技術(shù)編號:8488972
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。例如,至于具有高擊穿容量的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,已經(jīng)知道諸如其中通過雙擴散工藝來形成MOS晶體管的溝道區(qū)的雙擴散MOS (DMOS)晶體管之類的半導(dǎo)體器件。在該半導(dǎo)體器件中,已經(jīng)存在對提高擊穿電阻和可靠性的需求,提高抗擊穿性和可靠性有助于提高安全工作區(qū)(SOA)。發(fā)明內(nèi)容本文中所描述的實施例提供了,所述半導(dǎo)體器件提高了SOA。實施例提供了一種半導(dǎo)體器件,包括第一導(dǎo)電類型的第一阱區(qū),所述第一阱區(qū)位于半導(dǎo)體區(qū)中并且在與所述半導(dǎo)體區(qū)的所述上表面平面正...
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