技術(shù)編號(hào)：9732199
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為SOI晶圓的制造方法，尤其是使尖端集成電路的高性能化成為可能的薄膜SOI 晶圓的制造方法，將已注入離子的晶圓進(jìn)行貼合后加 W剝離來(lái)制造 SOI晶圓的方法(離子注 入剝離法也被稱為SMART-CUT法（乂7-b力外法），注冊(cè)商標(biāo))廣受注目。 該離子注入剝離法，是一種如下所述的技術(shù)在兩片娃晶圓中，在至少其中一片上 形成氧化膜，并且由一片娃晶圓(接合晶圓）的上表面注入氨離子或稀有氣體離子等氣體離 子，在該晶圓的內(nèi)部形成離子注入層(又稱為微氣泡層或封入層）。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。