本公開內(nèi)容涉及顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法和電子裝置。

背景技術(shù)：

近來，在顯示設(shè)備領(lǐng)域中，以矩陣形式二維地布置包括發(fā)光單元的像素(像素電路)的平板型顯示設(shè)備已成為主流。在這種平板型顯示設(shè)備中，驅(qū)動發(fā)光單元的晶體管的特性可能由于處理(process)變化等而針對每個像素改變。驅(qū)動發(fā)光單元的晶體管的特性變化影響發(fā)光亮度。

具體地，即使將相同電平(信號電壓)的視頻信號寫入每個像素，發(fā)光亮度也在像素之間變化。因此，出現(xiàn)顯示不勻，然后顯示屏幕的一樣性劣化。因此，在顯示設(shè)備中設(shè)置了用于校正由于驅(qū)動發(fā)光單元的晶體管的特性變化等引起的顯示不均勻的功能。此外，在寫入視頻信號的寫入晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)的周期期間執(zhí)行校正操作。執(zhí)行校正操作的校正周期由像素電容器(電容像素)的電容值確定。

然而，在具有上述校正功能的顯示設(shè)備中，存在在校正操作期間隨著驅(qū)動晶體管的源電壓變化而必須縮短校正周期(校正時間)的情況。校正周期由驅(qū)動寫入晶體管的驅(qū)動脈沖的脈沖寬度確定。因此，可以通過縮短驅(qū)動脈沖的脈沖寬度來縮短校正周期。因此，在相關(guān)技術(shù)中，在顯示面板上形成脈沖寬度調(diào)整電路，以基于從外部輸入的脈沖信號生成脈沖寬度縮短的脈沖信號，并將脈沖信號用作驅(qū)動脈沖(例如，參見ptl1)。

參考文獻(xiàn)列表

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：jp2012-255876a

技術(shù)實現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

然而，根據(jù)ptl1中公開的相關(guān)技術(shù)，由于需要在顯示面板上形成生成脈沖寬度縮短的驅(qū)動脈沖的脈沖寬度調(diào)整電路，所以驅(qū)動像素電路的外圍電路的電路尺寸增加。結(jié)果，由于布置有外圍電路的顯示面板上的像素陣列單元的外圍電路區(qū)域，即所謂的框架區(qū)域的面積增加，所以這阻礙了顯示面板的小型化。

本公開內(nèi)容的目的在于提供一種顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的驅(qū)動方法以及包括該顯示設(shè)備的電子裝置，其中不需要縮短驅(qū)動脈沖的脈沖寬度并且能夠減小像素陣列的外圍電路的電路尺寸。

問題的解決方案

為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開內(nèi)容的一種顯示設(shè)備包括：

像素陣列單元，其中，像素電路以矩陣形式布置，像素電路均包括發(fā)光單元、寫入視頻信號的信號電壓的寫入晶體管、保持由寫入晶體管寫入的信號電壓的保持電容器、和基于由保持電容器保持的信號電壓驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管；以及

共用線，沿著像素列針對每個像素列(pixelrow)布線。

像素電路包括選擇性地連接共用線和驅(qū)動晶體管的源電極的開關(guān)晶體管。

另外，為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開內(nèi)容的電子裝置包括具有上述配置的顯示設(shè)備。

為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開內(nèi)容的一種用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法，該顯示設(shè)備包括：

像素陣列單元，其中，像素電路以矩陣形式布置，像素電路均包括發(fā)光單元、寫入視頻信號的信號電壓的寫入晶體管、保持由寫入晶體管寫入的信號電壓的保持電容器、和基于由保持電容器保持的信號電壓驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管；以及

共用線，沿著像素列對每個像素列布線。

在包括選擇性地連接共用線和驅(qū)動晶體管的源電極的開關(guān)晶體管的像素電路中，像素電容器的電容值隨著開關(guān)晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)而增加。

在顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法和具有上述配置的電子裝置中，具有比每個像素電路的像素電容器的電容值大的電容值的寄生電容器存在于沿著像素列布線的共用線中。因此，由于隨著開關(guān)晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，共用線的寄生電容器添加到驅(qū)動晶體管的源電極，所以像素電容器的電容值增加。此外，因為像素電容器的電容值增加，所以可以縮短由電容值確定的校正周期。

發(fā)明的有益效果

根據(jù)本公開內(nèi)容，通過增加像素電容器的電容值，不需要縮短驅(qū)動脈沖的脈沖寬度，因此可以減小像素陣列的外圍電路的電路尺寸。

注意，本公開內(nèi)容根本不限于表現(xiàn)本文中所述的效果，并且可以表現(xiàn)出本說明書中描述的任何效果。另外，在本說明書中描述的效果沒有限制性并僅是示例，并且可以有額外的效果。

附圖說明

[圖1]圖1是示出了作為本公開內(nèi)容的前提的有源矩陣有機(jī)el顯示設(shè)備的基本配置的概況的系統(tǒng)配置圖。

[圖2]圖2是示出了2tr2c單位像素(像素電路)的電路配置的電路圖。

[圖3]圖3是用于描述作為本公開內(nèi)容的前提的有源矩陣有機(jī)el顯示設(shè)備的理想狀態(tài)下的基本電路操作的時序波形圖。

[圖4]圖4是示出了遷移率校正操作的波形圖，其中，圖4a示出了在驅(qū)動晶體管的電流供給能力大并且像素電容器的電容值小的情況下的操作實例，并且圖4b示出了遷移率校正時間縮短的情況的操作實例。

[圖5]圖5是示出了像素陣列單元的外圍電路中的脈沖寬度調(diào)整電路的配置實例的電路圖。

[圖6]圖6是示出了圖5中的各單元的信號的波形的時序波形圖。

[圖7]圖7是示出了包括根據(jù)實例1的像素電路的有機(jī)el顯示設(shè)備的配置的概述的系統(tǒng)配置圖。

[圖8]圖8是用于描述包括根據(jù)實例1的像素電路的有機(jī)el顯示設(shè)備的電路操作的時序波形圖。

[圖9]圖9是示出了包括根據(jù)實例2的像素電路的有機(jī)el顯示設(shè)備的配置的概述的系統(tǒng)配置圖。

[圖10]圖10是示出了用于說明包括根據(jù)實例2的像素電路的有機(jī)el顯示設(shè)備的電路操作的時序波形圖。

[圖11]圖11是鏡頭可互換單鏡頭反光型數(shù)碼相機(jī)的外觀圖，其中，圖11a是其正視圖，圖11b是其后視圖。

[圖12]圖12是頭戴式顯示器的外觀圖。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述用于實現(xiàn)本公開內(nèi)容的技術(shù)的優(yōu)選實施方式(在下文中，將描述為“實施方式”)。本公開內(nèi)容的技術(shù)不限于實施方式，并且實施方式中示出的各種數(shù)值和材料僅僅是示例。在以下提供的描述中，具有基本相同功能和結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)元件采用相同的參考標(biāo)號來標(biāo)記，并省略對這些結(jié)構(gòu)元件的重復(fù)說明。應(yīng)注意，將按照下列順序進(jìn)行描述。

1.本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備、驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置的整體描述

2.作為本公開內(nèi)容的前提的顯示設(shè)備

2-1.系統(tǒng)配置

2-2.像素電路

2-3.理想狀態(tài)下的基本電路操作

2-4.遷移率校正時間的縮短

2-5.脈沖寬度調(diào)整電路

3.根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的顯示設(shè)備

3-1.實例1(像素電路由n溝道型晶體管配置的實例)

3-2.實例2(像素電路由p溝道型晶體管配置的實例)

4.電子裝置

4-1.具體實例1(數(shù)碼相機(jī)的實例)

4-2.具體實例2(頭戴式顯示器的實例)

<本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法、及電子裝置的整體描述>

在本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法和電子裝置中，可以使用其中設(shè)置有設(shè)置在像素陣列單元的外圍電路區(qū)域中并且選擇性地將預(yù)定電壓施加到共用線的開關(guān)元件的配置。

在本公開內(nèi)容的具有上述優(yōu)選配置的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置中，可以使用像素電路具有閾值校正處理的功能的配置。閾值校正處理的功能是用于將驅(qū)動晶體管的源電壓朝著通過參考驅(qū)動晶體管的柵電極的初始化電壓從驅(qū)動晶體管的柵電極的初始化電壓減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓而獲得的電壓改變的功能。預(yù)定電壓是當(dāng)準(zhǔn)備閾值校正處理時施加至驅(qū)動晶體管的源電極的電壓。

此外，在本公開內(nèi)容的具有上述優(yōu)選配置的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置中，可以使用開關(guān)晶體管和開關(guān)元件在閾值校正處理之前進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)以將預(yù)定電壓寫入驅(qū)動晶體管的源電極的配置。此外，可以使用開關(guān)元件在寫入預(yù)定電壓和初始化電壓之后，進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)以執(zhí)行閾值校正處理的配置。

