保持在“S”直到作為寫入時(shí)段T(Μ4)的 開始時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)m，并且在作為寫入時(shí)段T(M5)的開始時(shí)間點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)ο處從“S” 變成“L”。寫入時(shí)段T(M5)中的存儲器信號Φιη 的波形重復(fù)寫入時(shí)段T (Ml)中的波 形。寫入時(shí)段T(M6)和T(M7)中的存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的波形重復(fù)寫入時(shí)段T (Μ4) 中的波形。另外，在本示例性實(shí)施例中，寫入時(shí)段T(MS)中的存儲器信號ΦιηΙ(Φιη) 的波形與第一示例性實(shí)施例中的寫入時(shí)段Τ(Μ8)中的波形相同。接下來，將描述存儲器晶閘管M的操作。緊接著圖8中的時(shí)間點(diǎn)b之后，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，存儲器晶閘管Ml 的閾值電壓為-2.6V。當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn)c處從“H” (OV)變 成到“L”(-3.3V)時(shí)，閾值電壓為-2.6V的存儲器晶閘管Ml接通。隨后，在時(shí)間點(diǎn)d處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“L”變成“S”。處 于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管Ml的陰極端子的電勢為-1.3V，該電勢是通過從陽極端子的 電勢(“H”(OV))中減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到的。因此，使用-2.5V的“S” 來保持存儲器晶閘管Ml的導(dǎo)通狀態(tài)。換言之，在時(shí)間點(diǎn)d處，存儲器晶閘管Ml沒有關(guān) 斷，而是保持在導(dǎo)通狀態(tài)。因此，如在電流J(Ml)中所示，從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)d，導(dǎo)通電流Jo流入存儲 器晶閘管M1，從時(shí)間點(diǎn)d到時(shí)間點(diǎn)f，保持電流Js流入到存儲器晶閘管Ml中。類似地，當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn)g處從“S”(-2.5V)變成 “L”(-3.3V)時(shí)，存儲器晶閘管M2接通。同時(shí)，由于存儲器晶閘管Ml保持在導(dǎo)通狀
態(tài)，流入到存儲器晶閘管Ml中的電流從保持電流Js變成導(dǎo)通電流Jo。從時(shí)間點(diǎn)g到時(shí) 間點(diǎn)h，導(dǎo)通電流Jo流入到存儲器晶閘管Ml中，從時(shí)間點(diǎn)h到時(shí)間點(diǎn)k，保持電流Js流 入到存儲器晶閘管Ml。同時(shí)，如在電流J(M2)中所示，從時(shí)間點(diǎn)g到時(shí)間點(diǎn)h，導(dǎo)通電 流Jo流入到存儲器晶閘管M2，從時(shí)間點(diǎn)h到時(shí)間點(diǎn)k，保持電流Js流入到存儲器晶閘管 M2。寫入時(shí)段T (M3)重復(fù)寫入時(shí)段T(Ml)，并且存儲器晶閘管M3重新接通。在寫 入時(shí)段T (M3)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)m處，存儲器晶閘管Ml、M2和M3保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在寫入時(shí)段T(M4)的開始時(shí)間點(diǎn)m處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢保持在 “S”。因此，在寫入時(shí)段Τ(Μ3)中，閾值電壓為-2.6V的存儲器晶閘管Μ4沒有接通。 因此，在時(shí)間點(diǎn)m處，存儲器晶閘管Ml、M2和M3保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在寫入時(shí)段T(M5)中，由于存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“S”變成 “L”，所以存儲器晶閘管Μ5接通。然而，在寫入時(shí)段Τ(Μ6)和Τ(Μ7)中，由于存
儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢保持在“S”，所以存儲器晶閘管Μ6和Μ7沒有接通。其 后，在寫入時(shí)段T(MS)的開始時(shí)間點(diǎn)r處，由于存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“S” 變成“L”，所以存儲器晶閘管Μ8接通。盡管省略了其具體描述，但是如在寫入時(shí)段Τ(Μ3)到Τ(Μ7)中的電流J(Ml)到 J(MS)所示，電流流入到存儲器晶閘管Ml到Μ8。
從時(shí)間點(diǎn)!·到時(shí)間點(diǎn)y的操作與應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的情況下(圖7)已經(jīng)描 述的操作相同。換言之，當(dāng)點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢在時(shí)間點(diǎn)t從“H”變成“Le” 時(shí)，具有與處于導(dǎo)通狀態(tài)的各個(gè)存儲器晶閘管M相同編號的各個(gè)發(fā)光晶閘管L(這里，為 發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8)接通并且點(diǎn)亮(發(fā)光)。如上所述，在沒有應(yīng)用第一示例性實(shí)施例的情況下，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管 M保持在導(dǎo)通狀態(tài)，其柵極端子Gm的電勢保持在“H”(OV)。因此，與第一示例性實(shí) 施例不同的是，不必在柵極端子Gm的電勢變成預(yù)定電勢之前把存儲器信號ΦιηΙ(Φιη) 的電勢從“L”變成“S”。換言之，在圖8中，從時(shí)間點(diǎn)d到時(shí)間點(diǎn)g的時(shí)段t3的長 度不受限制。然而，在沒有應(yīng)用第一示例性實(shí)施例的情況下(圖8)，存儲器晶閘管M的功耗 增大。例如，在寫入時(shí)段T(Ml)中從時(shí)間點(diǎn)d到時(shí)間點(diǎn)g的時(shí)段中，保持電流Js流入 到存儲器晶閘管M中。保持電流Js流入存儲器晶閘管M的時(shí)段有21個(gè)。因此，在從 時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)s的時(shí)段內(nèi)由存儲器晶閘管M和電阻Rn所消耗的能量具有這樣的值 (6.99納焦耳)該值是通過把5.67納焦耳(=21倍X90納秒X 1.2mAX2.5V)添加到 圖7所述的值1.32納焦耳而得到的。因此，通過用該值除以從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)y的時(shí) 段的1420納秒得到平均功耗為4.92mW。因此，在圖7所述第一示例性實(shí)施例中的平均功耗(0.93mW)是圖8所示沒有應(yīng) 用第一示例性實(shí)施例情況下的平均功耗(4.92mW)的五分之一。假定在發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)的情況下的電流為10mA。在這種狀態(tài)下， 在如圖7和圖8所示5個(gè)發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8點(diǎn)亮的情況下的電流變成 50mA。還假定從圖7和圖8中的時(shí)間點(diǎn)t到時(shí)間點(diǎn)χ的發(fā)光時(shí)段t4的發(fā)光占空比為50%， 施加到發(fā)光晶閘管L的電勢為-2V。在這種狀態(tài)下，處于導(dǎo)通狀態(tài)的5個(gè)發(fā)光晶閘管L 的功耗變成50mW( = 0.5X5個(gè)發(fā)光晶閘管X IOmAX2V)。沒有應(yīng)用第一示例性實(shí)施例情況下的存儲器晶閘管M中的功耗為發(fā)光晶閘管L 的功耗的10%。因此，在第一示例性實(shí)施例中，由于可以減小存儲器晶閘管M的功耗，所以可 以抑制發(fā)光芯片C的功耗。注意，上述功耗僅僅是一個(gè)實(shí)例，功耗根據(jù)點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量和發(fā)光 占空比而變化。接下來，將描述在第一示例性實(shí)施例中存儲器晶閘管M關(guān)斷之后存儲器晶閘管 M的柵極端子Gm的電勢變化。圖9是示出了存儲器晶閘管M的閾值電壓與存儲器晶閘管M關(guān)斷之后柵極端子 Gm的電勢的變化的一個(gè)實(shí)例的曲線圖。橫軸表示存儲器晶閘管M關(guān)斷之后的時(shí)間(納 秒)，而縱軸表示柵極端子Gm的電勢(V)和存儲器晶閘管M的閾值電壓(V)。盡管， 在上面的描述中，處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢假定為0V，然 而，這里設(shè)定為真實(shí)值-0.2V(存儲器晶閘管M關(guān)斷之后0納秒處的柵極端子的電勢)。這里，假定柵極端子Gm的寄生電容為25pF，電源線電阻Rm為20k Ω。因此， 存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢隨著時(shí)間常數(shù)500納秒( = 25pFX20kQ)而減
響應(yīng)于存儲器晶閘管M關(guān)斷之后所經(jīng)過的時(shí)間，存儲器晶閘管M的柵極端子 Gm的電勢從-0.2 V減小到電源電勢Vga (_3.3 V)。存儲器晶閘管M的閾值電壓的值 通過從柵極端子Gm的電勢中減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到，并且由此從-1.5V減小 到-4.6V。在存儲器晶閘管M關(guān)斷之后的200nm時(shí)，柵極端子Gm的電勢減小到-1.2V， 即，參考圖9，存儲器晶閘管M的閾值電壓減小到-2.5V。因此，在圖7所示的第一示例性實(shí)施例中，僅需要把時(shí)段t3(例如，圖7中從時(shí) 間點(diǎn)d到時(shí)間點(diǎn)g的時(shí)段、從時(shí)間點(diǎn)1到時(shí)間點(diǎn)m的時(shí)段，等等)設(shè)定在200nm內(nèi)從而 使得接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管再次接通。如果時(shí)段t3超過200納秒，由于閾值電壓 小于-2.5V，所以存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢“S”(-2.5V)不再使得存儲器晶閘管M 接通，并且存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息從存儲器晶閘管M中丟失。注意，圖9中所示的值是一個(gè)實(shí)例，時(shí)段t3的允許長度根據(jù)存儲器晶閘管M的 柵極端子Gm的寄生電容和電源線電阻Rm的值而變化。例如，如果使得電源線電阻Rm 變大，則時(shí)間常數(shù)變大，由此柵極端子Gm的電勢減小到-1.2V的時(shí)間變成大于200納 秒。相反，如果使得電源線電阻Rm變小，則時(shí)間常數(shù)變小，由此柵極端子Gm的電勢 減小到-1.2V的時(shí)間變成小于200納秒。類似地，柵極端子Gm的寄生電容使得長度發(fā) 生變化。因此，使用存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的寄生電容和電源線電阻Rm的值 可以調(diào)節(jié)時(shí)間常數(shù)。<第二示例性實(shí)施例>圖10是說明第二示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl (C)的操作的時(shí)序圖。在第二示例性實(shí)施例中，發(fā)光裝置65中的信號生成電路100的結(jié)構(gòu)以及信號生 成電路100與每個(gè)發(fā)光芯片C(C1到C60)之間的布線結(jié)構(gòu)與圖4所示的第一示例性實(shí)施 例中的結(jié)構(gòu)相同。發(fā)光芯片100的電路結(jié)構(gòu)與圖5中所示的第一示例性實(shí)施例中的結(jié)構(gòu) 相同。在第一示例性實(shí)施例中，在接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的 電勢小于預(yù)定電勢之前，提供用于寫入圖像數(shù)據(jù)集的下一位的信號“L”或“S”(存儲 器信號Φιη)。然而，如上所述，作為實(shí)例，在已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M關(guān)斷之后直到存儲 器晶閘管M再次接通的時(shí)段t3為200納秒。時(shí)段t3由柵極端子Gm的寄生電容和電源 線電阻Rm所確定，并且由此時(shí)段t3的可變范圍受到限制。在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)的開始時(shí)間點(diǎn)(圖7和圖10中的時(shí)間點(diǎn)y)中，應(yīng)當(dāng)針 對點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)在每個(gè)存儲器晶閘管M中對存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息 進(jìn)行復(fù)位。為了對存儲信息進(jìn)行復(fù)位，要求柵極端子Gm的電勢在從時(shí)間點(diǎn)U到時(shí)間點(diǎn) y的復(fù)位時(shí)段t5處小于-2V，在時(shí)間點(diǎn)u處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在點(diǎn)亮控制 時(shí)段Τ(#Α)中最后從“S”變成“H”，在時(shí)間點(diǎn)y處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢 在點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Β)中首次從“H”變成“L”或者“S”。在圖9所示的實(shí)例中， 為了使得柵極端子Gm的電勢小于-2V，在關(guān)斷存儲器晶閘管M之后需要不小于400納 秒。因此，在有些情況下，復(fù)位時(shí)段t5可能太長。
同時(shí)，如果通過調(diào)節(jié)存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的寄生電容和電源線電阻 Rm中的至少任何一個(gè)來將時(shí)間常數(shù)設(shè)定為較短，則時(shí)段t4可以更短。然而，時(shí)段t3也
會更短。為了避免這種情況，在第二示例性實(shí)施例中，在把圖像數(shù)據(jù)集寫入存儲器晶閘 管M中的存儲器信號Φιη的寫入時(shí)段T (M)內(nèi)，新添加存儲器信號Φιη的電勢變成“S” 的時(shí)段，從而更新存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息。因此，時(shí)段t3可以設(shè)定成大于 由時(shí)間常數(shù)所確定的時(shí)段，該時(shí)間常數(shù)由存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的寄生電容和 電源線電阻Rm來定義。在圖10中，重新把存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢設(shè)定為“S”的時(shí)段被添加到 第一示例性實(shí)施例中的圖7中的寫入時(shí)段T(M)中。換言之，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的 電勢在寫入時(shí)段T(Ml)中的時(shí)間點(diǎn)d之后并且在時(shí)間點(diǎn)e之前的時(shí)間點(diǎn)α處從“H”變 成“S”，并且在時(shí)間點(diǎn)α之后并且在時(shí)間點(diǎn)e之前的時(shí)間點(diǎn)β處從“S”變成“H”。發(fā)光芯片Cl (C)在時(shí)間點(diǎn)α處的操作與已經(jīng)描述的第示例性實(shí)施例中圖7中的 時(shí)間點(diǎn)m處的操作相同。具體地說，如果在時(shí)間點(diǎn)c處接通并且在時(shí)間點(diǎn)d處關(guān)斷的存 儲器晶閘管Ml的柵極端子Gml的電勢在時(shí)間點(diǎn)α處不小于-1.2V，則存儲器晶閘管Ml 的閾值電壓不小于-2.5V。因此，通過在時(shí)間點(diǎn)α處把存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢 從“H”(OV)變成“S”(-2.5V)，存儲器晶閘管Ml再次接通。類似地，如果柵極端 子Gml的電勢不小于-1.2V，則在時(shí)間點(diǎn)β處已經(jīng)關(guān)斷的存儲器晶閘管Ml在時(shí)間點(diǎn)g 處的閾值電壓不小于-2.5V。因此，通過在時(shí)間點(diǎn)g把存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從
