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硅基半導(dǎo)體晶體管的激光模擬輻射劑量率效應(yīng)試驗(yàn)方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:10533263

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半導(dǎo)體器件的瞬時劑量率輻射效應(yīng)是指暴露于瞬時的脈沖γ射線輻射下的半導(dǎo)體器件所表現(xiàn)出的電離輻射損傷,其機(jī)理是由于瞬時的電離脈沖輻射在半導(dǎo)體材料中激發(fā)電子一空穴對,這些光生載流子在被器件收集的過程中將產(chǎn)生瞬時光電流。當(dāng)輻射劑量率增大到一定程度時,此光電流將可能等于甚至大于電路本身的電流信號,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件性能退化甚至失效。因此,在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)之前,研究其瞬時劑量率輻射效應(yīng)具有至關(guān)重要的作用,有助于掌握其在輻射環(huán)境下的工作機(jī)理和失效原理,也為抗幅加固設(shè)計(jì)提供研...
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