本發(fā)明屬于柔性覆銅板基材生產(chǎn)，具體涉及一種柔性覆銅板基材、柔性覆銅板及其加工方法、印刷電路板。

背景技術(shù)：

1、近年來，計算機(jī)、手機(jī)、智能穿戴設(shè)備等電子產(chǎn)品的應(yīng)用已經(jīng)進(jìn)入高頻高速傳輸?shù)臅r代，電子通訊技術(shù)中對于信息傳輸量的需求不斷增加，電子產(chǎn)品的工作頻率不斷上升，因此，要求相關(guān)電子材料的介電性能也應(yīng)當(dāng)達(dá)到相應(yīng)的水平。為了實(shí)現(xiàn)低延遲以及信號的高速傳輸，需要一種適用于高頻信號傳輸特性的高性能電絕緣材料。絕緣材料對高頻信號傳輸影響最大的參數(shù)是材料的介電常數(shù)和介電損耗。高頻信號傳輸要求絕緣材料具有更低的介電常數(shù)和介電損耗。

2、在柔性覆銅板基材中，聚酰亞胺是最為常用的材料。聚酰亞胺具有機(jī)械性能好、耐熱性高、尺寸穩(wěn)定性好、與銅箔粘接性好等優(yōu)點(diǎn)。然而，聚酰亞胺分子結(jié)構(gòu)中含有氮、氧等極性原子，導(dǎo)致材料具有較強(qiáng)的極性，因此其介電常數(shù)及介電損耗都比較高。聚酰亞胺還具有比較強(qiáng)的吸水性。材料吸水吸濕后，介電常數(shù)和介電損耗會進(jìn)一步提高。通過引入非極性鏈段、氟原子、氫化鏈段等方式可以降低聚酰亞胺的介電常數(shù)、介電損耗、吸水率等性能。但是這些方法不僅降低了聚酰亞胺材料本身的機(jī)械性能、耐熱性和尺寸穩(wěn)定性，而且其介電常數(shù)和介電損耗也難以做到很低。

3、由此可見，現(xiàn)有技術(shù)中柔性覆銅板基材的介電常數(shù)高、介電損耗高，影響了信號傳輸?shù)募皶r性及傳輸效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種柔性覆銅板基材、柔性覆銅板及其加工方法、印刷電路板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中柔性覆銅板基材的介電常數(shù)高、介電損耗高，影響了信號傳輸?shù)募皶r性及傳輸速度的問題。

2、為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明一實(shí)施方式提供了一種柔性覆銅板基材，其中，包括基材層及輔材層，所述基材層為酰亞胺薄膜或lcp薄膜，所述輔材層的材質(zhì)包括聚烯烴，所述基材層至少一面上覆設(shè)有所述輔材層。

3、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述基材層的厚度為9um-75um，優(yōu)選的，所述基材層的厚度為12um-50um。

4、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述基材層為聚酰亞胺薄膜。

5、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述輔材層的厚度為9um-100um，優(yōu)選的，前述厚度為15um-35um。

6、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，形成所述聚烯烴的聚合物由乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯、環(huán)丁烯、環(huán)辛烯、1,5-環(huán)辛二烯、環(huán)戊二烯、雙環(huán)戊二烯、苯乙烯、降冰片烯、環(huán)己烯中的至少一種烯烴單體聚合而成。

7、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述輔材層的材質(zhì)包括不飽和單體和/或所述不飽和單體的改性物，所述不飽和單體包括馬來酸酐、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、馬來酸中的至少一種。

8、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述輔材層的材質(zhì)還包括環(huán)氧樹脂、聚苯醚、聚酯、雙馬來酰亞胺、聚醚醚酮中的至少一種。

9、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述輔材層的材質(zhì)還包括助劑，所述助劑包括無機(jī)填料和硅烷偶聯(lián)劑，其中所述無機(jī)填料包括氧化鋁、二氧化硅、氫氧化鋁、碳酸鈣中的至少一種，所述硅烷偶聯(lián)劑包括帶有環(huán)氧基、乙烯基、氨基、甲基丙烯酰氧基、巰基的硅烷偶聯(lián)劑中的至少一種。

10、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，所述輔材層在10ghz的介電常數(shù)低于3.2，優(yōu)選的，所述輔材層在10ghz的介電常數(shù)低于2.8；且所述輔材層在10ghz的介電損耗低于0.005，優(yōu)選的，所述輔材層在10ghz的介電損耗低于0.003。

