技術(shù)編號：12598900
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種碳化硅襯底的刻蝕方法。背景技術(shù)SiC(碳化硅)材料具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、介電常數(shù)小等優(yōu)點(diǎn)，在制備高溫、高頻、大功率、抗輻射的半導(dǎo)體器件及紫外光電探測器等方面具有極其廣泛的應(yīng)用，被譽(yù)為前景十分廣闊的第三代半導(dǎo)體材料?？涛g技術(shù)是SiC器件研制中的一項(xiàng)關(guān)鍵支撐技術(shù)，刻蝕工藝的刻蝕精度、刻蝕損傷以及刻蝕表面的殘留物均對SiC器件的性能有重要影響。由于SiC材料硬度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，濕法刻蝕無法達(dá)到要求，因此目前對SiC的刻蝕常采用等離子體干法刻蝕工藝，刻蝕的基...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。