技術(shù)編號：39719721
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及mems探針，特別涉及基于原子層沉積技術(shù)的mems探針制作方法。背景技術(shù)、mems探針是微電子機械系統(tǒng)技術(shù)制造的微型探針，這些探針具有多層不同金屬堆疊的復(fù)雜機械結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)優(yōu)異的耐流性能。內(nèi)部堆疊層數(shù)的增加可以顯著提升性能。、傳統(tǒng)的mems探針制作工藝涉及光刻、電鍍、化學(xué)機械研磨（cmp）等步驟，類似于半導(dǎo)體芯片的制造過程。制造時，需要將基底浸入含有特定合金的電鍍液中，通過電鍍工藝在圖案上沉積金屬層，沉積出的金屬層表面不平整，需要通過cmp技術(shù)進行平滑處理，然后再沉積下一金屬層，以...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。