此外，在本公開內(nèi)容的具有上述優(yōu)選配置的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置中，可以使用像素電路具有遷移率校正處理的功能的配置。遷移率校正處理的功能是通過對驅(qū)動晶體管的柵電極和源電極之間的電位差施加對應(yīng)于驅(qū)動晶體管中流動的電流的校正量的負(fù)反饋來校正驅(qū)動晶體管的遷移率的功能。

替換地，在本公開內(nèi)容的具有上述優(yōu)選配置的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置中，可以使用其中在與向像素電路供給固定電壓的配線重疊的狀態(tài)下設(shè)置共用線的配置?？梢允褂闷渲泄┙o固定電壓的配線是向驅(qū)動晶體管供給驅(qū)動電流的電源線，或者是向驅(qū)動晶體管施加背柵電壓的配線的配置。

此外，在本公開內(nèi)容的具有上述優(yōu)選配置的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置中，可以使用其中共用線的寄生電容器增加整個像素電路的電容值，并且優(yōu)選地補(bǔ)償光發(fā)光單元的等效電容器的電容值的不足的配置。另外，共用線的寄生電容器的電容值可以大于保持電容器的寄生電容器的電容值。

替換地，在本公開內(nèi)容的具有上述優(yōu)選配置的顯示設(shè)備、用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法及電子裝置中，可以使用其中設(shè)置有驅(qū)動寫入晶體管的寫入掃描單元和驅(qū)動開關(guān)晶體管的控制掃描單元的配置。在該情況下，優(yōu)選的是，寫入掃描單元和控制掃描單元設(shè)置在相對于像素陣列單元同一側(cè)的外圍電路區(qū)域中。

<作為本公開內(nèi)容的前提的顯示設(shè)備>

[系統(tǒng)配置]

圖1是示出了作為本公開內(nèi)容的前提的有源矩陣有機(jī)el顯示設(shè)備的基本配置的概述的系統(tǒng)配置圖。

有源矩陣顯示設(shè)備是其中通過與發(fā)光單元設(shè)置在相同的像素中的有源元件，例如絕緣柵場效應(yīng)晶體管來執(zhí)行發(fā)光單元(發(fā)光元件)的驅(qū)動的顯示設(shè)備。通常，薄膜晶體管(tft)可以用作絕緣柵場效應(yīng)晶體管。

這里，以有源矩陣有機(jī)el顯示設(shè)備使用有機(jī)el元件作為單位像素(像素電路)的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的情況為例進(jìn)行說明。有機(jī)el元件是電流驅(qū)動的電光元件，該電光元件的發(fā)光亮度根據(jù)流過設(shè)備的電流的值改變。在下文中，“單位像素/像素電路”在一些情況下簡述為“像素”。薄膜晶體管不僅用于控制像素而且用于控制下文將描述的外圍電路。

如圖1所示，作為本公開內(nèi)容的前提的有源矩陣有機(jī)el顯示設(shè)備10被配置為包括：被構(gòu)成使得多個單位像素20以矩陣形式(矩陣態(tài))二維地布置的像素陣列單元30，以及布置在像素陣列單元30的外圍區(qū)域中并驅(qū)動像素20的驅(qū)動單元(外圍電路)。驅(qū)動單元由例如寫入掃描單元40、電源掃描單元50和信號輸出單元60構(gòu)成，并驅(qū)動像素陣列單元30的像素20。

在這個實例中，寫入掃描單元40、電源掃描單元50、及信號輸出單元60作為像素陣列單元30的外圍電路與像素陣列單元30安裝在相同的基板上，即，顯示面板70上。然而，還可采用其中在顯示面板70外設(shè)置寫入掃描單元40、電源掃描單元50和信號輸出單元60的其中一些或全部的配置。此外，使用寫入掃描單元40和電源掃描單元50兩者布置在像素陣列單元30的一側(cè)上的配置，或者可以使用寫入掃描單元40和電源掃描單元50布置為像素陣列單元30插入其間的配置。作為顯示面板70的基板，可以使用諸如玻璃基板的透明絕緣基板，或者可以使用諸如硅基板的半導(dǎo)體基板。

這里，當(dāng)有機(jī)el顯示設(shè)備10執(zhí)行彩色顯示時，在形成彩色圖像時用作單元的一個像素(單位像素)由多個顏色的子像素構(gòu)成。在這種情況下，子像素中的每一個對應(yīng)于圖1的像素20。更具體地，在執(zhí)行彩色顯示的顯示設(shè)備中，一個像素由例如包括發(fā)射紅(r)光的子像素、發(fā)射綠(g)光的子像素和發(fā)射藍(lán)(b)光的子像素的三個子像素構(gòu)成。

然而，一個像素不限于具有包括rgb的三原色的子像素的組合，并且還可以向具有三原色的子像素添加具有一種或多種顏色的子像素以形成一個像素。更具體地，可以通過添加發(fā)射白(w)光的子像素來形成一個像素以增加亮度，或者通過添加發(fā)射互補(bǔ)色光的至少一個子像素來形成一個像素以擴(kuò)大彩色再現(xiàn)范圍。

在像素陣列單元30中，掃描線31(311至31m)和電源線32(321至32m)在m行n列的像素20的陣列中在行方向(像素行的像素陣列方向或者水平方向)上針對每個像素行布線。此外，信號線33(331至33n)在m行n列的像素20的陣列中在列方向(像素列的像素陣列方向或垂直方向)上對每個像素列布線。

掃描線311至31m連接至寫入掃描單元40的對應(yīng)行的各輸出端。電源線321到32m連接至電源掃描單元50的對應(yīng)行的各個輸出端。信號線331至33n連接至信號輸出單元60的對應(yīng)列的輸出端。

寫入掃描單元40由移位寄存器電路等構(gòu)成。在將視頻信號的信號電壓寫入像素陣列單元30的每個像素20上時，寫入掃描單元40執(zhí)行所謂的線序掃描(線順次掃描)，其中通過順次將寫入掃描信號ws(ws1至wsm)供給至掃描線31(311至31m)，以行為單位順次掃描像素陣列單元30的每個像素20。

電源掃描單元50如同寫入掃描單元40，由移位寄存器電路等構(gòu)成。電源掃描單元50與由寫入掃描單元40執(zhí)行的線序掃描同步，將能夠在第一電源電壓vccp和低于第一電源電壓vccp的第二電源電壓vini之間切換的電源電壓ds(ds1至dsm)供給至電源線32(321至32m)。如下所述，通過電源電壓ds在vccp和vini之間的切換來控制像素20的發(fā)光和非發(fā)光(閉光)。

信號輸出單元60選擇性地輸出從信號供給源(未示出)供給的基于亮度信息的視頻信號的信號電壓(其在下文中簡稱為“信號電壓”)vsig和參考電壓vofs。這里，參考電壓vofs是用作視頻信號的信號電壓vsig的參考的電壓(例如，等于視頻信號的黑電平的電壓)，并且在稍后描述的閾值校正處理中使用。

從信號輸出單元60輸出的信號電壓vsig和參考電壓vofs以通過寫入掃描單元40執(zhí)行掃描所選擇出的像素行為單位，經(jīng)由信號線33(331至33n)寫入像素陣列單元30的每個像素20中。換言之，信號輸出單元60采用以行(線)為單位寫入信號電壓vsig的線序?qū)懭氲尿?qū)動形式。

[像素電路]

圖2為示出了單位像素(像素電路)20的詳細(xì)電路配置的實例的電路圖。像素20的發(fā)光單元由作為電流驅(qū)動電光元件的實例的有機(jī)el元件21構(gòu)成，電流驅(qū)動電光元件的發(fā)光亮度根據(jù)流過該設(shè)備的電流的值而變化。

如圖2所示，像素20包括有機(jī)el元件21和通過將電流施加至有機(jī)el元件21驅(qū)動有機(jī)el元件21的驅(qū)動電路。有機(jī)el元件21的陰極連接至對所有像素20共同布線的共用電源線34。

驅(qū)動有機(jī)el元件21的驅(qū)動電路具有包括驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、保持電容器24、及輔助電容器25(即，兩個晶體管(tr)和兩個電容元件(c))的2tr2c電路配置。在此，n溝道型薄膜晶體管(tft)用作驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23。在此，這里提到的驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23的導(dǎo)電型組合僅是示例，但是本公開內(nèi)容不限于該組合。

驅(qū)動晶體管22的一個電極(源電極或漏電極)連接到各個電源線32(321至32m)，其另一個電極(源電極或漏電極)連接到有機(jī)el元件21的陽極。寫入晶體管23的一個電極(源電極或漏電極)連接至各個信號線33(331到33n)，并且其另一電極(源電極或漏電極)連接至驅(qū)動晶體管22的柵電極。另外，寫入晶體管23的柵電極連接至各個掃描線31(311至31m)。

關(guān)于驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23，一個電極是指與一個源或漏區(qū)域電連接的金屬線，并且另一電極是指與另一源或漏區(qū)域電連接的金屬線。另外，根據(jù)一個電極與另一電極之間的電位關(guān)系，一個電極可以是源電極或者漏電極，并且另一電極可以是漏電極或者源電極。

