專(zhuān)利名稱(chēng)：太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐。
背景技術(shù)：
目前使用的太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐，如

圖1所示，通常都是采用擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐 體1后垂直于硅片3表面流動(dòng)的方式，這種擴(kuò)散方式使得擴(kuò)散氣體在受到硅片3表面的阻 擋后，難以在硅片3背面及硅片3的間隙內(nèi)均勻分布，造成硅片3表面方塊電阻均勻性較 差，硅片3中部方阻偏大，而四周偏小，硅片3表面的方塊電阻極值差為10Ω / 口。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)中之不足，提供一種太陽(yáng)能電池 硅片擴(kuò)散爐，解決由于擴(kuò)散氣體在硅片上分布不均而造成的硅片表面方塊電阻均勻性較差 的問(wèn)題。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐， 包括爐體，爐體內(nèi)設(shè)有石英舟，硅片放置于石英舟上，爐體上設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體內(nèi) 的進(jìn)氣管和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管，排放管位于石英舟下方，所述的進(jìn)氣管內(nèi)所流 向硅片的擴(kuò)散氣體沿平行于硅片表面的方向流動(dòng)。一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的進(jìn)氣管從爐體的側(cè)面伸入到爐體內(nèi)部且位于石英舟上 方，放置在石英舟上的硅片表面垂直于爐體的水平中心線，進(jìn)氣管上開(kāi)設(shè)有供擴(kuò)散氣體垂 直向下流出的出氣孔，排放管開(kāi)設(shè)有垂直向上供尾氣流入的進(jìn)氣孔。另一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述的進(jìn)氣管設(shè)置在爐體側(cè)面并伸進(jìn)爐體內(nèi)，出氣端位于 硅片側(cè)向，放置在石英舟上的硅片表面平行于爐體的水平中心線，擴(kuò)散處理后的尾氣從排 放管后端進(jìn)入排放管排出爐體外。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過(guò)采用擴(kuò)散氣體平行于硅片表面流動(dòng)的 方式，使得擴(kuò)散氣體不會(huì)因?yàn)楣杵陨淼淖钃醵竭_(dá)不了硅片的背面以及硅片與硅片之間 的空隙內(nèi)，如此，擴(kuò)散氣體能夠均勻地分布在硅片表面，進(jìn)而有效的改善了硅片表面方塊電 阻的均勻性，經(jīng)測(cè)定，硅片表面的方塊電阻極值差可以達(dá)到5 Ω / □以下。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。圖1是現(xiàn)有太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型另一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.爐體2.石英舟3.硅片4.進(jìn)氣管41.出氣孔5.排放管51.進(jìn)氣孔具體實(shí)施方式
。現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖2所示的是本實(shí)用新型的第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，一種太陽(yáng)能電池硅 片擴(kuò)散爐，包括爐體1，爐體1內(nèi)設(shè)有石英舟2，硅片3放置于石英舟2上，爐體1上設(shè)有用 于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體1內(nèi)的進(jìn)氣管4和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管5，排放管5位于石英 舟2下方，所述的進(jìn)氣管4從爐體1的側(cè)面伸入到爐體1內(nèi)部且位于石英舟2上方，放置在 石英舟2上的硅片3表面垂直于爐體1的水平中心線，即與現(xiàn)有技術(shù)中硅片3的放置方式 相同，而在進(jìn)氣管4上開(kāi)設(shè)有供擴(kuò)散氣體垂直向下流出的出氣孔41，排放管5開(kāi)設(shè)有垂直向 上供尾氣流入的進(jìn)氣孔51，擴(kuò)散氣體通過(guò)進(jìn)氣管4進(jìn)入爐體1，從進(jìn)氣管4的出氣孔41流 出，沿平行于硅片3表面的方向流過(guò)硅片3進(jìn)行擴(kuò)散處理，再?gòu)呐欧殴?