技術(shù)編號:8947117
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于通過使得基板表面的至少一部分受到兩個或更多前體材料的交替表面反應(yīng)而處理基板的裝置。更特別是,本發(fā)明涉及一種用于根據(jù)原子層沉積(ALD的原理來處理基板的裝置。在本申請中,術(shù)語ALD的意思是實現(xiàn)ALD原理的原子層晶體取向生長(ALE)和其它類似名稱的方法。原子層沉積裝置通常包括真空腔室,基板在該真空腔室內(nèi)部處理。單獨的處理腔室也可以布置在真空腔室內(nèi)部,這樣,基板裝入反應(yīng)腔室內(nèi)和在反應(yīng)腔室中處理?;宓难b載可以人工進行,或者通過裝載裝置(例如裝...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。