保持電容器24的一個電極連接至驅(qū)動晶體管22的柵電極，并且其另一電極連接至驅(qū)動晶體管22的另一電極和有機(jī)el元件21的陽極。輔助電容器25的一個電極連接至有機(jī)el元件21的陽極并且其另一電極連接至有機(jī)el元件21的陰極。即，輔助電容器25并聯(lián)連接至有機(jī)el元件21。

在上述配置中，寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，其中，從寫入掃描單元40通過掃描線31施加至其柵電極的高壓的狀態(tài)響應(yīng)于寫入掃描信號ws變?yōu)橛行顟B(tài)。因此，寫入晶體管23在不同時間點對從信號輸出單元60通過信號線33供給的根據(jù)亮度信息的視頻信號的信號電壓vsig或者參考電壓vofs執(zhí)行采樣并且將電壓寫入像素20。由寫入晶體管23寫入的信號電壓vsig或者參考電壓vofs通過保持電容器24保持。

當(dāng)電源線32(321至32m)的電源電壓ds變?yōu)榈谝浑娫措妷簐ccp時，驅(qū)動晶體管22在飽和區(qū)域操作，其一個電極用作漏電極并且另一電極用作源電極。因此，驅(qū)動晶體管22從電源線32接收電流供給并且然后通過電流驅(qū)動來驅(qū)動有機(jī)el元件21發(fā)光。更具體地，驅(qū)動晶體管22根據(jù)保持電容器24中保持的信號電壓vsig的電壓值將電流值的驅(qū)動電流供給至有機(jī)el元件21，以使用電流驅(qū)動有機(jī)el元件21發(fā)光。

此外，當(dāng)電源電壓ds從第一電源電壓vccp切換到第二電源電壓vini時，驅(qū)動晶體管22操作為開關(guān)晶體管，其一個電極用作源電極，其另一電極用作漏電極。因此，驅(qū)動晶體管22停止向有機(jī)el元件21供給驅(qū)動電流，從而將有機(jī)el元件21設(shè)定為非發(fā)光狀態(tài)。換句話說，驅(qū)動晶體管22還具有控制有機(jī)el元件21的發(fā)光和非發(fā)光的晶體管的功能。

通過驅(qū)動晶體管22的開關(guān)操作，可以設(shè)定有機(jī)el元件21處于非發(fā)光狀態(tài)的周期(非發(fā)光周期)并且控制有機(jī)el元件21的發(fā)光周期與非發(fā)光周期的比率(占空比)。通過占空比的控制，可以在一個顯示幀周期內(nèi)減少由像素的發(fā)光引起的余像和模糊，特別是使動態(tài)圖像的質(zhì)量水平更好。

在通過電源線32從電源掃描單元50選擇性地供給的第一電源電壓vccp和第二電源電壓vini中，第一電源電壓vccp是向驅(qū)動晶體管22供給驅(qū)動有機(jī)el元件21發(fā)光的驅(qū)動電流的電源電壓。另外，第二電源電壓vini是用于向有機(jī)el元件21施加反向偏壓的電源電壓。第二電源電壓vini設(shè)定為低于參考電壓vofs的電壓，例如，當(dāng)驅(qū)動晶體管22的閾值電壓設(shè)定為vth時，第二電源電壓vini設(shè)定為低于vofs-vth的電壓，且優(yōu)選為遠(yuǎn)低于vofs-vth的電壓。

像素陣列單元30的每個像素20具有校正由驅(qū)動晶體管22的特性變化引起的驅(qū)動電流的變化的功能。這里，作為驅(qū)動晶體管22的特性，例如，舉例說明驅(qū)動晶體管22的閾值電壓vth，和構(gòu)成驅(qū)動晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率u(以下簡稱為“驅(qū)動晶體管22“的遷移率u”)。

通過將驅(qū)動晶體管22的柵電壓vg初始化為參考電壓vofs來執(zhí)行由于閾值電壓vth的變化引起的驅(qū)動電流的變化的校正(其將在下文中描述為“閾值校正”)。具體而言，執(zhí)行將驅(qū)動晶體管22的柵電壓vg的初始化電壓(參考電壓vofs)設(shè)定為參考，并將驅(qū)動晶體管22的源電壓vs朝著通過從初始化電壓(參考電壓vofs)減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓vth獲得的電位改變的操作。當(dāng)該操作進(jìn)行時，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓vgs很快收縮到驅(qū)動晶體管22的閾值電壓vth。等于閾值電壓vth的電壓保持在保持電容器24中。通過將等于閾值電壓vth的電壓保持在保持電容器24中，可以在驅(qū)動晶體管22以視頻信號的信號電壓vsig驅(qū)動時抑制流過驅(qū)動晶體管22的漏源電流ids對閾值電壓vth的依賴性。

通過在寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)并且寫入視頻信號的信號電壓vsig的狀態(tài)下將電流通過驅(qū)動晶體管22流到保持電容器24來執(zhí)行由于遷移率u的變化而引起的驅(qū)動電流的變化的校正(以下稱為“遷移率校正”)。換句話說，通過向保持電容器24施加根據(jù)流過驅(qū)動晶體管22的電流ids的反饋量(校正量)的負(fù)反饋來進(jìn)行校正。當(dāng)通過閾值的校正來寫入視頻信號時，漏源電流ids對閾值電壓vth的依賴性消失，并且漏源電流ids取決于驅(qū)動晶體管22的遷移率u。因此，通過向驅(qū)動晶體管22的漏源電壓vds施加根據(jù)流過驅(qū)動晶體管22的電流ids的反饋量的負(fù)反饋，可以抑制流過驅(qū)動晶體管22的漏源電流ids對遷移率u的依賴性。

[理想狀態(tài)的基本電路配置]

圖3是示出了具有上述配置的有機(jī)el顯示設(shè)備10在理想狀態(tài)下的基本電路操作的時序波形圖。在圖3的時序波形圖中，示出了掃描線31的電壓(寫入掃描信號)ws、電源線32的電壓(電源電壓)ds、信號線33的電壓(vsig/vofs)和驅(qū)動晶體管22的柵電壓vg和源電壓vs的相應(yīng)變化。

由于寫入晶體管23是n溝道型，所以每個寫入掃描信號ws的高電壓狀態(tài)為有效狀態(tài)，其低電壓狀態(tài)為非有效狀態(tài)。此外，寫入晶體管23在寫入掃描信號ws的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，在非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。

在圖3的時序波形圖中，從時間點t11到時間點t19的周期是信號線33的電壓的切換循環(huán)，即，視頻信號的參考電壓vofs和信號電壓vsig的切換循環(huán)，并且信號電壓vsig和參考電壓vofs的切換在1個水平周期(1h)內(nèi)進(jìn)行。

在時間點t12之前的時間對應(yīng)于先前顯示幀中的有機(jī)el元件21的發(fā)光周期。當(dāng)時間達(dá)到時間點t12時，開始線序掃描中的新顯示幀(當(dāng)前顯示幀)的非發(fā)光周期。此外，寫入掃描信號ws進(jìn)入有效狀態(tài)的時間點t13至?xí)r間點t15的周期是寫入晶體管23將參考電壓vofs寫入像素20的寫入周期。此外，從每個電源線32的電壓ds從第二電源電壓vini切換到第一電源電壓vccp的時間點t14到寫入掃描信號ws轉(zhuǎn)變到非有效狀態(tài)的時間點t15的周期是用于校正由驅(qū)動晶體管22的閾值vth的變化引起的驅(qū)動電流的變化的閾值校正周期。

此外，在從時間點t16至?xí)r間點t19的周期期間，信號線33的電壓變?yōu)橐曨l信號的信號電壓vsig。另外，在從時間點t17至?xí)r間點t18的周期期間，寫入掃描信號ws再次進(jìn)入有效狀態(tài)，寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。因此，視頻信號的信號電壓vsig通過寫入晶體管23寫入像素20，并且執(zhí)行校正由驅(qū)動晶體管22的遷移率u的變化所引起的驅(qū)動電流的變化的遷移率校正處理。即，從時間點t17至?xí)r間點t18的周期是信號電壓vsig的寫入和遷移率校正周期。然后，當(dāng)時間達(dá)到時間點t18時，當(dāng)前幀的發(fā)光周期開始。

在圖3的時序波形圖中，vcath是有機(jī)el元件21的陰極電壓。此外，vthel是有機(jī)el元件21的閾值電壓。

[遷移率校正時間的縮短]

在上述有機(jī)el顯示設(shè)備10中，通過驅(qū)動晶體管22的電流供給能力與連接到驅(qū)動晶體管22的源電極的像素電容器的電容值之間的關(guān)系確定遷移率校正操作下的驅(qū)動晶體管22的源電壓的變化。具體地，如下式(1)給出了遷移率校正操作之后的驅(qū)動晶體管22的源電壓v。

