用于檢測顯示面板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別地涉及一種用于檢測顯示面板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示裝置的顯示面板的制造中，一般包括多個(gè)制程。例如，對于AMOLED顯示面板的制造，一般包括陣列基板(背板)制程、有機(jī)發(fā)光層(EL)制程以及封裝制程等。在陣列基板制程中，通常采用陣列測試(array test)工藝對制造完成的陣列基板進(jìn)行不良篩查，確定其是否存在缺陷。一方面，可以攔截不良的陣列基板流入后續(xù)的制程而生產(chǎn)出不良的顯示面板，另一方面，可以監(jiān)控陣列基板制程工藝的穩(wěn)定性。
[0003]為了驗(yàn)證陣列測試(array test)的可靠性，通常需要將一部分陣列基板投入到有機(jī)發(fā)光層制程和封裝制程，并得到顯示面板單元(cell)，接著，利用顯示面板單元測試(cell test)工藝對顯示面板單元進(jìn)行測試，即通過點(diǎn)亮面板單元進(jìn)行測試，從而驗(yàn)證陣列測試的可靠性，以修正陣列測試工藝中的測試條件。
[0004]但是，有機(jī)發(fā)光層的制作需要較高的成本，這樣，導(dǎo)致整個(gè)的顯示面板檢測過程成本較高。與此同時(shí)，在有機(jī)發(fā)光層的制程中，也可能引起某種缺陷的發(fā)生，這種缺陷難以與陣列基板制程中的產(chǎn)生的缺陷相區(qū)分，使得整個(gè)檢測過程變得復(fù)雜，而且不利于陣列測試的可靠性的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于檢測顯示面板的方法，以緩解或減輕上述問題。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，顯示面板可包括用于驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光器件的陣列基板，陣列基板可包括陣列布置的像素電極以及驅(qū)動(dòng)像素電極的像素開關(guān)陣列，用于檢測顯示面板的方法可包括如下步驟:
51、向制作完成的陣列基板施加第一驅(qū)動(dòng)信號，監(jiān)控所述像素電極上的第一電壓；
52、在所述陣列基板的各個(gè)像素電極上形成第二電極；
53、向被形成有所述第二電極的陣列基板施加第二驅(qū)動(dòng)信號，監(jiān)控流過所述第二電極的第二電流；
其中所述像素電極是所述電致發(fā)光器件的陰極和陽極中的一個(gè)，所述第二電極是所述電致發(fā)光器件的陰極和陽極中的另一個(gè)。
[0007]對于該實(shí)施例提供的檢測方法，由于不需要制作有機(jī)發(fā)光層，所以整個(gè)的檢測過程的成本得以大大降低。同時(shí)，也排除了有機(jī)發(fā)光層的制作中可能引入的新的缺陷帶來的干擾，簡化了顯示面板的檢測過程，降低了檢測的復(fù)雜性，有助于提高顯示面板的檢測效率。
[0008]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，所述陣列基本的制作可包括對所述陣列基板進(jìn)行測試以確定陣列基板中的缺陷，這種測試在本領(lǐng)域中也可被稱作陣列測試(array test),所述方法還可包括:利用所述第一電壓和所述第二電流來檢驗(yàn)所述測試的測試結(jié)果。在實(shí)施例中，可以對監(jiān)控到的第一電壓和第二電流進(jìn)行有效的利用，例如，可將它們進(jìn)行比較等等，這樣可以有效地檢驗(yàn)或驗(yàn)證之前陣列測試中的測試結(jié)果，以提高陣列測試的可靠性。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，用于檢測顯示面板的方法還可包括:繪制第一電壓等值線，所述第一電壓等值線指示所述陣列基板中具有相等的第一電壓的像素電極；并且繪制第二電流等值線，所述第二電流等值線指示所述陣列基板中具有相等的第二電流的第二電極。
[0010]進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中的所述利用所述第一電壓和所述第二電流來檢驗(yàn)所述測試的測試結(jié)果的步驟可包括:將所述第一電壓等值線和第二電流等值線進(jìn)行比較。這樣，通過將繪制的圖線進(jìn)行比較提供了一種方便、高效的檢驗(yàn)或驗(yàn)證陣列測試結(jié)果的方式，增加了便利性，進(jìn)一步地提高了顯示面板的檢測效率。
