技術(shù)編號(hào)：39722360
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及電池系統(tǒng)。背景技術(shù)、日本特開(kāi)-公開(kāi)了固體二次電池的高束縛處理。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、作為全固態(tài)電池的負(fù)極活性物質(zhì)，正在研究硅(si)顆粒。si顆粒具有大的比容量。另一方面，硅顆粒存在充電時(shí)的膨脹率非常大的傾向。由于與充放電相伴的體積變化大，所以有可能因充放電的反復(fù)而在si顆粒產(chǎn)生破裂(裂紋)。因si顆粒的裂紋，在電極(負(fù)極層)內(nèi)，電接點(diǎn)及離子接點(diǎn)可能局部性地喪失。其結(jié)果，可認(rèn)為電池電阻會(huì)增大。以下，“電接點(diǎn)及離子接點(diǎn)”能夠統(tǒng)稱(chēng)為“接點(diǎn)”。、在全固態(tài)電池中，電解質(zhì)是固體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。