這里，vsig表示視頻信號的信號電壓，vth表示驅(qū)動晶體管22的閾值電壓，vs表示遷移率校正操作之前的驅(qū)動晶體管22的源電壓，t表示遷移率校正時間，及β表示驅(qū)動晶體管22的電流供給能力。此外，c表示像素電容器的電容值。此外，當(dāng)保持電容器24的電容值為cs時，有機(jī)el元件21的等效電容器的電容值為coled，并且輔助電容器25的電容值為csub，c＝cs+coled+csub。此外，驅(qū)動晶體管22的電流供給能力β以表達(dá)式β＝u×cox×(w/l)給出。在此，u表示形成驅(qū)動晶體管22的溝道的半導(dǎo)體膜的遷移率，cox表示驅(qū)動晶體管22的每單位面積的柵電容，w表示溝道寬度，并且l表示溝道長度。

從表達(dá)式(1)可以理解，隨著驅(qū)動晶體管22的電流供給能力β增加和像素電容器的電容值c減小，驅(qū)動晶體管22的源電壓的上升(vs→v)在相同的遷移率校正時間t處變大。

即，在驅(qū)動晶體管22的電流供給能力β大且像素電容器的電容值c小的情況下，如圖4a所示，在遷移率校正操作下的驅(qū)動晶體管22的源電壓vs的增加速度快，因此在寫入信號電壓vsig期間，源電壓vs可以達(dá)到vcath+vthel的電壓值。此外，由于在驅(qū)動晶體管22的源電壓vs達(dá)到vcath+vthel的電壓值的時刻，電流開始在有機(jī)el元件21中流動，所以遷移率校正不適當(dāng)?shù)貓?zhí)行，或者有機(jī)el元件21錯誤地發(fā)光，這成為均勻性劣化的因素。

因此，如圖4b所示，考慮用于縮短遷移率校正時間(信號寫入和遷移率校正周期)，并且在電流開始在有機(jī)el元件21中流動之前，即在有機(jī)el元件21導(dǎo)通之前終止遷移率校正操作的驅(qū)動方法。遷移率校正時間由圖3的時序波形圖中的寫入掃描信號ws的第二脈沖的遷移率校正脈沖的脈沖寬度確定。因此，可以通過縮短遷移率校正脈沖的脈沖寬度來縮短遷移率校正時間。此外，根據(jù)該驅(qū)動方法，能夠抑制由有機(jī)el元件21在遷移率校正周期期間的導(dǎo)通導(dǎo)致的均勻性的劣化。

然而，為了實現(xiàn)在上述驅(qū)動之前，即在有機(jī)el元件21導(dǎo)通之前終止遷移率校正操作的驅(qū)動，需要提供一種用于產(chǎn)生窄(短)脈沖寬度的遷移率校正脈沖的電路。通常，將大約幾個100納秒的脈沖寬度的脈沖信號輸入至顯示面板70，并且基于脈沖信號在顯示面板70中執(zhí)行包括遷移率校正脈沖的寫入掃描信號ws的生成。在這樣的環(huán)境下，為了縮短遷移率校正脈沖的脈沖寬度，具體地，為了生成大約幾納秒的脈沖寬度的遷移率校正脈沖，必須在顯示面板70上形成脈沖寬度調(diào)整電路。

[脈沖寬度調(diào)整電路]

圖5示出了像素陣列單元30的外圍電路中的脈沖寬度調(diào)整電路的配置實例。圖5示出像素陣列單元30和作為其一個外圍電路的寫入掃描單元40。

寫入掃描單元40例如由移位寄存器電路配置，并且基于通過輸入端71和72從顯示面板70的外部輸入的交叉脈沖(crosspulse)wsck和起始脈沖wsst，從各個移位級輸出移位信號wssr1至wssrm。移位信號wssr1至wssrm通過對每個像素行設(shè)置的開關(guān)電路411至41m供給至像素陣列單元30的各個像素行，作為包括遷移率校正脈沖的寫入掃描信號ws1至swm。

此外，使能信號wsen1和wsen2通過輸入端子73和74輸入至顯示面板70上的外圍電路。使能信號wsen1和wsen2的脈沖寬度約為幾百納秒。使能信號wsen1和wsen2通過水平(電平)移位(l/s)電路75和76供給至脈沖寬度調(diào)整電路80。脈沖寬度調(diào)整電路80通過延遲電路單元81和門電路單元82配置。

延遲電路單元81是用于確定遷移率校正脈沖的脈沖寬度的電路部分，并且具有多個反相電路串聯(lián)連接的配置。門電路單元82由nand電路821、反相電路822、nor電路823、及反相電路824配置。nand電路821將延遲電路單元81的輸入信號和輸出信號接收為兩個輸入。nand電路821的輸出信號通過反相電路822成為nor電路823的一個輸入信號a。輸入信號a的脈沖寬度約為幾納秒，并且成為遷移率校正脈沖的脈沖寬度。

nor電路823將穿過水平移位電路76的使能信號wsen2接收為另一輸入信號。nor電路823的輸出信號通過反相電路824供給至緩沖電路83。緩沖電路83具有多個反相電路串聯(lián)連接的配置。緩沖電路83的輸出信號b供給至開關(guān)電路411至41m。

圖6示出圖5中的各個單元的信號的波形。具體地，圖6示出交叉脈沖wsck、起始脈沖wsst、使能信號wsen1和wsen2、nor電路823的一個輸入信號a、及緩沖電路83的輸出信號b的各自的波形。圖6進(jìn)一步示出對應(yīng)于寫入掃描單元40的四個像素行的移位信號wssr1、wssr2、wssr3及wssr4和對應(yīng)于四個像素行的寫入掃描信號ws1、ws2、ws3、及ws4的各自的波形。

如上所述，為了縮短遷移率校正脈沖的脈沖寬度，必須在顯示面板70上形成具有以上提及的配置的脈沖寬度調(diào)整電路80。此外，另外在寫入掃描信號ws輸出至像素陣列單元30的各個像素20時，必須增加開關(guān)電路411至41m的元件尺寸以避免脈沖延遲。如果增加元件尺寸，附接至與開關(guān)電路411至41m中的每一個的漏電極(源電極)連接的配線的寄生電容增加，并且因此，必須增加緩沖電路83的元件尺寸。

以這種方法，為了縮短遷移率校正脈沖的脈沖寬度，必須在顯示面板70上形成脈沖寬度調(diào)整電路80或者增加緩沖電路83的元件尺寸，使得像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸增加。因此，其中外圍電路布置在顯示面板70上的像素陣列單元30的外圍電路區(qū)域的面積，即，框架區(qū)域的面積增加。此外，當(dāng)采用其中諸如硅基板的半導(dǎo)體基板用作顯示面板70的基板的配置時，產(chǎn)量(理論產(chǎn)量)降低，這導(dǎo)致顯示設(shè)備的成本增加。<根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的顯示設(shè)備>

根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的有源矩陣型有機(jī)el顯示設(shè)備在沒有縮短遷移率校正的驅(qū)動脈沖，即，遷移率校正脈沖的脈沖寬度的情況下，實現(xiàn)遷移率校正周期的進(jìn)一步縮短。具體地，對于像素陣列單元30的每個像素列，沿著像素列設(shè)置(布線)共用線。在沿著像素列布線的共用線中，對于每個像素列，通常存在電容值大于每個微細(xì)像素電路中形成的像素電容器的電容值的寄生電容器。

另一方面，在像素(像素電路)20中的每一個中設(shè)置選擇性地連接共用線至驅(qū)動晶體管22的源電極的開關(guān)晶體管。在開關(guān)晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)時，共用線的寄生電容器添加至驅(qū)動晶體管22的源電極，并且因此，先前表達(dá)式(1)中的像素電容器c的電容值增加。此外，隨著像素電容器c的電容值增加，可以縮短由電容值確定的校正周期，更具體地，遷移率校正周期。

即，因為可以通過使用共用線的寄生電容器作為像素電容器c來增加像素電容器c的電容值，即使遷移率校正脈沖的脈沖寬度未變窄，也可以縮短遷移率校正周期。遷移率校正脈沖的脈沖寬度不需要變窄的事實是指用于縮短遷移率校正脈沖的脈沖寬度的脈沖寬度調(diào)整電路80(參見圖5)不需要形成在顯示面板70上。因此，可以在不增加像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸的情況下縮短遷移率校正周期。此外，由于遷移率校正周期的縮短，能夠抑制由有機(jī)el元件21在遷移率校正周期期間的導(dǎo)通而導(dǎo)致的一樣性的劣化。

另外，因為可以減小像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸，所以與遷移率校正脈沖的脈沖寬度縮短的情況相比較，可以使顯示面板70的框架變窄，并且因此可以減小顯示面板70的尺寸。此外，當(dāng)采用其中使用諸如硅基板的半導(dǎo)體基板作為顯示面板70的基板的配置時，期望提高產(chǎn)量，因此可以有助于顯示設(shè)備的成本降低。