[0011]替代性地，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述方法還可包括:借助所述第一電壓得到所述像素開關(guān)的第一閾值電壓，以及借助所述第二電流得到所述像素開關(guān)的第二閾值電壓。
[0012]進(jìn)一步地，所述方法還可包括:將所述第一閾值電壓和第二閾值電壓進(jìn)行比較。通過將第一閾值電壓和第二閾值電壓進(jìn)行比較，同樣可以檢驗(yàn)或驗(yàn)證陣列測試的結(jié)果，提高陣列測試的可靠性。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，所述方法還包括:在形成所述第二電極之后，對所述陣列基板進(jìn)行封裝。
[0014]進(jìn)一步地，所述對所述陣列基板進(jìn)行測試以確定陣列基板中的缺陷的步驟可包括:使用短路環(huán)將所述像素開關(guān)陣列的掃描線引出至所述陣列基板的外圍。
[0015]進(jìn)一步地，所述方法可包括:在開始所述步驟S3之前將所述短路環(huán)切除。
[0016]在根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施例提供的方法中，其中的電致發(fā)光器件可以是有機(jī)發(fā)光二極管，所述陣列基板可以是AMOLED陣列基板。
【附圖說明】
[0017]下面，參照附圖并通過舉例的方式來說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的檢測方法的具體實(shí)例。附圖是示意性的，并未按比例繪制，且只是為了說明本發(fā)明的實(shí)施例而并不意圖限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，其中:
圖1示意性地說明AMOLED陣列基板的單個(gè)的像素電極及其驅(qū)動(dòng)電路。
[0018]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于檢測顯示面板的方法的流程圖；
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)AMOLED陣列基板的驅(qū)動(dòng)信號波形的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本文描述的實(shí)施例主要是針對用于檢測顯示面板的方法，顯示面板可包括用于驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光器件的陣列基板，陣列基板可包括陣列布置的像素電極以及驅(qū)動(dòng)所述像素電極的像素開關(guān)陣列。電致發(fā)光器件可以是各種適合于用作顯示面板的像素單元的發(fā)光器件，包括但不限于各種LED器件，例如，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)等等。在所述電致發(fā)光器件是OLED的情形中，陣列基板可以是AMOLED陣列基板。
[0020]為了清楚且方便地說明本發(fā)明的原理和思想，在下面的實(shí)施例中，以所述陣列基板是AMOLED陣列基板為例來說明本發(fā)明提出的用于檢測顯示面板的方法，當(dāng)然，本發(fā)明提出的方法也可以被應(yīng)用于包括其它類型的電致發(fā)光器件的顯示面板。
[0021]在本發(fā)明的實(shí)施例中，顯示面板可包括用于驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光器件OLED的陣列基板，陣列基板可包括陣列布置的像素電極以及驅(qū)動(dòng)所述像素電極的像素開關(guān)陣列。像素電極可以在制作陣列基板的過程期間形成或者在完成陣列基板的基本制備之后而附加地形成。圖1示意性地示出了 AMOLED陣列基板中單個(gè)的像素電極及其驅(qū)動(dòng)電路。在圖1的示例中，驅(qū)動(dòng)電路的示例是包含第一薄膜晶體管(TFT) Tl和第二薄膜晶體管T2的雙開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其中Tl與單個(gè)的像素電極I電連接，其用作驅(qū)動(dòng)像素電極I的像素開關(guān)。當(dāng)然，像素電極I的驅(qū)動(dòng)電路還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉的包括三個(gè)、四個(gè)或更多個(gè)TFT的其它形式的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0022]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于檢測顯示面板的方法的流程圖，如圖2所示，該方法可包括如下步驟:
51、向制作完成的陣列基板施加第一驅(qū)動(dòng)信號，監(jiān)控所述像素電極上的第一電壓；
52、在所述陣列基板的各個(gè)像素電極上形成第二電極；
53、向被形成有第二電極的陣列基板施加第二驅(qū)動(dòng)信號，監(jiān)控流過所述第二電極的第二電流，其中像素電極是電致發(fā)光器件的陰極和陽極中的一個(gè)，第二電極是電致發(fā)光器件的陰極和陽極中的另一個(gè)。
[0023]在該實(shí)施例中，在步驟SI中，可以利用常規(guī)的信號源向制作完成的陣列基板施加驅(qū)動(dòng)信號，監(jiān)控像素電極上的第一電壓。例如，對于包括如圖1所示的像素單元的AMOLED陣列基板，可以在信號源上調(diào)整其發(fā)出的掃描信號GT和數(shù)據(jù)信號DT的時(shí)序，依次使AMOLED陣列基板的每一行像素單元上電。這樣，利用電壓檢測設(shè)備就可以監(jiān)控到各個(gè)像素電極上的第一電壓(在本文中，將在該階段中監(jiān)控到的像素電極上的電壓稱為“第一電壓”)。當(dāng)然，也可以只是監(jiān)控AMOLED陣列基板的部分區(qū)域內(nèi)的像素電極上的第一電壓，或者選擇性地監(jiān)控AMOLED陣列基板的某些局部區(qū)域內(nèi)的像素電極上的第一電壓。圖3示意性地示出了從信號源發(fā)出的向陣列基板施加的第一驅(qū)動(dòng)信號的波形。其中Data表示數(shù)據(jù)信號Data的波形，其可以作為如圖1中所示的單個(gè)的像素單元的數(shù)據(jù)信號DT，Gate N表示第N行像素單元的掃描信號，其可以作為如圖1中所述的單個(gè)的像素單元的掃描信號GT。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，可以將常規(guī)的面板測試工藝中使用的任何適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)波形應(yīng)用于本發(fā)明的實(shí)施例。
[0024]在步驟S2中，在陣列基板的各個(gè)像素電極上形成第二電極，例如，第二電極可以被蒸鍍在像素電極上。這樣，讓第二電極與像素電極形成直接連接。需要說明的是，取決于OLED結(jié)構(gòu)的類型，第二電極可以是電致發(fā)光器件OLED的陰極或陽極。例如，第二電極可以是OLED的陰極，此時(shí)，像素電極I可以是OLED的陽極。又如，當(dāng)OLED具有反置型結(jié)構(gòu)時(shí)，像素電極I可以是OLED的陰極，此時(shí)，第二電極可以為OLED的陽極。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，省去了常規(guī)的有機(jī)發(fā)光層的制作，所以在后續(xù)的檢測過程中，也將省去點(diǎn)亮顯示面板的步驟。
[0025]在步驟S3中，在陣列基板上被形成有第二電極的基礎(chǔ)上，向陣列基板施加第二驅(qū)動(dòng)信號，并監(jiān)控流過第二電極的電流(在本文中，將在該階段中監(jiān)控到的流過第二電極的電流稱為“第二電流”)。同樣地，也可以只是監(jiān)控AMOLED陣列基板的部分區(qū)域內(nèi)的第二電極上的第二電流，或者選擇性地監(jiān)控AMOLED陣列基板的某些局部區(qū)域內(nèi)的第二電極上的第二電流。而且，可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的電壓或電流檢測設(shè)備或監(jiān)控方法完成對第一電壓或第二電流的監(jiān)控。在實(shí)施例中，取決于陣列基本將被應(yīng)用的設(shè)備的類型，步驟S3中所使用的第二驅(qū)動(dòng)信號與步驟SI中所使用的第一驅(qū)動(dòng)信號可具有相同或不同的特性，例如，可以使用具有相同波形的驅(qū)動(dòng)信號，或者使用不同波形的驅(qū)動(dòng)信號。當(dāng)然