“H”(OV)變成“L”(-3.3V)，存儲器晶閘管Ml再次接通。在其它寫入時(shí)段Τ(Μ2)到Τ(Μ7)，情況也是如此。對于這些時(shí)段Τ(Μ2)到 Τ(Μ7),將省略掉具體描述。注意，在寫入時(shí)段T(MS)中，操作與第一示例性實(shí)施例中 的操作相同。如上所述，在第二示例性實(shí)施例中，在寫入時(shí)段T(M)中間(例如，在寫入時(shí)段 T(Ml)中從時(shí)間點(diǎn)α到時(shí)間點(diǎn)β的時(shí)段)，設(shè)置了存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢被設(shè) 定在“S”的時(shí)段。這是因?yàn)槿缟纤?，更新了存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息。 注意，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢被設(shè)定在“S”而不是“L”，從而防止新的存儲
器晶閘管M接通。另外，在第二示例性實(shí)施例中，盡管在寫入時(shí)段T(M)的中間設(shè)置了把電勢設(shè) 定在“S”從而更新存儲器的一個(gè)時(shí)段，但是可以在寫入時(shí)段T(M)中設(shè)置多個(gè)時(shí)段。 僅需要設(shè)置把電勢設(shè)定在“S”用于更新的時(shí)段，從而使得接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管 M再次接通。因此，可以單獨(dú)設(shè)定時(shí)段t3的長度和復(fù)位時(shí)段t5。<第三示例性實(shí)施例>圖11是示出了第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置65中的信號生成電路100的結(jié)構(gòu) 以及信號生成電路100與每個(gè)發(fā)光芯片C(C1到C60)之間的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。第三示例性實(shí)施例與圖4所示的第一示例性實(shí)施例之間的差別在于在第三示例 性實(shí)施例中新設(shè)置的消除信號生成單元140。消除信號生成生成單元140用于信號生成單 元100，把用于消除每個(gè)柵極端子Gm的寄生電容中蓄積的電荷的消除信號Φε發(fā)送到發(fā) 光芯片C (Cl到C60)。
在電路板62上，除了圖4所示的第一示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)之外，新設(shè)置了消除 信號線102。消除信號線102把來自信號生成電路100的消除信號生成單元140的消除 信號Φ e發(fā)送到發(fā)光部分63。消除信號線102并聯(lián)連接到發(fā)光芯片C (Cl到C60)的Φε 端子(參見稍后描述的圖12)。其它結(jié)構(gòu)與圖4所示的第一示例性實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)相同。因此，在第三示例性 實(shí)施例中，對與第一示例性實(shí)施例中的部件相同的部件給予相同的附圖標(biāo)記，并且省略 其具體描述。在第一示例性實(shí)施例中，接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電 勢在存儲器晶閘管M關(guān)斷之后從OV變成-3.3V。這種變化率由如下時(shí)間常數(shù)確定，該時(shí) 間常數(shù)由存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的寄生電容和電源線電阻Rm來定義。因此， 不允許獨(dú)立于時(shí)段t3來設(shè)定用于對存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M的存儲信 息進(jìn)行復(fù)位的復(fù)位時(shí)段t5。在第三示例性實(shí)施例中，通過強(qiáng)制利用消除信號Φε設(shè)定柵 極端子Gm的電勢來將復(fù)位時(shí)段t5設(shè)定得較短。在第三示例性實(shí)施例中，把基準(zhǔn)電勢Vsub、電源電勢Vga、第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1、 第二轉(zhuǎn)移信號Φ2和消除信號Φe共同地發(fā)送到所有發(fā)光芯片C(Cl到C60)。根據(jù)圖像 數(shù)據(jù)集，把存儲器信號Φιη(Φιη1到Φιη60)單獨(dú)發(fā)送到發(fā)光芯片C (Cl到C60)。把每 個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1至IJ Φ130)發(fā)送到相應(yīng)兩個(gè)發(fā)光芯片C(Cl到C60)中。圖12是說明第三示例性實(shí)施例中作為自掃描發(fā)光元件陣列(SLED)芯片的發(fā)光 芯片C(C1到C60)的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。這里，將發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例進(jìn)行描述。然 而，其它發(fā)光芯片C2到C60具有與發(fā)光芯片Cl相同的結(jié)構(gòu)。注意，在圖12中，主要 示出了包括轉(zhuǎn)移晶閘管Tl到T4、存儲器晶閘管Ml到M4和發(fā)光晶閘管Ll到L4的部 分。第三示例性實(shí)施例與圖5所示的第一示例性實(shí)施例之間的不同之處在于新設(shè)置 的作為消除元件實(shí)例的消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…。發(fā)光芯片Cl (C)包括直線排列在基板80上的消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…。 消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…可以是肖特基二極管。如果不區(qū)分消除二極管Sdl、Sd2、 Sd3···，則它們被稱為消除極管Sd。接下來，將描述發(fā)光芯片Cl (C)中的消除二極管Sd的電連接。消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…的每個(gè)陽極端子連接到存儲器晶閘管Ml、M2、 M3···的對應(yīng)一個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3···。消除二極管即1、Sd2、Sd3…的陰極端子連接到消除信號線76。而且，消除信 號線76連接到作為消除信號Φε的輸入端子的Φε端子。消除信號線102 (參見圖11)連 接到Φε端子，消除信號Φ e被提供到Φε端子。接下來，將描述第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光部分63的操作。如圖11所示，第 一轉(zhuǎn)移信號Φ1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2組成的信號對以及消除信號Φε被共同提供到構(gòu)成發(fā) 光部分63的發(fā)光芯片C (Cl到C60)。同時(shí)，基于圖像數(shù)據(jù)集的存儲器信號Φιη( Φιη01」 Φιη60)被單獨(dú)提供到發(fā)光芯片C(Cl到C60)。點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到Φ 130)被分別提供 到每個(gè)都由兩個(gè)發(fā)光芯片C組成的對應(yīng)發(fā)光芯片對，使得每個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ由構(gòu)成每一對 的兩個(gè)發(fā)光芯片C所共有，并且點(diǎn)亮信號ΦΙ被單獨(dú)提供到構(gòu)成不同對的發(fā)光芯片C。
第三示例性實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例的不同僅僅在于另外設(shè)置的消除二極管 Sd0類似于第一示例性實(shí)施例中的描述，如果描述了發(fā)光芯片Cl的操作，則就了解發(fā)光 部分63的操作。因此，將以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例來描述發(fā)光芯片C的操作。圖13是說明第三示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl (C)的操作的時(shí)序圖。同樣在圖13中，假定時(shí)間以字母順序從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)y。在圖13中，示 出了第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲器信號Φιη 、消除信號Φε、點(diǎn)亮信號 Φ Il和流入到各個(gè)存儲器元件Ml到Μ8的電流J(Ml)到J(M8)。圖13示出了在使用均由圖6所示的8個(gè)發(fā)光晶閘管L組成的組來執(zhí)行點(diǎn)亮控制 情況下的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)。這里，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中，對組#A中的發(fā)光晶 閘管Ll到L8進(jìn)行亮度控制。注意，點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)之后是對組#B中的發(fā)光晶閘 管L9到L16進(jìn)行亮度控制的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)，對組#C中的發(fā)光晶閘管L17到L24 進(jìn)行亮度控制的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#C)，…但是省略了對點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#C)的說明。注意，在圖13所示的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中，類似于第一示例性實(shí)施例，使得 組#A中的8個(gè)發(fā)光晶閘管Ll到L8當(dāng)中的發(fā)光晶閘管Ll、L2、L3、L5和L8點(diǎn)亮(發(fā) 光)，同時(shí)保持發(fā)光晶閘管L4、L6和L7不點(diǎn)亮(熄滅)。換言之，假定打印圖像數(shù)據(jù) 集 “11101001” 。在圖13中，除了消除信號Φε之外的信號的波形與圖7所示的波形相同。因 此，將只描述消除信號Φε。這里，將描述點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)中的消除信號Φε的波形。消除信號Φ e的電勢在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)的開始時(shí)間點(diǎn)C處為“H”，在時(shí)間 點(diǎn)ν處從“H”變成“L”。隨后，在時(shí)間點(diǎn)w處，其電勢從“L”變成“H”。在 點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)y處，其電勢保持在“H”。換言之，消除信號Φ e在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中具有一次“L”電勢。將描述消除信號Φε的操作。如上所述，接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢從OV變 成-3.3V。該變化率由如下時(shí)間常數(shù)確定，該時(shí)間常數(shù)由柵極端子Gm的寄生電容和電源 線電容Rm所定義。如上所述，如果柵極端子Gm的電勢變化很慢，則由于時(shí)段t3被設(shè) 定很長所以可能有利，但是由于復(fù)位時(shí)段t5變得更長所以可能不利。在第三示例性實(shí)施例中，為了控制復(fù)位時(shí)段t5，設(shè)置了消除信號Φε，其強(qiáng)制地 消除了柵極端子Gm的寄生電容中蓄積的電荷，并且從存儲器晶閘管M中清除了存儲器 晶閘管M已經(jīng)接通的存儲信息。參考圖12，將根據(jù)圖13所示時(shí)序圖描述發(fā)光部分63和發(fā)光芯片Cl (C)的操作。注意，在圖12中，僅示出了包括編號均為1-4的轉(zhuǎn)移晶閘管Τ、存儲器晶閘管 Μ、發(fā)光晶閘管L等的部分。包括編號均不小于5的晶閘管等的其它部分(圖中未示出) 重復(fù)上面的部分。在下面描述中，不僅描述了編號分別為1-4的元件，還描述了分別具 有其它編號的元件。(初始狀態(tài))在圖13所示的時(shí)序圖中的時(shí)間點(diǎn)a處，在發(fā)光部分63的每個(gè)發(fā)光芯片C (Cl到 C60)上設(shè)置的Vsub端子被設(shè)定在基準(zhǔn)電勢Vsub (OV)。同時(shí)，每個(gè)Vga端子被設(shè)定在電源電勢Vga (-3.3V)(參見圖11)。另外，信號生成電路100的轉(zhuǎn)移信號生成單元120把第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二 轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢設(shè)定在“H”，存儲器信號生成單元130把存儲器信號Φιη(Φιη1 到Φιη60)的電勢設(shè)定在“H”，消除信號生成單元140把消除信號Φε的電勢設(shè)定在
“H”，點(diǎn)亮信號生成單元110把點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)的電勢設(shè)定在“H”(參見 圖 11)。除了消除信號Φe之外的信號引起發(fā)光部分63和發(fā)光信號C (Cl到C60)的狀態(tài) 與第一示例性實(shí)施例中描述的狀態(tài)相同。下文將主要描述與消除信號Φε有關(guān)的部分。當(dāng)消除信號Φε的電勢變成“H”時(shí)，消除信號線102的電勢變成“H”，并且 由此每個(gè)發(fā)光芯片C的消除信號線76通過每個(gè)發(fā)光芯片C的Φ e端子而變成“H”。由 于消除信號Φε被共同發(fā)送到發(fā)光芯片C，所以如果描述了發(fā)光芯片Cl的操作，則就了 解發(fā)光芯片C的操作。在下文，將以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例主要描述與發(fā)光芯片C的消除信號Φε有關(guān) 的操作。其它發(fā)光芯片C2到C60與發(fā)光芯片Cl并行地類似于發(fā)光芯片Cl執(zhí)行操作。當(dāng)消除信號Φε的電勢變成“H”時(shí)，消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…的陰極端 子的電勢變成“H”(OV)。另一方面，如在第一示例性實(shí)施例中所述，存儲器晶閘管Ml的柵極端子Gml 的電勢通過正向偏置的啟動二極管Ds和連接二極管Dml而變成-2.6V。各個(gè)編號不 小于2的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm通過三級或更多級正向二極管連接到設(shè)定在
