技術編號：39384515
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，具體涉及一種提高pvt法碳化硅單晶生長速率的生長方法。背景技術、碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率好、飽和電子漂移速率快等優(yōu)異的物理和化學性能，是繼硅、砷化鎵之后的典型的第三代半導體材料，在高溫、高頻、大功率器件和深紫外光電子器件領域具有十分廣闊的應用，尤其在電動汽車(xev)、軌道交通(rail)和電機驅動(motordriving)領域占比迅速增加，因此被看作是半導體材料領域最有前景的材料之一。、目前，商用碳化硅襯底的主流生長方法是物理氣相傳輸法（簡稱pvt），其...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。