本公開內(nèi)容的上述技術(shù)不僅可以應(yīng)用于通過n溝道型晶體管形成形成像素(像素電路)20的晶體管的情況，而且還可以應(yīng)用于通過p溝道型晶體管形成晶體管的情況。在下文中，將通過n溝道型晶體管形成的像素電路描述為根據(jù)實例1的像素電路，并且將通過p溝道型晶體管形成的像素電路描述為根據(jù)實例2的像素電路。從以下的說明顯而易見，根據(jù)實例1的像素電路具有像素電路的組件的數(shù)目小于根據(jù)實例2的像素電路的組件的數(shù)目的優(yōu)點。

在下面將要描述的各個實例中，將作為實例來描述諸如硅基板的半導(dǎo)體基板用作顯示面板70的基板的情況，但本發(fā)明不限于此。即，諸如硅基板的半導(dǎo)體基板可以用作顯示面板70的基板，并且還可以使用諸如玻璃基板的透明的絕緣基板。

[實例1]

圖7是示出了包括根據(jù)實例1的像素電路的有機(jī)el顯示設(shè)備的配置的概述的系統(tǒng)配置圖。

如圖7中所示，根據(jù)實例1的像素電路20a被配置為除了有機(jī)el元件21、驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、保持電容器24、及輔助電容器25之外還包括開關(guān)晶體管26。驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、及開關(guān)晶體管26通過n溝道型mos晶體管形成。

輔助電容器25是用于支持有機(jī)el元件21的等效電容器的組件，并且不是必需組件。因此，當(dāng)有機(jī)el元件21的等效電容器可以得到充分保障時，還可以使用去除輔助電容器25的電路配置。

具有這種配置的像素電路20a二維地布置成矩陣形式以形成像素陣列單元30。相對于像素電路20a的矩陣排列，各個共用線351至35n(這些在以下統(tǒng)稱為“共用線35”)沿像素列針對每個像素列布線。

在像素電路20a中，開關(guān)晶體管26連接在驅(qū)動晶體管22的源電極與共用線35之間。此外，開關(guān)晶體管26的柵電極連接到針對每個像素行沿著像素行布線的各個控制線361至36m(這些在以下可統(tǒng)稱為“控制線36”)。

包括根據(jù)實例1的像素電路20a的有機(jī)el顯示設(shè)備10除了寫入掃描單元40和信號輸出單元60之外還包括控制掃描單元90作為像素陣列單元30的外圍電路。例如，控制掃描單元90設(shè)置在相對于像素陣列單元30與寫入掃描單元40位于同一側(cè)的外圍電路區(qū)域(框架區(qū)域)中。更具體地，控制掃描單元90設(shè)置在像素陣列30的橫向(行方向)的一側(cè)上的外圍電路區(qū)域中?？梢圆捎闷渲袑懭霋呙鑶卧?0和控制掃描單元90布置在像素陣列單元30的橫向上的兩個外圍電路區(qū)域中，并且其間插入像素陣列單元30的配置。

控制線361至36m中的每一個的一個端子連接至控制掃描單元90的相應(yīng)行的輸出端子?？刂茠呙鑶卧?0由移位寄存器電路等配置，與寫入掃描單元40相似?？刂茠呙鑶卧?0與寫入掃描單元40執(zhí)行的線序掃描同步輸出在從閾值校正處理開始之前的時間到遷移率校正處理終止之后的時間的周期上處于有效狀態(tài)的控制信號az1至azm(以下將這些統(tǒng)稱為“控制信號az”)。

對于每個像素行，控制信號az通過沿著像素行布線的控制線361至36m(以下可將這些稱為“控制線36”)中的每一個施加至開關(guān)晶體管26的柵電極。在像素電路20a中，開關(guān)晶體管26響應(yīng)于通過控制線36施加至柵電極的控制信號az而進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，從而選擇性地連接驅(qū)動晶體管22的源電極和共用線35。

包括根據(jù)實例1的像素電路20a的有機(jī)el顯示設(shè)備10除了寫入掃描單元40、信號輸出單元60和控制掃描單元90之外還包括復(fù)位控制單元100作為像素陣列單元30的外圍電路。另一方面，在像素陣列單元30的外圍電路區(qū)域(框架區(qū)域)中，開關(guān)元件1011至101n(以下可將這些稱為“開關(guān)元件101”)中的每個連接至共用線351至35n中的每一個的一個端子。

例如，開關(guān)元件1011至101n由n溝道型mos晶體管配置，并且其各個柵電極共同連接至復(fù)位線102。復(fù)位線102的一個端子連接至復(fù)位控制單元100的輸出端子。復(fù)位控制單元100以1h的循環(huán)(1個水平周期)向復(fù)位線102輸出處于有效狀態(tài)的復(fù)位信號rs。響應(yīng)于通過復(fù)位線102施加到其柵電極的復(fù)位信號rs，開關(guān)元件1011至101n進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，從而將預(yù)定電壓選擇性地施加至共用線351至35n。預(yù)定電壓是當(dāng)準(zhǔn)備閾值校正處理時施加到驅(qū)動晶體管22的源電極的電壓，即第二電源電壓vini。

在具有這種配置的根據(jù)實例1的像素電路20a中，驅(qū)動晶體管22的漏電極連接到第一電源電壓vccp的固定電源。即，在根據(jù)實例1的像素電路20a中，像素電源可以是與圖2所示的像素電路20的電源電壓ds不同的固定電源(直流電源)。

此外，由于顯示面板70的基板由諸如硅基板的半導(dǎo)體基板形成，所以驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26被配置為具有源極、柵極、漏極和背柵極的四個端子。此外，由于驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26由n溝道型mos晶體管配置，所以背柵極固定在預(yù)定電位，具體地，在0[v]處。具體地，通過背柵線371至37m(以下可將這些稱為“背柵線37”)中的每個將0[v]施加到寫入晶體管23的背柵極。此外，驅(qū)動晶體管22的背柵極連接到驅(qū)動晶體管22的源電極。

如上所述，包括根據(jù)實例1的像素電路20a的有機(jī)el顯示設(shè)備10被配置有共用線35，各個共用線35沿著像素列為每個像素列布線，并且通過用于每個像素的開關(guān)晶體管26選擇性地連接到驅(qū)動晶體管22的源電極。此外，共用線35通過在像素陣列單元30的區(qū)域外部(即，外圍電路區(qū)域)的開關(guān)元件100選擇性地連接到預(yù)定電壓的電源線，具體地，第二電源電壓vini。

這里，共用線35中的每一個具有形成在共用線35與共用線35的外圍布局(peripherallayout)之間的寄生電容器cp。具體地，共用線35設(shè)置為與供給固定電壓至像素電路20a的配線重疊(交叉)的狀態(tài)，因此，在共用線35與配線等的布局之間形成寄生電容器cp。作為供給固定電壓的配線的實例，可以使用向驅(qū)動晶體管22供給驅(qū)動電流的電源線(電源電壓vccp的固定電源和驅(qū)動晶體管22的漏電極之間的配線)、向?qū)懭刖w管23施加背柵電壓的背柵線37等。

很明顯，共用線35的寄生電容器cp的電容值比由每個微細(xì)像素電路20a單獨形成的像素電容器的電容值c(＝cs+coled+csub)大得多。此外，因為開關(guān)晶體管26進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且共用線35與驅(qū)動晶體管22的源電極連接，所以寄生電容器cp的電容值與像素電容的電容值c相結(jié)合。因此，共用線35的寄生電容器cp增加了像素電路20a的整體電容值(即，像素電容器的電容值c)，并且補(bǔ)償有機(jī)el元件21的等效電容器的電容值coled的不足。

以這種方式，通過在遷移率校正操作中使用每個像素電路20a中的寄生電容器cp的電容值，可以增加電容值c(＝cs+coled+csub+cp)與驅(qū)動晶體管22的電流供給能力β的百分比。因此，可以在遷移率校正操作中延遲驅(qū)動晶體管22的源電壓vs的上升速度，因此即使不制備窄脈沖寬度的遷移率校正脈沖，也可以進(jìn)一步縮短遷移率校正周期。

(電路操作)

接下來，將參考圖8的時序波形圖描述包括根據(jù)實例1的像素電路20a的有機(jī)el顯示設(shè)備10的電路操作。圖8的時序波形圖示出了復(fù)位線102的電壓(復(fù)位信號)rs、掃描線31的電壓(寫入掃描信號)ws、控制線36的電壓(控制信號)az、信號線33的電壓(vsig/vofs)以及驅(qū)動晶體管22的柵電壓vg和源電壓vs的波形變化。

由于寫入晶體管23、開關(guān)晶體管26和開關(guān)元件11由n溝道型晶體管構(gòu)成，所以寫入掃描信號ws、控制信號az和復(fù)位信號rs的高電壓狀態(tài)是有效狀態(tài)，其低電壓狀態(tài)是非有效狀態(tài)。此外，寫入晶體管23在寫入掃描信號ws的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且在其非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。開關(guān)晶體管26在控制信號az的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且在其非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，開關(guān)元件101在復(fù)位信號rs的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且在其非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。

