技術(shù)編號：10533263
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件的瞬時劑量率輻射效應(yīng)是指暴露于瞬時的脈沖γ射線輻射下的半導(dǎo)體器件所表現(xiàn)出的電離輻射損傷，其機(jī)理是由于瞬時的電離脈沖輻射在半導(dǎo)體材料中激發(fā)電子一空穴對，這些光生載流子在被器件收集的過程中將產(chǎn)生瞬時光電流。當(dāng)輻射劑量率增大到一定程度時，此光電流將可能等于甚至大于電路本身的電流信號，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件性能退化甚至失效。因此，在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)之前，研究其瞬時劑量率輻射效應(yīng)具有至關(guān)重要的作用，有助于掌握其在輻射環(huán)境下的工作機(jī)理和失效原理，也為抗幅加固設(shè)計(jì)提供研...
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