“H” (OV)電勢的啟動二極管Ds的陽極端子(例如，柵極端子Gm2通過啟動二極管Ds、 耦合二極管Dcl和連接二極管Dm2這三級與啟動二極管Ds的陽極端子連接)。因此， 這些柵極端子Gm的電勢變成電源電勢Vga(_3.3V)。消除二極管Sd的陽極端子分別連 接到柵極端子Gm。因此，所有消除二極管Sd都被反向偏置。這樣，柵極端子Gm的電勢不會受到 消除信號Φε的影響。(操作開始和運(yùn)行條件)在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)中從時(shí)間點(diǎn)b到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段是把圖像數(shù)據(jù)集寫入存儲 器晶閘管Ml到M8的時(shí)段。在該時(shí)段中，消除信號Φε的電勢保持在“H”。因此， 消除二極管Sd的陰極端子的電勢被設(shè)定在0V( “H”)。同時(shí)，連接到消除二極管Sd 的陽極端子的柵極端子Gm的每個(gè)電勢的值在OV到-3.3V之間。在存儲器晶閘管M接 通時(shí)，柵極端子Gm的電勢變成0V。同時(shí)，在存儲器晶閘管M保持在關(guān)斷狀態(tài)而沒有 接通時(shí)，其電勢變成-3.3V。隨后，接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的 電勢從OV變成-3.3V，并且由此其柵極端子Gm的電勢的值在OV到-3.3V之間。因此，在從時(shí)間點(diǎn)b到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段內(nèi)，消除二極管Sd至少沒有被正向偏置。 因而，柵極端子Gm的電勢沒有受到消除信號Φε的影響。因此，從時(shí)間點(diǎn)b到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段中的點(diǎn)亮芯片Cl (C)的操作與第一示例性實(shí) 施例中的操作相同。在時(shí)間點(diǎn)t處，類似于第一示例性實(shí)施例，通過把點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢從 “H”變成“Le”，使得發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8接通而點(diǎn)亮(發(fā)光)。同樣在該狀態(tài)下，消除二極管Sd至少沒有被正向偏置。因而，柵極端子Gm的電勢沒有受 到消除信號Φε的影響。隨后，在時(shí)間點(diǎn)u處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“S”變成“H”。因 此，處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8關(guān)斷，并且柵極端子Gml、 Gm2、Gm3、Gm5和Gm8的電勢開始從OV變成-3.3V。同時(shí)，保持在關(guān)斷狀態(tài)的存儲 器晶閘管M4、M6和M7的柵極端子Gm4、Gm6和Gm7的電勢通過電源電勢Vga保持 在 3.3V。如上所述，在“S”被設(shè)定在-2.5V并且“L”被設(shè)定在-3.3V的第三示例性實(shí) 施例中，為了使得存儲器晶閘管M已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M的存儲信息復(fù)位，要求使 得柵極端子Gm的電勢小于-2V。在時(shí)間點(diǎn)ν處，消除信號Φε的電勢從“H”(OV)變成“L”(-3.3V)。因此， 消除二極管Sd的陰極端子的電勢變成-3.3V。同時(shí)，消除二極管Sd的陽極端子分別連接 到上述存儲器晶閘管M的柵極端子Gm。接通之后已經(jīng)關(guān)斷的存儲器晶閘管Ml、M2、 M3、M5和M8的柵極端子Gm的電勢在時(shí)間點(diǎn)u處開始從OV變成-3.3V。因而，消除 二極管Sdl、Sd2、Sd3、Sd5和Sd8被正向偏置。因此，柵極端子Gml、Gm2、Gm3、 Gm5和Gm8的電勢變成這樣的值(-2.5V)，該值是通過從_3.3V( “L”)中減去消除二 極管Sd的正向電勢Vs(0.8V)而得到的。換言之，通過把消除信號Φε的電勢從“H” 變成“L”，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢被強(qiáng)制設(shè)定在-2.5V，并 且加速了柵極端子Gml、Gm2、Gm3、Gm5和Gm8的電勢變化。由于使用Al電極的肖特基二極管的正向電勢Vs(0.8V)小于p_n結(jié)的擴(kuò)散電勢 Vd(1.3V)，所以已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢可以設(shè)定在較低電 勢。注意，除了 Al之外，Au、Pt、Ti、Mo、W、WSi> TaSi等也可以用作肖特基二極 管的電極。注意，存儲器晶閘管M4、M6和M7的柵極端子Gm4、Gm6和Gm7的電勢不 會從-3.3V發(fā)生變化。在時(shí)間點(diǎn)ν處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢從“L”變成“H”，并且轉(zhuǎn)移晶閘管 T8關(guān)斷。如果轉(zhuǎn)移晶閘管T8處于導(dǎo)通狀態(tài)，則柵極端子GtS的電勢為0V。另外，通 過連接二極管DmS連接到柵極端子GtS的柵極端子GmS為-1.3V。然而，當(dāng)轉(zhuǎn)移晶閘管 T8關(guān)斷時(shí)，柵極端子GtS的電勢從OV變成-3.3V。在時(shí)間點(diǎn)ν處，同時(shí)執(zhí)行消除信號Φε從“H”到“L”的電勢變化以及第二 轉(zhuǎn)移信號Φ2從“L”到“H”的電勢變化。如果在第二轉(zhuǎn)移信號Φ2執(zhí)行從“L”到
“H”的電勢變化之前執(zhí)行消除信號Φε從“H”到“L”的電勢變化，則通過正向偏置 的連接二極管DmS把柵極端子Gm的電勢固定在-1.3V。因而，消除二極管SdS把柵極 端子GmS的電勢設(shè)定在較低值(-2.5V)的效果就失去了。因此，可以在消除信號Φε從 “H”到“L”的電勢變化之前執(zhí)行第二轉(zhuǎn)移信號Φ2從“L”到“H”的電勢變化。在時(shí)間點(diǎn)w處，消除信號Φε的電勢從“L”變成“H”。因此，陰極端子的 電勢變成0V，而陽極端子(柵極端子Gm)的電勢變成-2.5V，并且由此消除二極管Sd被 反向偏置。因此，柵極端子Gm的電勢沒有受到消除信號Φε的影響，并且變成電源電 勢Vga(_3.3V)，柵極端子Gm通過各個(gè)電源線電阻Rm連接到電源電勢Vga。
如上所述，通過消除信號Φε(通過把其電勢從“H”變成“L”)，接通之后 已經(jīng)關(guān)斷的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢被強(qiáng)制地設(shè)定在這樣的值該值是通 過從“L” (-3.3V)中減去消除二極管Sd的正向電勢Vs而得到的，并且由此存儲器晶閘 管M已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M的存儲器被強(qiáng)制復(fù)位，并且復(fù)位時(shí)段t5變得更短。因 此，可以獨(dú)立于時(shí)間常數(shù)來設(shè)定復(fù)位時(shí)段t5，該時(shí)間常數(shù)由柵極端子Gm的寄生電容和電 源線電阻Rm定義。因此，可以獨(dú)立地設(shè)定時(shí)段t3和復(fù)位時(shí)段t5。注意，在第三示例性實(shí)施例中，肖特基二極管用作消除極管Sd。第三示例性實(shí)施例中使用的晶閘管(發(fā)光晶閘管L、轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘 管M)每一個(gè)均可以由pnpn結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中按如下順序在基板上層疊了第一 ρ型半導(dǎo)體 層、第二η型半導(dǎo)體層、第三ρ型半導(dǎo)體層和第四η型半導(dǎo)體層，但是這里省略了其具體 描述。在此情況下，作為最頂層的第四η型半導(dǎo)體層與接下來的第三ρ型半導(dǎo)體層之間 的ρ-η結(jié)可以用作二極管。然而，在該二極管之下，存在第二 η型半導(dǎo)體層和第一 ρ型 半導(dǎo)體層。通過這種結(jié)構(gòu)，如果想把第四η型半導(dǎo)體層與第三ρ型半導(dǎo)體層之間的ρ-η 結(jié)用作二極管，則有可能使得具有由第一 ρ型半導(dǎo)體層、第二 η型半導(dǎo)體層、第三ρ型半 導(dǎo)體層和第四η型半導(dǎo)體層構(gòu)成的pnpn結(jié)構(gòu)的晶閘管(寄生晶閘管)接通(鎖定)?？蛇x地，如果通過去除作為最頂層的第四η型半導(dǎo)體層并且設(shè)置使得與表面暴 露的第三ρ型半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)肖特基接觸的材料來配置肖特基二極管，則就不再構(gòu)成pnpn 結(jié)構(gòu)。因而，可以抑制寄生晶閘管的接通(鎖定)。<第四示例性實(shí)施例>圖14是示出了第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置65中的信號生成電路100的結(jié)構(gòu) 以及信號生成電路100與每個(gè)發(fā)光芯片C(C1到C60)之間的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。第四示例性實(shí)施例與圖4所示的第一示例性實(shí)施例之間的不同之處在于在第四 示例性實(shí)施例中新設(shè)置的保持信號生成單元150。保持信號生成單元150用于信號生成電 路100以把保持信號(^b發(fā)送到發(fā)光芯片C(C1到C60)，該保持信號ΦΙ 用于臨時(shí)保持發(fā) 光晶閘管L的位置(編號)用來點(diǎn)亮。因而，除了圖4所示的第一示例性實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)之外，還在電路板62上新設(shè) 置了保持信號線103。這里，保持信號線103把來自信號生成電路100的保持信號生成單 元150的保持信號(^b發(fā)送到發(fā)光部分63。保持信號線103并聯(lián)連接到發(fā)光芯片C(Cl 到C60)的(^b端子(參見稍后描述的圖15)。其它結(jié)構(gòu)與圖4所示的第一示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。因而，在第四示例性實(shí) 施例中，對與第一示例性實(shí)施例中的部件相同的部件給予了相同的附圖標(biāo)記，并且省略 其具體描述。在第一示例性實(shí)施例中，通過把與根據(jù)圖像數(shù)據(jù)集將要按順序點(diǎn)亮的多個(gè)發(fā)光 晶閘管L對應(yīng)的多個(gè)存儲器晶閘管M接通，對將要引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編 號)進(jìn)行存儲。隨后，在與將要引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L對應(yīng)的所有存儲器晶閘管M被 設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，點(diǎn)亮信號ΦΙ被提供到發(fā)光晶閘管L，并且發(fā)光晶閘管L接通而點(diǎn) 亮(發(fā)光)。例如，如圖7所示，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)s的時(shí) 段中，圖像數(shù)據(jù)集被寫入存儲器晶閘管M，而在從時(shí)間點(diǎn)t到時(shí)間點(diǎn)χ的發(fā)光時(shí)段t4，發(fā) 光晶閘管L被設(shè)定成點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。
然而，在第一示例性實(shí)施例中，直到發(fā)光晶閘管L的發(fā)光時(shí)段t4結(jié)束，才可以 把與點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)對應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)集寫入存儲器晶閘管M中。在第四示例性實(shí)施例中，在一組中的發(fā)光晶閘管L的發(fā)光時(shí)段t4中，也可以執(zhí) 行向下一組的寫入。因此，可以增加發(fā)光占空比，該發(fā)光占空比是每單位時(shí)間的發(fā)光時(shí) 段的比率。圖15是說明第四示例性實(shí)施例中作為自掃描發(fā)光元件陣列(SLED)芯片的發(fā)光 芯片C的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。注意，這里通過以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例進(jìn)行描述。然 而，其它發(fā)光芯片C2到C60具有與發(fā)光芯片Cl相同的結(jié)構(gòu)。除了圖5所示的第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl的結(jié)構(gòu)之外，第四示例性實(shí) 施例中的發(fā)光芯片Cl還包括由直線排列在基板80上的作為保持元件實(shí)例的保持晶閘管 Bi、B2、B3···組成的保持晶閘管陣列(保持元件陣列)。除了在第一示例性實(shí)施例中的 發(fā)光芯片Cl的結(jié)構(gòu)之外，發(fā)光芯片Cl還包括連接二極管Dbl、Db2、Db3···。而且，除 了第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl的結(jié)構(gòu)之外，發(fā)光芯片Cl還包括電源線電阻Rbl、 Rb2、Rb3···以及電阻 Rcl、Rc2、Rc3···。這里，類似于第一示例性實(shí)施例，如果不區(qū)分保持晶閘管Bi、B2、B3···，則它 們被稱為保持晶閘管B。同樣，如果不分別區(qū)分連接二極管Dbl、Db2、Db3···，電源線 電阻Rbl、Rb2、Rb3···以及電阻Rcl、RC2、RC3···，則它們被分別稱為連接二極管Db、 電源線電阻Rb以及電阻Re。注意，保持晶閘管B是如下半導(dǎo)體元件每個(gè)半導(dǎo)體元件都具有三個(gè)端子，分 別是陽極端子(陽極)、陰極端子(陰極)和柵極端子(柵極)，類似于轉(zhuǎn)移晶閘管T、 存儲器晶閘管M和發(fā)光晶閘管L中的三個(gè)端子。如果假定轉(zhuǎn)移晶閘管T的數(shù)量設(shè)定為128，類似于第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯 片Cl的數(shù)量，則保持晶閘管B的數(shù)量、電源線電阻Rb的數(shù)量以及電阻Rc的數(shù)量中的每 一個(gè)都被設(shè)定為128。類似于第一示例性實(shí)施例中的轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3···，保持晶閘管Bi、 B2、B3···從圖15中的左側(cè)開始按照編號順序排列，諸如Bi、B2、B3···。類似地，連接 二極管 Dbl、Db2、Db3···，電源線電阻 Rbl、Rb2、Rb3···以及電阻 Rcl、Rc2、Rc3···
