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化合物半導(dǎo)體集成電路的電路布局方法與制造工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11064281

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本發(fā)明有關(guān)一種化合物半導(dǎo)體集成電路的電路布局方法,尤指一種具有提高化合物半導(dǎo)體集成電路的抗?jié)衲芰Φ幕衔锇雽?dǎo)體集成電路的電路布局方法。背景技術(shù)在一化合物半導(dǎo)體集成電路(compoundsemiconductorintegratedcircuits)中,當(dāng)兩不同電位的金屬層需要交錯(cuò)跨接(cross-connect)時(shí),兩金屬層之間于交錯(cuò)跨接的區(qū)域需做好隔離。一般現(xiàn)有技術(shù)是形成以聚酰亞胺(Polyimide)所構(gòu)成的一隔離層來(lái)隔離兩不同電位的金屬層的交錯(cuò)跨接,通常是在一底金屬層之上涂布一層聚酰亞胺的...
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