技術(shù)編號：39619977
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，具體而言涉及一種半導體器件及其制造方法、電子裝置。背景技術(shù)、在用于測量壓力的半導體器件中，在襯底中形成有空腔，在空腔上方形成有敏感膜層，并在敏感膜層兩側(cè)形成有電極，在受到壓力時，敏感膜層發(fā)生形變而產(chǎn)生極化現(xiàn)象，此時能夠通過電極來測量敏感膜層兩側(cè)電勢差，進而計算得到壓力的大小。、然而，相關(guān)技術(shù)中的用于測量壓力的半導體器件易發(fā)生性能下降甚至失效等問題，且同批次的半導體器件產(chǎn)品之間的均勻性和一致性較差。技術(shù)實現(xiàn)思路、在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。