分別從圖15中的左側(cè)開始按照編號順序排列。其它結(jié)構(gòu)與圖5所示的第一示例性實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)相同。因而，在第四示例性 實(shí)施例中，對與第一示例性實(shí)施例中的部件相同的部件給予相同的附圖標(biāo)記，并且省略 其具體描述。接下來，將描述發(fā)光芯片Cl的元件之間的電連接。如上所述，第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl具有這樣的結(jié)構(gòu)額外設(shè)置了保 持晶閘管B、連接二極管Db、電源線電阻Rb和電阻Re。因而，主要描述新添加的元件 的電連接。類似于轉(zhuǎn)移晶閘管Tl、T2、T3···的陽極端子，保持晶閘管Bi、B2、B3的陽極 端子連接到發(fā)光芯片Cl的基板80。這些陽極端子通過設(shè)置在基板80上的Vsub端子連 接到電源線104(參見圖14)?；鶞?zhǔn)電勢Vsub被提供到該電源線104。保持晶閘管Bi、 B2、B3···的柵極端子Gbl、Gb2、Gb3…通過與各個(gè)保持晶閘管Bi、B2、B3···對應(yīng)地設(shè)置的各個(gè)電源線電阻Rbl、Rb2、Rb3…連接到電源線71。這里，如果不區(qū)分柵極端子Gbl、Gb2、Gb3···，則它們被稱為柵極端子Gb。保持晶閘管Bi、B2、B3···的陰極端子通過與各個(gè)保持晶閘管Bi、B2、B3···對 應(yīng)地設(shè)置的電阻Rcl、Rc2、Rc3…連接到保持信號線77。保持信號線77連接到作為保 持信號6b的輸入端子的(^b端子。保持信號線103 (參見圖14)連接到Ctb端子，并且 保持信號6b被提供到(^b端子。在圖5所示的第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl中，存儲器晶閘管M的柵極端 子Gm與發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl彼此直接相連。在第四示例性實(shí)施例中，與上面 結(jié)構(gòu)不同的是，保持晶閘管Bi、B2、B3···的柵極端子Gbl、Gb2、Gb3···通過各個(gè)連接 二極管Dbl、Db2、Db3…逐個(gè)連接到編號均與保持晶閘管B相同的存儲器晶閘管Ml、 M2、M3···的各個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3···。換言之，連接二極管Dbl、Db2、 Db3…的陰極端子連接到保持晶閘管Bi、B2、B3…的各個(gè)柵極端子Gbl、Gb2、Gb3···， 而連接二極管Dbl、Db2、Db3···的陽極端子連接到存儲器晶閘管Ml、M2、M3···的各 個(gè)柵極端子Gml、Gm2、Gm3···。另外，連接二極管Db沿著從存儲器晶閘管M的各個(gè) 柵極端子Gm到保持晶閘管B的各個(gè)柵極端子Gb的電流流動方向相連。連接二極管Db連接到保持晶閘管B的各個(gè)柵極端子Gb和發(fā)光晶閘管L的各個(gè) 柵極端子Gl。接下來，將描述第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光部分63的操作。如圖14所示，第 一轉(zhuǎn)移信號Φ 1和第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2組成的信號對以及保持信號ctb被共同提供到構(gòu)成發(fā) 光部分63的發(fā)光芯片C (Cl到C60)。同時(shí)，基于圖像數(shù)據(jù)集的存儲器信號Φιη( Φιη01」 Φιη60)被單獨(dú)提供到發(fā)光芯片C(Cl到C60)。點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到Φ130)被分別提供 到每個(gè)都由兩個(gè)發(fā)光芯片C組成的對應(yīng)發(fā)光芯片對，使得每個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ由構(gòu)成每一對 的兩個(gè)發(fā)光芯片C所共有，并且被單獨(dú)提供到構(gòu)成不同對的發(fā)光芯片C。第四示例性實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例的不同之處僅僅在于額外設(shè)置的保持晶 閘管B。類似于第一示例性實(shí)施例中的描述，如果描述了發(fā)光芯片Cl的操作，則就了解 了發(fā)光部分63的操作。因此，通過以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例來描述發(fā)光芯片C的操作。圖16是說明第四示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl(C)的操作的時(shí)序圖。在圖16 中，假定時(shí)間從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)ac(按照字母順序從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)ζ，隨后是時(shí)間點(diǎn) aa、ab和ac)。在圖16中，示出了第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲器信號 Φιη 、保持信號Φ^點(diǎn)亮信號ΦΙ1以及流入各個(gè)存儲器晶閘管Ml到Μ8的電流J(Ml) 到J(MS)的波形。圖16示出了在使用均由圖6所示的8個(gè)發(fā)光晶閘管L組成的組來執(zhí)行點(diǎn)亮控制 的情況下的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#Α)(從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)y)以及點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)的一 部分(從時(shí)間點(diǎn)y開始以及隨后的時(shí)段)。這里，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中，對組#八中 的發(fā)光晶閘管Ll到L8進(jìn)行亮度控制，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)中，對組#B中的發(fā)光晶閘 管L9到L16進(jìn)行亮度控制。注意，點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)之后是對組#(中的發(fā)光晶閘管 L17到L24進(jìn)行亮度控制的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#C)等，但是省略其描述。在相互比較圖16和圖7的情況下，可以認(rèn)識到第四示例性實(shí)施例中的點(diǎn)亮控制 時(shí)段T(#A)(從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)y)比第一示例性實(shí)施例中的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)要短。換言之，在組#A中的發(fā)光晶閘管Ll到L8的發(fā)光時(shí)段t4結(jié)束時(shí)的時(shí)間點(diǎn)aa之前的時(shí)間 點(diǎn)y處，點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)開始。注意，在圖16所示的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中，類似于第一示例性實(shí)施例中的情 況，假定引起組#A中的8個(gè)發(fā)光晶閘管Ll到L8中的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和 L8點(diǎn)亮(發(fā)光)，而發(fā)光晶閘管L4、L6和L7保持不點(diǎn)亮(熄滅)。而且，作為一個(gè) 實(shí)例，假定在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中引起發(fā)光晶閘管L9、Lll和L12點(diǎn)亮(發(fā)光)，同 時(shí)發(fā)光晶閘管LlO保持關(guān)斷。換言之，假定在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中打印圖像數(shù)據(jù)集 “11101001”，而在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中打印圖像數(shù)據(jù)集“1011…，，。將描述各個(gè)信號的波形中與第一示例性實(shí)施例不同的部分。除了保持信號(^b之外，從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段中的波形與第一示例性實(shí) 施例中圖7中所示的波形相同。在第四示例性實(shí)施例中添加的保持信號(^b的電勢在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)的開 始時(shí)間點(diǎn)c處為“H”，并且在時(shí)間點(diǎn)t處從“H”變成“L”。隨后，其電勢在時(shí)間 點(diǎn)ν處從“L”變成“H”。其電勢在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)y處保持在
"H，，。點(diǎn)亮信號ΦΙ1的電勢在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)的開始時(shí)間點(diǎn)c處為“H”，并且 在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)的時(shí)間點(diǎn)u處從“H”變成“Le”，并且在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B) 的時(shí)間點(diǎn)aa處進(jìn)一步從“Le”變成“H”。在第一示例性實(shí)施例中，每組中的發(fā)光晶閘管L的發(fā)光時(shí)段t4包含在點(diǎn)亮控制 時(shí)段(例如，點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A))中。然而，在第四示例性實(shí)施例中，發(fā)光晶閘管L 的發(fā)光時(shí)段t4(從時(shí)間點(diǎn)u到時(shí)間點(diǎn)aa)包含在用于兩組的點(diǎn)亮控制時(shí)段(例如，T(#A) 和 T (#B))中。除了上述要點(diǎn)之外，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲器信號 ΦιηΙ(Φιη)以及流入存儲器晶閘管M中的電流J(Ml)到J(MS)的波形與第一示例性實(shí)施 例中的波形相同，并且由此省略其具體描述。參考圖15，根據(jù)圖16所示的時(shí)序圖描述發(fā)光部分63和發(fā)光芯片C的操作。除 了與第四示例性實(shí)施例中新設(shè)置的保持晶閘管B有關(guān)的部分之外，發(fā)光芯片C的操作類 似于第一示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片C的操作。因而，將主要描述與新設(shè)置的保持晶閘 管B有關(guān)的發(fā)光芯片C的操作，而省略對類似于第一示例性實(shí)施例中的操作的描述。(初 始狀態(tài))在圖16所示的時(shí)序圖中的時(shí)間點(diǎn)a處，在發(fā)光部分63的每個(gè)發(fā)光芯片C (Cl到 C60)上設(shè)置的Vsub端子被設(shè)定在基準(zhǔn)電勢Vsub (OV)。同時(shí)，每個(gè)Vga端子被設(shè)定在電 源電勢Vga(_3.3V)(參見圖14)。另外，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ 2、存儲器信號Φιη(Φιη1到Φιη60) 以及保持信號4b被設(shè)定在“H”，并且點(diǎn)亮信號ΦΙ(ΦΙ1到ΦΙ30)的電勢被設(shè)定在 “H”。因此，在第四示例性實(shí)施例中添加的保持信號線103的電勢變成“H”，并且每
個(gè)發(fā)光芯片C的保持信號線77的電勢通過每個(gè)發(fā)光芯片C的ctb端子變成“H”。類似于其它晶閘管(轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘管M和發(fā)光晶閘管L)，保持晶 閘管B的陽極端子連接到Vusb端并且被提供“H” (OV)。同時(shí)，保持晶閘管B的陰極端子連接到具有設(shè)定在“H”的電勢的保持信號線77。因此，保持晶閘管B的陽極端 子和陰極端子的電勢都變成“H”，并且由此保持晶閘管B處于關(guān)斷狀態(tài)。由于其它晶閘管(轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘管M和發(fā)光晶閘管L)與第一示例 性實(shí)施例中的晶閘管相同，所以所有晶閘管(轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器晶閘管M、保持晶閘 管B和發(fā)光晶閘管L)都處于關(guān)斷狀態(tài)。由于啟動二極管Ds與第一示例性實(shí)施例中的啟動二極管相同，所以通過啟動二 極管Ds使柵極端子Gtl的電勢變成-1.3V。因而，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl的閾值電壓為-2.6V。轉(zhuǎn)移晶閘管T2的柵極端子Gt2的電勢和存儲器晶閘管Ml的柵極端子Gml的電 勢為-2.6V。然而，由于保持晶閘管Bl的柵極端子Gbl通過兩級正向偏置的二極管(連接 二極管Dml和連接二極管Dbl)連接到電勢為-1.3V的柵極端子Gtl，所以柵極端子Gbl 沒有受到電勢為-1.3V的柵極端子Gtl的影響。因而，柵極端子Gbl的電勢變成電源電 勢Vga(_3.3V)。保持晶閘管B的其它柵極端子Gb的電勢也變成電源電勢Vga(_3.3V)。 因此，保持晶閘管B的閾值電壓為-4.6V。(操作狀態(tài))類似于第一示例性實(shí)施例中的情況，當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)移晶閘管Φ 1的電勢在時(shí)間點(diǎn)b處 從“H”(OV)變成“L”(-3.3V)時(shí)，轉(zhuǎn)移晶閘管Tl進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。與存儲器晶閘管M從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)S有關(guān)的操作與第一示例性實(shí)施例中的操 作相同。注意，假定圖16中從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)S的時(shí)段與圖7中從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn) s的時(shí)段相等。將描述保持晶閘管B從時(shí)間點(diǎn)C到時(shí)間點(diǎn)S的操作。當(dāng)存儲器晶閘管Ml在寫入時(shí)段T(Ml)的開始時(shí)間點(diǎn)C處接通時(shí)，柵極端子 Gml的電勢變成“H”(OV)，并且由此導(dǎo)通電流Jo流入存儲器晶閘管Ml中，這如電流 J(Ml)中所示。保持晶閘管Bl的柵極端子Gbl通過正向偏置的連接二極管Dbl連接到 柵極端子Gml。因而，保持晶閘管Bl的柵極端子Gbl的電勢變成-1.3V，而保持晶閘 管Bl的閾值電壓變成-2.6V。另外，由于柵極端子Gbl還連接到發(fā)光晶閘管Ll的柵極 端子G11，所以發(fā)光晶閘管Ll的閾值電壓也變成-2.6V。然而，由于保持信號(^b的電勢在時(shí)間點(diǎn)C處為“H” (0V),所以保持晶閘管 Bl沒有接通。另外，由于點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢也為“H” (0V),所以發(fā)光晶閘管 Ll也沒有接通，由此沒有點(diǎn)亮(發(fā)光)。注意，由于保持晶閘管Β2的柵極端子Gb2通過三級正向偏置的二極管(耦合 二極管Del、連接二極管Dm2和連接二極管Db2)連接到電勢為“H” (OV)的柵極端子 Gtl,所以電勢為“H” (OV)的柵極端子Gtl沒有影響柵極端子Gb2，并且由此柵極端子 Gb2保持在電源電勢Vga(_3.3V)。因此，保持晶閘管B2的閾值電壓為-4.6V。各個(gè)編 號不小于3的保持晶閘管B與上述相同。此外，各個(gè)編號不小于2的發(fā)光晶閘管L與上 述相同。當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn)d處從“L”變化到“H”時(shí)，存儲
