技術(shù)編號:10624521
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 陽00引非易失SRAM (NV-SRAM) -種同時(shí)包括SRAM和NVM的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),電子裝置在工作模 式下采用SRAM進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),在電子裝置掉電后,NV-SRAM能夠?qū)?shù)據(jù)備份到NVM單元 中。然而,在電子裝置掉電后,非易失SRAM需要一個(gè)較大的片上儲(chǔ)能電容供電W進(jìn)行數(shù)據(jù) 的備份,該電容會(huì)引入較大的忍片面積開銷和成本開銷。如果采用較小的片上儲(chǔ)能電容,貝U 由于電能不足,會(huì)引起備份失敗。在備份失敗后只能回退到上一次成功備份點(diǎn),而回到上一 次成功備份點(diǎn)會(huì)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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