技術(shù)編號:11252614
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制作技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,是涉及一種晶圓生長控制裝置和方法。背景技術(shù)晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能的IC產(chǎn)品。晶圓的外延生長是指,在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層,能夠提高器件設(shè)計的靈活性和器件的性能。在外延的生長過程中,一直存在晶圓受熱不均而產(chǎn)生翹曲以及裂痕的問題,導(dǎo)致良品率低。現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的外延生長,通常采用將晶圓放置在反應(yīng)室內(nèi)的基座上旋轉(zhuǎn),在反應(yīng)室外加熱的方式進(jìn)...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。