技術(shù)編號：11235598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本揭示實施例關(guān)于一種半導體裝置的制造方法，且特別是關(guān)于導電層位于源極/漏極區(qū)上的半導體的制造方法。背景技術(shù)隨著半導體產(chǎn)業(yè)引進了具有更高效能及更強大功能性的新一代集成電路(IC)，目前已經(jīng)采用了多層金屬布線結(jié)構(gòu)設(shè)置于下層電子裝置例如晶體管的上方。為了滿足更高速以及良好可靠性的需求，已經(jīng)開發(fā)了形成金屬線的先進的方法及其結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本揭示實施例的一態(tài)樣，一種制造半導體裝置的方法，該方法包含：先形成一第一柵極結(jié)構(gòu)及一第二柵極結(jié)構(gòu)于一基板上，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)包含一第一柵電極，一第一覆蓋絕緣層設(shè)置于...
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