本發(fā)明屬于電子材料，尤其是涉及一種高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)在移動(dòng)數(shù)據(jù)通訊、工業(yè)自動(dòng)化、航空航天等諸多高新技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的深入和飛速發(fā)展，尤其是5g時(shí)代的到來,液晶聚合物(lcp)作為新一代微波毫米波的基板材料，具有良好的高頻特性和物理特性,其介電性能優(yōu)異、熱膨脹系數(shù)低、強(qiáng)度高、靈活性好且吸濕率低,可取代聚四氟乙烯(ptee)、聚酰亞胺(pi)基板材料，成為5g器件的關(guān)鍵材料，也是國際上公認(rèn)的5g信號(hào)天線必不可少的絕緣材料。并且隨著航天通信系統(tǒng)、相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的t/r組件和微波/毫米波模塊的小型化、高性能、通用化要求，以及5g時(shí)代天線射頻前端中元器件數(shù)量的急劇增加,將元器件埋置集成在lcp柔性基板內(nèi)的需求日益迫切。lcp柔性基板內(nèi)集成無源元件可降低安裝位置和數(shù)量的限制,極大地提高了微波毫米波電子系統(tǒng)的可靠性。

2、由于lcp基板的介電常數(shù)小，損耗角正切低，熱膨脹系數(shù)小、高強(qiáng)度、阻燃性強(qiáng)、耐磨損，可撓曲，被廣泛應(yīng)用于高頻高速線路板上，但是目前現(xiàn)有l(wèi)cp柔性覆銅板存在力學(xué)性能差異大，剝離強(qiáng)度低，后續(xù)基板加工困難及不良率偏高的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于高端的5g通訊系統(tǒng)的高頻高速柔性覆銅板-lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，在保持lcp低吸水率，優(yōu)異的介電常數(shù)和介電損耗特性的同時(shí)，解決了lcp膜各項(xiàng)異性大導(dǎo)致的力學(xué)性能差異大的問題。本發(fā)明還提供了該高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，該制備方法工藝過程簡單，易于實(shí)施，便于大批量生產(chǎn)。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案：

3、一種高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，包括lcp玻纖布層以及位于所述lcp玻纖布層上下兩面的銅箔層，所述lcp玻纖布層與其上下兩面的銅箔層之間均設(shè)有用于粘接兩者的碳?xì)淠z粘劑層；所述lcp玻纖布層由具有微孔結(jié)構(gòu)的lcp玻纖布構(gòu)成，所述lcp玻纖布層的厚度為15～25μm。

4、本發(fā)明中，所述lcp玻纖布的介電常數(shù)dk(10ghz)≤3.0、介電損耗df(10ghz)≤0.001，微孔的孔徑為0.5～1.0mm。

5、本發(fā)明中，所述碳?xì)淠z粘劑層由碳?xì)淠z粘劑覆涂而成，所述碳?xì)淠z粘劑由以下重量份的組分制備而成：

6、

7、兩所述碳?xì)淠z粘劑層的厚度均為25～50μm。

8、本發(fā)明中，所述銅箔層的材料為高頻銅箔，兩所述銅箔層的表面粗糙度為0.6～1.5μm。進(jìn)一步的所述高頻銅箔為電解銅和壓延銅中的一種。

9、本發(fā)明還提供了所述高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，包括以下步驟：

10、s1.按配比將熱塑性彈性體、tpi樹脂、ldm樹脂、lcp填料、離子捕捉劑、環(huán)氧樹脂加入攪拌機(jī)中攪拌均勻制得碳?xì)淠z粘劑；

11、s2.將s1制得的碳?xì)淠z粘劑涂覆在lcp玻纖布的上下兩面，烘干，得高頻lcp玻纖布浸膠料片；

12、s3.將尺寸相同的銅箔分別鋪設(shè)于s2制得高頻lcp玻纖布浸膠料片中碳?xì)淠z粘劑的外側(cè)，得到層疊體；

13、s4.將s3制得的層疊體放入壓合設(shè)備中進(jìn)行高溫壓合后，得到所述含高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板。