當(dāng)寫入信號ws在信號線33的電壓從有機(jī)el元件21的發(fā)光狀態(tài)變?yōu)閰⒖茧妷簐ofs的狀態(tài)下，在時間點t21進(jìn)入有效狀態(tài)時，寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。因此，由于參考電壓vofs寫入驅(qū)動晶體管22的柵電極，所以停止從驅(qū)動晶體管22向有機(jī)el元件21供給驅(qū)動電流。結(jié)果，有機(jī)el元件21進(jìn)入消光狀態(tài)。

然后，當(dāng)復(fù)位信號rs在時間點t22進(jìn)入有效狀態(tài)時，開關(guān)元件10進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且第二電源電壓vini寫入共用線35，從而復(fù)位共用線35的電位。隨后，隨著控制信號az在時間點t23進(jìn)入有效狀態(tài)，開關(guān)晶體管26進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。因此，第二電源電壓vini通過開關(guān)晶體管26從共用線35寫入驅(qū)動晶體管22的源電極，從而開始閾值校正操作的準(zhǔn)備。

然后，在寫入掃描信號ws在時間點t24進(jìn)入有效狀態(tài)之后，當(dāng)復(fù)位信號rs在時間點t25進(jìn)入非有效狀態(tài)時，在控制信號az處于有效狀態(tài)的同時，即，在開關(guān)晶體管26處于導(dǎo)通狀態(tài)的同時，閾值校正處理開始。此外，在控制信號az的有效周期期間，信號線33的電壓在時間點t25從參考電壓vofs切換到視頻信號的信號電壓vsig。

此后，當(dāng)寫入掃描信號ws在控制信號az處于有效狀態(tài)的同時，在時間點t27再次進(jìn)入有效狀態(tài)，寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。因此，通過寫入晶體管23將視頻信號的信號電壓vsig寫入像素電路20a，并且執(zhí)行校正由驅(qū)動晶體管22的遷移率u的變化引起的驅(qū)動電流的變化的遷移率校正處理。此外，遷移率校正處理在寫入掃描信號ws進(jìn)入非有效狀態(tài)的時間點t28終止。

即，從時間點t27至?xí)r間點t28的周期變?yōu)樾盘栯妷簐sig的寫入和遷移率校正周期。此外，在時間點t28，在保持電容器24的保持電壓維持在恒定水平的狀態(tài)下，執(zhí)行用于提高驅(qū)動晶體管22的柵電壓vg和源電壓vs的所謂的自舉操作，從而轉(zhuǎn)變?yōu)榘l(fā)光操作。

從上述電路操作明顯的是，在1h周期期間執(zhí)行閾值校正處理和遷移率校正處理。該電路操作的特征在于，在開關(guān)晶體管26處于導(dǎo)通狀態(tài)時，即在使用共用線35的寄生電容器cp的同時執(zhí)行遷移率校正處理。通過使用該電路操作，由于電流相對于驅(qū)動晶體管22的電流供給能力β在大電容(＝cs+coled+csub+cp)中流動，所以鑒于上述表達(dá)式(1)，可以延遲遷移率校正的處理速度(即，延長遷移率校正時間)。

因此，可以獲得以下效果。即，由于不需要準(zhǔn)備用于遷移率校正的窄脈沖寬度的遷移率校正脈沖，并且不需要在顯示面板70上形成生成遷移率校正脈沖的脈沖寬度調(diào)整電路80(參見圖5)，可以適當(dāng)?shù)貓?zhí)行遷移率校正操作而不增加像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸。

換句話說，與在顯示面板70上形成脈沖寬度調(diào)整電路80的情況相比，可以縮短遷移率校正周期，同時減小像素陣列30的外圍電路的電路尺寸。此外，通過減小外圍電路的電路尺寸，可以使顯示面板70的框架變窄。因此，可以減小顯示面板70的尺寸。另外，通過縮短遷移率校正周期，可以抑制在遷移率校正周期期間由于有機(jī)el元件21的導(dǎo)通導(dǎo)致的一樣性的劣化。

此外，在根據(jù)實例1的像素電路20a中，通過共用線35和開關(guān)晶體管26執(zhí)行在閾值校正操作之前將驅(qū)動晶體管22的源電壓vs設(shè)置為第二電源電壓vini的操作。因此，可以將向驅(qū)動晶體管22供給驅(qū)動電流的電源設(shè)定為第一電源電壓vccp的固定電源，從而簡化電源單元，并且因此可以減小像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸。

在圖2所示的像素電路20的情況下，通過將供給驅(qū)動電流至驅(qū)動晶體管22的電源設(shè)定為電源電壓ds(vccp/vini)的可變電源，源電壓vs通過驅(qū)動晶體管22被設(shè)定為第二電源電壓vini。以這種方式，如果將電源設(shè)定為能夠在第一電源電壓vccp和第二電源電壓vini之間切換的可變電源，則必須在電源掃描單元50(參見圖1)的輸出級中為每行提供大電路尺寸的緩沖電路，因此像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸變大。

另一方面，在根據(jù)實例1的像素電路20a中，由于不需要提供每行需要的大電路尺寸的緩沖電路的電源掃描單元50，所以可以減小像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸。在此，當(dāng)采用其中使用諸如硅基板的半導(dǎo)體基板作為顯示面板70的基板的配置時，期望提高產(chǎn)量，因此可以有助于顯示設(shè)備的成本降低。

此外，由于隨著遷移率校正的處理速度降低，最佳校正裕度增加，因此可有助于提高均勻性。此外，在信號寫入期間，由于將共用線35的大寄生電容器cp填加到驅(qū)動晶體管22的源電極上，所以可以抑制寫入視頻信號的信號電壓vsig時的源電壓vs的增加。因此，信號電壓vsig的寫入增益g增加，因此可以實現(xiàn)降低視頻信號的信號電壓vsig的振幅，并有助于低功耗。

這里，寫入增益g是保持電容器24的保持電壓vgs對視頻信號的信號電壓vsig的比率，并且如以下表達(dá)式(2)所給出的。

在此，cgs表示驅(qū)動晶體管22的源電極與柵電極之間的電容器的電容值。

此外，在根據(jù)實例1的像素電路20a中，控制掃描單元90設(shè)置在相對于像素陣列單元30而言與寫入掃描單元40相同側(cè)的外圍電路區(qū)域中。因此，可以將寫入掃描單元40和控制掃描單元90與作為驅(qū)動目標(biāo)的像素電路20a的距離設(shè)置為彼此近似相等，從而可以最小化由寫入掃描信號ws和控制信號az之間的距離之間的差異所引起的時序偏差(timingdeviation)。結(jié)果，可以更可靠地對作為驅(qū)動目標(biāo)的像素電路20a進(jìn)行驅(qū)動。

[實例2]

圖9是示出了包括根據(jù)實例2的像素電路的有機(jī)el顯示設(shè)備的配置的概述的系統(tǒng)配置圖。

如圖9中所示，根據(jù)實例2的像素電路20b被配置為除了有機(jī)el元件21、驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和保持電容器24以外還包括第一開關(guān)晶體管26和第二開關(guān)晶體管27以及電流控制晶體管28。驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、第一開關(guān)晶體管26和第二開關(guān)晶體管27以及電流控制晶體管28通過p溝道型mos晶體管形成。

具有這種配置的像素電路20b二維地布置成矩陣形式以形成像素陣列單元30。在此，為了簡化說明，僅示出一個像素電路20b。相對于像素電路20b的矩陣排列，共用線35沿著像素列為每個像素列布線。

包括根據(jù)實例2的像素電路20b的有機(jī)el顯示設(shè)備10除了寫入掃描單元40和信號輸出單元60之外，還包括第一控制掃描單元90、第二控制掃描單元91、及電流控制掃描單元92作為像素陣列單元30的外圍電路。第一控制掃描單元90和第二控制掃描單元91相對于像素陣列單元30設(shè)置在與寫入掃描單元40相同的一側(cè)的外圍電路區(qū)域中，更具體地，例如，在像素陣列的橫向(行方向)的一側(cè)30的外圍電路區(qū)域中。

在像素電路20b中，第一開關(guān)晶體管26連接在驅(qū)動晶體管22的源電極與共用線35之間。此外，第一開關(guān)晶體管26的柵電極連接到針對每個像素行沿著像素行布線的第一控制線36。第一控制線36的一個端子連接至第一控制掃描單元90的相應(yīng)行的輸出端子。第一控制掃描單元90由移位寄存器電路等配置，與寫入掃描單元40相似。第一控制掃描單元90與寫入掃描單元40執(zhí)行的線序掃描同步輸出在從閾值校正處理開始之前的時間到閾值校正處理終止之后的時間的周期內(nèi)處于有效狀態(tài)(在這個實例中，低壓狀態(tài))的第一控制信號az1。

