技術(shù)編號(hào)：6938576
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種采用了應(yīng)力記憶技術(shù)的半導(dǎo)體器 件的制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入亞微米時(shí)代，MOS器件的驅(qū)動(dòng)電流提升問題日趨得到重視，驅(qū) 動(dòng)電流的提升將大大改善元件的延遲時(shí)間(time delay)、提高元件的響應(yīng)速率。操控應(yīng)力是改善MOS器件、尤其是場(chǎng)效應(yīng)晶體管中載流子遷移率以及增大MOS器 件的跨導(dǎo)(或者減小串連電阻)，進(jìn)而提高驅(qū)動(dòng)電流的有效方式。當(dāng)應(yīng)力施加到半導(dǎo)體晶體管的溝道時(shí)，載流子的遷移率從它們?cè)跓o(wú)應(yīng)力半導(dǎo)體情 況下的原始...
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