上的進(jìn)氣孔51進(jìn) 入排放管而排出爐體1外，這種擴(kuò)散氣體的流動(dòng)方式，不會(huì)因?yàn)楣杵?自身的阻擋使得擴(kuò)散 氣體到達(dá)不了硅片3的背面以及硅片3與硅片3之間的空隙內(nèi)，可使擴(kuò)散氣體均勻地分布 在硅片3表面，從而有效地改善了硅片3表面方塊電阻的均勻性，經(jīng)測(cè)定，硅片3表面的方 塊電阻極值差可以達(dá)到5 Ω / □以下。圖3所示的是本實(shí)用新型的第二種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，一種太陽(yáng)能電池硅片 擴(kuò)散爐，包括爐體1，爐體1內(nèi)設(shè)有石英舟2，硅片3放置于石英舟2上，爐體1上設(shè)有用于 擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體1內(nèi)的進(jìn)氣管4和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管5，排放管5位于石英舟 2下方，所述的進(jìn)氣管4設(shè)置在爐體1側(cè)面并伸進(jìn)爐體1內(nèi)，進(jìn)氣管4的出氣端位于硅片3 側(cè)向，放置后的硅片3表面平行于爐體1的水平中心線，也就是說(shuō)與現(xiàn)有技術(shù)相比，等于是 將原先硅片3在石英舟2的放置位置轉(zhuǎn)過(guò)90°，這樣，擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體1后，依然可以保 證沿平行于硅片3表面的方向流動(dòng)，不會(huì)因?yàn)楣杵?自身的阻擋而到達(dá)不了硅片3的背面 以及硅片3與硅片3之間的空隙內(nèi)，使得擴(kuò)散氣體能夠均勻地分布在硅片3表面，從而有效 地改善了硅片3表面方塊電阻的均勻性，擴(kuò)散處理后的尾氣從排放管5后端進(jìn)入排放管5 排出爐體1外。
權(quán)利要求一種太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐，包括爐體(1)，爐體內(nèi)設(shè)有石英舟(2)，硅片(3)放置于石英舟(2)上，爐體(1)上設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體(1)內(nèi)的進(jìn)氣管(4)和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管(5)，排放管(5)位于石英舟(2)下方，其特征是所述的進(jìn)氣管(4)內(nèi)所流向硅片(3)的擴(kuò)散氣體沿平行于硅片(3)表面的方向流動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐，其特征是所述的進(jìn)氣管(4)從爐 體(1)的側(cè)面伸入到爐體(1)內(nèi)部且位于石英舟(2)上方，放置在石英舟(2)上的硅片(3) 表面垂直于爐體(1)的水平中心線，進(jìn)氣管(4)上開(kāi)設(shè)有供擴(kuò)散氣體垂直向下流出的出氣 孔(41)，排放管(5)開(kāi)設(shè)有垂直向上供尾氣流入的進(jìn)氣孔(51)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐，其特征是所述的進(jìn)氣管(4)設(shè)置 在爐體(1)側(cè)面并伸進(jìn)爐體(1)內(nèi)，進(jìn)氣管(4)出氣端位于硅片(3)側(cè)向，放置在石英舟 (2)上的硅片(3)表面平行于爐體(1)的水平中心線，擴(kuò)散處理后的尾氣從排放管(5)后端 進(jìn)入排放管(5)排出爐體⑴外。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池硅片擴(kuò)散爐，包括爐體，爐體內(nèi)設(shè)有石英舟，硅片放置于石英舟上，爐體上設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體內(nèi)的進(jìn)氣管和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管，排放管位于石英舟下方，所述的進(jìn)氣管內(nèi)所流向硅片的擴(kuò)散氣體沿平行于硅片表面的方向流動(dòng)。本實(shí)用新型解決了由于擴(kuò)散氣體在硅片上分布不均而造成的硅片表面方塊電阻均勻性較差的問(wèn)題。
文檔編號(hào)C30B31/16GK201713608SQ201020263438
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者蔡忠心 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司