第二開關(guān)晶體管27連接在驅(qū)動晶體管22的漏電極和有機(jī)el元件21的陽極之間的連接節(jié)點與低電位側(cè)的電源電壓vcc的電源線之間。此外，第二開關(guān)晶體管27的柵電極連接到針對每個像素行沿著像素行布線的第二控制線38。第二控制線38的一個端子連接至第二控制掃描單元91的相應(yīng)行的輸出端子。第二控制掃描單元91由移位寄存器電路等配置，與寫入掃描單元40相似。第二控制掃描單元91與寫入掃描單元40執(zhí)行的線序掃描同步輸出在從閾值校正處理開始之前的時間到開始發(fā)光的時間的周期內(nèi)處于有效狀態(tài)的第二控制信號az2。

電流控制晶體管28連接在高電位側(cè)的電源電壓vdd的電源線和驅(qū)動晶體管22的源電極之間。此外，電流控制晶體管28的柵電極連接到針對每個像素行沿著像素行布線的第三控制線39。第三控制線39的一個端子連接至電流控制掃描單元92的相應(yīng)行的輸出端子。第二控制掃描單元92由移位寄存器電路等配置，與寫入掃描單元40相似。電流控制掃描單元92與由寫入掃描單元40執(zhí)行的線序掃描同步，輸出在從閾值校正處理開始時的時間到開始發(fā)光前的時間的周期內(nèi)處于非有效狀態(tài)(在該實例中，高電壓狀態(tài))并且在除上述時間段以外的時間段處于有效狀態(tài)的電流控制信號ds。

包括根據(jù)實例2的像素電路20b的有機(jī)el顯示設(shè)備10除了寫入掃描單元40、信號輸出單元60、第一控制掃描單元90、第二控制掃描單元91、及電流控制掃描單元92之外還包括復(fù)位控制單元100作為像素陣列單元30的外圍電路。另一方面，在像素陣列單元30的外圍電路區(qū)域(框架區(qū)域)中，開關(guān)元件101連接至共用線35的一個端子。

開關(guān)元件101例如由p溝道型mos晶體管配置，并且其柵電極連接至復(fù)位線102。復(fù)位線102的一個端子連接至復(fù)位控制單元100的輸出端子。復(fù)位控制單元100以1h的循環(huán)向復(fù)位線102輸出處于有效狀態(tài)的復(fù)位信號rs。響應(yīng)于通過復(fù)位線102施加到其柵電極的復(fù)位信號rs，開關(guān)元件101進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，從而將預(yù)定電壓選擇性地施加至共用線35。預(yù)定電壓是當(dāng)準(zhǔn)備閾值校正處理時施加到驅(qū)動晶體管22的源電極的電壓，即，高壓側(cè)的電源電壓vccp。

這里，作為示例描述了顯示面板70的基板由諸如硅基板的半導(dǎo)體基板配置的情況。因此，驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、第一開關(guān)晶體管26和第二開關(guān)晶體管27以及電流控制晶體管28被配置為具有包括背柵極的四個端子。此外，晶體管22、23、及26至28由p溝道型mos晶體管構(gòu)成，因此其背柵極被固定在預(yù)定電位，具體地，固定在高電位側(cè)的電源電壓vccp。

在圖9中，為了簡化說明，對于施加到晶體管22、23、26至28中的每一個的每個背柵線，未示出高電位側(cè)的電源電壓vccp，但與實例1的情況相同，共用線35以與背柵線重疊(交叉)的狀態(tài)設(shè)置。

(電路操作)

接下來，將參考圖10的時序波形圖描述包括根據(jù)實例2的像素電路20b的有機(jī)el顯示設(shè)備10的電路操作。圖10的時序波形圖示出了信號線33的電壓(vsig/vofs)、電流控制信號ds、第一控制信號az1和第二控制信號az2、寫入掃描信號ws、復(fù)位信號rs和驅(qū)動晶體管22的源電壓vs、柵電壓vg、和漏電壓vd中各自的變化。

由于像素電路20b的各晶體管由p溝道型晶體管配置，所以電流控制信號ds、第一控制信號az1和第二控制信號az2、寫入掃描信號ws和復(fù)位信號rs中的每一個的低壓狀態(tài)變?yōu)橛行顟B(tài)，其高電壓狀態(tài)變?yōu)榉怯行顟B(tài)。此外，寫入晶體管23在寫入掃描信號ws的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且在非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。第一開關(guān)晶體管26和第二開關(guān)晶體管27在第一控制信號az1和第二控制信號az2的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且在非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。電流控制晶體管28在電流控制信號ds的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且在其非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。此外，開關(guān)元件101在復(fù)位信號rs的有效狀態(tài)下進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，在非有效狀態(tài)下進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)。

在圖10的時序波形中，從時間點t31到時間點t42的期間為1水平周期(1h)。在信號線33的電壓從有機(jī)el元件21的發(fā)光狀態(tài)變?yōu)閰⒖茧妷簐ofs的狀態(tài)下，寫入掃描信號ws和第一控制信號az1和第二控制信號az2在時間點t32進(jìn)入有效狀態(tài)，因此寫入晶體管23和第一開關(guān)晶體管26和第二開關(guān)晶體管27進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。因此，由于參考電壓vofs寫入驅(qū)動晶體管22的柵電極，所以停止從驅(qū)動晶體管22向有機(jī)el元件21供給驅(qū)動電流。因此，有機(jī)el元件21進(jìn)入消光狀態(tài)。

此外，此時，由于復(fù)位信號rs處于有效狀態(tài)并且開關(guān)元件101處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此將電源電壓vccp施加到共用線35。因此，通過第一開關(guān)晶體管26將電源電壓vccp寫入驅(qū)動晶體管22的源電極。此外，通過第二開關(guān)晶體管27將電源電壓vss寫入驅(qū)動晶體管22的漏電極。

然后，當(dāng)復(fù)位信號rs在時間點t33進(jìn)入有效狀態(tài)時，開關(guān)元件101進(jìn)入非有效狀態(tài)，從而釋放向共用線35施加電源電壓vccp。此外，從時間點t32到當(dāng)電流控制信號ds從有效狀態(tài)過渡至非有效狀態(tài)時的時間點t34的周期變?yōu)橛袡C(jī)el元件21的消光、驅(qū)動晶體管22的源電極vs和漏電極vd的重置以及閾值校正處理的準(zhǔn)備的周期。

然后，當(dāng)寫入掃描信號ws和第一控制信號az1和第二控制信號az2處于有效狀態(tài)時，電流控制信號ds在時間點t34進(jìn)入非有效狀態(tài)，并且電流控制晶體管28進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)，從而進(jìn)入閾值校正周期。閾值校正周期變?yōu)閺臅r間t34到當(dāng)寫入掃描信號ws轉(zhuǎn)變?yōu)榉怯行顟B(tài)時的時間點t35的周期。

然后，信號線33的電壓在時間點t36從參考電壓vofs切換為視頻信號的信號電壓vsig。隨著寫入掃描信號ws在時間點t37再次進(jìn)入有效狀態(tài)，并且寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，信號電壓vsig被導(dǎo)入(寫入)到像素電路20b中。此外，從時間點t37到當(dāng)寫入掃描信號ws轉(zhuǎn)變?yōu)榉怯行顟B(tài)時的時間點t38的周期是信號寫入和遷移率校正周期。然后，第一控制信號az1在時間點t39轉(zhuǎn)變?yōu)榉怯行顟B(tài)，然后電流控制信號ds在時間點t40轉(zhuǎn)變?yōu)橛行顟B(tài)。

另外，隨著第二控制信號az2在時間點t41轉(zhuǎn)變?yōu)榉怯行顟B(tài)，有機(jī)el元件21的發(fā)光周期開始。然后，隨著復(fù)位信號rs在時間點t42進(jìn)入有效狀態(tài)，1h的周期終止。即，閾值校正處理和遷移率校正處理在1h的周期期間內(nèi)執(zhí)行。

雖然根據(jù)上述實例2的像素電路20b具有比根據(jù)實例1的像素電路20a更多的組件，但是通過使用包括像素電路20b的有機(jī)el顯示設(shè)備10，可以獲得與包括根據(jù)實例1的像素電路20a的有機(jī)el顯示設(shè)備10的那些相同的效果。即，不需要準(zhǔn)備用于遷移率校正的窄脈沖寬度的遷移率校正脈沖，并且不需要在顯示面板70上形成生成遷移率校正脈沖的脈沖寬度調(diào)整電路80(參見圖5)。因此，可以在不增加像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸的情況下縮短遷移率校正周期。

換言之，與在顯示面板70上形成脈沖寬度調(diào)整電路80的情況相比，可以縮短遷移率校正周期，同時減小像素陣列單元30的外圍電路的電路尺寸。此外，通過減小外圍電路的電路尺寸，可以使框架變窄，并且因此，使顯示面板70最小化。此外，通過縮短遷移率校正周期，可以抑制由有機(jī)el元件21在遷移率校正周期期間的導(dǎo)通而導(dǎo)致的均勻性的劣化。

