技術(shù)編號：7254165
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及電子器件，且更具體來說，涉及半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)諸如硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的材料廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中以用于較低功率和(在Si的情況下)較低頻應(yīng)用。然而，這些較為熟悉的半導(dǎo)體材料因為其相對小的帶隙(例如，在室溫下，對于Si來說為I. 12eV且對于GaAs來說為I. 42)和/或相對小的擊穿電壓，而可能不非常適合于較高功率和/或高頻應(yīng)用。鑒于Si和GaAs所呈現(xiàn)出的困難，對高功率、高溫度和/或高頻應(yīng)用和器件的興趣已轉(zhuǎn)向?qū)拵栋?..
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