14、本發(fā)明s1中，攪拌的溫度為25～40℃，攪拌時(shí)間為4～6h。

15、s2中，烘干的溫度為100～140℃，烘干時(shí)間為2～4min。

16、s4中，所述高溫壓合采用連續(xù)式等均壓耐高溫鋼帶壓合法；高溫壓合的溫度為260～300℃，壓力為2～8mpa，高溫壓合線速為0.8～2.5m/min，壓合時(shí)間為4～7min。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

18、(1)本發(fā)明高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的介電常數(shù)小，損耗角正切低，且隨著頻率的升高，損耗角正切幾乎無變化，具有更好的信號(hào)傳輸性能和更高的頻率響應(yīng)。

19、(2)本發(fā)明的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的熱膨脹系數(shù)非常小，在溫度變化的情況下穩(wěn)定性更好，可以廣泛應(yīng)用作為理想的高頻導(dǎo)熱軟板的封裝導(dǎo)熱材料。

20、(3)本發(fā)明的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板具有高強(qiáng)度、高模量、自重力增強(qiáng)、阻燃性強(qiáng)、耐熱性強(qiáng)、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)異的性能，且在微波冷熱交變性能檢測方面也同樣具有杰出的技術(shù)表現(xiàn)

21、(4)高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板具有可撓性，能夠節(jié)省更多的空間，在未來穿戴式、小型化電子設(shè)備將更具有表現(xiàn)力。

22、(5)本發(fā)明工藝過程簡單，易于實(shí)施，便于大批量生產(chǎn)。

23、(6)本發(fā)明中使用的連續(xù)式等均壓耐高溫鋼帶壓合法將層疊體進(jìn)行高溫壓合，具有壓合接觸面積大、且可設(shè)置升溫和降溫區(qū)間段，能有效減少材料在高溫壓合過程的內(nèi)應(yīng)力；

技術(shù)特征：

1.一種高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，其特征在于包括lcp玻纖布層(1)以及位于所述lcp玻纖布層上下兩面的銅箔層(3)，所述lcp玻纖布層(1)與其上下兩面的銅箔層(3)之間均設(shè)有用于粘接兩者的碳?xì)淠z粘劑層(2)；所述lcp玻纖布層(1)由具有微孔結(jié)構(gòu)的lcp玻纖布構(gòu)成，所述lcp玻纖布層(1)的厚度為15～25μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，其特征在于所述lcp玻纖布的介電常數(shù)dk(10ghz)≤3.0、介電損耗df(10ghz)≤0.001，微孔的孔徑為0.5～1.0mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，其特征在于所述碳?xì)淠z粘劑層由碳?xì)淠z粘劑覆涂而成，所述碳?xì)淠z粘劑由以下重量份的組分制備而成：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，其特征在于兩所述碳?xì)淠z粘劑層的厚度均為25～50μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，其特征在于所述銅箔層的材料為高頻銅箔，兩所述銅箔層的表面粗糙度為0.6～1.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，其特征在于所述高頻銅箔為電解銅和壓延銅中的一種。

7.一種權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述含高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，其特征在于所述s1中，攪拌的溫度為25～40℃，攪拌時(shí)間為4～6h。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述含高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，其特征在于所述s2中，烘干的溫度為100～140℃，烘干時(shí)間為2～4min。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述含高頻lcp玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，其特征在于所述s4中，高溫壓合的溫度為260～300℃，壓力為2～8mpa，高溫壓合線速為0.8～2.5m/min，壓合時(shí)間為4～7min。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種高頻LCP玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板，包括LCP玻纖布層以及位于所述LCP玻纖布層上下兩面的銅箔層，所述LCP玻纖布層與其上下兩面的銅箔層之間均設(shè)有用于粘接兩者的碳?xì)淠z粘劑層；所述LCP玻纖布層由具有微孔結(jié)構(gòu)的LCP玻纖布構(gòu)成，所述LCP玻纖布層的厚度為15～25μm。該柔性覆銅板，在保持LCP低吸水率，優(yōu)異的介電常數(shù)和介電損耗特性的同時(shí)，解決了LCP膜各項(xiàng)異性大導(dǎo)致的力學(xué)性能差異大的問題。本發(fā)明還提供了該高頻LCP玻纖布基碳?xì)淙嵝愿层~板的制備方法，該制備方法工藝過程簡單，易于實(shí)施，便于大批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：吳錫磊,王洋,葛敬輝,趙健
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中山新高電子材料股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21