專利名稱：一種硅片擴(kuò)散設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種太陽能硅片加工設(shè)備，具體涉及ー種硅片擴(kuò)散設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前使用的太陽能電池硅片擴(kuò)散爐，如圖I所示，通常都是采用擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體I后垂直于娃片3表面流動(dòng)的方式,這種擴(kuò)散方式使得擴(kuò)散氣體在受到娃片3表面的阻擋后，難以在硅片3背面及硅片3的間隙內(nèi)均勻分布，造成硅片3表面方塊電阻均勻性較差，硅片3中部方阻偏大，而四周偏小，硅片3表面的方塊電阻極值差為10Ω / ロ
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供ー種硅片擴(kuò)散設(shè)備，解決由于擴(kuò)散氣體在娃片上分布不均而造成的娃片表面方塊電阻均勻性較差的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是設(shè)計(jì)ー種硅片擴(kuò)散設(shè)備，所述擴(kuò)散設(shè)備包括爐體，在爐體內(nèi)設(shè)有石英舟，硅片被放置于石英舟上，在爐體上還設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體內(nèi)的進(jìn)氣管和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管，排放管位于石英舟下方，其特征在于，所述的進(jìn)氣管內(nèi)所流向硅片的擴(kuò)散氣體沿平行于硅片表面的方向流動(dòng)，進(jìn)氣管在位于硅片的部位設(shè)有若干個(gè)喇叭形噴氣嘴。其中優(yōu)選的技術(shù)方案是，所述的進(jìn)氣管從爐體的側(cè)面伸入到爐體內(nèi)部且位于石英舟上方，放置在石英舟上的硅片表面垂直于爐體的水平中心線，所述喇叭形噴氣嘴設(shè)置在進(jìn)氣管上垂直向下流出的出氣孔上，在排放管上開設(shè)有垂直向上供尾氣流入的進(jìn)氣孔。優(yōu)選的技術(shù)方案還有，所述的進(jìn)氣管設(shè)置在爐體側(cè)面井伸進(jìn)爐體內(nèi)，進(jìn)氣管出氣端位于硅片側(cè)向，放置在石英舟上的硅片表面平行于爐體的水平中心線，擴(kuò)散處理后的尾氣從排放管后端進(jìn)入排放管排出爐體外。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于該硅片擴(kuò)散設(shè)備通過采用擴(kuò)散氣體平行于硅片表面流動(dòng)的方式，使得擴(kuò)散氣體不會(huì)因?yàn)楣杵陨淼淖钃醵竭_(dá)不了硅片的背面以及硅片與硅片之間的空隙內(nèi)，另外由于在進(jìn)氣管的氣體出口處設(shè)置了喇叭形噴氣嘴，使得氣體擴(kuò)散的更加均勻。如此，擴(kuò)散氣體能夠均勻地分布在硅片表面，進(jìn)而有效的改善了硅片表面方塊電阻的均勻性，經(jīng)測定，硅片表面的方塊電阻極值差可以降低到3Ω/ □以下。

圖I是現(xiàn)有硅片擴(kuò)散設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型另ー種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1、爐體;2、石英舟；3、硅片；4、進(jìn)氣管；41、出氣孔；42、喇叭形噴氣嘴；5、排放管；51、進(jìn)氣孔。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。如圖2所示，是本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，ー種硅片擴(kuò)散設(shè)備，包括爐體1，爐體I內(nèi)設(shè)有石英舟2，將硅片3放置于石英舟2上，爐體I上設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體I內(nèi)的進(jìn)氣管4和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管5，排放管5位于石英舟2下方，所述的進(jìn)氣管4從爐體I的側(cè)面伸入到爐體I內(nèi)部且位于石英舟2上方，進(jìn)氣管4在位于硅片3的部位設(shè)有若干個(gè)喇叭形噴氣嘴42，放置在石英舟2上的硅片3表面垂直于爐體I的水平中心線，即與現(xiàn)有技術(shù)中硅片3的放置方式相同，將若干個(gè)喇叭形噴氣嘴42安裝在進(jìn)氣管4中垂直向下流出的出氣孔41上，排放管5開設(shè)有垂直向上供尾氣流入的進(jìn)氣孔51，擴(kuò)散氣體通過進(jìn)氣管4進(jìn)入爐體1，從進(jìn)氣管4的出氣孔41及喇叭形噴氣嘴42流出，沿平 行于硅片3表面的方向流過硅片3進(jìn)行擴(kuò)散處理，再從排放管5上的進(jìn)氣孔51進(jìn)入排放管而排出爐體Iタト，其中安裝喇叭形噴氣嘴42的目的是使得擴(kuò)散氣體流動(dòng)得更加均勻。