技術(shù)編號：39725875
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及顯示，尤其涉及一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。背景技術(shù)、目前廣泛使用的發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管(oled)和量子點發(fā)光二極管(qled)。傳統(tǒng)的oled和qled器件結(jié)構(gòu)主要包括陽極、空穴功能層、發(fā)光層、電子功能層及陰極。在電場的作用下，發(fā)光器件的陽極產(chǎn)生的空穴和陰極產(chǎn)生的電子發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，最終遷移到發(fā)光層，當(dāng)二者在發(fā)光層相遇時，產(chǎn)生能量激子，最終產(chǎn)生可見光。、然而，電子傳輸層等膜層的成膜質(zhì)量以及與相鄰膜層之間的界面接觸等會直接影響發(fā)光器件的電子等...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。