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包括不同受控壓力下的多個(gè)腔的cmos-mems集成裝置以及制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):9720012

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專(zhuān)利說(shuō)明包括不同受控壓力下的多個(gè)腔的CMOS-MEMS集成裝置以及制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉應(yīng)用本申請(qǐng)根據(jù)35USC 119(e)要求保護(hù)在2014年10月7號(hào)提交并且題目為“使用MEMS慣性傳感器和致動(dòng)器上的除氣源層以及除氣阻擋層以控制腔壓力的方法(METHOD TOCONTROL CAVITY PRESSURE BY USING OUTGASSING SOURCE LAYER AND 0UTGASSING BARRIERLAYER ON MEMS INER...
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