技術編號：39561503
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，尤其涉及一種半導體器件及其制備方法。背景技術、橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管由于在增益、線性度、開關性能、散熱性能等方面的優(yōu)勢而被廣泛應用在集成電路領域。、橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的導通電阻和擊穿電壓為其兩個主要參數，兩者之間存在相互制約的關系。若提高耐壓值，則同時會增加導通電阻，不利于電流流動，若降低導通電阻，則不利于半導體器件的耐壓，半導體器件容易燒毀。技術實現思路、本發(fā)明提供了一種半導體器件及其制備方法，以提高橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管耐壓...
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