器晶閘管Ml關(guān)斷。柵極端子Gml的電勢開始從OV變化到-3.3V。通過這種變化，保 持晶閘管Bl的柵極端子Gbl的電勢開始從-1.3V變化到-3.3V。發(fā)光晶閘管Ll的柵極 端子Gll與上述相同，這是因?yàn)榘l(fā)光晶閘管Ll的柵極端子Gll連接到柵極端子Gbl的緣 故。由于保持信號Φ1 保持在電勢“H” (0V),所以保持晶閘管Bl沒有接通。同樣，由于點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)保持在電勢“H” (0V),所以發(fā)光晶閘管Ll沒有接通并且由此 沒有點(diǎn)亮(發(fā)光)。在隨后的寫入時(shí)段Τ(Μ2)到Τ(Μ7)中，如在第一示例性實(shí)施例中所述的那樣， 存儲器晶閘管Ml、M2、M3和M5交替接通和關(guān)斷。響應(yīng)于此，保持晶閘管Bl到B7 的柵極端子Gb (發(fā)光晶閘管Ll到L7的柵極端子Gl)的電勢在-1.3V和-3.3V之間變化。 因而，保持晶閘管Bl到B7(發(fā)光晶閘管Ll到L7)的閾值電壓在-2.6V和-4.6V之間變 化。在寫入時(shí)段T(Ml)到T(M7)中，由于保持信號(^b的電勢為“H” (0V),所以保 持晶閘管Bl到B7沒有接通。另外，由于點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢也為“H” (0V), 所以發(fā)光晶閘管Ll到L7沒有接通，并且由此沒有點(diǎn)亮(發(fā)光)。類似于第一示例性實(shí)施例中的情況，當(dāng)存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢在時(shí)間點(diǎn) r處從“H”變成“L”時(shí)，存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8接通。即使存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)在時(shí)間點(diǎn)S處從“L”變成“S”，存儲器晶閘管 Ml、M2、M3、M5和M8也保持導(dǎo)通狀態(tài)。由于已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢變成0V，所以通過一級 正向偏置二極管(連接二極管Db)連接到該柵極端子Gm的保持晶閘管B的柵極端子Gb 的電勢變成-1.3V。因此，該保持晶閘管B的閾值電壓變成-2.6V。換言之，緊接著時(shí) 間點(diǎn)s之后，保持晶閘管Bi、B2、B3、B5禾ΠΒ8的閾值電壓為-2.6V。同時(shí)，保持晶 閘管B4、B6和B7的閾值電壓保持在-4.6V。另外，各個(gè)編號不小于9的保持晶閘管B 的閾值電壓為-4.6V。在時(shí)間點(diǎn)t處，保持信號(^b的電勢從“H” (OV)變成“L”(-3.3V)。因而，
閾值電壓為-2.6V的保持晶閘管Bi、B2、B3、B5和B8接通。其它保持晶閘管B沒有 接通。換言之，通過使得具有與處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管M相同編號的保持晶閘 管B接通，與引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的編號(位置)有關(guān)的信息被復(fù)制到保持晶閘管B 中，該信息由存儲器晶閘管M進(jìn)行存儲。注意，保持晶閘管B通過各個(gè)電阻Rc連接到保持信號線77。即使一個(gè)保持晶 閘管B進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)并且該保持晶閘管B的陰極端子的電勢變成通過從該保持晶閘管B 的陽極端子的電勢“H” (OV)中減去擴(kuò)散電勢Vd(1.3V)而得到的值，保持信號線77還 是保持在電勢“L”。因而，多個(gè)保持晶閘管B (這里是保持晶閘管Bi、B2、B3、B5 和B8)準(zhǔn)備同時(shí)接通。當(dāng)保持晶閘管Bi、B2、B3、B5禾ΠΒ8接通時(shí)，柵極端子Gbl、Gb2、Gb3、Gb5
和Gb8的電勢變成作為陽極端子電勢的0V。具有與各個(gè)柵極端子Gbl、Gb2、Gb3、Gb5 和Gb8連接的各個(gè)柵極端子Gil、G12、G13、G15和G18的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5 和L8的閾值電壓變成-1.3V。同時(shí)，沒有接通的保持晶閘管B4、B6和B7的柵極端子 Gb4、Gb6和Gb7的電勢保持在-3.3V。 因此，保持晶閘管B4、B6和B7的閾值電壓 為-4.6V。各個(gè)編號不小于9的保持晶閘管B的閾值電壓為-4.6V。因此，轉(zhuǎn)移晶閘管T8、存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8以及保持晶閘 管Bi、B2、B3、B5和B8保持在導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)點(diǎn)亮信號Φ Il ( Φ I)的電勢在時(shí)間點(diǎn)u處從“H”變成“Le” (-2.6V< "Le" <-1.3V)時(shí)，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8接通并且點(diǎn)亮(發(fā)光)。注意，發(fā)光晶閘管L沒有通過電阻連接到點(diǎn)亮信號線75。然而，由于點(diǎn)亮信號 ΦΙΙ(ΦΙ)是由電流驅(qū)動，所以多個(gè)發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8準(zhǔn)備接通而無需 電阻。而且，在時(shí)間點(diǎn)11處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“S”變成“H”。 因此，存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8關(guān)斷。隨后，柵極端子Gml、Gm2、 Gm3、Gm5和Gm8的電勢逐漸從OV變成-3.3V。注意，柵極端子Gm4、Gm6和Gm7 的電勢保持在-3.3V。當(dāng)柵極端子Gml、Gm2、Gm3、Gm5和Gm8的電勢變得小于2V( < _2V) 時(shí)，如上所述，即使存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢被設(shè)定在“L”，存儲器晶閘管Ml、 M2、M3、M5和M8也沒有接通。換言之，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管Ml、M2、M3、 M5和M8的存儲信息，即發(fā)光晶閘管L的位置(編號)的存儲信息丟失。在第四示例性實(shí)施例中，在時(shí)間點(diǎn)u之前的時(shí)間點(diǎn)t處，使得保持晶閘管Bi、 B2、B3、B5禾ΠΒ8接通，并且因此引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)被發(fā)送(復(fù) 制)到保持晶閘管B。因此，在時(shí)間點(diǎn)u和隨后的時(shí)段，如果有關(guān)引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘 管L的位置(編號)的信息從存儲器晶閘管M中丟失也不會有問題。而且，在時(shí)間點(diǎn)u處，第一轉(zhuǎn)移信號Φ1的電勢從“H”變成“L”。因此，閾 值電壓為-2.6V的轉(zhuǎn)移晶閘管T9接通。隨后，轉(zhuǎn)移晶閘管T9的柵極端子Gt9變成0V。 另外，轉(zhuǎn)移晶閘管TlO的柵極端子GtlO的電勢變成-1.3V，而轉(zhuǎn)移晶閘管TlO的閾值電 壓變成-2.6V。類似地，存儲器晶閘管M9的閾值電壓變成-2.6V。注意，在第四示例性實(shí)施例中，在時(shí)間點(diǎn)U處，點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)從“H”到 "Le"的電勢變化、存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)從“S”到“H”的電勢變化、以及第一轉(zhuǎn)
移信號Φ1從“H”到“L”的電勢變化同時(shí)執(zhí)行。這些變化可以以任意順序執(zhí)行。具體地說，如果首先執(zhí)行第一轉(zhuǎn)移信號Φ1從“H”到“L”的電勢變化，則轉(zhuǎn) 移晶閘管Τ9接通并且存儲器晶閘管Μ9的閾值電壓變成-2.6V。即使在此情況下，由于 存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)為“S”(-2.5V)，所以存儲器晶閘管Μ9也沒有接通。另外，盡 管保持晶閘管Β9的閾值電壓為-3.9V，但是由于保持信號ΦΙ 的電勢為“L”(-3.3V)， 所以保持晶閘管Β9沒有接通。可選地，如果在首先執(zhí)行存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)從“S”到“H”的電勢變 化之后執(zhí)行第一轉(zhuǎn)移信號Φ1從“H”到“L”的電勢變化，則轉(zhuǎn)移晶閘管Τ9接通， 并且存儲器晶閘管Μ9的閾值電壓變成-2.6V。然而，由于存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電 勢變成“H”(OV)，所以存儲器晶閘管Μ9沒有接通。盡管保持晶閘管Β9的閾值電壓 為-3.9V，但是由于保持信號ΦΙ 的電勢為-3.3V，所以保持晶閘管Β9沒有接通?？蛇x地，如果首先執(zhí)行第一轉(zhuǎn)移信號Φ1從“H”到“L”的電勢變化，則轉(zhuǎn)移 晶閘管Τ9接通。結(jié)果，存儲器晶閘管Μ9的閾值電壓變成-2.6V，而發(fā)光晶閘管L9的 閾值電壓變成-3.9V。其后，即使點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢從“H”變成“Le”，發(fā) 光晶閘管L9也沒有接通。另外，由于存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢為“S”(-2.5V)， 存儲器晶閘管Μ9沒有接通。如上所述，上述三種變化的順序不受限制。
緊接著時(shí)間點(diǎn)u之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T8和T9以及保持晶閘管Bi、B2、B3、B5 和B8保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。接下來，當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)移信號Φ2的電勢在時(shí)間點(diǎn)ν處從“L”變成“H”時(shí)，轉(zhuǎn)
移晶閘管T8關(guān)斷。緊接著時(shí)間點(diǎn)ν之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T9以及保持晶閘管Bi、B2、B3、B5禾口 B8 保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)ν處，保持信號(^b的電勢從“L”變成“H”。因此，保持晶閘管 Bi、B2、B3、B5和B8的各個(gè)陰極端子和陽極端子的電勢為“H”，由此保持晶閘管 Bi、B2、B3、B5和B8不再保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且關(guān)斷。因此，引起發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的位置(編號)的存儲信息從保持晶閘管B中丟 失。然而，在時(shí)間點(diǎn)ν之前的時(shí)間點(diǎn)u處，要引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L已經(jīng)被引起點(diǎn)亮， 并且如果引起發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的位置(編號)的存儲信息從保持晶閘管B中丟失也沒有 問題。緊接著時(shí)間點(diǎn)ν之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T9保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光晶閘管Li、 L2、L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。隨后，用于組#B中的發(fā)光晶閘管L9到L16的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)從時(shí)間點(diǎn)y開始。在寫入時(shí)段T(M9)的開始時(shí)間點(diǎn)y處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”
變成“L”從而寫入引起發(fā)光晶閘管L9點(diǎn)亮的存儲信息。因此，閾值電壓為-2.6V的存 儲器晶閘管Μ9接通。此時(shí)，不再允許在點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α)中已經(jīng)接通的存儲器晶閘管Ml、M2、 M3、M5和M8接通。因而，在時(shí)間點(diǎn)y處，有必要使得這些存儲器晶閘管Ml、M2、 M3、M5和M8的閾值電壓小于“L” “-3.3V”( <-3.3V)，即柵極端子Gml、Gm2、 Gm3、Gm5 和 Gm8 的電勢小于-2V(<_2V)。柵極端子 Gml、Gm2、Gm3、Gm5 和 Gm8的電勢變化由如下時(shí)間常數(shù)確定，該時(shí)間常數(shù)由柵極端子Gm的寄生電容和電源線 電阻Rm定義。因而，從時(shí)間點(diǎn)U到時(shí)間點(diǎn)y的復(fù)位時(shí)段t5被設(shè)定成足夠長，從而滿足 以上要求。因此，緊接著在時(shí)間點(diǎn)y之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T9和存儲器晶閘管M9保持在接通 狀態(tài)，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中的時(shí)間點(diǎn)u處已經(jīng)點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5 和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)ζ處，為了避免發(fā)光晶閘管LlO點(diǎn)亮，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢 從“H”變成“S”。緊接在時(shí)間點(diǎn)ζ之后，轉(zhuǎn)移晶閘管TlO和存儲器晶閘管Μ9保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并 且發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8保持在點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)aa處，點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢從“Le”變成“H”。因此，已經(jīng) 處于點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8的各個(gè)陰極端子和陽極端子 的電勢為“H”，由此它們沒有保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且關(guān)斷從而熄滅。緊接在時(shí)間點(diǎn)aa之后，轉(zhuǎn)移晶閘管TlO和存儲器晶閘管M9保持在導(dǎo)通狀態(tài)。
換言之，被存儲為在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管Li、L2、 L3、L5和L8在發(fā)光時(shí)段t4中點(diǎn)亮(發(fā)光)，該發(fā)光時(shí)段t4從包括在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A) 中的時(shí)間點(diǎn)u到包括在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中的時(shí)間點(diǎn)aa。注意，用于發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8的發(fā)光時(shí)段t4的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)不必 是包括在寫入時(shí)段T(MlO)中的時(shí)間點(diǎn)aa。換言之，只需要發(fā)光時(shí)段t4的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)是 將要在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L9、Lll…開始點(diǎn)亮?xí)r的時(shí)間點(diǎn)之 前的時(shí)間點(diǎn)即可。在時(shí)間點(diǎn)ab處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“H”變成“L”從而存儲