<電子裝置>

根據(jù)上述本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備可以用作所有領(lǐng)域的電子裝置中的顯示輸入到電子裝置的視頻信號或作為圖像或視頻在電子裝置中生成的視頻信號的顯示單元(顯示設(shè)備)的任一種。例如，顯示設(shè)備可以用作諸如電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本型個人電腦、諸如移動電話的便攜式終端裝置、攝像機(jī)、及頭戴式顯示器的電子裝置的顯示單元的任一種。

這樣，在所有領(lǐng)域的電子裝置中，通過使用本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備作為其顯示單元，可以獲得以下效果。根據(jù)本公開內(nèi)容的技術(shù)，可以抑制由于有機(jī)el元件在遷移率校正周期期間導(dǎo)通而導(dǎo)致的均勻性的劣化，并且因此可以提高圖像質(zhì)量。此外，可以制造小尺寸的顯示面板，并且因此可以提高合理的產(chǎn)量。因此，可以降低包括顯示單元的電子裝置的成本。此外，隨著顯示面板變得更小，可以實現(xiàn)裝置(set)的小型化，并且因此可以增加產(chǎn)品(電子裝置)的設(shè)計自由度。

根據(jù)本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備還具有被配置為密封的模塊形式。例如，模塊對應(yīng)于形成為使得諸如透明玻璃的對向單元附接到像素陣列單元的顯示模塊。在顯示模塊中，可以提供在外部和像素陣列單元之間輸入和輸出信號等的電路單元或柔性印刷電路(fpc)。在下文中，作為使用根據(jù)本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備的電子裝置的具體實例，舉例說明了數(shù)碼相機(jī)和頭戴式顯示器。在此，這里舉例說明的具體實例僅是實例并且本公開內(nèi)容不限于此。

(具體實例1)

圖11是鏡頭可互換單鏡頭反光型數(shù)碼相機(jī)的外觀圖，其中，圖11a示出其正視圖，并且圖11b示出其后視圖。例如，鏡頭可互換單鏡頭反光型的數(shù)碼相機(jī)包括在相機(jī)主體(相機(jī)機(jī)身)111的右前側(cè)上的可互換成像鏡頭單元(可互換鏡頭)，并且包括例如左前側(cè)的用于攝影師握持的握持部113。

此外，監(jiān)視器114設(shè)置在相機(jī)主體111的背面的大致中央部分處。取景器(目鏡窗口)115設(shè)置在監(jiān)視器114上方。攝影師觀察取景器115，因此，可以在視覺上識別從成像透鏡單元112導(dǎo)引的被攝體的光圖像并確定構(gòu)圖。

在具有這種配置的鏡頭可互換單鏡頭反光型數(shù)碼相機(jī)中，本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備可以用作取景器115。即，通過使用本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備作為取景器115來制造根據(jù)本實例的鏡頭可互換單鏡頭反光型的數(shù)碼相機(jī)。(具體實例2)

圖12是頭戴式顯示器的外觀圖。頭戴式顯示器例如包括在眼鏡顯示單元211的兩側(cè)上的用于安裝在用戶的頭部上的掛耳部212。在頭戴式顯示器中，本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備可以用作顯示單元211。即，根據(jù)該實例的頭戴式顯示器通過使用本公開內(nèi)容的顯示設(shè)備作為顯示單元211來制造。

此外，還可以如下配置本技術(shù)。

[1]一種顯示設(shè)備，包括：

像素陣列單元，其中，像素電路以矩陣形式布置，像素電路各自包括發(fā)光單元、寫入視頻信號的信號電壓的寫入晶體管、保持由寫入晶體管寫入的信號電壓的保持電容器、和基于由保持電容器保持的信號電壓驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管；以及

共用線，沿著像素列對每個像素列布線，

其中，像素電路包括選擇性地連接共用線和驅(qū)動晶體管的源電極的開關(guān)晶體管。

[2]根據(jù)[1]所述的顯示設(shè)備，包括：

開關(guān)元件，設(shè)置在像素陣列單元的外圍電路區(qū)域中，并且向共用線選擇性地施加預(yù)定電壓。

[3]根據(jù)[2]所述的顯示設(shè)備，

其中，像素電路具有將驅(qū)動晶體管的源電壓朝著參考驅(qū)動晶體管的柵電壓的初始化電壓從初始化電壓減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓而獲得的電壓改變的閾值校正處理的功能，預(yù)定電壓是在準(zhǔn)備閾值校正處理時施加于驅(qū)動晶體管的源電極的電壓。

[4]根據(jù)[3]所述的顯示設(shè)備，

其中，開關(guān)晶體管和開關(guān)元件在閾值校正處理之前進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)以將預(yù)定電壓寫入驅(qū)動晶體管的源電極。

[5]根據(jù)[4]所述的顯示設(shè)備，

其中，開關(guān)元件在寫入預(yù)定電壓和初始化電壓之后進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)以執(zhí)行閾值校正處理。

[6]根據(jù)[5]所述的顯示設(shè)備，

其中，像素電路具有將對應(yīng)于在驅(qū)動晶體管中流動的電流的校正量的負(fù)反饋施加到驅(qū)動晶體管的柵電極和源電極之間的電位差，以校正驅(qū)動晶體管的遷移率的遷移率校正處理(mobilitycorrectionprocess)的功能，以及

閾值校正處理和遷移率校正處理在1個水平周期內(nèi)執(zhí)行。

[7]根據(jù)[1]至[6]中任一項所述的顯示設(shè)備，

其中，共用線以共用線與向像素電路供給固定電壓的配線重疊的狀態(tài)設(shè)置。

[8]根據(jù)[7]所述的顯示設(shè)備，

其中，供給固定電壓的配線是向驅(qū)動晶體管供給驅(qū)動電流的電源線。

[9]根據(jù)[7]或[8]所述的顯示設(shè)備，

其中，供給固定電壓的配線是向驅(qū)動晶體管供給背柵電壓的配線。

[10]根據(jù)[1]至[9]中的任一項所述的顯示設(shè)備，

其中，共用線的寄生電容器增加整個像素電路的電容值。

[11]根據(jù)[10]所述的顯示設(shè)備，

其中，共用線的寄生電容器補(bǔ)償了發(fā)光單元的等效電容器的電容值的不足。

[12]根據(jù)[10]或[11]所述的顯示設(shè)備，

其中，共用線的寄生電容器的電容值大于保持電容器的寄生電容器的電容值。

[13]根據(jù)[1]至[12]中的任一項所述的顯示設(shè)備，包括：

寫入掃描單元，驅(qū)動寫入晶體管；以及

控制掃描單元，驅(qū)動開關(guān)晶體管，

其中，寫入掃描單元和控制掃描單元相對于像素陣列單元設(shè)置在同一側(cè)的外圍電路區(qū)域中。

[14]一種用于驅(qū)動顯示設(shè)備的方法，顯示設(shè)備包括：

像素陣列單元，其中，像素電路以矩陣形式布置，像素電路均包括發(fā)光單元、寫入視頻信號的信號電壓的寫入晶體管、保持由寫入晶體管寫入的信號電壓的保持電容器、和基于由保持電容器保持的信號電壓驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管；以及

共用線，沿著像素列對于每個像素列布線，

其中，在包括選擇性地連接共用線和驅(qū)動晶體管的源電極的開關(guān)晶體管的像素電路中，像素電容器的電容值隨著開關(guān)晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)而增加。

[15]一種電子裝置，包括：

顯示設(shè)備，包括：

像素陣列單元，其中，像素電路以矩陣形式布置，像素電路均包括發(fā)光單元、寫入視頻信號的信號電壓的寫入晶體管、保持由寫入晶體管寫入的信號電壓的保持電容器、和基于由保持電容器保持的信號電壓驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管；以及

共用線，沿著像素列對每個像素列布線，

其中，像素電路包括選擇性地連接共用線和驅(qū)動晶體管的源電極的開關(guān)晶體管。

符號說明

10有機(jī)el顯示設(shè)備

20,20a,20b單位像素(像素/像素電路)

21有機(jī)el元件

22驅(qū)動晶體管

23寫入晶體管

24保持電容器

25輔助電容器

26開關(guān)晶體管(第一開關(guān)晶體管)

27第二開關(guān)晶體管

28電流控制晶體管

30像素陣列單元

31(311至31m)掃描線

32(321至32m)電源線

33(331至33n)信號線

34共用電源線

35(351至35n)共用線

36(361至36m)控制線

37(371至37m)背柵線

37第一控制線

38第二控制線

40寫入掃描單元

50電源掃描單元

60信號輸出單元

70顯示面板

71至74輸入端子

75,76水平移位(l/s)電路

80脈沖寬度調(diào)整電路

81延遲電路單元

82門電路單元

83緩沖電路

90控制掃描單元(第一控制掃描單元)

91第二控制掃描單元

92電流控制掃描單元

100復(fù)位控制單元

101(1011至101n)開關(guān)元件

102復(fù)位線

cp共用線寄生電容器