降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的方法及設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體說來涉及內(nèi)嵌式觸摸液晶面板技術(shù)領(lǐng)域，更具體地講，涉及一種降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的方法及設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器搭配觸摸面板是目前使用最廣泛的一種便攜式平板顯示器，已經(jīng)逐漸成為各種電子設(shè)備(例如，移動通信終端、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計算機(jī)、筆記本電腦等)所廣泛應(yīng)用的具有高分辨率彩色屏幕的顯示器，近年來，原本外置的觸摸面板部件與液晶面板實現(xiàn)一體化(in-cell touch)，從而實現(xiàn)面板的薄型化和輕量化，并因為在像素內(nèi)嵌入觸摸傳感器也節(jié)省了制造成本。
[0003]目前普遍的in cell touch液晶顯示器，通常由上下襯底和中間液晶層組成，襯底由玻璃、電極等組成。如果上下襯底都有電極，可以形成縱向電場模式的顯示器，例如，TN(TwistNematic)模式，VA(VerticalAlignment)模式，以及為了解決視角過窄開發(fā)的MVA(MultidomainVerticalAlignment)模式。另外一類與上述顯示器不同，電極只位于一側(cè)襯底，形成橫向電場模式的顯示器，例如，IPS (In-plane switching)模式、FFS (Fringe FieldSwitching)模式等。由于in-cell touch液晶面板的架構(gòu)，其所使用的電極常共用縱向電場或橫向電場的一個電極，也就是共用電極，其運(yùn)作原理為:當(dāng)掃描觸摸信號時，原本輸入到共用電極供顯示器顯示的信號就轉(zhuǎn)變成用于掃描觸摸信號的信號，待掃描觸摸信號結(jié)束后，再轉(zhuǎn)變成供顯示器顯示的信號。
[0004]圖1示出內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的像素陣列的示意圖，如圖1所示，D1-D5指示數(shù)據(jù)線，G1-G5指示掃描線。圖2示出像素電路的示意圖，如圖2所示，像素電路包括:薄膜晶體管、液晶電容(Clc)、儲存電容(Cst)、薄膜晶體管的柵極和源極之間的寄生電容(Cgs)Jf素電極(pixel ΙΤ0)、濾色器層側(cè)的共用電極、陣列層側(cè)的共用電極，由于在橫向電場模式的面板中，沒有濾色器層側(cè)的共用電極，只有陣列層側(cè)的共用電極，因此，液晶電容和儲存電容都連接到陣列層側(cè)的共用電極。
[0005]在現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸摸液晶面板中，還存在較大的漏電流，導(dǎo)致電耗增加、畫面品質(zhì)差等冋題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的示例性實施例在于提供一種降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的方法及設(shè)備，以克服現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流較大的問題。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供一種降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的方法，其中，所述面板包括像素陣列以及與像素陣列中的各個像素連接的掃描線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述方法包括:根據(jù)與像素連接的數(shù)據(jù)線上的電壓和輸入到所述像素的共用電極的用于掃描觸摸信號的信號，在掃描觸摸信號的時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線輸出調(diào)整電壓后的信號，以降低所述像素中的薄膜晶體管的漏源電壓。
[0008]可選地，所述薄膜晶體管為P型晶體管，其中，當(dāng)與像素連接的數(shù)據(jù)線上的電壓在正半周期，并且輸入到所述像素的共用電極的用于掃描觸摸信號的信號為由低電平轉(zhuǎn)向高電平的脈沖信號時，在掃描觸摸信號的時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線輸出增大電壓后的信號。
[0009]可選地，所述增大電壓后的信號的電壓區(qū)間為:[Vdata{nin) +(Vgh-Vgl) *Cgs/(Clcnin+Cst)]至[Vd—+(Vgh-Vgl)*Cgs/(Clcnax+Cst)]，其中，Vdata0llin)指示數(shù)據(jù)線上的最小電壓，Vdataw指示數(shù)據(jù)線上的最大電壓，Vgh指示掃描線上的最大電壓，Vgl指示掃描線上的最小電壓，Cgs指示薄膜晶體管的柵極和源極之間的寄生電容的電容值，Cst指示儲存電容的電容值，ClcnuJ示液晶電容的最小電容值，Clc _指示液晶電容的最大電容值。
