專利名稱：具有內(nèi)埋式電阻的電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有內(nèi)埋式電阻的電路板。
背景技術(shù)：
由于市場上消費性電子產(chǎn)品例如手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)字相機(jī)及游戲機(jī)的需求大幅提高，且輕薄、高頻及多功能已成為電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢。為了使電子產(chǎn)品更加輕薄，功能性好，電子產(chǎn)品的集成度越來越高，在電路板上通常需要整合更多的電子元件，例如電阻、電容等。目前，電路板的制造方面主要利用表面貼裝技術(shù)(surface mounted technology,SMT)或插裝工藝將電阻等電子元件整合到印刷電路板中，但此方法容易產(chǎn)生阻抗，造成信號串?dāng)_，且不能滿足產(chǎn)品日益嚴(yán)格的輕薄要求。因此，有必要提供改進(jìn)的技術(shù)方案以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問題是提供一種具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其可以減少信號串?dāng)_，滿足產(chǎn)品日益嚴(yán)格的輕薄要求。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其包括絕緣基板、至少一對電極及電阻層。所述至少一對電極設(shè)于所述絕緣基板的表面，且各對電極包括第一電極及第二電極。所述第一電極包括第一本體及與第一本體相連的第一護(hù)柵。所述第二電極與所述第一電極相對且間隔設(shè)置，且所述第二電極包括第二本體及與所述第二本體相連的第二護(hù)柵。所述電阻層形成于第一本體、第二本體、第一護(hù)柵和第二護(hù)柵之間的絕緣基板上。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一護(hù)柵與所述第二護(hù)柵均為矩形，且第一護(hù)柵由第一本體向第二電極一體延伸形成，第二護(hù)柵由第二本體向第一電極一體延伸形成。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電阻層包括第一電阻區(qū)、第二電阻區(qū)及第三電阻區(qū)。所述第一電阻區(qū)的寬度與所述第一護(hù)柵的寬度相等，所述第一電阻區(qū)的長度為所述第一護(hù)柵與所述第二本體的間距。所述第二電阻區(qū)的寬度為所述第一本體的寬度與所述第一護(hù)柵及第二護(hù)柵的寬度和的差值，所述第二電阻區(qū)的長度為所述第一本體與所述第二本體的間距。所述第三電阻區(qū)的寬度與所述第二護(hù)柵的寬度相等，所述第三電阻區(qū)的長度為所述第二護(hù)柵與所述第一本體的間距。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一電阻區(qū)、第二電阻區(qū)及第三電阻區(qū)的阻值均等于該電阻區(qū)的電阻率與該電阻區(qū)的長度和寬度之商的乘積。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電阻層的阻值的倒數(shù)為所述第一電阻區(qū)阻值的倒數(shù)、所述第二電阻區(qū)阻值的倒數(shù)及所述第三電阻區(qū)阻值的倒數(shù)之和。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電阻層為碳墨層。本發(fā)明的具有內(nèi)埋式電阻的電路板將電阻內(nèi)埋于電路板內(nèi)，與利用SMT技術(shù)制造的電路板相比，減少了元器件的焊接點，提高了元器件組裝后的穩(wěn)定性.減少了信號串?dāng)_，且滿足了產(chǎn)品日益嚴(yán)格的輕薄要求。通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因為其應(yīng)當(dāng)參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。


下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖1為本發(fā)明一實施例的具有內(nèi)埋式電阻的電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。圖1為本發(fā)明一實施例的具有內(nèi)埋式電阻的電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，電路板10包括絕緣基板11、至少一對電極12及電阻層13。各對電極12形成于絕緣基板11的表面。各對電極12均包括第一電極120及第二電極121。第一電極120包括第一本體120a及與第一本體120a相連的第一護(hù)柵120b。第二電極121與第一電極120相對且間隔設(shè)置，第二電極121包括第二本體121a及與第二本體121a相連的第二護(hù)柵121b。電阻層13形成于第一本體120a、第二本體121a、第一護(hù)柵120b及第二護(hù)柵121b之間的絕緣基板11上。其中，第一本體120a、第二本體121a、第一護(hù)柵120b與第二護(hù)柵121b均為矩形，且第一護(hù)柵120b由第一本體120a向第二電極121 —體延伸形成，第二護(hù)柵121b由第二本體121a向第一電極120—體延伸形成，也就是說，第一護(hù)柵120b和第二護(hù)柵121b位于第一本體120a與第二本體121a之間，如此，第一護(hù)柵120b及第二護(hù)柵121b可以防止在加工過程中電阻層13受人工或機(jī)械刮擦而造成的斷裂。電阻層13包括第一電阻區(qū)130、第二電阻區(qū)131及第三電阻區(qū)132。第一電阻區(qū)130、第二電阻區(qū)131及第三電阻區(qū)132均為矩形，且第一電阻區(qū)130的寬度與第一護(hù)柵120b的寬度相等，第一電阻區(qū)130的長度為第一護(hù)柵120b與第二本體121a的間距。第二電阻區(qū)131的寬度為第一本體120a的寬度與第一護(hù)柵120b及第二護(hù)柵121b的寬度和的差值，第二電阻區(qū)131的長度為第一本體120a與第二本體121a的間距。