引起發(fā)光晶閘管Lll點(diǎn)亮的信息。緊接著時(shí)間點(diǎn)ab之后，轉(zhuǎn)移晶閘管Tll以及存儲器晶閘管M9和Mll保持在導(dǎo) 通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)ab和隨后的時(shí)段，基于圖像數(shù)據(jù)集的存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的波形不 同于前一時(shí)段中的波形。然而，由于類似于點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α)中的時(shí)間點(diǎn)k和隨后的 時(shí)段，所以省略其具體描述。如上所述，在第四示例性實(shí)施例中，發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮(發(fā)光)以及向存儲引 起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)的存儲器晶閘管M的寫入同時(shí)執(zhí)行。因此，與第 一示例性實(shí)施例的情況相比，可以以高發(fā)光占空比來執(zhí)行發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮(發(fā)光)。因而，由打印頭14對感光鼓12的寫入時(shí)間變得更短。這得益于以下事實(shí)，通過設(shè)置保持晶閘管B，存儲在存儲器晶閘管M中的引起 點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)被發(fā)送到保持晶閘管B，從存儲器晶閘管M中刪除 (清除)引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)的存儲信息，并且下一次引起點(diǎn)亮的發(fā) 光晶閘管L的位置(編號)被存儲在存儲器晶閘管M中。換言之，這得益于以下事實(shí)，通過在發(fā)光晶閘管L和存儲器晶閘管M之間設(shè)置 保持晶閘管B，防止了存儲器晶閘管M的狀態(tài)變化影響發(fā)光晶閘管L，并且切斷了存儲器 晶閘管M與發(fā)光晶閘管L之間的電氣關(guān)系。注意，在圖16中，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中的圖像數(shù)據(jù)集被設(shè)定成 “11101001”，而點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中的圖像數(shù)據(jù)集被設(shè)定成“101···”。類似于在
第一示例性實(shí)施例中的情況，當(dāng)引起發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮?xí)r，只需要存儲器信號Φιη的電 勢設(shè)定在“L”，而在不引起發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮?xí)r，只需要存儲器信號Φιη的電勢設(shè)定在因此，在一個(gè)發(fā)光時(shí)段t4中多個(gè)發(fā)光點(diǎn)(發(fā)光晶閘管L)準(zhǔn)備同時(shí)點(diǎn)亮。因此， 與對發(fā)光點(diǎn)(發(fā)光晶閘管L)逐個(gè)進(jìn)行亮度控制的情況相比，允許每個(gè)發(fā)光芯片C的發(fā)光 時(shí)段t4變短。從打印頭14的方面來看，可以縮短對感光鼓12的寫入時(shí)間。<第五示例性實(shí)施例>圖17是示出了第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光裝置65中的信號生成電路100的結(jié)構(gòu) 以及信號生成電路100與每個(gè)發(fā)光芯片C(C1到C60)之間的布線結(jié)構(gòu)的示意圖。第五示例性實(shí)施例與圖14所示第四示例性實(shí)施例的不同之處在于在第五示例性 實(shí)施例中的新設(shè)置的在第三示例性實(shí)施例中描述的消除信號生成單元140。消除信號生成 單元140用于信號生成電路100以把消除信號Φ e發(fā)送到發(fā)光芯片C (Cl到C60)，該消除信號Φe用于消除在每個(gè)柵極端子Gm的寄生電容中蓄積的電荷。因而，在電路板62上新設(shè)置了消除信號線102。消除信號線102把來自信號生 成電路100的消除信號生成單元140中的消除信號Φε發(fā)送到發(fā)光部分63。消除信號線 102并聯(lián)連接到發(fā)光芯片C (Cl到C60)的Φε端子(參見稍后描述的圖18)。其它結(jié)構(gòu) 與圖14所示的第四示例性實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)相同。在第四示例性實(shí)施例中，存儲在存儲器晶閘管M中的引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L 的位置(編號)被發(fā)送到保持晶閘管B，并且隨后從存儲器晶閘管M中刪除(清除)引 起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)的存儲信息，并且因此在發(fā)光晶閘管L的發(fā)光時(shí)段 內(nèi)把下次引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)存儲在存儲器晶閘管M中。然而，為 了從存儲器晶閘管M中刪除(復(fù)位)引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號)的存儲信 息，需要等到柵極端子Gm的電勢小于_2V( < -2V)。在第五示例性實(shí)施例中，將第四示例性實(shí)施例與第三示例性實(shí)施例中描述的消 除信號Φ e相結(jié)合，從而縮短到柵極端子Gm的電勢小于-2V(<_2V)之前的復(fù)位時(shí)段 t5。注意，在第五示例性實(shí)施例中，對與第四示例性實(shí)施例中的那些部件相同的部 件給予相同的附圖標(biāo)記，并且省略其具體描述。圖18是說明第五示例性實(shí)施例中的作為自掃描發(fā)光元件陣列(SLED)芯片的發(fā) 光芯片C(C1到C60)的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。這里，將以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例進(jìn)行描述。 然而，其它發(fā)光芯片C2到C60具有與發(fā)光芯片Cl相同的結(jié)構(gòu)。注意，在圖18中。主 要示出了包括轉(zhuǎn)移晶閘管Tl到T4、存儲器晶閘管Ml到M4以及發(fā)光晶閘管Ll到L4的 部分。與圖14所示的第四示例性實(shí)施例不同之處在于在第五示例性實(shí)施例中新設(shè)置的 消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…。發(fā)光芯片Cl (C)包括在基板80上直線排列的消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…。類 似于在第三示例性實(shí)施例中的那些消除二極管，消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…可以是肖
特基二極管。接下來，將描述在發(fā)光芯片Cl(C)中的消除二極管Sd的電連接。消除二極管 Sd的電連接與圖12中所示的第三示例性實(shí)施例中的那些電連接相同。換言之，消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…的每個(gè)陽極端子連接到存儲器晶閘管 Ml、M2、M3···的對應(yīng)一個(gè)柵極端子 Gml、Gm2、Gm3···。消除二極管Sdl、Sd2、Sd3…的陰極端子連接到消除信號線76。另外，消除信 號線76連接到作為消除信號Φ e的輸入端子的Φε端子。消除信號線102 (參見圖17)連 接到Φε端子，并且消除信號Φ e被提供到Φε端子。接下來，將描述第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光部分63的操作。第一轉(zhuǎn)移信號Φ 1 和第二轉(zhuǎn)移信號Φ2組成的信號對、保持信號ctb和消除信號Φε被共同提供到構(gòu)成發(fā)光 部分63的發(fā)光芯片C (Cl到C60)，這如圖17所示。同時(shí)，基于圖像數(shù)據(jù)集的存儲器信號 Φιη(Φιη1到Φιη60)被單獨(dú)提供到發(fā)光芯片C(Cl到C60)。發(fā)光信號ΦΙ(ΦΙ1到Φ130) 被分別提供到每個(gè)都由兩個(gè)發(fā)光芯片C組成的對應(yīng)發(fā)光芯片對，使得每個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ由 構(gòu)成每個(gè)對的兩個(gè)發(fā)光芯片所共有，并且被單獨(dú)提供到構(gòu)成不同對的發(fā)光芯片C。
第五示例性實(shí)施例與第四示例性實(shí)施例的不同之處在于額外設(shè)置的消除二極管 Sd。類似于第四示例性實(shí)施例中的描述，如果描述了發(fā)光芯片Cl的操作，就了解發(fā)光部 分63的操作。因此，以發(fā)光芯片Cl作為實(shí)例來描述發(fā)光芯片C的操作。圖19是說明第五示例性實(shí)施例中的發(fā)光芯片Cl (C)的操作的時(shí)序圖。同樣在 圖19中，假定時(shí)間從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)ac(按字母順序從時(shí)間點(diǎn)a到時(shí)間點(diǎn)z，以及隨后 的時(shí)間點(diǎn)aa、ab和ac)。在圖19中，示出了第轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲 器信號Φιη 、保持信號ΦΚ消除信號Φε、點(diǎn)亮信號ΦIl和流入到各個(gè)存儲器元件Ml 到Μ8的電流J (Ml)到J(M8)的波形。圖19示出了在使用均由圖6所示的8個(gè)發(fā)光晶閘管L組成的組來執(zhí)行點(diǎn)亮控制 的情況下的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)(從時(shí)間點(diǎn)c到時(shí)間點(diǎn)y)和點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)的一部 分(從時(shí)間點(diǎn)y開始以及隨后的時(shí)段)。這里，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中，對組#八中 的發(fā)光晶閘管Ll到L8進(jìn)行亮度控制，在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#B)中，對組#B中的發(fā)光晶閘 管L9到L16進(jìn)行亮度控制。注意，點(diǎn)亮控制時(shí)段T(B)之后是對組#C中的發(fā)光晶閘管 L17到L24進(jìn)行亮度控制的點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#C)，但是省略了其描述。注意，在圖19中的點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中，類似于第四示例性實(shí)施例中的情 況，假定引起組#A中的8個(gè)發(fā)光晶閘管Ll到L8中的發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8 點(diǎn)亮(發(fā)光)，發(fā)光晶閘管L4、L6和L7保持不點(diǎn)亮(熄滅)。同樣，作為一個(gè)實(shí)例， 假定在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中引起發(fā)光晶閘管L9、Lll和L12點(diǎn)亮(發(fā)光)，同時(shí)發(fā)光 晶閘管LlO保持關(guān)斷。假定在點(diǎn)亮控制時(shí)段T (#A)中打印圖像數(shù)據(jù)集“11101001”，而 在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#B)中打印圖像數(shù)據(jù)集“1011…”。在圖19中，除了消除信號Φε之外的信號的波形與圖16所示的波形相同。這里，主要描述了消除信號Φε。在點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α)中的消除信號Φε的電勢在時(shí)間點(diǎn)c處為“H”，并且 在時(shí)間點(diǎn)ν處從“H”變成“L”。隨后，其電勢在時(shí)間點(diǎn)w處從“L”變成“H”。 在點(diǎn)亮控制時(shí)段Τ(#Α)的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)y處，其電勢保持在“H”。換言之，消除信號Φe在點(diǎn)亮控制時(shí)段T(#A)中的電勢一次變?yōu)椤癓”。如上所述，接通之后關(guān)斷的存儲器晶閘管M的柵極端子Gm的電勢從OV變 成-3.3V。該變化率由如下時(shí)間常數(shù)確定，該時(shí)間常數(shù)由柵極端子Gm的寄生電容和電源 線電阻Rm定義。如上所述，如果柵極端子Gm的電勢變化很慢，由于時(shí)段t3被設(shè)定很 長所以可能有利，但是由于復(fù)位時(shí)段t5變成更長所以可能不利。在第五示例性實(shí)施例中，為了控制復(fù)位時(shí)段t5，設(shè)置了消除信號Φε。消除信號 Φε消除了柵極端子Gm的寄生電容中蓄積的電荷，并且消除了存儲器晶閘管M已經(jīng)接通 的存儲器晶閘管M的存儲信息。參考圖18，將根據(jù)圖19所示的時(shí)序圖描述發(fā)光部分63和發(fā)光芯片Cl (C)的操作。注意，在圖18中，僅示出了包括編號均為1-4的轉(zhuǎn)移晶閘管Τ、存儲器晶閘管 Μ、發(fā)光晶閘管L等的部分。包括編號均不小于5的晶閘管的其它部分(圖中未示出) 是上述部分的重復(fù)。在以下描述中。不僅描述編號為1-4的元件，還可以描述具有其它 編號的元件。
在第三和第四示例性實(shí)施例中已經(jīng)描述了從初始狀態(tài)(時(shí)間點(diǎn)a)到時(shí)間點(diǎn)s的 發(fā)光部分63和發(fā)光芯片Cl (C)的操作，在時(shí)間點(diǎn)s處，引起發(fā)光晶閘管L8發(fā)光的信息 被存儲在存儲器晶閘管M8中，并且由此省略了其具體描述。當(dāng)保持信號(^b的電勢在時(shí)間點(diǎn)t從“H”變成“L”時(shí)，閾值電壓為-2.6V的 保持晶閘管Bi、B2、B3、B5和B8接通，同時(shí)其它保持晶閘管B沒有接通。因此，已 經(jīng)接通的保持晶閘管Bi、B2、B3、B5和B8的柵極端子Gbl、Gb2、Gb3、Gb5和Gb8 變成作為陽極端子電勢的“H”(OV)。每個(gè)連接二極管Db的陽極端子連接到柵極端子Gm，陰極端子連接到柵極端子 Gb。如上所述，柵極端子Gml、Gm2、Gm3、Gm5和Gm8從時(shí)間點(diǎn)u開始從OV變 成-3.3V。另一方面，柵極端子Gm4、Gm6和Gm7以及各個(gè)編號不小于9的保持晶閘 管B的柵極端子Gm保持在-3.3V。因此，保持晶閘管B進(jìn)入反向偏置狀態(tài)，或者陽極 端子和陰極端子具有相同電勢的狀態(tài)。緊接著時(shí)間點(diǎn)t之后，轉(zhuǎn)移晶閘管T8以及存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和 M8保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8處于點(diǎn)亮(導(dǎo)通)狀態(tài)。隨后，當(dāng)點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)的電勢在時(shí)間點(diǎn)u處從“H”變成"Le" (-2.6V < "Le" <-1.3V)時(shí)，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、L5和L8接通并且點(diǎn)亮(發(fā)光)。另外，在時(shí)間點(diǎn)u處，存儲器信號ΦιηΙ(Φιη)的電勢從“S”變成“H”。因 此，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管Ml、M2、M3、M5和M8關(guān)斷，柵極端子Gml、Gm2、 Gm3、Gm5和Gm8的電勢開始從OV變成-3.3V。該變化率由如下時(shí)間常數(shù)確定，該時(shí) 間常數(shù)由柵極端子Gm的寄生電容和電源線電阻Rm定義。此外，當(dāng)?shù)谝晦D(zhuǎn)移信號Φ1的電勢在時(shí)間點(diǎn)u處從“H”變成“L”時(shí)，轉(zhuǎn)移
