技術(shù)編號：39383957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于石墨材料與表面防護，具體涉及一種石墨基座表面sic涂層的修補方法。背景技術(shù)、金屬有機化合物化學氣相沉積(mocvd)是一種利用有機金屬熱分解反應(yīng)進行氣相外延生長各種iii-v族或ii-vi族的化合物以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，包括gaas、alas、algaas、inp、inalas、aln、gan和gap等。利用mocvd技術(shù)，這些納米厚度的單晶材料可以高精度可控沉積，形成具有特定光學、電學或磁學特性的材料，因此廣泛應(yīng)用于包括半導(dǎo)體器件、光學器件、氣敏元件、超導(dǎo)薄膜、鐵電/...
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