第三電阻區(qū)132的寬度與第二護(hù)柵121b的寬度相等，第三電阻區(qū)132的長度為第二護(hù)柵121b與第一本體120a的間距。在本發(fā)明的一個實施方式中，電阻層13的材料為碳墨。在本發(fā)明的一個實施方式中，假設(shè)電阻層13的電阻率為P，第一電極120與第一電極121的寬度均為C，第一本體120a與第二本體121a的間距為B，第一護(hù)柵120b的長度為E1、第一護(hù)柵120b的寬度為F1，第二護(hù)柵121b的長度為E2、第二護(hù)柵121b的寬度為F2，則第一電阻區(qū)130的寬度為F1，第一電阻區(qū)的長度為B-E1。第二電阻區(qū)131的寬度為C-F1-F2，第二電阻區(qū)131的長度為B。第三電阻區(qū)132的寬度為F2，第三電阻區(qū)132的寬度為B-E2。在本實施例中，各電阻區(qū)的阻值均等于該電阻區(qū)的電阻率與該電阻區(qū)的長度和寬度之商的乘積，也就是說，第一電阻區(qū)130的阻值rl=(B-El)* P/F1，第二電阻區(qū)131的阻值 r2=B*p/(C-Fl-F2)，第三電阻區(qū) 132 的阻值 r3= (B-E2) * P/F2。在本發(fā)明一實施方式中，電阻層13的阻值的倒數(shù)為第一電阻區(qū)130阻值的倒數(shù)、第二電阻區(qū)131阻值的倒數(shù)及第三電阻區(qū)132阻值的倒數(shù)之和，帶入rl、r2、r3的計算公式后得到電阻層13的阻值r的計算公式為r=B* (B-El) * (B-E2) * P / [B* (B-El) *F2+ (B-El) * (B-E2) * (C-F1-F2) +B*F1* (B_E2)]在電阻層13的材料為碳墨的實施例中，假設(shè)B=8, El=4, E2=4, Fl=9, F2=3,Fl=9, C=20，而碳墨的電阻率P=45，則根據(jù)上述公式可以計算出第一電阻區(qū)130的阻值rl=20ohm，第二電阻區(qū)131的阻值r2=45ohm，第三電阻區(qū)132的阻值r3=60ohm，電阻層13的阻值 r=ll. 25ohm。綜上所述，本發(fā)明的具有內(nèi)埋式電阻的電路板將電阻內(nèi)埋于電路板內(nèi)，與利用SMT技術(shù)制造的電路板相比，減少了元器件的焊接點，提高了元器件組裝后的穩(wěn)定性.減少了信號串?dāng)_，且滿足了產(chǎn)品日益嚴(yán)格的輕薄要求。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的具有內(nèi)埋式電阻的電路板的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施方式的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其特征在于，包括 絕緣基板； 至少一對電極，設(shè)于所述絕緣基板的表面，包括 第一電極，包括第一本體及與第一本體相連的第一護(hù)柵 '及 第二電極，所述第二電極與所述第一電極相對且間隔設(shè)置，所述第二電極包括第二本體及與所述第二本體相連的第二護(hù)柵；及 電阻層，形成于第一本體、第二本體、第一護(hù)柵和第二護(hù)柵之間的絕緣基板上。
2.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其特征在于，所述第一護(hù)柵與所述第二護(hù)柵均為矩形，且第一護(hù)柵由第一本體向第二電極一體延伸形成，第二護(hù)柵由第二本體向第一電極一體延伸形成。
3.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其特征在于，所述電阻層包括 第一電阻區(qū)，所述第一電阻區(qū)的寬度與所述第一護(hù)柵的寬度相等，所述第一電阻區(qū)的長度為所述第一護(hù)柵與所述第二本體的間距； 第二電阻區(qū)，所述第二電阻區(qū)的寬度為所述第一本體的寬度與所述第一護(hù)柵及第二護(hù)柵的寬度和的差值，所述第二電阻區(qū)的長度為所述第一本體與所述第二本體的間距； 第三電阻區(qū)，所述第三電阻區(qū)的寬度與所述第二護(hù)柵的寬度相等，所述第三電阻區(qū)的長度為所述第二護(hù)柵與所述第一本體的間距。
4.如權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其特征在于，所述第一電阻區(qū)、第二電阻區(qū)及第三電阻區(qū)的阻值均等于該電阻區(qū)的電阻率與該電阻區(qū)的長度和寬度之商的乘積。
5.如權(quán)利要求4所述的具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其特征在于，所述電阻層的阻值的倒數(shù)為所述第一電阻區(qū)阻值的倒數(shù)、所述第二電阻區(qū)阻值的倒數(shù)及所述第三電阻區(qū)阻值的倒數(shù)之和。
6.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其特征在于，所述電阻層為碳墨層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有內(nèi)埋式電阻的電路板，其包括絕緣基板、至少一對電極及電阻層。所述至少一對電極設(shè)于所述絕緣基板的表面，且各對電極包括第一電極及第二電極。所述第一電極包括第一本體及與第一本體相連的第一護(hù)柵。所述第二電極與所述第一電極相對且間隔設(shè)置，且所述第二電極包括第二本體及與所述第二本體相連的第二護(hù)柵。所述電阻層形成于第一本體、第二本體、第一護(hù)柵和第二護(hù)柵之間的絕緣基板上。本發(fā)明的具有內(nèi)埋式電阻的電路板將電阻內(nèi)埋于電路板內(nèi)，與利用SMT技術(shù)制造的電路板相比，減少了元器件的焊接點，提高了元器件組裝后的穩(wěn)定性．減少了信號串?dāng)_，且滿足了產(chǎn)品日益嚴(yán)格的輕薄要求。
文檔編號H05K1/18GK103037622SQ201310002528
公開日2013年4月10日 申請日期2013年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月5日
發(fā)明者溫耀隆 申請人:上海卓凱電子科技有限公司