晶閘管T9接通。在時(shí)間點(diǎn)u處，點(diǎn)亮信號ΦΙΙ(ΦΙ)從“H”到"Le"的電勢變化、存儲器信 號ΦιηΙ(Φιη)從“S”到“H”的電勢變化、以及第一轉(zhuǎn)移信號Φ1從“H”到“L”
的電勢變化之間的關(guān)系與第四示例性實(shí)施例中描述的關(guān)系相同。在時(shí)間點(diǎn)ν處，消除信號Φε的電勢從“H”(OV)變成“L”(-3.3V)。因而， 消除二極管Sdl、Sd2、Sd3、Sd5和Sd8被正向偏置，并且因此柵極端子Gml、Gm2、 Gm3、Gm5和Gm8的電勢變成這樣的值(-2.5V)，該值是通過從_3.3V( “L”)中減去 消除二極管Sd的正向電勢Vs(0.8V)而得到的，如在第三示例性實(shí)施例中所述的那樣。換言之，通過把消除信號Φε從“H”變成“L”，已經(jīng)接通的存儲器晶閘管M 的柵極端子Gm的電勢被強(qiáng)制設(shè)定在-2.5V，并且加速了柵極端子Gml、Gm2、Gm3、 Gm5和Gm8的電勢變化。在時(shí)間點(diǎn)ν處，保持信號(^b的電勢從“L”變成“H”。借此變化，使保持 晶閘管Bi、B2、B3、B5和B8關(guān)斷。因此，引起點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管L的位置(編號) 的存儲信息從保持晶閘管B中丟失。然而，在時(shí)間點(diǎn)u處，發(fā)光晶閘管Li、L2、L3、 L5和L8已經(jīng)點(diǎn)亮，因而沒有問題。另外，在時(shí)間點(diǎn)ν處，第二轉(zhuǎn)移信號Φ2的電勢從“L”變成“H”。借此變
化，轉(zhuǎn)移晶閘管T8關(guān)斷。注意，在時(shí)間點(diǎn)ν處，消除信號Φε從“H”到“L”的電勢變化、保持信號(^b從“L”到“H”的電勢變化、以及第二轉(zhuǎn)移信號Φ2從“L”到“H”的電勢變 化同時(shí)執(zhí)行?？梢园凑杖我忭樞驁?zhí)行這些變化。具體地說，如果首先執(zhí)行消除信號Φε從“H”到“L”的電勢變化，則僅僅加 速了柵極端子Gm的電勢變化，而沒有影響轉(zhuǎn)移晶閘管T和保持晶閘管B的操作?？蛇x地，如果首先執(zhí)行保持信號(^b從“L”到“H”的電勢變化以關(guān)斷保持晶 閘管B，則連接二極管Db的陰極端子(柵極端子Gb)的電勢從OV變成-3.3V。同時(shí)， 作為連接二極管Db陽極端子的柵極端子Gml、Gm2、Gm3、Gm5和Gm8的電勢開始 從OV變成-3.3V。因此，如果在這些電勢變化期間連接二極管Db被正向偏置，則更加 速了柵極端子Gm的電勢變化(從OV變成-3.3V)。這里，接通保持晶閘管M并不影響 轉(zhuǎn)移晶閘管T的操作。另外可選地是，如果首先執(zhí)行第二轉(zhuǎn)移信號Φ2從“L”到“H”的電勢變化以 關(guān)斷轉(zhuǎn)移晶閘管T8，則柵極端子GtS的電勢從OV變成電源電勢Vga(-3.3V)。然而，類 似于首先執(zhí)行保持信號6b從“L”到“H”的電勢變化的情況，如果在這些電勢變化期 間連接二極管Dm被正向偏置，則更加速了柵極端子Gt的電勢變化(從OV變成-3.3V)。如上所述，即使以任意順序執(zhí)行這些變化，也不會影響發(fā)光芯片C的操作。在時(shí)間點(diǎn)w處，消除信號Φε的電勢從“H”(OV)變成“L”(-3.3V)。因 此，消除二極管Sd被正向偏置，或者陽極端子和陰極端子具有相同的電勢。根據(jù)由柵極 端子Gm的寄生電容和電源線電阻Rm定義的時(shí)間常數(shù)，柵極端子Gml、Gm2、Gm3、 Gm5和Gm8的電勢進(jìn)一步變成-3.3V。注意，在消除二極管Sd被正向偏置的情況下獲得了由消除二極管Sd提取電荷的 提取效應(yīng)。因此，如果柵極端子Gm的電勢變成通過從_3.3V( “L”)中減去正向電勢 Vs而得到的值，則無法再獲得通過消除二極管Sd提取電荷的提取效應(yīng)。因而，為了有效地加速柵極端子Gm的電勢變化，緊接在由于柵極端子Gm的電 勢而導(dǎo)致消除二極管Sd提取電荷的提取效應(yīng)丟失之前，消除信號Φε的電勢可以從“L” 變成“H”。在時(shí)間點(diǎn)y和隨后的時(shí)段，其操作與第四示例性實(shí)施例中的操作相同，并且由 此省略了其具體描述。在第五示例性實(shí)施例中，由于消除二極管Sd加速了柵極端子Gm的電勢變化， 所以與第四示例性實(shí)施例中的情況相比，從時(shí)間點(diǎn)u到時(shí)間點(diǎn)y的復(fù)位時(shí)段t5可以被設(shè)定 成很短。因此，可設(shè)定發(fā)光晶閘管L的較高發(fā)光占空比。注意，在第一到第五示例性實(shí)施例中，盡管圖6中所示的每個(gè)組中所包括的發(fā) 光晶閘管L的數(shù)量被設(shè)定成8，但是該數(shù)量可以任意設(shè)定。此時(shí)，只需要改變信號(第 一轉(zhuǎn)移信號Φ1、第二轉(zhuǎn)移信號Φ2、存儲器信號Φιη、保持信號ΦΚ消除信號Φε和點(diǎn) 亮信號ΦΙ)的定時(shí)，而無需改變發(fā)光芯片C的結(jié)構(gòu)。另外，在第一到第五示例性實(shí)施例中，基于以下假定進(jìn)行了描述每個(gè)發(fā)光芯 片C中所包括的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量被設(shè)定成128。然而，這個(gè)數(shù)量也是可以任意設(shè)定 的。另外，假定一個(gè)自掃描發(fā)光元件陣列(SLED)安裝在一個(gè)發(fā)光芯片C上。然而，可 以在個(gè)發(fā)光芯片C上面安裝多個(gè)SLED。
另外，基于以下假定進(jìn)行了描述發(fā)光晶閘管L的數(shù)量與轉(zhuǎn)移晶閘管T、存儲器 晶閘管M和保持晶閘管B各自的數(shù)量相同。然而，轉(zhuǎn)移晶閘管T的數(shù)量大于發(fā)光晶閘管 L的數(shù)量也是可以接受的。這是通過在沒有寫入圖像數(shù)據(jù)集時(shí)驅(qū)動具有第一轉(zhuǎn)移信號Φ1 和第二轉(zhuǎn)移信號Φ部分的器件實(shí)現(xiàn)的。在第一到第五示例性實(shí)施例中，假定存儲器信號Φιη被單獨(dú)提供到發(fā)光芯片 C，并且每個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ被共同提供到對應(yīng)的兩個(gè)發(fā)光芯片C。然而，點(diǎn)亮信號ΦΙ可 以被單獨(dú)提供到發(fā)光芯片C，或者每個(gè)點(diǎn)亮信號ΦΙ可以被共同提供到三個(gè)或更多個(gè)發(fā)光 芯片Co可選地，通過串聯(lián)連接多個(gè)發(fā)光芯片C以形成像個(gè)自掃描發(fā)光元件陣列(SLED) 芯片的多個(gè)發(fā)光芯片C，存儲器信號Φιη和點(diǎn)亮信號ΦΙ可以被共同提供到彼此串聯(lián)連接 的多個(gè)發(fā)光芯片C。在第一到第五示例性實(shí)施例中，描述了共陽極的情況，其中基板被設(shè)置為晶閘 管的陽極端子。通過改變電路的極性，可以使用共陰極晶閘管，其中基板被設(shè)置為陰極 端子。另外，在第一到第五示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C由基于GaAs的半導(dǎo)體形成， 例如，GaAS、GaAlAs等，但是發(fā)光芯片C的材料并不限于此。例如，發(fā)光芯片C可以 由很難通過離子注入變成ρ型半導(dǎo)體或η型半導(dǎo)體的其它化合物半導(dǎo)體形成，諸如GaP。注意，在本發(fā)明中發(fā)光裝置的使用并不限于在電子照相圖像形成單元中使用的 曝光裝置。除了電子照相式記錄、顯示、照明、光學(xué)通信等之外，本發(fā)明中的發(fā)光裝置 還可以用于光學(xué)寫入。出于解釋和說明的目的提供了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的前述說明。其本意并不 是窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的確切形式。顯然，對于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn) 行許多修改和變型。選擇和說明該示例性實(shí)施例是為了更好地解釋本發(fā)明的原理及其實(shí) 際應(yīng)用，因此使得本技術(shù)領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明所適用的各種實(shí)施例并預(yù) 見到適合于特定應(yīng)用的各種修改。目的在于通過所附權(quán)利要求及其等同內(nèi)容限定本發(fā)明 的范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括自掃描發(fā)光元件陣列，包括直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每 一個(gè)存儲器元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài) 的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容 易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件， 每一個(gè)開關(guān)元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被 設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)； 以及點(diǎn)亮控制器，包括轉(zhuǎn)移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定所 述多個(gè)開關(guān)元件從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信號生成單元，其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組 中的一組的多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng) 的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元 件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān) 斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存 儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且 隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與 想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述 想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)消除元件，所述多個(gè)消除元件設(shè)置為與各個(gè)存 儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括消除信號生成單元，所述消除信號生成單元把消除信號提供 到所述多個(gè)消除元件，在所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述消 除信號防止與所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)保持元件，所述多個(gè)保持元件設(shè)置在各個(gè)發(fā)光 元件和各個(gè)存儲器元件之間從而與各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)，并且電連接 到各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在各個(gè)存儲器元件被設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)保持元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易點(diǎn)亮，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括保持信號生成單元，所述保持信號生成單元把保持信號提供 到所述多個(gè)保持元件，在使得與所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述保持信號使得與處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件相對應(yīng)的保持元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
4.一種發(fā)光裝置，包括自掃描發(fā)光元件陣列，包括基板；多個(gè)發(fā)光晶閘管，其形成在所述基板上并且直線排列；多個(gè)存儲器晶間管，其形成在所述基板上并且設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光晶間管相對應(yīng)，并 且電連接到各個(gè)發(fā)光晶間管，每一個(gè)存儲器晶間管都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的 任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)存儲器晶間管把所述多個(gè)發(fā)光晶間管的各個(gè)閾值電壓變成這樣的 值與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述值使得各個(gè) 發(fā)光晶閘管容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管，其形成在所述基板上并且設(shè)置為與各個(gè)存儲器晶間管相對應(yīng)， 并且電連接到各個(gè)存儲器晶間管，每一個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中 的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管被設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端 側(cè)，并且把所述多個(gè)存儲器晶閘管的各個(gè)閾值電壓變成這樣的值與關(guān)斷狀態(tài)的情況相 比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述值使得各個(gè)存儲器晶間管容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀 態(tài)；以及點(diǎn)亮控制器，包括轉(zhuǎn)移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定 所述多個(gè)轉(zhuǎn)移晶間管從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信號生成單元，其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光晶間管被分成的多個(gè) 組中的一組的多個(gè)發(fā)光晶閘管相對應(yīng)的多個(gè)存儲器晶閘管，在與形成所述組的發(fā)光晶閘 管相對應(yīng)的轉(zhuǎn)移晶閘管被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述轉(zhuǎn)移晶閘管相 對應(yīng)的發(fā)光晶閘管，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng)的存 儲器晶閘管臨時(shí)從關(guān)斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng) 的發(fā)光晶閘管，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)移晶閘管相對應(yīng)的存儲器 晶閘管保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶閘管再次臨 時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光晶閘管，在使得 