這種擴(kuò)散氣體的流動(dòng)方式，不會(huì)因?yàn)楣杵?自身的阻擋使得擴(kuò)散氣體到達(dá)不了硅片3的背面以及硅片3與硅片3之間的空隙內(nèi)，可使擴(kuò)散氣體均勻地分布在硅片3表面，從而有效地改善了硅片3表面方塊電阻的均勻性，經(jīng)測定，硅片3表面的方塊電阻極值差可以達(dá)到3 Ω / □以下。圖3所示的是本實(shí)用新型的第二種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，一種硅片擴(kuò)散設(shè)備，包括爐體1，爐體I內(nèi)設(shè)有石英舟2，將硅片3放置于石英舟2上，爐體I上設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體I內(nèi)的進(jìn)氣管4和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管5，排放管5位于石英舟2下方，所述的進(jìn)氣管4設(shè)置在爐體I側(cè)面并伸進(jìn)爐體I內(nèi)，進(jìn)氣管4的出氣端位于硅片3側(cè)向，放置后的硅片3表面平行于爐體I的水平中心線，也就是說與現(xiàn)有技術(shù)相比，等于是將原先硅片3在石英舟2的放置位置轉(zhuǎn)過90°，這樣，擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體I后，依然可以保證沿平行于硅片3表面的方向流動(dòng)，不會(huì)因?yàn)楣杵?自身的阻擋而到達(dá)不了硅片3的背面以及硅片3與硅片3之間的空隙內(nèi)，使得擴(kuò)散氣體能夠均勻地分布在硅片3表面，從而有效地改善了硅片3表面方塊電阻的均勻性，擴(kuò)散處理后的尾氣從排放管5后端進(jìn)入排放管5排出爐體I外。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種硅片擴(kuò)散設(shè)備，所述擴(kuò)散設(shè)備包括爐體(I)，在爐體內(nèi)設(shè)有石英舟(2)，硅片(3)被放置于石英舟(2)上，在爐體(I)上還設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體(I)內(nèi)的進(jìn)氣管(4)和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管(5)，排放管(5)位于石英舟(2)下方，其特征在于，所述的進(jìn)氣管(4)內(nèi)所流向硅片(3)的擴(kuò)散氣體沿平行于硅片(3)表面的方向流動(dòng)，進(jìn)氣管(4)在位于硅片(3)的部位設(shè)有若干個(gè)喇叭形噴氣嘴(42)。
2.如權(quán)利要求I所述的硅片擴(kuò)散設(shè)備，其特征在于，所述的進(jìn)氣管(4)從爐體(I)的側(cè)面伸入到爐體(I)內(nèi)部且位于石英舟(2)上方，放置在石英舟(2)上的硅片(3)表面垂直于爐體(I)的水平中心線，所述喇叭形噴氣嘴(42)設(shè)置在進(jìn)氣管(4)上垂直向下流出的出氣孔(41)上，在排放管(5)上開設(shè)有垂直向上供尾氣流入的進(jìn)氣孔(51)。
3.如權(quán)利要求I所述的硅片擴(kuò)散設(shè)備，其特征在于，所述的進(jìn)氣管(4)設(shè)置在爐體(I)側(cè)面并伸進(jìn)爐體(I)內(nèi)，進(jìn)氣管(4)出氣端位于硅片(3)側(cè)向，放置在石英舟(2)上的硅片(3)表面平行于爐體(I)的水平中心線，擴(kuò)散處理后的尾氣從排放管(5)后端進(jìn)入排放管(5)排出爐體⑴外。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種硅片擴(kuò)散設(shè)備，該擴(kuò)散設(shè)備包括爐體，在爐體內(nèi)設(shè)有石英舟，硅片被放置于石英舟上，在爐體上還設(shè)有用于擴(kuò)散氣體進(jìn)入爐體內(nèi)的進(jìn)氣管和擴(kuò)散處理后排放尾氣的排放管，排放管位于石英舟下方，進(jìn)氣管內(nèi)所流向硅片的擴(kuò)散氣體沿平行于硅片表面的方向流動(dòng)，進(jìn)氣管在位于硅片的部位設(shè)有若干個(gè)喇叭形噴氣嘴。該硅片擴(kuò)散設(shè)備通過采用擴(kuò)散氣體平行于硅片表面流動(dòng)的方式，使得擴(kuò)散氣體不會(huì)因?yàn)楣杵陨淼淖钃醵竭_(dá)不了硅片的背面以及硅片與硅片之間的空隙內(nèi)，另外由于在進(jìn)氣管的氣體出口處設(shè)置了喇叭形噴氣嘴，使得氣體擴(kuò)散的更加均勻。進(jìn)而有效的改善了硅片表面方塊電阻的均勻性，其硅片表面的方塊電阻極值差可以降低到3Ω/□以下。
文檔編號(hào)C30B31/18GK202658275SQ20122017672
公開日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月23日
發(fā)明者沈彪, 李向清, 胡德良 申請(qǐng)人:江蘇愛多光伏科技有限公司