11、本發(fā)明一實(shí)施方式還提供了一種柔性覆銅板，包括如上所述的柔性覆銅板基材及銅層，所述銅層覆設(shè)在所述輔材層背對所述基材層的一面上。

12、本發(fā)明一實(shí)施方式還提供了一種如上所述的柔性覆銅板的加工方法，包括：

13、在基材層或銅層上涂布或壓合輔材層；

14、將輔材層與所述銅層或所述基材層相壓合形成柔性覆銅板。

15、作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，其中，在所述“將涂布或壓合有輔材層的基材層或銅層與所述銅層或所述基材層相壓合形成柔性覆銅板”之后還包括：

16、在預(yù)定溫度區(qū)間內(nèi)對所述柔性覆銅板加熱預(yù)定時長。

17、本發(fā)明一實(shí)施方式還提供了一種印刷電路板，其中，包括如上所述的柔性覆銅板。

18、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：

19、將含有聚烯烴的輔材層覆設(shè)在所述基材層上形成柔性覆銅板基材，該覆銅板基材整體的介電常數(shù)、介電損耗能夠顯著降低，使用該柔性覆銅板基材制成的柔性覆銅板在傳遞信號時，信號傳輸?shù)募皶r性及傳輸效率均能顯著提高。

技術(shù)特征：

1.一種柔性覆銅板基材，其特征在于，包括基材層及輔材層，所述基材層為酰亞胺薄膜或lcp薄膜，所述輔材層的材質(zhì)包括聚烯烴，所述基材層至少一面上覆設(shè)有所述輔材層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述基材層的厚度為9um-75um，優(yōu)選的，所述基材層的厚度為12um-50um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述基材層為聚酰亞胺薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述輔材層的厚度為9um-100um，優(yōu)選的，前述厚度為15um-35um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，形成所述聚烯烴的聚合物由乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯、環(huán)丁烯、環(huán)辛烯、1,5-環(huán)辛二烯、環(huán)戊二烯、雙環(huán)戊二烯、苯乙烯、降冰片烯、環(huán)己烯中的至少一種烯烴單體聚合而成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述輔材層的材質(zhì)包括不飽和單體和/或所述不飽和單體的改性物，所述不飽和單體包括馬來酸酐、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、馬來酸中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述輔材層的材質(zhì)還包括環(huán)氧樹脂、聚苯醚、聚酯、雙馬來酰亞胺、聚醚醚酮中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述輔材層的材質(zhì)還包括助劑，所述助劑包括無機(jī)填料和硅烷偶聯(lián)劑，其中所述無機(jī)填料包括氧化鋁、二氧化硅、氫氧化鋁、碳酸鈣中的至少一種，所述硅烷偶聯(lián)劑包括帶有環(huán)氧基、乙烯基、氨基、甲基丙烯酰氧基、巰基的硅烷偶聯(lián)劑中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性覆銅板基材，其特征在于，所述輔材層在10ghz的介電常數(shù)低于3.2，優(yōu)選的，所述輔材層在10ghz的介電常數(shù)低于2.8；且所述輔材層在10ghz的介電損耗低于0.005，優(yōu)選的，所述輔材層在10ghz的介電損耗低于0.003。

10.一種柔性覆銅板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的柔性覆銅板基材及銅層，所述銅層覆設(shè)在所述輔材層背對所述基材層的一面上。

11.一種如權(quán)利要求10所述的柔性覆銅板的加工方法，其特征在于，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的柔性覆銅板的加工方法，其特征在于，在所述“將涂布或壓合有輔材層的基材層或銅層與所述銅層或所述基材層相壓合形成柔性覆銅板”之后還包括：

13.一種印刷電路板，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的柔性覆銅板。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種柔性覆銅板基材，包括基材層及輔材層，所述基材層為酰亞胺薄膜或LCP薄膜，所述輔材層的材質(zhì)包括聚烯烴，所述基材層至少一面上覆設(shè)有所述輔材層。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中柔性覆銅板基材的介電常數(shù)高、介電損耗高，影響信號傳輸?shù)募皶r性及傳輸效率的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：張杰,曹建誠,胡宗敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州東山精密制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21