與想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管相對應(yīng)的存儲器晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使 得所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)消除二極管，所述多個(gè)消除二極管設(shè)置為與各 個(gè)存儲器晶閘管相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器晶閘管，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括消除信號生成單元，所述消除信號生成單元把消除信號提供 到所述多個(gè)消除二極管，在所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所 述消除信號防止與所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管相對應(yīng)的存儲器晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列的消除二極管是肖特基二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求4到6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)保持晶間管，所述多個(gè)保持晶間管形成在所述 基板上，并且設(shè)置在各個(gè)發(fā)光晶間管和各個(gè)存儲器晶間管之間從而與各個(gè)發(fā)光晶間管和 各個(gè)存儲器晶閘管相對應(yīng)，并且電連接到各個(gè)發(fā)光晶閘管和各個(gè)存儲器晶閘管，所述多 個(gè)保持晶閘管把所述多個(gè)發(fā)光晶閘管的各個(gè)閾值電壓變成這樣的值與關(guān)斷狀態(tài)的情況 相比，在所述多個(gè)存儲器晶間管被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述值使得各個(gè)發(fā)光晶閘 管容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，并且所述點(diǎn)亮控制器還包括保持信號生成單元，所述保持信號生成單元把保持信號提供 到所述多個(gè)保持晶閘管，在使得與所述組中想要點(diǎn)亮的發(fā)光晶閘管相對應(yīng)的存儲器晶閘 管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述保持信號使得與處于導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器晶間管相對應(yīng)的保 持晶閘管設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
8.—種自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法，所述自掃描發(fā)光元件陣列包括直線排列 的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè) 發(fā)光元件，每一個(gè)存儲器元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與設(shè)定 在關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā) 光元件容易設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并 且電連接到各個(gè)存儲器元件，每一個(gè)開關(guān)元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一 個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān) 斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器 元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，所述驅(qū)動方法包括把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，使得所述多個(gè)開關(guān)元件的導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè) 順序移動到另一端側(cè)；把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組中的一組的多個(gè)發(fā)光元件 相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng)的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通 狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使 得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān)斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并 且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo) 通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成 導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相 對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè) 定在導(dǎo)通狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)消除元件，所述多個(gè)消除元件設(shè)置為與各個(gè)存 儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件，并且所述驅(qū)動方法還包括把消除信號提供到所述多個(gè)消除元件，在所述組中想要點(diǎn)亮 的發(fā)光元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述消除信號防止與所述想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對 應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的自掃描發(fā)光元件陣列的驅(qū)動方法，其中，所述自掃描發(fā)光元件陣列還包括多個(gè)保持元件，所述多個(gè)保持元件設(shè)置在各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件之間從而與各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)，并且電連接 到各個(gè)發(fā)光元件和各個(gè)存儲器元件，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在各個(gè)存儲器元件被設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)保持元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易點(diǎn)亮，并且所述驅(qū)動方法還包括把保持信號提供到所述多個(gè)保持元件，在使得與所述組中想 要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述保持信號使得與處于 導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件相對應(yīng)的保持元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
11.一種打印頭，包括曝光單元，其對圖像載體進(jìn)行曝光并且包括 自掃描發(fā)光元件陣列，包括 直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每 一個(gè)存儲器元都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的 情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易 被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件， 每一個(gè)開關(guān)元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被 設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)； 以及點(diǎn)亮控制器，包括轉(zhuǎn)移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定所 述多個(gè)開關(guān)元件從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信號生成單元，其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組 中的一組的多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng) 的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元 件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān) 斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存 儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且 隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與 想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述 想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及光學(xué)單元，其使得從所述曝光單元發(fā)出的光會聚到所述圖像載體上。
12.—種圖像形成設(shè)備，包括 充電單元，其對圖像載體進(jìn)行充電；曝光單元，其對所述圖像載體進(jìn)行曝光并且包括 自掃描發(fā)光元件陣列，包括 直線排列的多個(gè)發(fā)光元件；多個(gè)存儲器元件，其設(shè)置為與各個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)發(fā)光元件，每一個(gè)存儲器元都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，與被設(shè)定在關(guān)斷狀態(tài)的 情況相比，在被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)存儲器元件使得各個(gè)發(fā)光元件容易 被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及多個(gè)開關(guān)元件，其設(shè)置為與各個(gè)存儲器元件相對應(yīng)并且電連接到各個(gè)存儲器元件， 每一個(gè)開關(guān)元件都被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)中的任一個(gè)狀態(tài)，所述多個(gè)開關(guān)元件被 設(shè)定成允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)，與關(guān)斷狀態(tài)的情況相比，在被設(shè)定 在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，所述多個(gè)開關(guān)元件使得各個(gè)存儲器元件容易被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)； 以及點(diǎn)亮控制器，包括轉(zhuǎn)移信號生成單元，其把轉(zhuǎn)移信號提供到所述多個(gè)開關(guān)元件，所述轉(zhuǎn)移信號設(shè)定所 述多個(gè)開關(guān)元件從而允許導(dǎo)通狀態(tài)從一端側(cè)順序移動到另一端側(cè)；存儲器信號生成單元，其把存儲器信號提供到與所述多個(gè)發(fā)光元件被分成的多個(gè)組 中的一組的多個(gè)發(fā)光元件相對應(yīng)的多個(gè)存儲器元件，在與形成所述組的發(fā)光元件相對應(yīng) 的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元 件，則所述存儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件臨時(shí)從關(guān) 斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮與所述開關(guān)元件相對應(yīng)的發(fā)光元件，則所述存 儲器信號使得與設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)元件相對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且 隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；以及點(diǎn)亮信號生成單元，其針對每一組把點(diǎn)亮信號提供到所述多個(gè)發(fā)光元件，在使得與 想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件相對應(yīng)的存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得所述 想要點(diǎn)亮的發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)；光學(xué)單元，其使得從所述曝光單元發(fā)出的光會聚到所述圖像載體上； 顯影單元，其對形成在所述圖像載體上的靜電潛像進(jìn)行顯影；以及 轉(zhuǎn)印單元，其將所述圖像載體上顯影出的圖像轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光裝置、打印頭以及圖像形成設(shè)備。發(fā)光裝置包括自掃描發(fā)光元件陣列以及點(diǎn)亮控制器，自掃描發(fā)光元件陣列包括發(fā)光元件；存儲器元件；以及開關(guān)元件；點(diǎn)亮控制器提供設(shè)定開關(guān)元件導(dǎo)通的轉(zhuǎn)移信號、存儲器信號和針對每一組的點(diǎn)亮信號，在與形成組的發(fā)光元件相對應(yīng)的開關(guān)元件被設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，如果想要點(diǎn)亮發(fā)光元件，則存儲器信號使得對應(yīng)的存儲器元件從關(guān)斷狀態(tài)臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)，并且如果不想點(diǎn)亮發(fā)光元件，則存儲器信號使得對應(yīng)的存儲器元件保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且隨后使得已經(jīng)被臨時(shí)變成導(dǎo)通狀態(tài)的存儲器元件再次臨時(shí)設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，在存儲器元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)之后，所述點(diǎn)亮信號使得發(fā)光元件設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)。
文檔編號H05B37/02GK102014232SQ20101011254
公開日2011年4月13日 申請日期2010年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月4日
發(fā)明者大野誠治 申請人:富士施樂株式會社