[0010]可選地，所述薄膜晶體管為N型晶體管，其中，當(dāng)與像素連接的數(shù)據(jù)線上的電壓在負(fù)半周期，并且輸入到所述像素的共用電極的用于掃描觸摸信號的信號為由高電平轉(zhuǎn)向低電平的脈沖信號時，在掃描觸摸信號的時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線輸出降低電壓后的信號。[0011 ] 可選地，所述降低電壓后的信號的電壓區(qū)間為:[-Vdata0llin)- (Vgh-Vgl) *Cgs/(Clcnin+Cst)]至[-V--(Vgh-Vgl)*Cgs/(Clcnax+Cst)]，其中，Vdata0llin)指示數(shù)據(jù)線上的最小電壓，Vdata0nax)指示數(shù)據(jù)線上的最大電壓，Vgh指示掃描線上的最大電壓，Vgl指示掃描線上的最小電壓，Cgs指示薄膜晶體管的柵極和源極之間的寄生電容的電容值，Cst指示儲存電容的電容值，ClcnuJ示液晶電容的最小電容值，Clc _指示液晶電容的最大電容值。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例，提供一種降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的設(shè)備，其中，所述面板包括像素陣列以及與像素陣列中的各個像素連接的掃描線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述設(shè)備包括:電壓控制單元，根據(jù)與像素連接的數(shù)據(jù)線上的電壓和輸入到所述像素的共用電極的用于掃描觸摸信號的信號，在掃描觸摸信號的時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線輸出調(diào)整電壓后的信號，以降低所述像素中的薄膜晶體管的漏源電壓。
[0013]可選地，所述薄膜晶體管為P型晶體管，其中，電壓控制單元當(dāng)與像素連接的數(shù)據(jù)線上的電壓在正半周期，并且輸入到所述像素的共用電極的用于掃描觸摸信號的信號為由低電平轉(zhuǎn)向高電平的脈沖信號時，在掃描觸摸信號的時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線輸出增大電壓后的信號。
[0014]可選地，所述增大電壓后的信號的電壓區(qū)間為:[Vdata{nin) +(Vgh-Vgl) *Cgs/(Clcnin+Cst)]至[Vd—+(Vgh-Vgl)*Cgs/(Clcnax+Cst)]，其中，Vdata0llin)指示數(shù)據(jù)線上的最小電壓，Vdataw指示數(shù)據(jù)線上的最大電壓，Vgh指示掃描線上的最大電壓，Vgl指示掃描線上的最小電壓，Cgs指示薄膜晶體管的柵極和源極之間的寄生電容的電容值，Cst指示儲存電容的電容值，ClcnuJ示液晶電容的最小電容值，Clc _指示液晶電容的最大電容值。
[0015]可選地，所述薄膜晶體管為N型晶體管，其中，電壓控制單元當(dāng)與像素連接的數(shù)據(jù)線上的電壓在負(fù)半周期，并且輸入到所述像素的共用電極的用于掃描觸摸信號的信號為由高電平轉(zhuǎn)向低電平的脈沖信號時，在掃描觸摸信號的時間段內(nèi)，通過所述數(shù)據(jù)線輸出降低電壓后的信號。
[0016]可選地，所述降低電壓后的信號的電壓區(qū)間為:[-Vdata0llin)- (Vgh-Vgl) *Cgs/(Clcnin+Cst)]至[-V--(Vgh-Vgl)*Cgs/(Clcnax+Cst)]，其中，Vdata0llin)指示數(shù)據(jù)線上的最小電壓，Vdata0nax)指示數(shù)據(jù)線上的最大電壓，Vgh指示掃描線上的最大電壓，Vgl指示掃描線上的最小電壓，Cgs指示薄膜晶體管的柵極和源極之間的寄生電容的電容值，Cst指示儲存電容的電容值，ClcnuJ示液晶電容的最小電容值，Clc _指示液晶電容的最大電容值。
[0017]在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的方法及設(shè)備中，能夠降低像素中的薄膜晶體管的漏源電壓，從而有效降低漏電流，提高畫面品質(zhì)。
[0018]將在接下來的描述中部分闡述本發(fā)明總體構(gòu)思另外的方面和/或優(yōu)點，還有一部分通過描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明總體構(gòu)思的實施而得知。
【附圖說明】
[0019]圖1示出內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的像素陣列的示意圖；
[0020]圖2示出像素電路的示意圖；
[0021]圖3示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的降低內(nèi)嵌式觸摸液晶面板的漏電流的方法的流程圖；
[0022]圖4示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的針對P型晶體管的漏電流的示意圖；
[0023]圖5示出根據(jù)本發(fā)明示